JPH03272083A - イオン打込み方式転送路を備えた磁気バブルメモリ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［産業上の利用分野］ 本発明は、イオン打込み方式によるバブル転送路を備え
た磁気バブルメモリ素子に係わり、特に、磁気バブル検
出器あるいはゲート回路等を構成する機能部において、
余分な不要バブルが発生することに基づく誤動作対策に
好適な機能部を備えた磁気バブルメモリ素子に関するも
のである。 ［従来の技ｖ＃］ 磁気バブルメモリ素子として、高集積化を図るため、バ
ブル転送路（以下、磁気バブルを単にバブルと略称する
）に従来のパーマロイ薄膜パタンに代わり、イオン打込
み方式転送路を用いた素子が有望である。イオン打込み
方式転送路は、バブル磁性膜の表面に、Ｈ／、Ｈｅ”、
Ｎｅ”等のイオンを部分的に打込むことにより形成し、
このイオン打込み層を面内で回転する回転磁界ＨＲで磁
化することにより、イオンの打込まれた領域の境界に移
動磁極を発生させ、この磁極でバブルを転送する。 なお、この種のイオン打込み方式転送路に関しては１例
えばアイ・イー・イー・イー・トランザアクション・オ
ン・マグネチックス、エムエージ−１３，６（１９７７
年）第１７４４頁〜第１７６４頁（ＩＥ３Ｔｒａｎｓ、
　Ｍａｇｎ、、ＭＡＧ−１３，Ｎｏ、６　（ｉ９７７）
Ｐ、１７４４〜１７６４）等で知られている。 このようなイオン打込み転送路を用いて磁気バブルメモ
リ素子を構成する場合、情報の入出力を行なうために、
磁気バブルを電気信号に変換するバブル検出器や、　情
報を記憶するバブル転送路（マイナループと称される）
と情報の入出力を行なうための入出力転送路（メジャー
ラインと称される）の間でバブルの受は渡しを行なうゲ
ート回路や、磁気バブルを発生することにより情報の書
き込みを行なうバブル発生器等の要素が用いられる。通
常この種のバブル検出器やゲート回路やバブル発生器等
の要素を機能部と称している。 以下、図面によりバブル検出器の従来例につき説明する
。 第７図は、従来の電流ストレッチ型バブル検出器６０の
東部平面図を示したものである。すなわち。 この検出器６０は、パルス電流をコンダクタループに流
してバブルをひも状に伸長、拡大し、磁気抵抗効果パタ
ンを利用して、バブルの有無を電気信号に変換して検出
する、電流ストレッチ方式と呼ばれている周知の検出器
である。 同図において、１０は磁気バブルを転送するイオン打込
み方式の転送路であり、その周囲はイオン打込み領域■
２で囲まれ、内部は非イオン打込み領域ＳＴＲで構成さ
れている。　２０は、バブルをひも状に伸長、拡大する
パルス電流を流すための第１の非磁性コンダクタパタン
で、通常、ヘアピン型のパタンを形成しており、Ａｕ等
の薄膜パタンを積層して形成される。転送路１ｏを外部
から与える回転磁界ＨＲで磁化することにより、矢印Ｐ
方向に転送されてきたバブルがヘアピン型コンダクタパ
タン２ｏのギャップｇ内にきた時点で、このコンダクタ
パタン２０にパルス電流を流しギャップｇの長手方向に
沿ってバブルを伸長、拡大する。 ３０は、バブルの有無を電気信号に変換する磁気抵抗効
果パタンであり、通常パーマロイ等の４００〜８００大
の薄膜パタンからなり、磁気抵抗効果素子を構成する。 ４０は、第２の非磁性コンダクタパタンであり、検出さ
れた後のバブルを消滅させるためのパルス電流を流すコ
ンダクタパタンである。 この第２のコンダクタパタン４０は、上記バブルを伸長
、拡大するコンダクタパタン２０と共用することもでき
、この場合は、パタン４０を省略することができる。 第８図は、従来のゲート回路７０の要部平面図を示した
ものである。 同図において、１１は情報を記憶するバブル転送路であ
るマイナループの一部を示すイオン打込み転送路、１２
は入出力情報を転送するメジャーラインと称される入出
