JPH03274267A - Film forming device - Google Patents
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- JPH03274267A JPH03274267A JP7451890A JP7451890A JPH03274267A JP H03274267 A JPH03274267 A JP H03274267A JP 7451890 A JP7451890 A JP 7451890A JP 7451890 A JP7451890 A JP 7451890A JP H03274267 A JPH03274267 A JP H03274267A
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Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 91
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 23
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、真空槽内において成膜材料により基板に膜を
形成する成膜装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a film forming apparatus for forming a film on a substrate using a film forming material in a vacuum chamber.
(従来の技術)
この種の成膜装置として、従来、成膜材料(ターゲット
)にイオンを照射させて基板に成膜材料の膜を形成する
スパッタリング装置があり、この他、成膜材料を加熱蒸
発させて基板への蒸着を行なう熱蒸着装置や、成膜材料
の蒸発粒子をイオン化して蒸着を行なうイオンブレーテ
ィング装置等の蒸着装置が一般に知られている。(Conventional technology) Conventionally, this type of film-forming equipment includes a sputtering equipment that irradiates a film-forming material (target) with ions to form a film of the film-forming material on a substrate. Vapor deposition apparatuses such as a thermal evaporation apparatus that performs vapor deposition on a substrate by evaporation, and an ion blating apparatus that performs vapor deposition by ionizing evaporated particles of a film-forming material are generally known.
斯かる成膜装置においては、周方向に配置された複数の
基板取付面を有し、各基板取付面が成膜材料のターゲッ
ト又は蒸発源に順次向かい合うよう回転する回転治具を
用いることも知られている。It is also known that such a film forming apparatus uses a rotating jig that has a plurality of substrate mounting surfaces arranged in the circumferential direction and rotates so that each substrate mounting surface sequentially faces a target or evaporation source of the film forming material. It is being
すなわち、上記回転治具としては、スパッタリング装置
について例を挙げれば、真空槽内においてターンテーブ
ル上に複数の基板取付面を角筒状に連ねたカル−セル型
のもの、複数の基板取付面を円錐状ないし角錐状に配設
したドーム型のもの、複数の基板取付面を角筒状に連ね
て軸心を水平にして回転せしめるようにしたドラム型の
もの等がある。カル−セル型のスパッタリング装置では
その外周囲にターゲットが配設され、ドーム型のもので
はその下方にターゲットが配設され、ドラム型のものに
あってはその内部にターゲットが配設される。そして、
このような回転治具は、蒸着装置についても設けられる
が、基板への成膜に当たって、通常、定速で回転されて
いる。In other words, examples of the rotating jig mentioned above for sputtering equipment include a carousel type in which a plurality of substrate mounting surfaces are arranged in a rectangular tube shape on a turntable in a vacuum chamber, and There are dome-shaped ones arranged in a conical or pyramidal shape, and drum-shaped ones in which a plurality of substrate mounting surfaces are arranged in a rectangular tube shape and rotated with the axis horizontal. In a carousel type sputtering apparatus, a target is disposed around the outer periphery of the sputtering apparatus, in a dome type sputtering apparatus, a target is disposed below the sputtering apparatus, and in a drum type sputtering apparatus, a target is disposed inside the sputtering apparatus. and,
Such a rotating jig is also provided in a vapor deposition apparatus, but it is usually rotated at a constant speed when forming a film on a substrate.
(発明が解決しようとする課題)
ところで、一般に成膜装置においては、基板には成膜材
料の飛翔角度分布に対応して不均一な厚さの膜が形成さ
れるが、上記回転治具を用いる場合は、その基板上の膜
厚分布に基板の回転も影響している。例えばカル−セル
型スパッタリング装置の場合、膜の膜厚分布に基板の回
転も影響していることから、基板の中央部が最も厚く、
この中央部から両側に離れるに従って薄くなったものに
なる。(Problem to be Solved by the Invention) Generally, in a film forming apparatus, a film with an uneven thickness is formed on the substrate in accordance with the flight angle distribution of the film forming material. When used, the rotation of the substrate also affects the film thickness distribution on the substrate. For example, in the case of a carousel type sputtering system, the rotation of the substrate also affects the film thickness distribution, so the central part of the substrate is the thickest.
It becomes thinner as it moves away from the center to both sides.
すなわち、第7図に示す如く、基板40のP点での膜厚
Tは、P点が角AOBを通過する間にスパッタ粒子が堆
積され、かつターゲット7からの放射率Rと基板面がタ
ーゲット7となす角度βの余弦eO8βとの積になるも
のとすると、ターゲット7からP点までの距離を無視す
れば、Tm、jRcosβdt
となる。θ−ωtであるので、
T−(1/ω)
x、jRcos(θg+a−θ)dθ
−(2R/(IJ) ・cos a ・sinθ。That is, as shown in FIG. 7, the film thickness T at point P of the substrate 40 is such that the sputtered particles are deposited while the point P passes through the angle AOB, and the emissivity R from the target 7 and the substrate surface are 7 and the cosine eO8β of the angle β, then if the distance from the target 7 to the point P is ignored, it becomes Tm,jRcosβdt. Since θ−ωt, T−(1/ω) x, jRcos(θg+a−θ)dθ −(2R/(IJ) ・cos a ・sin θ.
―(R/ω) (W/r)
X (cos ’ α/cos α0)尚、Oは
カル−セル型治具の回転中心、αは該回転中心0から基
板40の一点Pに下ろした直線と基板40に下ろした垂
線とのなす角度、ωは基板40の回転角速度、θ0は角
AOBの半分、α0は基板40の拡がり角の半分、Wは
ターゲット7の幅、rは回転中心Oから基板4oの端縁
までの距離である。-(R/ω) (W/r) and the perpendicular line drawn to the substrate 40, ω is the rotational angular velocity of the substrate 40, θ0 is half of the angle AOB, α0 is half the spread angle of the substrate 40, W is the width of the target 7, and r is from the rotation center O. This is the distance to the edge of the substrate 4o.
従って、断面6角形のカル−セル型治具の場合、Do−
30°であるから、
T” (R/(JJ) ・(W/ r) ・1.1
5cos 2aとなる。また、断面8角形のカル−セル
型治具の場合、αo=22.5°であるから、
Tm (R/ω) (W/ r) ・1.08co
s 2aとなり、いずれもスパッタリング膜の膜厚分布
は、基板40の中央部が最も厚く、この中央部から両側
に離れるに従って薄くなる。Therefore, in the case of a carcell type jig with a hexagonal cross section, Do-
Since it is 30°, T” (R/(JJ) ・(W/ r) ・1.1
5cos 2a. In addition, in the case of a carcell type jig with an octagonal cross section, αo = 22.5°, so Tm (R/ω) (W/ r) ・1.08co
s 2a, and the film thickness distribution of the sputtered film is the thickest at the center of the substrate 40 and becomes thinner as it moves away from the center on both sides.
