JPH03276723A - 絶縁薄膜およびその形成方法 - Google Patents
絶縁薄膜およびその形成方法Info
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- JPH03276723A JPH03276723A JP7832890A JP7832890A JPH03276723A JP H03276723 A JPH03276723 A JP H03276723A JP 7832890 A JP7832890 A JP 7832890A JP 7832890 A JP7832890 A JP 7832890A JP H03276723 A JPH03276723 A JP H03276723A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は例えばＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラ
ズマのような高効率な励起源を用いて形成する薄膜内部
に含有される水素濃度が極めて少ない絶縁薄膜およびそ
の形成方法に関するものである。
ズマのような高効率な励起源を用いて形成する薄膜内部
に含有される水素濃度が極めて少ない絶縁薄膜およびそ
の形成方法に関するものである。
半導体集積回路においては、導体−半導体間および導体
−導体間の電気的絶縁を行うための層間絶縁膜、および
デバイスを外的雰囲気から保護するための最終保護膜が
用いられる。これらには、化学気相成長法（ＣＶＤ法）
により形成したフォスフオーシリケート−ガラス膜（Ｐ
ＳＧ膜）が用いられていたが、ＰＳＧ膜は吸湿により生
成されるリン酸によって配線金属であるアルミニウムが
腐食されるという欠点があった。プラズマＣＶＤ法（Ｐ
ＣＶＤ法）により形成したシリコン窒化膜は、４００℃
以下の低温形成が可能なことおよび水分やアルカリイオ
ンに対する阻止能力が高いこと等の理由により、ＣＶＤ
法によるＰＳＧ膜に代わって層間絶縁膜や最終保護膜と
して応用されるようになってきた。しかし、シリコン窒
化膜の比誘電率は約７と比較的高（、特に超微細集積回
路の層間絶縁膜として応用していく場合には、配線の寄
生容量を増大させるためデバイスの高速化を妨げる等の
問題点があった。水分やアルカリイオンに対する阻止能
力を低下させずに比誘電率を低減できる絶縁薄膜として
は、たとえば、本件発明と同一出願人による「絶縁薄膜
とその形成方法及び形成装置」と題する、特願昭６０−
２９９４０２号公報で述べられているシリコン、ボロン
および窒素からなる三元系薄膜、あるいは同じく本件発
明と同一出願人による「絶縁薄膜および絶縁薄膜の形成
方法」と題する、特願昭６３−１４６５１１号公報で述
べられているシリコン、ボロン、窒素および酸素からな
る四元系薄膜がある。これらの絶縁薄膜においては、そ
の比誘電率の値は、シリコン窒化膜の１／２以下にする
ことが可能である。しかし、これらの絶縁薄膜は、モノ
シラン、ジボラン、アンモニア等の水素化物を原料ガス
とするＰＣＶＤ法により形成されるため、ＰＣＶＤ法に
より形成したシリコン窒化膜同様それらの膜中には１０
２２ｃｍ−３程度の水素原子が含有される。
−導体間の電気的絶縁を行うための層間絶縁膜、および
デバイスを外的雰囲気から保護するための最終保護膜が
用いられる。これらには、化学気相成長法（ＣＶＤ法）
により形成したフォスフオーシリケート−ガラス膜（Ｐ
ＳＧ膜）が用いられていたが、ＰＳＧ膜は吸湿により生
成されるリン酸によって配線金属であるアルミニウムが
腐食されるという欠点があった。プラズマＣＶＤ法（Ｐ
ＣＶＤ法）により形成したシリコン窒化膜は、４００℃
以下の低温形成が可能なことおよび水分やアルカリイオ
ンに対する阻止能力が高いこと等の理由により、ＣＶＤ
法によるＰＳＧ膜に代わって層間絶縁膜や最終保護膜と
して応用されるようになってきた。しかし、シリコン窒
化膜の比誘電率は約７と比較的高（、特に超微細集積回
路の層間絶縁膜として応用していく場合には、配線の寄
生容量を増大させるためデバイスの高速化を妨げる等の