力転送路の一部を示すイオン打込み転送路である。５０
は、バブルをひも状に拡大するパルス電流を流す非磁性
のヘアピン型コンダクタパタンで、Ａｕ等の薄膜パタン
を積層して形成され、基本的には前記第７図のコンダク
タパタン２０．４０と同一のものである。このコンダク
タパタン５０にパルス電流を流すことにより、入出力し
たいバブルをギャップｇに沿って伸長、拡大して、２つ
の転送ｊ１１１と１２にブリッヂさせる。このブリッヂ
されたバブルを、第２のヘアピン状コンダクタパタン（
図面が複雑になるのでここでは省略したが、パタン５０
にクロスして配設されている）にパルス電流を流して、
２つに切断、分割することにより、バブルの受は渡しを
完了する。 ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記従来のバブル検出器あるいはゲート
回路は次のような誤動作を起こす問題があった。 すなわち、第７図に例示した従来のバブル検出器６０に
おいては、コンダクタパタン２ｏにバブルをひも状に拡
大するパルス電流を流すと、バブルが正常動作をする場
合には、第９図（ａ）のようにギャップｇ内に沿って一
本のひも状バブル１００に拡大されるが、実際には同図
（ｂ）に示したように不要な方向に枝分かれした部分１
００Ｂ　　を有した形状に拡大され、誤動作を起こす問
題があった。 なお、第９図（ａ）、（ｂ）では、図面が複雑になるの
で、第７図に示した第２のコンダクタパタン４゜や磁気
抵抗効果パタン３０を省略した。 このバブル検出Ｉ６０と同様の構成部分を持ち、かつ同
様の動作を行なう第８図で述べたゲート回路７０の場合
も、バブル検出器６０について示した第９図（ｂ）の場
合と同様の誤動作を起こす問題があった。すなわち、第
８図のコンダクタパタン５ｏにバブルをひも状に拡大す
るパルス電流を流すと。 バブルが不要な方向に枝分かれした部分を有した形状に
拡大される誤動作である。 このようにバブルが枝分かれした部分１００Ｂ　は、バ
ブル検出器６０やゲート回路７０の動作に続く次の動作
等で取り残されて、第９図（Ｃ）に示すように、余分な
不要バブルＥＢとして存続し、メモリ動作を繰り返すう
ちに、記憶した情報を破壊する誤動作を引き起こす原因
となる。 なお、第９図（Ｃ）は、不要バブルが残留する状態を模
式的に示したもので、図面が複雑になるので第７図や第
８図おいて示したコンダクタパタンや磁気抵抗効果パタ
ンを省略した。 したがって、本発明の目的は、上記従来の問題点を解消
することにあり、バブル検出器６０やゲート回路７０に
おいて発生する余分な不要バブルＥＢによる誤動作を防
止することのできる改良された機能部を備えた磁気バブ
ルメモリ素子を提供することにある。 ［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために、本発明者等は、機能部を
構成するバブル検出器６０やゲート回路７０につき種々
実験検討したところ、バブル拡大動作時に、余分な不要
バブルの発生原因となるバブルが枝だ分かれする現象は
、後述するように、コンダクタパタン周辺のイオン打込
み領域にバブルを吸引する不要磁極が存在するためであ
るという知見を得た。そこで、本発明者等は、かかる知
見に基づき、この不要磁極の影響を少なくするためには
、イオン打込み層のパタンとコンダクタパタンとの相対
値を関係及びそのパタン形状を、適正な位置関係及び形
状に改良すればよいということを実験的に確かめた。 本発明はこのような検討結果から威されたものであり、
以下、図面を用いてこれらの検討結果とそれに基づく本
発明の具体的な目的達成手段について順次説明する。 第１０図は、先に示した第７図と同様のバブル検出器６
０の要部平面図を示したものであが、第８図のゲート回
路７０の場合に対しても全く同様であるので、ゲート回