このように回転治具の回転が基板の膜厚分布に影響を及
はすという点については、カル−セル型だけでなく、上
記ドーム型又はドラム型においても同様である。また、
1つの基板取付面に回転方向に間隔をおいて複数の基板
を取り付けている場合には、各基板の膜厚が基板取付面
上の取付位置によって異なるものになる。The fact that the rotation of the rotating jig affects the film thickness distribution of the substrate is the same not only for the carousel type but also for the dome type or drum type. Also,
When a plurality of substrates are attached to one substrate mounting surface at intervals in the rotational direction, the film thickness of each substrate differs depending on the mounting position on the substrate mounting surface.
そこで、本出願人は、前に、こうして真空槽内で回転治
具を回転させながら、その基板取付面に取り付けた基板
に対してスパッタリング等の成膜処理を行うようにした
成膜装置において、回転治具の回転速度を、上記基板が
回転治具の回転方向におけるターゲット等の成膜材料供
給源の略中央を向いた状態のときと、上記回転方向にお
ける供給源の両端を向いた状態のときとで相対的に変化
させる等して、可変速に制御する制御手段を設けること
により、基板の回転に起因する膜厚の不均一等をできる
だけ少なくするようにしたものを提案した(特願平1−
201075号明細書及び図面参照)。Therefore, the present applicant has previously developed a film forming apparatus in which a rotating jig is rotated in a vacuum chamber and a film forming process such as sputtering is performed on a substrate attached to the substrate mounting surface. The rotational speed of the rotating jig is determined by changing the rotational speed of the rotating jig when the substrate faces approximately the center of the film forming material supply source such as a target in the rotating direction of the rotating jig, and when the substrate faces both ends of the supply source in the rotating direction of the rotating jig. We proposed a method that minimizes unevenness in film thickness caused by substrate rotation by providing a control means that controls the speed at a variable speed by relatively changing the speed from time to time (patent application). Hei 1-
201075 specification and drawings).
この発明の目的は、上記提案のものをさらに押し進め、
回転治具の駆動手段、及びその制御手段を具体化するこ
とで、上記提案のものをより一層確実にかつ容易に実現
できるようにする。ことにある。The purpose of this invention is to further advance the above proposal,
By embodying the rotating jig driving means and its control means, the above proposal can be realized more reliably and easily. There is a particular thing.
(課題を解決するための手段)
この目的の達成のために、請求項(1)に係る発明では
、回転治具の駆動手段をパルスモータ(ステッピングモ
ータ)で構成するとともに、その制御手段では、時間に
応じた所定の関数波形信号を波形発生回路から出力させ
、パルスモータに出力するパルス周波数を波形発生回路
からの信号によりパルス発生回路で変えるようにした。(Means for Solving the Problem) In order to achieve this object, in the invention according to claim (1), the drive means for the rotating jig is constituted by a pulse motor (stepping motor), and the control means includes: A predetermined function waveform signal corresponding to time is output from the waveform generation circuit, and the pulse frequency output to the pulse motor is changed by the pulse generation circuit according to the signal from the waveform generation circuit.
すなわち、この発明は、真空検出に配設され、基板に成
膜材料を供給する成膜材料供給源と、真空槽内で回転可
能に支持され、かつ基板を取り付ける複数の基板取付面
が周方向に配置され、各基板取付面が上記供給源に順次
向かい合うように回転する回転治具とを備え、回転治具
を回転させながら上記基板取付面上の基板に対して成膜
を行うようにした成膜装置を前提とする。That is, the present invention includes a deposition material supply source that is disposed in a vacuum detection unit and supplies a deposition material to a substrate, and a plurality of substrate mounting surfaces that are rotatably supported in a vacuum chamber and that attach substrates in a circumferential direction. and a rotating jig that rotates so that each substrate mounting surface sequentially faces the supply source, and the film is formed on the substrate on the substrate mounting surface while rotating the rotating jig. A film deposition system is assumed.
そして、上記回転治具を回転駆動するパルスモータと、
このパルスモータの回転速度を上記基板のターゲットに
対する向きに応じて可変制御するル制御手段とを設ける
。and a pulse motor that rotationally drives the rotating jig;
A control means for variably controlling the rotational speed of the pulse motor in accordance with the orientation of the substrate with respect to the target is provided.
さらに、上記制御手段は、回転治具の基本回転速度を設
定する一定レベルの第1信号を発生する第1信号発生回
路と、回転治具の回転速度を変化させる第2信号を時間
に応じた所定の関数に基づいて発生する第2信号発生回
路と、上記第1信号発生回路の出力信号レベルを第2信
号発生回路の出力信号レベルに応じて補正し、その補正
信号レベルに応じた周波数を有するパルス信号を上記パ
ルスモータに出力するパルス発生回路とを備えた構成と
する。Furthermore, the control means includes a first signal generation circuit that generates a first signal at a constant level that sets the basic rotational speed of the rotating jig, and a second signal that changes the rotational speed of the rotating jig according to time. The output signal level of the second signal generation circuit generated based on a predetermined function and the first signal generation circuit is corrected according to the output signal level of the second signal generation circuit, and the frequency is adjusted according to the corrected signal level. and a pulse generation circuit that outputs a pulse signal having a pulse signal to the pulse motor.
請求項(2)に係る発明では、デジタル信号により回転
治具の回転速度を可変制御するようにした。In the invention according to claim (2), the rotational speed of the rotating jig is variably controlled by a digital signal.
具体的には、この発明は、上記前提の成膜装置において
、そのパルスモータの回転速度を基板の成膜材料供給源
に対する向きに応じて可変制御する制御手段は、回転治
具の回転速度パターンに関するデータを記憶する記憶手
段と、該記憶手段により記憶されたデータを処理して信
号を出力する演算回路と、該演算回路の出力信号を受け
、その信号レベルに応じた周波数を有するパルス信号を
上記パルスモータに出力するパルス発生回路とを備えた
構成を特徴としている。Specifically, in the film forming apparatus based on the above premise, the control means for variably controlling the rotational speed of the pulse motor according to the orientation of the substrate with respect to the film forming material supply source controls the rotational speed pattern of the rotating jig. a storage means for storing data related to the data, an arithmetic circuit for processing the data stored by the storage means and outputting a signal, and receiving an output signal of the arithmetic circuit and generating a pulse signal having a frequency corresponding to the signal level. The present invention is characterized by a configuration including a pulse generation circuit that outputs output to the pulse motor.