問題点があった。水分やアルカリイオンに対する阻止能
力を低下させずに比誘電率を低減できる絶縁薄膜として
は、たとえば、本件発明と同一出願人による「絶縁薄膜
とその形成方法及び形成装置」と題する、特願昭６０−
２９９４０２号公報で述べられているシリコン、ボロン
および窒素からなる三元系薄膜、あるいは同じく本件発
明と同一出願人による「絶縁薄膜および絶縁薄膜の形成
方法」と題する、特願昭６３−１４６５１１号公報で述
べられているシリコン、ボロン、窒素および酸素からな
る四元系薄膜がある。これらの絶縁薄膜においては、そ
の比誘電率の値は、シリコン窒化膜の１／２以下にする
ことが可能である。しかし、これらの絶縁薄膜は、モノ
シラン、ジボラン、アンモニア等の水素化物を原料ガス
とするＰＣＶＤ法により形成されるため、ＰＣＶＤ法に
より形成したシリコン窒化膜同様それらの膜中には１０
２２ｃｍ−３程度の水素原子が含有される。
このように多量の水素原子を含有した絶縁薄膜をＭＯ８
系デバイスの層間絶縁膜や最終保護膜として適用した場
合には、膜中の含有水素原子がゲート絶縁膜中に拡散し
、その結果、トランジスタの閾値電圧の変動を引き起こ
したり、ホットエレクトロン耐性劣化の原因になること
が報告されている。したがって、層間絶縁膜や最終保護
膜として用いる絶縁薄膜においては低水素含有量である
ことが極めて重要な要求条件となっていた。
系デバイスの層間絶縁膜や最終保護膜として適用した場
合には、膜中の含有水素原子がゲート絶縁膜中に拡散し
、その結果、トランジスタの閾値電圧の変動を引き起こ
したり、ホットエレクトロン耐性劣化の原因になること
が報告されている。したがって、層間絶縁膜や最終保護
膜として用いる絶縁薄膜においては低水素含有量である
ことが極めて重要な要求条件となっていた。
本発明の目的は微細集積回路の層間絶縁膜あるいは最終
保護膜として用いる低水素含有量でしかも低比誘電率で
ある絶縁薄膜を提供することである。
保護膜として用いる低水素含有量でしかも低比誘電率で
ある絶縁薄膜を提供することである。
本発明はＥＣＲプラズマＣＶＤ法およびＲＦバイアスＥ
ＣＲプラズマＣＶＤ法により、シリコン、ボロン、窒素
および酸素からなる絶縁薄膜およびその形成方法を提供
することを最も主要な特徴とする。絶縁薄膜の組成をＳ
ｌ ｘ Ｂ ｙ Ｎ ｙ Ｏ２ｘに制御することにより
、絶縁薄膜中に含有される水素濃度を従来のＰＣＶＤ法
により形成された絶縁薄膜に比べて大幅に低減すること
が可能になる。
ＣＲプラズマＣＶＤ法により、シリコン、ボロン、窒素
および酸素からなる絶縁薄膜およびその形成方法を提供
することを最も主要な特徴とする。絶縁薄膜の組成をＳ
ｌ ｘ Ｂ ｙ Ｎ ｙ Ｏ２ｘに制御することにより
、絶縁薄膜中に含有される水素濃度を従来のＰＣＶＤ法
により形成された絶縁薄膜に比べて大幅に低減すること
が可能になる。
例えばＥＣＲプラズマのような高効率な励起源を用いて
形成した絶縁薄膜では膜中に含有される水素濃度を極め
て低く抑制できるという特徴がある。
形成した絶縁薄膜では膜中に含有される水素濃度を極め
て低く抑制できるという特徴がある。
従って、本発明の構成は下記に示す通りである。
即ち、本発明はシリコン、ボロン、窒素および酸素から
なり、シリコンと酸素の原子濃度比が約１対２で、かつ
ボロンと窒素の′原子濃度比が約１対１であることを特
徴とする絶縁薄膜としての構成を有するものであり、或
いはまた、 シリコン、ボロン、窒素および酸素からなり、シリコン
と酸素の原子濃度比が約１対２で、かっボロンと窒素の
原子濃度比が約１対１である絶縁薄膜の形成をＥＣＲイ
オン源を用いる薄膜形成装置により行うことを特徴とす
る絶縁薄膜の形成方法としての構成を有するものであり
、或いはまた、シリコン、ボロン、窒素および酸素から
なり、シリコンと酸素の原子濃度比が約１対２で、かっ
ボロンと窒素の原子濃度比が約１対１である絶縁薄膜の
形成をＥＣＲイオン源を用いる薄膜形成装置であって、
かつ基板にＲＦバイアスを印加することを特徴とするバ
イアスＥＣＲ装置により行なうことを特徴とする絶縁薄
膜の形成方法としての構成を有するものである。
なり、シリコンと酸素の原子濃度比が約１対２で、かつ