路７０の説明はこの第１０図を代表して省略する。 第１０図は、コンダクタパタン２０にパルス電流を流し
てバブルを拡大する時の誤動作の原因を説明したもので
ある。バブルを伸長、拡大するためコンダクタパタン２
０に流したパルス電流により、同図（、）に示すように
、コンダクタパタン２０のヘアピン内部（ギャップｇ内
）には、バブルを吸引する電流磁界ＨｃＵＲが生じる。 この磁界に沿ってバブルＢがギャップｇ内に沿って上方
に引き延ばされて、第９図（ａ）で述べたようにひも状
バブル１００に拡大される訳である。バブルをヘアピン
型コンダクタパタン２０内のギャップｇに沿って完全に
引き延ばす（フルストレッチと呼ぶ）ためには、ある有
限の時間が必要となる。これは、バブルが引き延ばされ
る速度が有限であるためである。 例えば、転送路ｌＯ上のヘアピン型コンダクタパタン２
０のギャップｇ内に直径１μｍのバブルが転送され、こ
れを検出器する場合、通常５０〜１００μｍの長さに拡
大する必要がある。なお、ゲート回路７０の場合には、
これより短く１０〜２０μｌの長さに拡大する。 この場合、フルストレッチに必要な時間は、１〜２μｓ
ｅｃである。なお、ゲート回路７０の場合には、０．３
〜０．６μｓｅｃの拡大時間が必要となる。 すなわち、バブル検出時におけるフルストレッチのため
には、バブル拡大のパルス電流のパルス幅τを１〜２μ
ｓｅｃにする必要がある。 一方、このバブル拡大動作時にも、バブルを転送するた
めにイオン打込み方式転送路を磁化する面内回転磁界Ｈ
Ｒが、外部から印加されている。 この回転磁界ＨＲの回転周波数ｆは、メモリ動作の動作
速度とも呼ばれ、通常１００ｋＨｚ〜２００ｋＨｚ程度
である。 さて、今、回転磁界ＨＲの周波数ｆが２００ｋＨｚであ
り、バブル拡大のパルス電流のパルス幅τを２μｓｅｃ
に設定して動作させた場合を考える。この場合、バブル
拡大用のパルス電流をコンダクタパタン２０に流して、
バブルを拡大している途中において、回転磁界ＨＲの方
向（位相θ）は、３６０’　Ｘ（パルス電流のパルス幅
で）÷（回転磁界の１回転に要する時間）＝３６０″’
Ｘ２μｓｅｃ÷５μ５ｅｃ＝１４４°と広い範囲に渡り
回転し、変化する。 第１０図において、回転磁界ＨＲの方向が上向きになっ
たときに（θ＝０８）、パルス電流を流し始めた場合、
パルス電流が流れている間に、回転磁界は、同図（ｂ）
に示したようにθ＝　１４４’まで進む。 その途中に、θ＝９０°となり、回転磁界が横方向を向
く状態を通る。このとき、第１０図（ｃ）に示すように
、イオン打込み層■２が回転磁界ＨＲで磁化され、位［
Ａに強力なバブル吸引磁極Ｈ１を発生する。この吸引磁
極Ｈ１により、ひも状に引き延ばされたバブル１００は
影響を受け、第１Ｏ図（ｄ）に示すように枝分かれし、
枝１００Ｂ　　を出した形状となり、誤動する。 そこで、本発明においては、この枝分かれバブル１００
Ｂ　　による誤動作を防止するために、このバブル吸引
磁極Ｈ１の影響を低減するようにイオン打込み層Ｉ２の
パタン形状を改善した点に特徴がある。具体的には、コ
ンダクタパタンのヘアピンギャップｇの長平方向に沿っ
てバブルを拡大する領域を形成している非イオン打込み
領域パタンＳＴＲの形状を工夫した点に特徴がある。な
おＳＴＲ領域は、非イオン打込み領域であるが、実際に
は、ハードバブルを抑制するためのイオンだけは打込ま
れている（転送路を形成するためのイオン打込み量に対
比して桁はずれに少ない量である）。 したがって、上記本発明の目的は、 （１）イオン打込み方式による磁気バブル転送路と、こ
の転送路の一部に機能部の一つとして設けられたパルス
電流によりコンダクタパタンのギャップ内に沿って磁気
バブルを伸長、拡大して拡大バブルを形成する機能を有
するヘアピン型コンダクタパタンとを具備して成る磁気
バブル素子において、前記磁気バブル転送路の非イオン