上記回転治具の回転速度パターンは、時間の経過と共に
所定の特性で変化するパターンであり、このデータは例
えば回転治具の1回転におけるパルス数に対し周速(単
位時間当りのパルス数)として人力される。The rotational speed pattern of the rotating jig is a pattern that changes with predetermined characteristics over time, and this data is expressed, for example, as the circumferential speed (number of pulses per unit time) for the number of pulses in one rotation of the rotating jig. Man-powered.
(作用)
上記の構成により、請求項(1)に係る発明では、制御
手段の第1信号発生回路から回転治具の基本回転速度を
設定する一定レベルの第1信号が出力され、第2信号発
生回路からは回転治具の回転速度を変化させる第2信号
が出力され、パルス発生回路で、上記第1信号の信号レ
ベルが第2信号の出力信号レベルに応じて補正され、そ
の補正信号レベルに応じた周波数を有するパルス信号が
パルスモータに出力されて、該バルスモータノ回転速度
が制御される。すなわち、上記パルス発生回路で補正に
より生じた補正信号は、第1信号を基準としてそこから
第2信号の信号レベルの変化に応じて変化する信号とな
る。それ故、この補正信号レベルに応じたパルス信号は
、そのパルス周波数(単位時間当りのパルス数)が第2
信号に応じて変化する特性となり、このパルス信号がパ
ルスモータに出力されることで、該モータ及び回転治具
の回転速度が第2信号に対応して可変制御される。(Function) With the above configuration, in the invention according to claim (1), the first signal generating circuit of the control means outputs the first signal at a constant level for setting the basic rotation speed of the rotating jig, and the second signal The generation circuit outputs a second signal that changes the rotational speed of the rotating jig, and the pulse generation circuit corrects the signal level of the first signal according to the output signal level of the second signal, and adjusts the corrected signal level. A pulse signal having a frequency corresponding to the pulse motor is outputted to the pulse motor to control the rotation speed of the pulse motor. That is, the correction signal generated by the correction in the pulse generating circuit is a signal that changes from the first signal as a reference depending on the change in the signal level of the second signal. Therefore, the pulse signal corresponding to this correction signal level has a pulse frequency (number of pulses per unit time) of the second
The characteristics change according to the signal, and by outputting this pulse signal to the pulse motor, the rotation speeds of the motor and the rotating jig are variably controlled in accordance with the second signal.
従って、第2信号を所定の関数により設定すると、例え
ば定速では膜厚が薄くなる部分に他の部分よりも粒子が
多く堆積するよう基板の回転速度を遅くする等の制御を
行うことができ、よって確実にかつ容易に膜厚の均−化
等を図ることができる。Therefore, by setting the second signal according to a predetermined function, it is possible to perform control such as slowing down the rotation speed of the substrate so that, at a constant speed, more particles are deposited in areas where the film thickness is thinner than in other areas. Therefore, it is possible to reliably and easily equalize the film thickness.
請求項(2に係る発明では、予め、回転治具の回転速度
パターンに関するデータが記憶手段に記憶されており、
演算回路では、上記記憶手段により記憶されたデータを
処理して信号が出力され、この信号を受けたパルス発生
回路によりその信号レベルに応じた周波数を有するパル
ス信号が上記パルスモータに出力されて、該モータが制
御される。In the invention according to claim 2, data regarding the rotational speed pattern of the rotating jig is stored in advance in the storage means,
The arithmetic circuit processes the data stored in the storage means and outputs a signal, and the pulse generation circuit that receives this signal outputs a pulse signal having a frequency corresponding to the signal level to the pulse motor, The motor is controlled.
従って、上記データを予め入力等により記憶させるだけ
で、パルスモータ及び回転治具の回転速度を可変制御す
ることができ、よって請求項(1)に係る発明と同様の
効果を得ることができる。Therefore, by simply inputting and storing the above data in advance, the rotational speeds of the pulse motor and the rotating jig can be variably controlled, and the same effects as the invention according to claim (1) can be obtained.
(第1実施例) 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。(First example) Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings.
第3図及び第4図は本発明の第1実施例に係る成膜装置
としてのスパッタリング装置を示し、1は真空槽で、こ
の真空槽1にはスパッタガス導入ボート2、真空引き用
の排気ボート3及びスノ<・ツタガス用の排気ボート4
がそれぞれ開口されている。真空槽1の底部中央にはタ
ーンテーブル5が軸心を垂直にして設けられ、このター
ンテーブル5の上には複数の基板取付面6a、6a、・
・・を断面多角形(本例では8角形)状に配設したカル
−セル型治具6(回転治具)が立設されており、このカ
ル−セル治具6はターンテーブル5により回転可能に支
持されている。また、上記真空槽1内には上記カル−セ
ル型治具6の外周側方に、真空槽1の直径方向に対向す
る成膜材料供給源としての1対のターゲット7.7が配
設されている。3 and 4 show a sputtering apparatus as a film forming apparatus according to a first embodiment of the present invention, 1 is a vacuum chamber, this vacuum chamber 1 includes a sputtering gas introduction boat 2, an exhaust gas for evacuation. Boat 3 and Exhaust boat 4 for snow and ivy
are each opened. A turntable 5 is provided at the center of the bottom of the vacuum chamber 1 with its axis vertical, and on top of the turntable 5 are a plurality of board mounting surfaces 6a, 6a, .
A car cell type jig 6 (rotating jig) in which... is arranged in a polygonal (in this example, octagonal) cross section is installed upright, and this car cell jig 6 is rotated by a turntable 5. Possibly supported. Further, in the vacuum chamber 1, a pair of targets 7.7, which serve as film forming material supply sources, are disposed on the sides of the outer periphery of the carousel type jig 6, and are opposed to each other in the diametrical direction of the vacuum chamber 1. ing.
さらに、上記真空槽1の天井板には、モータ9により駆
動されるターゲット用のシャ・ンター8゜8が回転可能
に支持されているとともに、真空槽1の側壁内周にはハ
ロゲンランプヒータ10.10、・・・が配設されてい
る。Further, a target shunter 8°8 driven by a motor 9 is rotatably supported on the ceiling plate of the vacuum chamber 1, and a halogen lamp heater 10 is mounted on the inner periphery of the side wall of the vacuum chamber 1. .10, . . . are arranged.