ボロンと窒素の′原子濃度比が約１対１であることを特
徴とする絶縁薄膜としての構成を有するものであり、或
いはまた、 シリコン、ボロン、窒素および酸素からなり、シリコン
と酸素の原子濃度比が約１対２で、かっボロンと窒素の
原子濃度比が約１対１である絶縁薄膜の形成をＥＣＲイ
オン源を用いる薄膜形成装置により行うことを特徴とす
る絶縁薄膜の形成方法としての構成を有するものであり
、或いはまた、シリコン、ボロン、窒素および酸素から
なり、シリコンと酸素の原子濃度比が約１対２で、かっ
ボロンと窒素の原子濃度比が約１対１である絶縁薄膜の
形成をＥＣＲイオン源を用いる薄膜形成装置であって、
かつ基板にＲＦバイアスを印加することを特徴とするバ
イアスＥＣＲ装置により行なうことを特徴とする絶縁薄
膜の形成方法としての構成を有するものである。
５ｉＢＮＯ四元系膜中での結合状態は、赤外吸収分光法
による研究から５ｉ−Ｎ、５ｉ−０、Ｂ−ＮおよびＢ−
０結合状態の他に、それぞれの元素と水素原子との結合
状態からなっている。さらに、Ｘ線光電子分光法による
研究から酸素原子濃度がシリコン原子濃度の２倍までの
領域では、酸素原子はシリコン原子と優先的に結合を形
成する。
による研究から５ｉ−Ｎ、５ｉ−０、Ｂ−ＮおよびＢ−
０結合状態の他に、それぞれの元素と水素原子との結合
状態からなっている。さらに、Ｘ線光電子分光法による
研究から酸素原子濃度がシリコン原子濃度の２倍までの
領域では、酸素原子はシリコン原子と優先的に結合を形
成する。
これらの事実から、５ｉＢＮ０四元系薄膜の化学量論的
組成（ストイキオメトリ）を満足する組成として、Ｓ
ｉ 、Ｂ、Ｎ、０２．を考えることができる。
組成（ストイキオメトリ）を満足する組成として、Ｓ
ｉ 、Ｂ、Ｎ、０２．を考えることができる。
この組成の薄膜においては、薄膜を構成する四元素の結
合手の数に過不足はない。薄膜形成の原料ガスとしてモ
ノシラン、ジボラン等の水素化物を用いる場合でも、そ
れらの励起手段としてＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴
）プラズマのような高効率な励起源を用いて上記組成の
薄膜を形成すれば、膜中に含有される水素濃度をきわめ
て低く抑えることか可能になる。一方、化学量論的組成
に比べて過剰濃度存在する元素を有する組成の薄膜にお
いては、その過剰に存在する結合手は水素原子と結合を
形成することによって安定化するため、結果として、薄
膜中に水素原子を含有するようになる。以上述べたこと
を、以下に図面を用いて実証する。
合手の数に過不足はない。薄膜形成の原料ガスとしてモ
ノシラン、ジボラン等の水素化物を用いる場合でも、そ
れらの励起手段としてＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴
）プラズマのような高効率な励起源を用いて上記組成の
薄膜を形成すれば、膜中に含有される水素濃度をきわめ
て低く抑えることか可能になる。一方、化学量論的組成
に比べて過剰濃度存在する元素を有する組成の薄膜にお
いては、その過剰に存在する結合手は水素原子と結合を
形成することによって安定化するため、結果として、薄
膜中に水素原子を含有するようになる。以上述べたこと
を、以下に図面を用いて実証する。
反応ガスとして、ＳｉＨ４Ｂ２Ｈ６Ｎ２ ０２系を用い
、投入マイクロ波電力２．５ ｋＷ（２，４５Ｇｄ２）
、反応圧力５ｘ １０−３Ｔｏｒｒ 、 Ｓ ｉＨ４流
量１０ ｓ ｅ ｃｍ、 Ｂ２Ｈ６流量１０１０５ｅ、
Ｎ２流量５ＳＣＣｍＸＯ２流量１５ｓｃｃｍの条件で形
成した、組成がＳ ｉ ｏ、 ＋ｙＢ ｏ、 ＋＋＋Ｎ
Ｏ２７００，３８で表される薄膜の赤外吸収スペクト
ルを第１図に示す。この薄膜の組成は、化学量論的組成
に比べて窒素が過剰な組成になっており、第１図にみら
れるように、５ｉ−０およびＢ−Ｎ結合に関する吸収ピ
ークの他に、３３４４ｃｍ−’にＮ−Ｎ結合による明瞭
な吸収ピークが観測される。このＮ−Ｎ結合の吸収から
薄膜中に含有されている水素濃度を計算するとおよそ１
０２２ｃｍ”となり、この値は、ＰＣＶＤ法により形成