打込み領域に接続され、かつ前記磁気バブルの拡大領域
を形成する非イオン打込みパタン部を備えると共に。 前記パルス電流により前記非イオン打込みパタン部にお
いて拡大される磁気バブルが、面内回転磁界により前記
磁気バブルの拡大領域を形成する非イオン打込みパタン
部において発生する吸引磁極により枝分かれする影響を
実質的に受けない手段を有して成り、これにより拡大し
たひも状バブルの枝分かれを防止した機能部を具備して
成るイオン打込み方式転送路を備えた磁気バブル素子に
より、また、 （２）イオン打込み方式による磁気バブル転送路と、こ
の転送路の一部に機能部の一つとして設けられたパルス
電流によりコンダクタパタンのギャップ内に沿って磁気
バブルを伸長、拡大して拡大バブルを形成する機能を有
するヘアピン型コンダクタパタンとを具備して成る磁気
バブル素子において、前記磁気バブル転送路の非イオン
打込み領域に接続され、かつ前記磁気バブルの拡大領域
を形成する非イオン打込みパタン部を備えると共に、前
記非イオン打込みパタン部の幅Ｗを前記ヘアピン型コン
ダクタパタン外側の幅Ｙより大きくシ。 パルス電流により前記非イオン打込みパタン部において
拡大される磁気バブルが、面内回転磁界により前記磁気
バブルの拡大領域を形成する非イオン打込みパタン部に
おいて発生する吸引磁極により枝分かれする影響を実質
的に受けない構成として成り、これにより拡大したひも
状バブルの枝分かれを防止した機能部を具備して成るイ
オン打込み方式転送路を備えた磁気バブル素子により、
さらにまた。 （３）イオン打込み方式による磁気バブル転送路と、こ
の転送路の一部に機能部の一つとして設けられたパルス
電流によりコンダクタパタンのギャップ内に沿って磁気
バブルを伸長、拡大して拡大バブルを形成する機能を有
す“るヘアピン型コンダクタパタンとを具備して成る磁
気バブル素子において、前記磁気バブル転送路の非イオ
ン打込み領域に接続され、かつ前記磁気バブルの拡大領
域を形成する非イオン打込みパタン部を備えると共に、
前記非イオン打込みパタン部の幅Ｗを前記ヘアピン型コ
ンダクタパタン外側の幅Ｙよりも小さくシ。 しかも前記非イオン打込みパタン部の幅Ｗを前記ヘアピ
ン型コンダクタパタンのギャップ内として成り、パルス
電流により前記非イオン打込みパタン部において拡大さ
れる磁気バブルが、面内回転磁界の影響により枝分かれ
するのを防止した機能部を具備して成るイオン打込み方
式転送路を備えた磁気バブル素子により、そしてまた、
（４）上記非イオン打込みパタン部の幅Ｗを、使用磁気
バブル径の４倍以下として成る上記（３）記載の磁気バ
ブル素子により、遠戚される。 特に、上記（３）及び（４）の場合は、パルス電流によ
り前記非イオン打込みパタン部において拡大される磁気
バブルが、面内回転磁界の影響により枝分かれすること
は殆ど無く、ギャップ内の転送路に近いところで僅かに
変形する程度で実用上は全く影響無く、むしろ枝分かれ
バブルが発生しないという点で好ましい。 また、上記（２）の場合は、面内回転磁界の影響により
枝分かれバブルの発生を防止できないとしても、誤動作
防止は完全に可能であり、バブル情報として拡大される
磁気バブルが１面内回転磁界により前記磁気バブルの拡
大領域を形成する非イオン打込みパタン部において発生
する吸引磁極による影響を実質的に受けない。 ［作用］ 第１０図で述べた回転磁界ＨＲにより発生するバブル吸
引磁極Ｈ１の影響を減少させるか、もしくは′これを発
生させない構成とすることにより、バブル拡大時に２バ
ブルが枝分かれした形に拡大される誤動作を防止するこ
とができる。 ［実施例］ 以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。 実施例１゜ 第１図は、バブルメモリ素子の機能部を構成する検出器
に本発明を適用した場合の実施例を示したもので、第７