また、上記ターゲット7は、第4図に示すように、真空
槽1の周壁に固定の支持部材11に封してホルダ12に
て保持され、このターゲット7の背部には複数のマグネ
ット13,13.・・・が間隔をおいて配設されている
。また、真空槽1の周壁は、真空引き用とスパッタガス
用との両排気ボート3.4が設けられた固定壁1aと、
この固定壁1aにヒンジ14を介して回動可能に支持さ
れた可動壁1bとで構成され、この可動壁1bを回動す
ることで、真空11を開閉して基板40を取り付けたカ
ル−セル型治具6の出し入れを行うようになっている。Further, as shown in FIG. 4, the target 7 is sealed in a support member 11 fixed to the peripheral wall of the vacuum chamber 1 and held in a holder 12, and a plurality of magnets 13, .. ... are arranged at intervals. Further, the peripheral wall of the vacuum chamber 1 includes a fixed wall 1a provided with both exhaust boats 3.4 for evacuation and for sputtering gas,
It is composed of a movable wall 1b rotatably supported by the fixed wall 1a via a hinge 14, and by rotating the movable wall 1b, the vacuum 11 is opened and closed, and the circuit board 40 is attached to the cal-cell. The mold jig 6 is put in and taken out.
上記カル−セル型治具6(ターンテーブル5)は真空槽
1の下方に配設した駆動手段としてのパルスモータ21
により駆動される。このパルスモータ21は、ロータ2
1a及びステータ21bからなり、制御装置24からの
制御信号を受けて作動制御されるようになっている。ま
た、このモータ21にはそのロータ21aの回転位置を
検出するエンコーダ22が付設されており、このエンコ
ーダ22の出力信号を制御装置24にフィードバックす
ることにより、パルスモータ21が駆動制御されるよう
になっている。The car cell type jig 6 (turntable 5) is driven by a pulse motor 21 as a driving means disposed below the vacuum chamber 1.
Driven by. This pulse motor 21 has a rotor 2
It consists of a stator 1a and a stator 21b, and its operation is controlled by receiving a control signal from a control device 24. Further, this motor 21 is attached with an encoder 22 that detects the rotational position of the rotor 21a, and by feeding back the output signal of this encoder 22 to the control device 24, the pulse motor 21 is driven and controlled. It has become.
上記制御袋@24は、パルスモータ21の回転速度を上
記治具6の基板取付面に取り付けられた基板40のター
ゲット7に対する向きに応じて可変制御するもので、そ
の構成について第1図により説明するに、この制御装置
24は、第1及び第2レベルコントローラ25.26と
、上記第2レベルコントローラ26から出力された信号
を人力してそれに基づいて所定の関数を発生する関数発
生回路27とを有する。上記第2レベルコントローラ2
5は、第2図(a)に示す如く、調整可能な一定レベル
vlの電圧信号(第1信号)を発生する電圧発生回路か
らなり、このレベルコントローラ25により、カル−セ
ル型治具6の基本回転速度を設定する一定レベルの信号
を発生する第1信号発生回路が構成される。The control bag @24 variably controls the rotational speed of the pulse motor 21 according to the orientation of the substrate 40 attached to the substrate mounting surface of the jig 6 with respect to the target 7, and its configuration will be explained with reference to FIG. Specifically, this control device 24 includes first and second level controllers 25 and 26, and a function generating circuit 27 that manually generates a predetermined function based on the signal output from the second level controller 26. has. The above second level controller 2
5 is a voltage generating circuit that generates a voltage signal (first signal) with an adjustable constant level vl, as shown in FIG. A first signal generating circuit is configured to generate a constant level signal for setting a basic rotational speed.
一方、第2レベルコントローラ26は、カル−セル型治
具6の回転速度を変速するための変速波形を選択し、又
は変速波形の大きさを調整するもので、電圧発生回路で
構成されている。On the other hand, the second level controller 26 selects a speed change waveform for changing the rotational speed of the car cell type jig 6 or adjusts the size of the speed change waveform, and is composed of a voltage generation circuit. .
また、関数発生回路27は、第2レベルコントローラ2
6から出力された電圧信号を人力してそれに基づいて第
2図(b)に示す如くサイン波の電圧信号により発生さ
せる電圧入力型の波形発生回路からなるもので、例えば
カル−セル型治具6が断面8角形の場合には、その1回
転につき8周期分の関数により変速波形信号を発生させ
る。Further, the function generation circuit 27 is connected to the second level controller 2
It consists of a voltage input type waveform generation circuit that manually generates the voltage signal output from 6 and generates a sine wave voltage signal as shown in FIG. When 6 has an octagonal cross section, a speed change waveform signal is generated by a function of 8 cycles per rotation.
ここでは、基板40に対する膜厚を均一にするために、
関数発生回路27で発生する関数をサイン波としており
、その理由について説明する。今、第7図に示すように
、基板40の回転速度を変化させたときの補正係数をK
(β)とし、簡単化のためにθ。−α。とじて比例定数
を無視すると、基板40の単位時間当りのスパッタ粒子
の堆fi!j量Tは、基板40の回転方向における先端
Cでは、T (C) −fK (β)・cosβdβ基
板40の中央Qでは、
T (Q) −jK (β)・eO3βdβ基板40の
回転方向における後端りでは、T (D) −fK (
β)・cosβdβとなる。従って、K(β)=1/c
osβであれば、T (C) −T (Q) −T (
D)となる。つまり、ターンテーブル5の回転速度が、
予め設定した平均値に上記K(β)=1/cosβに対
応する。つまり基板40がカル−セル型治具6の回転方
向におけるターゲット7の略中央を向いた状態のときに
速く、当該基板40が上記回転方向におけるターゲット
7の両端を向いた状態のときに遅くなるサインカーブ状
の振幅(例えば±10%)により制御されると、膜厚が
均一になる。Here, in order to make the film thickness uniform on the substrate 40,
The function generated by the function generation circuit 27 is a sine wave, and the reason for this will be explained. Now, as shown in FIG. 7, the correction coefficient when changing the rotational speed of the substrate 40 is K.
(β) and θ for simplicity. −α. If the proportionality constant is ignored, then the deposition of sputtered particles per unit time on the substrate 40 is fi! At the tip C in the rotational direction of the substrate 40, the j amount T is T (C) -fK (β)・cosβdβ At the center Q of the substrate 40, T (Q) −jK (β)・eO3βdβ in the rotational direction of the substrate 40. At the rear end, T (D) −fK (
β)・cosβdβ. Therefore, K(β)=1/c
If osβ, then T (C) −T (Q) −T (
D). In other words, the rotational speed of the turntable 5 is
The preset average value corresponds to the above K(β)=1/cosβ. In other words, it is faster when the substrate 40 is facing approximately the center of the target 7 in the rotational direction of the carousel type jig 6, and slower when the substrate 40 is facing both ends of the target 7 in the rotational direction. When controlled by a sinusoidal amplitude (for example, ±10%), the film thickness becomes uniform.