したシリコン窒化膜での値とほぼ同程度である。同様の
結果は、他の元素についても観察され、たとえば赤外吸
収スペクトルにおいて、組成的にＳｉ過剰な薄膜ではＳ
ＩＨ結合による、Ｂ過剰な組成の薄膜ではＢ−Ｎ結合に
よる、またＯ過剰な組成の場合にはＯ−Ｎ結合による吸
収が観測される。
、投入マイクロ波電力２．５ ｋＷ（２，４５Ｇｄ２）
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量１０ ｓ ｅ ｃｍ、 Ｂ２Ｈ６流量１０１０５ｅ、
Ｎ２流量５ＳＣＣｍＸＯ２流量１５ｓｃｃｍの条件で形
成した、組成がＳ ｉ ｏ、 ＋ｙＢ ｏ、 ＋＋＋Ｎ
Ｏ２７００，３８で表される薄膜の赤外吸収スペクト
ルを第１図に示す。この薄膜の組成は、化学量論的組成
に比べて窒素が過剰な組成になっており、第１図にみら
れるように、５ｉ−０およびＢ−Ｎ結合に関する吸収ピ
ークの他に、３３４４ｃｍ−’にＮ−Ｎ結合による明瞭
な吸収ピークが観測される。このＮ−Ｎ結合の吸収から
薄膜中に含有されている水素濃度を計算するとおよそ１
０２２ｃｍ”となり、この値は、ＰＣＶＤ法により形成
したシリコン窒化膜での値とほぼ同程度である。同様の
結果は、他の元素についても観察され、たとえば赤外吸
収スペクトルにおいて、組成的にＳｉ過剰な薄膜ではＳ
ＩＨ結合による、Ｂ過剰な組成の薄膜ではＢ−Ｎ結合に
よる、またＯ過剰な組成の場合にはＯ−Ｎ結合による吸
収が観測される。
次に、第１図で述べた形成条件のうち、投入マイクロ波
電力および反応圧力は同じにし、ガス流量をＳｉＨ＜流
量１５ ｓ ｅ ｃｍ、 Ｂ２Ｈ６流量１０１０５ｅ、
Ｎ２流量’７ｓｅｃｍ、および０２流量２５ｓｃｃｍに
変えて形成した絶縁薄膜の赤外吸収スペクトルを第２図
に示す。この薄膜の組成は、Ｓ ｉ ０．２５Ｂ ０．
１４Ｎ Ｏ，１３００，４８であり化学量論的組成をほ
ぼ満足する組成である。この場合には、５ｉ−０および
Ｂ−Ｎ結合に関する吸収が主であり、３３４４ｃｍ’付
近のＮ−Ｎ結合による吸収は極めて小さくなっている。
電力および反応圧力は同じにし、ガス流量をＳｉＨ＜流
量１５ ｓ ｅ ｃｍ、 Ｂ２Ｈ６流量１０１０５ｅ、
Ｎ２流量’７ｓｅｃｍ、および０２流量２５ｓｃｃｍに
変えて形成した絶縁薄膜の赤外吸収スペクトルを第２図
に示す。この薄膜の組成は、Ｓ ｉ ０．２５Ｂ ０．
１４Ｎ Ｏ，１３００，４８であり化学量論的組成をほ
ぼ満足する組成である。この場合には、５ｉ−０および
Ｂ−Ｎ結合に関する吸収が主であり、３３４４ｃｍ’付
近のＮ−Ｎ結合による吸収は極めて小さくなっている。
したがって、赤外吸収分光法の測定感度から考えて、化
学量論的組成を満足する薄膜においては、薄膜中に含有
される水素原子濃度は１０”ｃｍ−３以下であり、第１
図に示した場合に比べて少なくとも１桁以上水素濃度が
減少していることが分かる。
学量論的組成を満足する薄膜においては、薄膜中に含有
される水素原子濃度は１０”ｃｍ−３以下であり、第１
図に示した場合に比べて少なくとも１桁以上水素濃度が
減少していることが分かる。
従って、薄膜形成の原料ガスとしてモノシラン、シボラ
ン等の水素化物を用いる場合でも、それらの励起手段と
してＥＣＲプラズマのような高効率な励起源を用いて絶
縁薄膜を形成すれば、膜中に含有される水素濃度は極め
て低く抑制されることが明らかである。
ン等の水素化物を用いる場合でも、それらの励起手段と
してＥＣＲプラズマのような高効率な励起源を用いて絶
縁薄膜を形成すれば、膜中に含有される水素濃度は極め
て低く抑制されることが明らかである。
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法による形成過程において、反応
ガス系にＡｒ等の希ガスを添加すると同時に基板にＲＦ
バイアスを印可する、バイアスＥＣＲプラズマＣＶＤ法
で５ｉＢＮ０四元系絶縁薄膜を形成する場合には、薄膜
堆積と同時に進行する希ガス原子によるスパッタエツチ
ングのエツチング効率が薄膜を構成する四元素で異なる
ため、バイアスを印加しない場合と比べて薄膜組成が変
化する。しかしこの場合においても、反応ガス系の流量