図と同様その要部平面図を示す。 図において、第７図と同じものには同じ記号を付してい
る。 この実施例では、図示のようにバブルを拡大する領域を
形成している非イオン打込み領域（ＳＴＲ）パタン部の
幅Ｗを広くした点に特徴があり。 この幅Ｗを、バブル拡大用のパルス電流を流すヘアピン
型コンダクタパタン２０の外側の幅Ｙより広くした点（
Ｗ＞　Ｙ　）に特徴がある。 こうすることにより、第１０図で述べた位ＮＡに発生す
るバブル吸引磁極Ｈ１により、拡大したバブルが吸引さ
れて枝分かれして、枝分かれバブル１００　Ｂ　　を出
した形状による誤動作が１次述べる理由により、防止で
きる。 すなわち、回転磁界により発生する吸引磁極Ｈ１の位置
が、非イオン打込み領域（ＳＴＲ）のパタンＷを広げる
ことにより、情報として拡大されたひも状バブルの位置
から遠ざかるために、バブルを引き寄せる力が弱まる。 さらに、吸引磁極Ｈ，の位置Ａが、ヘアピン型コンダク
タパタン２０の外部のイオン打込み領域工２側に出る。 また、ヘアピン型コンダクタパタン２０の外側の位置に
は、バブル拡大用パルス電流による磁界として、バブル
を反発する磁界Ｈｏｕｔを発生する。したがって。 本発明による第１図の実施例では、誤動作の原因となっ
た上記吸引磁極Ｈ１とひも状バブル（図面は省略したが
ギャップｇ内）の中間位置にバブルを反発する電流磁界
Ｈｏｕｔが形成される構造となる。そして、この電流磁
界Ｈｏｕｔは、問題の吸弓磁極Ｈ１を弱める働きをし、
誤動作防止に好ましい作用をする。 なお、同図に破線で示した非イオン打込み領域は、回転
磁界による吸引磁極Ｈ１の影響がもろにでて枝分かれバ
ブルが発生した第１Ｏ図の非イオン打込み領域（ＳＴＲ
）パタン部のレイアウトを参考までに記入したものであ
る。 以上述べた理由により、拡大バブルが枝分かれする誤動
作を防止することができた。 具体的な一例を示すと、バブル径ｄ＝０．８μｍのバブ
ルを用い、Ｙ＝７μ膳において、Ｗを破線で示した比較
例の５μ厘から８μ朧に拡大したパタンを作製したとこ
ろ、誤動作がバブル転送範囲内において起こらないこと
を確認した６ 実施例２゜ 第２図は、本発明をバブル検出器に適用した他の実施例
の一例を示す図である。 この実施例では、バブルを拡大する非イオン打込み領域
（ＳＴＲ）パタン部の幅Ｗを、第１図の場合とは逆に狭
くし、ヘアピンギャップｇ内のレイアウトとした点に特
徴がある。そして、このパタン部の幅Ｗは、好ましくは
使用バブル径ｄの４倍以下、実用的には１〜４倍内に狭
くすることが望ましい。なお、この幅Ｗは、バブルを安
定に拡大するために、あまり小さくすることができず。 その最小幅は約バブル径ｄ程度である。 幅Ｗを狭くすることにより、バブルが枝分かれする誤動
作は、次の理由により防止できる。 誤動作の発生原因となった第１Ｏ図で述べた吸引磁極Ｈ
，は、第１＠とは逆に拡大したひも状バブルのすぐ近傍
に出来ることになる。この結果、この吸引磁極Ｈ１がひ
も状バブルに作用して引き寄せたとしても、ひも状バブ
ルが僅かに変位するだけである。枝分かれするだけの空
間的な余裕が無いためである。 なお、同図において破線で示した非イオン打込み領域は
、回転磁界による吸引磁極Ｈ１の影響がもろにでて枝分
かれバブルが発生した第１０図の非イオン打込み領域（
ＳＴＲ）パタン部のレイアウトを参考までに記入したも
のである。 以上述べた理由により、拡大バブルが枝分かれする誤動
作を防止することができた。 具体的な一例を示すと、バブル径０．８μ鳳のバブルを
用いて、コンダクタパタン２０の＠Ｙ＝７μ量において
、Ｗを破線で示した比較例の５μ園から２μ璽に狭くし
たパタンを作製したところ、誤動作がバブル転送範囲内
において起こらないことを確認した。 以上、第１図、第２図の実施例は、いずれも機能部の一
つを構成するバブル検出器６０について本発明を適用し
た例を示したが、検出器と類似の構成部を有する第８図