この実施例では、上記関数発生回路27により、カル−
セル型治具6の回転速度を変化させる変速波形信号(第
2信号)を時間に応じた所定の関数に基づいて発生する
第2信号発生回路が構成されている。In this embodiment, the function generating circuit 27 generates a
A second signal generation circuit is configured to generate a variable speed waveform signal (second signal) for changing the rotational speed of the cell type jig 6 based on a predetermined function depending on time.
上記第ルベルコントローラ25及び関数発生回路27の
各出力信号はパルス発生回路28に人力されている。こ
のパルス発生回路28は、第2図(C)に示すように上
記第ルベルコントローラ25から出力された一定しベル
v1の電圧信号(第1信号)に対し、関数発生回路27
から出力された変速波形の電圧信号(第2信号)をその
振幅に対応する電圧レベルだけ上げたのち加えて補正す
るとともに、その補正波形信号に応じたパルス周波数を
有するパルス信号を出力するようになっている。The respective output signals of the first level controller 25 and the function generating circuit 27 are manually input to a pulse generating circuit 28. As shown in FIG. 2(C), this pulse generating circuit 28 operates in a function generating circuit 27 in response to a voltage signal (first signal) of a constant level v1 outputted from the first level controller 25.
The variable speed waveform voltage signal (second signal) outputted from the converter is increased by a voltage level corresponding to its amplitude, and then corrected, and a pulse signal having a pulse frequency corresponding to the corrected waveform signal is output. It has become.
尚、第2レベルコントローラ26からの電圧信号に対し
関数発生回路27からの電圧信号を振幅に対応する電圧
レベルだけ下げたのち減じて、或いは両信号をそのまま
加えてそれぞれ補正することも可能である。Note that it is also possible to correct the voltage signal from the function generation circuit 27 by lowering and subtracting the voltage signal from the function generation circuit 27 by the voltage level corresponding to the amplitude of the voltage signal from the second level controller 26, or by adding both signals as they are. .
また、上記変速波形信号は、サイン波以外に、例えば第
5図(a)に示す三角波、図(b)に示す矩形波、図(
c)に示す台形波、図(d)に示す台形波の変形、図(
e)に示すサイン波の変形、図(f)に示す三角波の変
形(のこぎり波)等がある。すなわち、スパッタリング
装置により成膜する場合、その膜厚を均一にする以外に
、スパッタリング膜の機能、例えば磁気ディスクや磁気
テープでは磁界の強さや方向性、液晶の透明導電膜では
透明度や電気抵抗等が要求され、これらの膜の機能の要
求に応じて変速波形を選択するとよい。In addition to the sine wave, the speed change waveform signal may include, for example, a triangular wave shown in FIG. 5(a), a rectangular wave shown in FIG.
The trapezoidal wave shown in c), the deformation of the trapezoidal wave shown in figure (d), and the trapezoidal wave shown in figure (d).
There are variations of the sine wave shown in e), and variations of the triangular wave (sawtooth wave) shown in Figure (f). In other words, when forming a film using a sputtering device, in addition to making the film thickness uniform, the functions of the sputtered film, such as the strength and direction of the magnetic field for magnetic disks and magnetic tapes, the transparency and electrical resistance for transparent conductive films for liquid crystals, etc. are required, and it is preferable to select the variable speed waveform according to the requirements of the functions of these membranes.
上記パルス発生回路28の出力信号は、上記パルスモー
タ21を駆動するためのサーボドライバ23に人力され
、このドライバ23にはエンコーダ22からのフィード
バック信号が人力されている。以上の構成により、制御
装置24は、ターンテーブル5つまり基板40の回転速
度を、基板40におけるスパッタ粒子の堆積量が基板4
0の全面に亘って略一定になるようフィードバック制御
する。The output signal of the pulse generating circuit 28 is input to a servo driver 23 for driving the pulse motor 21, and the feedback signal from the encoder 22 is input to the driver 23. With the above configuration, the control device 24 controls the rotation speed of the turntable 5, that is, the substrate 40, depending on the amount of sputtered particles deposited on the substrate 40.
Feedback control is performed so that it remains approximately constant over the entire surface of 0.
次に、上記実施例の作用について説明する。Next, the operation of the above embodiment will be explained.
基板40を取り付けたカル−セル型治具6を真空槽1に
入れてターンテーブル5に載置する。そして、大型の真
空ポンプによる排気ボート3からの排気により真空槽1
内の圧力を下げた後、パルスモータ21の作動により上
記ターンテーブル5を回転させ、同時に、スパッタガス
を導入ボート2から導入し、かつスパッタガス用の排気
ボート4から小型の真空ポンプにて真空槽1内が一定の
真空圧になるように排気しながら、ヒータ10による一
定温度条件下でスパッタリングを行う。The carcell type jig 6 with the substrate 40 attached thereto is placed in the vacuum chamber 1 and placed on the turntable 5. The vacuum chamber 1 is then evacuated from the exhaust boat 3 by a large vacuum pump.
After lowering the internal pressure, the turntable 5 is rotated by the operation of the pulse motor 21, and at the same time, sputter gas is introduced from the introduction boat 2, and vacuum is pumped from the sputter gas exhaust boat 4 using a small vacuum pump. Sputtering is performed under a constant temperature condition using a heater 10 while evacuating the chamber 1 to a constant vacuum pressure.
コノスパッタリングの場合、上記パルスモータ21が制
御袋fW24により制御され、制御装置24においては
、第ルベルコントローラ25からカル−セル型治具6の
基本回転速度を設定する一定レベルの電圧信号が出力さ
れ、関数発生回路27からは第2レベルコントローラ2
6により選択又は調整され、かつカル−セル型治具6の
回転速度を変化させるサイン波形の電圧信号が出力され
る。そして、パルス発生回路28では、上記第ルベルコ
ントローラ25からの電圧信号に、関数発生回路27か
らのサイン波形電圧信号が加えられて補正電圧信号とな
り、この補正信号レベルに応じた周波数を有するパルス
信号が出力される。In the case of cono sputtering, the pulse motor 21 is controlled by the control bag fW24, and in the control device 24, a voltage signal of a constant level for setting the basic rotational speed of the carousel type jig 6 is outputted from the first rubel controller 25. , from the function generation circuit 27 to the second level controller 2
6, and outputs a sinusoidal voltage signal that changes the rotational speed of the carousel type jig 6. Then, in the pulse generation circuit 28, the sine waveform voltage signal from the function generation circuit 27 is added to the voltage signal from the first level controller 25 to generate a correction voltage signal, and a pulse signal having a frequency according to the correction signal level is generated. is output.