を制御することによりＳｉ、Ｂ、ＮアＯ２Ｘなる化学量
論的組成の薄膜を得ることができ、その場合には、第２
図に示したような結合水素による吸収が極めて少ない赤
外吸収スペクトルが得られ０ る。
ガス系にＡｒ等の希ガスを添加すると同時に基板にＲＦ
バイアスを印可する、バイアスＥＣＲプラズマＣＶＤ法
で５ｉＢＮ０四元系絶縁薄膜を形成する場合には、薄膜
堆積と同時に進行する希ガス原子によるスパッタエツチ
ングのエツチング効率が薄膜を構成する四元素で異なる
ため、バイアスを印加しない場合と比べて薄膜組成が変
化する。しかしこの場合においても、反応ガス系の流量
を制御することによりＳｉ、Ｂ、ＮアＯ２Ｘなる化学量
論的組成の薄膜を得ることができ、その場合には、第２
図に示したような結合水素による吸収が極めて少ない赤
外吸収スペクトルが得られ０ る。
以上述べた薄膜の組成と薄膜中に含有される水素原子の
存在形態との対応関係は、基板にＲＦバイアスを印加す
るしないにかかわらずＥ ＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｃ
ｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅ５ｏｎａｎｃｅ ：電子サイク
ロトロン共鳴）マグネトロンプラズマの様な高効率な励
起源を用いる薄膜形成方法においては一般的に成り立つ
関係であることは明らかである。
存在形態との対応関係は、基板にＲＦバイアスを印加す
るしないにかかわらずＥ ＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｃ
ｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅ５ｏｎａｎｃｅ ：電子サイク
ロトロン共鳴）マグネトロンプラズマの様な高効率な励
起源を用いる薄膜形成方法においては一般的に成り立つ
関係であることは明らかである。
以上述べたように、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法あるいはバ
イアスＥＣＲプラズマＣＶＤ法によりＳｔ ｔＢ 、Ｎ
ｙｏ ２１なる組成に制御された絶縁薄膜においては
、薄膜中に含有される水素濃度を赤外吸収分光法の測定
感度程度に低減できるので、たとえばＭＯ８系デバイス
の層間絶縁膜や最終保護膜として応用した場合に、デバ
イスの高信頼化を図ることが可能になる。
イアスＥＣＲプラズマＣＶＤ法によりＳｔ ｔＢ 、Ｎ
ｙｏ ２１なる組成に制御された絶縁薄膜においては
、薄膜中に含有される水素濃度を赤外吸収分光法の測定
感度程度に低減できるので、たとえばＭＯ８系デバイス
の層間絶縁膜や最終保護膜として応用した場合に、デバ
イスの高信頼化を図ることが可能になる。
１
第１図は窒素過剰な組成の５ｉＢＮＯ絶縁薄膜の赤外吸
収スペクトル、第２図は化学量論的組成を満足する５ｉ
ＢＮＯ絶縁薄膜の赤外吸収スペクトルである。
収スペクトル、第２図は化学量論的組成を満足する５ｉ
ＢＮＯ絶縁薄膜の赤外吸収スペクトルである。
Claims (3)
- （１）シリコン、ボロン、窒素および酸素からなり、シ
リコンと酸素の原子濃度比が約１対２で、かつボロンと
窒素の原子濃度比が約１対１であることを特徴とする絶
縁薄膜。 - （２）シリコン、ボロン、窒素および酸素からなり、シ
リコンと酸素の原子濃度比が約１対２で、かつボロンと
窒素の原子濃度比が約１対１である絶縁薄膜の形成をＥ
ＣＲイオン源を用いる薄膜形成装置により行うことを特
徴とする絶縁薄膜の形成方法。 - （３）シリコン、ボロン、窒素および酸素からなり、シ
リコンと酸素の原子濃度比が約１対２で、かつボロンと
窒素の原子濃度比が約１対１である絶縁薄膜の形成をＥ
ＣＲイオン源を用いる薄膜形成装置であって、かつ基板
にＲＦバイアスを印加することを特徴とするバイアスＥ