に例示のゲート回路７０に対しても、全く同様に適用す
ることができる。 したがって、以下の実施例３及び４はいずれもゲート回
路７０に本発明を適用した例を示す。 実施例３゜ 第３図はゲート回路７０の要部平面図を示したもので、
基本的には前記第１図に示した実施例１と同様にバブル
拡大用非イオン打込み領域（ＳＴＲ）パタン部のＩｉＷ
をコンダクタパタン５０の＠ｙよりも広いレイアウトと
したものである。バブル拡大時における。枝分かれバブ
ルによる誤動作防止効果は、実施例１の場合と同様であ
った。 実施例４゜ 第４図はゲート回路７０の要部平面図を示したもので、
基本的には前記第２図に示した実施例２と同様に非イオ
ン打込み領域（ＳＴＲ）パタン部の＊Ｗをコンダクタパ
タン５０の＠Ｙよりも狭くシ。 ヘアピンギャップｇ内のレイアウトとしたものである。 バブル拡大時における、枝分かれバブルによる誤動作防
止効果は、実施例２の場合と同様であった。 実施例５゜ 上記いずれの実施例においてもバブル拡大領域である非
イオン打込み領域（ＳＴＲ）パタン部の幅Ｗが、その拡
大方向に一定の幅を有する場合を示した。しかし、必ず
しも一定の幅にする必要は無く、第１０図の吸引磁極Ｈ
１の発生に基づく問題部分Ａ位置のみに本発明を適用し
てもよい。 例えば、非イオン打込み領域（ＳＴＲ）パタン部を、前
記実施例１及び２の第１図及び第２図の代わりに第５図
に例示したように、パタン幅Ｗが一定でなく台形状にし
ても本発明は同様に適用することができ、有効であった
。すなわち、パタン部（Ｓ、Ｔ　Ｒ）のつけ根の幅Ｗが
１本発明の条件を満足すればよい、実験事実からしても
、第５図（ａ）は、第１図の場合と、そして第５図（ｂ
）は、第２図の場合とそれぞれ実質的に同様な誤動作防
止効果を示した。 なお、第５図において、破線で示した領域はいずれも第
１図、第２図のバブル拡大用非イオン打込み領域（ＳＴ
Ｒ）パタン部を示しており、また。 Ｗ′は比較例として第１０図に示した従来のパタン部の
幅を示している。 実施例６゜ 第６図は、ヘアピン型コンダクタパタン２０（５０）の
形状に関するもので、上記いずれの実施例にも共通して
適用できるパタン構成を示したものである。つまり、こ
れまでの実施例ではヘアピン型コンダクタパタンの形状
を、いずれも例えば第１図に示したような突起の無いヘ
アピン型としたが。 本実施例では、第６図に例示したように放熱パタンとな
る突起部３０を設けたヘアピン型コンダクタパタンとし
たにれによりパルス電流を流したときの放熱効果を向上
させるものである。この場合にも実効的なコンダクタパ
タンの幅Ｙは１図面に記入したようにこれまでの実施例
と同様に突起部３０の根もとの部分である。 ［発明の効果コ 以上説明したように１本発明によれば、検出器やゲート
回路を構成する機能部において、バブル拡大動作時に、
従来素子の問題であった枝分かれバブルの発生に基づく
誤動作を防止することができ、極めて信頼性の高いバブ
ルメモリ素子を実現することが可能となった。 ４）

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、いずれも本発明の異なる一実施例
となる検出器の要部平面図、第３図及び第４図は、いず
れも本発明のさらに異なる一実施例となるゲート回路の
要部平面図、第５図は、本発明のさらに異なる実施例を
示すバブル拡大領域である非イオン打込み領域（ＳＴＲ
）パタン平面図、第６図は本発明のさらに異なる実施例
を示すヘアピン型コンダクタパタンの平面図、第７図は
。 従来のバブル検出器、第８図は、従来のゲート回路の要
部平面図、第９図は、誤動作の内容を説明する検出器の
要部平面図、そして第１０図は、誤動作のメカニズムを
示す検出器の要部平面図である。 〈符号の説明〉 １Ｏ１１２・・・イオン打込み方式バブル転送路、１１