上記補正電圧信号は、第ルベルコントローラ25からの
電圧信号を基準としてそこからサイン波形信号の信号レ
ベルの変化に応じて変化する信号となる。それ故、この
補正信号レベルに応じたパルス信号は、そのパルス周波
数(単位時間当りのパルス数)がサイン波形信号に応じ
て変化する特性となる。このパルス信号はパルス発生回
路28からドライバ23を経てパルスモータ21に入力
され、このことでパルスモータ21の回転速度が上記関
数発生回路27からのサイン波に対応してサインカーブ
状に制御される。従って、このようにパルスモータ21
の回転速度が制御される結果、ターンテーブル5の回転
速度は、基板40がターゲット7の略中央を向いた状態
のときに速くなるが、この状態は基板40の中央部でス
パッタ粒子が多く堆積する状態であり、回転速度が速く
なる分、基板40の中央部でのスパッタ粒子の堆積が抑
制される。一方、基板40の回転速度は基板40がター
ゲット7の両端を向いた状態のときに遅くなるが、この
状態は基板40の中央部ではスパッタ粒子の堆積が少な
いか零のときであるものの、基板40の両端部のいずれ
か一方ではスパッタ粒子が堆積している状態であり、回
転速度が遅くなる分、基板40の両端部でのスパッタ粒
子の堆積が多くなる。これにより、基板40の中央部と
両端部とのスパッタリング膜厚の差が少なくなり、よっ
て確実にかつ容易にスパッタリング膜厚の均一化を図る
ことができる。The correction voltage signal is a signal that changes from the voltage signal from the first rubel controller 25 in accordance with changes in the signal level of the sine waveform signal. Therefore, the pulse signal corresponding to this correction signal level has a characteristic that its pulse frequency (the number of pulses per unit time) changes according to the sine waveform signal. This pulse signal is input from the pulse generation circuit 28 to the pulse motor 21 via the driver 23, whereby the rotational speed of the pulse motor 21 is controlled in a sine curve shape in response to the sine wave from the function generation circuit 27. . Therefore, the pulse motor 21
As a result of controlling the rotational speed of the turntable 5, the rotational speed of the turntable 5 becomes faster when the substrate 40 faces approximately the center of the target 7, but in this state, many sputtered particles are deposited at the center of the substrate 40. As the rotation speed increases, the deposition of sputtered particles at the center of the substrate 40 is suppressed. On the other hand, the rotational speed of the substrate 40 becomes slow when the substrate 40 faces both ends of the target 7, but in this state, there are few or no sputtered particles deposited at the center of the substrate 40; Sputtered particles are deposited on either end of the substrate 40, and the slower the rotation speed, the more sputtered particles are deposited on both ends of the substrate 40. This reduces the difference in the sputtering film thickness between the center portion and both ends of the substrate 40, thereby making it possible to reliably and easily make the sputtering film thickness uniform.
尚、上記実施例では、レベルコントローラ25゜26を
電圧発生回路で、また関数発生回路27及びパルス発生
回路28を電圧入力型のものでそれぞれ構成したが、電
流発生回路及び電流入力型のものを用いてもよい。In the above embodiment, the level controllers 25 and 26 were configured with voltage generation circuits, and the function generation circuit 27 and pulse generation circuit 28 were configured with voltage input types, but the current generation circuit and current input type were configured. May be used.
(第2実施例)
第6図は第2実施例を示しく尚、第1図と同じ部分につ
いては同じ符号を付してその詳細な説明は省略する)、
デジタル信号によりカル−セル型治具6の回転速度を可
変制御するようにしたものである。(Second Embodiment) FIG. 6 shows a second embodiment. The same parts as in FIG. 1 are given the same reference numerals and detailed explanations are omitted)
The rotational speed of the carousel type jig 6 is variably controlled by digital signals.
この実施例では、パルスモータ21の制御装置24′は
、データ入力装置29と、該人力装置29により人力さ
れたデータを演算処理して該データに対応する信号を出
力する演算回路としてのCPU30と、該CPU30と
信号を授受して上記入力データを記憶するメモリ31と
を備えている。In this embodiment, the control device 24' for the pulse motor 21 includes a data input device 29, and a CPU 30 as an arithmetic circuit that processes data input manually by the human power device 29 and outputs a signal corresponding to the data. , and a memory 31 that exchanges signals with the CPU 30 and stores the input data.
上記人力装置2つは、数値データを人力するテンキーを
有し、この入力装置29によりカル−セル型治具6の回
転速度パターンに関するデータが入力される。具体的に
は、カル−セル型治具6の回転速度パターンは、回転速
度が一定の回転速度を保ちながら時間の経過と共に例え
ばサイン波となるように変化するパターンであり、入力
データは、この治具6の回転速度パターンがサイン波に
なるよう、例えばカル−セル型治具6を基準位置から一
回転するまで回転させたときに、その基準位置からの回
転角(従って基準位置からバルスモータ21に入力され
るパルス数)についてパルス周波数を逐次設定する操作
により、入力される。この入力データはCPU30で処
理された後、メモリ31に記憶される。The two human-powered devices have numeric keys for inputting numerical data manually, and data regarding the rotational speed pattern of the carousel type jig 6 is inputted through this input device 29. Specifically, the rotational speed pattern of the carousel type jig 6 is a pattern in which the rotational speed changes, for example, into a sine wave with the passage of time while maintaining a constant rotational speed, and the input data is For example, when the carcell type jig 6 is rotated one rotation from the reference position so that the rotational speed pattern of the jig 6 becomes a sine wave, the rotation angle from the reference position (therefore, the pulse motor 21 The pulse frequency is inputted by sequentially setting the pulse frequency for the number of pulses inputted in the pulse frequency. This input data is processed by the CPU 30 and then stored in the memory 31.
上記CPU30の出力はD/Aコンバータ32に入力さ
れ、このコンバータ32において、CPU30で処理さ
れた入力データがアナログ信号に変換される。そして、
このコンバータ32の出力信号はパルス発生回路28に
入力されており、カル−セル型治具6の回転速度パター
ン関するデータがD/Aコンバータ32でサイン波の電
圧信号に変換され、この電圧信号を人力したパルス発生
回路28においてサイン波に対応したパルス周波数を有
するパルス信号が発生するようになっている。The output of the CPU 30 is input to a D/A converter 32, and the converter 32 converts the input data processed by the CPU 30 into an analog signal. and,
The output signal of this converter 32 is input to the pulse generation circuit 28, and the data regarding the rotation speed pattern of the carousel type jig 6 is converted into a sine wave voltage signal by the D/A converter 32, and this voltage signal is converted into a sine wave voltage signal. A manually operated pulse generation circuit 28 generates a pulse signal having a pulse frequency corresponding to a sine wave.