ＣＲ装置により行なうことを特徴とする絶縁薄膜の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7832890A JPH03276723A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 絶縁薄膜およびその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7832890A JPH03276723A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 絶縁薄膜およびその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03276723A true JPH03276723A (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=13658902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7832890A Pending JPH03276723A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 絶縁薄膜およびその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03276723A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006080153A1 (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Nec Corporation | 半導体受光素子及びその製造方法 |
| KR100668970B1 (ko) * | 2003-11-05 | 2007-01-12 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 플라즈마 처리장치 및 이를 사용한 질화막 형성 방법 |
| US11618949B2 (en) * | 2019-11-08 | 2023-04-04 | Applied Materials, Inc. | Methods to reduce material surface roughness |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP7832890A patent/JPH03276723A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100668970B1 (ko) * | 2003-11-05 | 2007-01-12 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 플라즈마 처리장치 및 이를 사용한 질화막 형성 방법 |
| WO2006080153A1 (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Nec Corporation | 半導体受光素子及びその製造方法 |
| JP4894752B2 (ja) * | 2005-01-28 | 2012-03-14 | 日本電気株式会社 | 半導体受光素子及びその製造方法 |
| US8148229B2 (en) | 2005-01-28 | 2012-04-03 | Nec Corporation | Method for manufacturing a semiconductor light-receiving device |
| US11618949B2 (en) * | 2019-11-08 | 2023-04-04 | Applied Materials, Inc. | Methods to reduce material surface roughness |
| US11939674B2 (en) | 2019-11-08 | 2024-03-26 | Applied Materials, Inc. | Methods to reduce material surface roughness |
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