・・・マイナループ（イオン打込み方式バブル転送路〉
、　２０．４０．５０・・・ヘアピン型コンダクタパタ
ン。 ３０・・・磁気抵抗効果パタン、　　６０・・・バブル
検出器、７０・・・ゲート回路、　　　　■２・・・イ
オン打込み領域、ＳＴＲ・・・非イオン打込み領域、 ｇ・・・ヘアピン型コンダクタパタンのギャップ、ＨＲ
・・回転磁界、　　　　　　　　Ｈｌ・・・吸引磁極、
Ｗ・・・バブル拡大用非イオン打込み領域（ＳＴＲ）パ
タン部の幅、　　　　Ｙ・・・コンダクタパタンの幅。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）イオン打込み方式による磁気バブル転送路と、この
   転送路の一部に機能部の一つとして設けられたパルス電
   流によりコンダクタパタンのギャップ内に沿って磁気バ
   ブルを伸長、拡大して拡大バブルを形成する機能を有す
   るヘアピン型コンダクタパタンとを具備して成る磁気バ
   ブル素子において、前記磁気バブル転送路の非イオン打
   込み領域に接続され、かつ前記磁気バブルの拡大領域を
   形成する非イオン打込みパタン部を備えると共に、前記
   パルス電流により前記非イオン打込みパタン部において
   拡大される磁気バブルが、面内回転磁界により前記磁気
   バブルの拡大領域を形成する非イオン打込みパタン部に
   おいて発生する吸引磁極により枝分かれする影響を実質
   的に受けない手段を有して成り、これにより拡大したひ
   も状バブルの枝分かれを防止した機能部を具備して成る
   イオン打込み方式転送路を備えた磁気バブル素子。 ２）イオン打込み方式による磁気バブル転送路と、この
   転送路の一部に機能部の一つとして設けられたパルス電
   流によりコンダクタパタンのギャップ内に沿って磁気バ
   ブルを伸長、拡大して拡大バブルを形成する機能を有す
   るヘアピン型コンダクタパタンとを具備して成る磁気バ
   ブル素子において、前記磁気バブル転送路の非イオン打
   込み領域に接続され、かつ前記磁気バブルの拡大領域を
   形成する非イオン打込みパタン部を備えると共に、前記
   非イオン打込みパタン部の幅Ｗを前記ヘアピン型コンダ
   クタパタン外側の幅Ｙより大きくし、パルス電流により
   前記非イオン打込みパタン部において拡大される磁気バ
   ブルが、面内回転磁界により前記磁気バブルの拡大領域
   を形成する非イオン打込みパタン部において発生する吸
   引磁極により枝分かれする影響を実質的に受けない構成
   として成り、これにより拡大したひも状バブルの枝分か
   れを防止した機能部を具備して成るイオン打込み方式転
   送路を備えた磁気バブル素子。 ３）イオン打込み方式による磁気バブル転送路と、この
   転送路の一部に機能部の一つとして設けられたパルス電
   流によりコンダクタパタンのギャップ内に沿って磁気バ
   ブルを伸長、拡大して拡大バブルを形成する機能を有す
   るヘアピン型コンダクタパタンとを具備して成る磁気バ
   ブル素子において、前記磁気バブル転送路の非イオン打
   込み領域に接続され、かつ前記磁気バブルの拡大領域を
   形成する非イオン打込みパタン部を備えると共に、前記
   非イオン打込みパタン部の幅Ｗを前記ヘアピン型コンダ
   クタパタン外側の幅Ｙよりも小さくし、しかも前記非イ
   オン打込みパタン部の幅Ｗを前記ヘアピン型コンダクタ
   パタンのギャップ内として成り、パルス電流により前記
   非イオン打込みパタン部において拡大される磁気バブル
   が、面内回転磁界の影響により枝分かれするのを防止し
   た機能部を具備して成るイオン打込み方式転送路を備え
   た磁気バブル素子。 ４）上記非イオン打込みパタン部の幅Ｗを、使用磁気バ
   ブル径の４倍以下として成る請求項３記載の磁気バブル
   素子。