尚、制御装置24′には、パルス発生回路28からパル
スモータ21に出力されるパルス数をドライバ23から
の信号を基に計測するカウンタ33が具備されており、
このカウンタ33と上記CPU30とで信号を授受する
ことで、パルスモータ21の回転状態、つまりカル−セ
ル型治具6の実際の回転パターンを監視するようにして
いる。The control device 24' is equipped with a counter 33 that measures the number of pulses output from the pulse generation circuit 28 to the pulse motor 21 based on a signal from the driver 23.
By transmitting and receiving signals between this counter 33 and the CPU 30, the rotational state of the pulse motor 21, that is, the actual rotational pattern of the carousel type jig 6 is monitored.
したがって、この実施例では、カル−セル型治具6の回
転速度パターンに関するデータを人力装置29により人
力させると、このデータはメモリ31に記憶される。そ
して、スパッタリング装置の運転時、CPU30で上記
データが呼び出され、このデータはCPU30で処理さ
れた後、D/Aコンバータ32でサイン波の電圧信号に
変換され、パルス発生回路28では、その電圧信号レベ
ルに応じた周波数を有するパルス信号が発生し、このパ
ルス信号がパルスモータ21に出力されることで該モー
タ21が制御される。よって第1実施例と同様の効果を
得ることができる。Therefore, in this embodiment, when data regarding the rotational speed pattern of the car-cell type jig 6 is manually inputted by the manual device 29, this data is stored in the memory 31. When the sputtering apparatus is in operation, the above data is called by the CPU 30, and after being processed by the CPU 30, it is converted into a sine wave voltage signal by the D/A converter 32, and the pulse generation circuit 28 converts the voltage signal into a sine wave voltage signal. A pulse signal having a frequency corresponding to the level is generated, and this pulse signal is output to the pulse motor 21, thereby controlling the motor 21. Therefore, the same effects as in the first embodiment can be obtained.
尚、この実施例では、データを入力装置により人力する
ようにしているが、予め決定された複数の回転速度パタ
ーンのデータをメモリに記憶させておき、それらを選択
するようにしてもよい。In this embodiment, the data is entered manually using an input device, but data of a plurality of predetermined rotational speed patterns may be stored in a memory and selected.
この第2実施例を第1実施例と比較した場合、第1実施
例では、関数発生回路27で設定される関数は前もって
決まっており、この中から選択すればよいので、カル−
セル型治具6の速度の可変制御を簡単で容易にかつ低コ
ストで実現できる。When this second embodiment is compared with the first embodiment, in the first embodiment, the functions set in the function generation circuit 27 are determined in advance, and it is only necessary to select from among them.
Variable control of the speed of the cell type jig 6 can be achieved simply and easily at low cost.
これに対し、第2実施例では、データの人力に労力を要
するものの、治具6の変速波形を任意に設定してその回
転パターンを制約なく自在に変えることができ、こまや
かな制御を行う上でも有利である。従って、両賞施例の
構成は必要に応じて選択すればよい。On the other hand, in the second embodiment, the speed change waveform of the jig 6 can be arbitrarily set and the rotation pattern can be freely changed without any restrictions, although the data requires manual labor. But it is advantageous. Therefore, the structure of the two-prize example may be selected as necessary.
尚、上記実施例は、断面8角形のカル−セル型治具6を
有するスパッタリング装置に適用した例であるが、本発
明は、ドーム型やドラム型等の他のスパッタリング装置
のみならず、蒸着装置等の他の成膜装置に対しても適用
できることは勿論である。The above embodiment is an example applied to a sputtering apparatus having a carousel type jig 6 having an octagonal cross section, but the present invention is applicable not only to other sputtering apparatuses such as dome type or drum type, but also to vapor deposition apparatuses. It goes without saying that the present invention can also be applied to other film forming apparatuses such as the present invention.
(発明の効果)
以上のように、請求項(1)及び(2)に係る発明によ
れば、成膜装置における回転治具の回転速度を可変速に
するに当たり、その駆動手段をパルスモータで構成し、
該パルスモータに対する制御をパルス周波数の可変制御
により行うようにしたから、例えば基板が成膜材料供給
源の略中央を向いた状態のときよりも、供給源の両端を
向いた状態のときの方が相対的に遅くなるように制御し
て、基板の中央部での粒子の堆積の増加を抑えながら、
基板の両端部での粒子の堆積を増す等して、基板全体と
しての膜厚の均−化等を確実にかつ容易に実現すること
ができる。(Effect of the invention) As described above, according to the inventions according to claims (1) and (2), when the rotation speed of the rotating jig in the film forming apparatus is made variable, the driving means is a pulse motor. configure,
Since the pulse motor is controlled by variable pulse frequency control, it is easier to control the pulse motor when the substrate faces both ends of the supply source than when it faces approximately the center of the supply source. is controlled so that it is relatively slow, thereby suppressing the increase in particle deposition in the center of the substrate.
By increasing the amount of particles deposited on both ends of the substrate, it is possible to reliably and easily equalize the film thickness of the entire substrate.
第1図〜第5図は本発明の第1実施例を示し、第1図は
制御装置のブロック図、第2図は制御装置の所定回路で
の出力信号を示す図、第3図はスパッタリング装置の縦
断面図、第4図は同装置を一部切り欠いて示す平面図、
第5図はパルス発生回路の出力信号の変形例を示す図で
ある。第6図は第2実施例を示す第1図相当図である。
第7図は基板とターゲットとの関係を示す概略平面図で
ある。
1・・・真空槽
6・・・カル−セル型治具(回転治具)6a・・・基板
取付面
7・・・ターゲット(成膜材料供給源)21・・・パル
スモータ
24.24’・・・制御装置(制御手段)25・・・第
ルベルコントローラ
(第1信号発生回路)
26・・・第2レベルコントローラ
27・・・関数発生回路(第2信号発生回路)28・・
・パルス発生回路
29・・・データ入力装置
30・・・CPU (演算手段)
31・・・メモリ(記憶手段)
40・・・基板
粥3区
(a)
1・・・真空槽
6・・・カル−セル型治具(回転治具)6a・・・基板
取付面
7・・・ターゲット(成膜材料供給源)21・・・パル
スモータ
24.24’・・・制御装置(制御手段)25・・・第
ルベルコントローラ
(第1信号発生回路)
26・・・第2レベルコントローラ
27・・・関数発生回路(第2信号発生回路)28・・
・パルス発生回路
2つ・・・データ入力装置
30・・・CPU(演算手段)
31・・・メモリ(記憶手段)
40・・・基板
B置部
時間
時間
第2区1 to 5 show a first embodiment of the present invention, FIG. 1 is a block diagram of a control device, FIG. 2 is a diagram showing output signals in a predetermined circuit of the control device, and FIG. 3 is a diagram showing sputtering. A vertical cross-sectional view of the device; FIG. 4 is a partially cutaway plan view of the device;
FIG. 5 is a diagram showing a modification of the output signal of the pulse generation circuit. FIG. 6 is a diagram corresponding to FIG. 1 showing the second embodiment. FIG. 7 is a schematic plan view showing the relationship between the substrate and the target. 1... Vacuum chamber 6... Car cell type jig (rotating jig) 6a... Substrate mounting surface 7... Target (film forming material supply source) 21... Pulse motor 24.24' ... Control device (control means) 25 ... Second level controller (first signal generation circuit) 26 ... Second level controller 27 ... Function generation circuit (second signal generation circuit) 28 ...
・Pulse generation circuit 29...Data input device 30...CPU (calculating means) 31...Memory (storage means) 40...Substrate gruel 3 section (a) 1...Vacuum tank 6... Car-cell type jig (rotating jig) 6a...Substrate mounting surface 7...Target (film forming material supply source) 21...Pulse motor 24.24'...Control device (control means) 25 ...First level controller (first signal generation circuit) 26...Second level controller 27...Function generation circuit (second signal generation circuit) 28...
・Two pulse generation circuits...Data input device 30...CPU (computation means) 31...Memory (storage means) 40...Substrate B placement time time second section
Claims (2)
給する成膜材料供給源と、真空槽内で回転可能に支持さ
れ、かつ基板を取り付ける複数の基板取付面が周方向に
配置され、各基板取付面が上記供給源に順次向かい合う
ように回転する回転治具とを備え、回転治具を回転させ
ながら基板取付面上の基板に対して成膜を行うようにし
た成膜装置において、 上記回転治具を回転駆動するパルスモータと、上記パル
スモータの回転速度を上記基板の成膜材料供給源に対す
る向きに応じて可変制御する制御手段とを設け、 上記制御手段は、回転治具の基本回転速度を設定する一
定レベルの第1信号を発生する第1信号発生回路と、 回転治具の回転速度を変化させる第2信号を時間に応じ
た所定の関数に基づいて発生する第2信号発生回路と、 上記第1信号発生回路の出力信号レベルを第2信号発生
回路の出力信号レベルに応じて補正し、その補正信号レ
ベルに応じた周波数を有するパルス信号を上記パルスモ
ータに出力するパルス発生回路とを備えていることを特
徴とする成膜装置。(1) A film-forming material supply source that is arranged in a vacuum chamber and supplies materials to be deposited on a substrate, and a plurality of substrate mounting surfaces that are rotatably supported within the vacuum chamber and that attach substrates in a circumferential direction. and a rotating jig that rotates so that each substrate mounting surface sequentially faces the supply source, and the film is formed on the substrate on the substrate mounting surface while rotating the rotating jig. The film apparatus includes a pulse motor that rotationally drives the rotating jig, and a control means that variably controls the rotational speed of the pulse motor depending on the orientation of the substrate with respect to the film-forming material supply source, the control means comprising: A first signal generation circuit that generates a first signal at a constant level to set the basic rotational speed of the rotating jig, and a second signal that changes the rotational speed of the rotating jig based on a predetermined function according to time. a second signal generating circuit that corrects the output signal level of the first signal generating circuit according to the output signal level of the second signal generating circuit, and transmits a pulse signal having a frequency corresponding to the corrected signal level to the pulse motor. A film forming apparatus characterized by comprising a pulse generating circuit that outputs a pulse.
給する成膜材料供給源と、真空槽内で回転可能に支持さ
れ、かつ基板を取り付ける複数の基板取付面が周方向に
配置され、各基板取付面が上記供給源に順次向かい合う
ように回転する回転治具とを備え、回転治具を回転させ
ながら基板取付面上の基板に対して成膜を行うようにし
た成膜装置において、 上記回転治具を回転駆動するパルスモータと、上記パル
スモータの回転速度を上記基板の成膜材料供給源に対す
る向きに応じて可変制御する制御手段とを設け、 上記制御手段は、回転治具の回転速度パターンに関する
データを記憶する記憶手段と、 上記記憶手段により記憶されたデータを処理して信号を
出力する演算回路と、 上記演算回路の出力信号を受け、その信号レベルに応じ
た周波数を有するパルス信号を上記パルスモータに出力
するパルス発生回路とを備えていることを特徴とする成
膜装置。(2) A film-forming material supply source that is arranged in a vacuum chamber and supplies materials to be deposited on the substrate, and a plurality of substrate mounting surfaces that are rotatably supported within the vacuum chamber and that attach the substrates in the circumferential direction. and a rotating jig that rotates so that each substrate mounting surface sequentially faces the supply source, and the film is formed on the substrate on the substrate mounting surface while rotating the rotating jig. The film apparatus includes a pulse motor that rotationally drives the rotating jig, and a control means that variably controls the rotational speed of the pulse motor depending on the orientation of the substrate with respect to the film forming material supply source, the control means comprising: a storage means for storing data regarding the rotational speed pattern of the rotating jig; an arithmetic circuit for processing the data stored by the storage means and outputting a signal; and receiving an output signal from the arithmetic circuit and responding according to the signal level. and a pulse generation circuit that outputs a pulse signal having a frequency to the pulse motor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7451890A JPH03274267A (en) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | Film forming device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7451890A JPH03274267A (en) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | Film forming device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03274267A true JPH03274267A (en) | 1991-12-05 |
Family
ID=13549628
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7451890A Pending JPH03274267A (en) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | Film forming device |
Country Status (1)
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JP (1) | JPH03274267A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140193939A1 (en) * | 2013-01-04 | 2014-07-10 | Tsmc Solar Ltd. | Method and system for forming absorber layer on metal coated glass for photovoltaic devices |
CN112522671A (en) * | 2019-09-19 | 2021-03-19 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | Magnetron sputtering method, device, equipment and readable storage medium |
-
1990
- 1990-03-23 JP JP7451890A patent/JPH03274267A/en active Pending
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