JPH03270222A - 半導体へのイオン注入方法 - Google Patents
半導体へのイオン注入方法Info
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- JPH03270222A JPH03270222A JP7077090A JP7077090A JPH03270222A JP H03270222 A JPH03270222 A JP H03270222A JP 7077090 A JP7077090 A JP 7077090A JP 7077090 A JP7077090 A JP 7077090A JP H03270222 A JPH03270222 A JP H03270222A
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- ion
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- Pending
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Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産１」Ｊｌ生匪公畳−
この発明は、半導体製造工程におけるイオン注入方法に
関し特にイオン注入層の分布を均一にするのに好適する
方法に関する。
関し特にイオン注入層の分布を均一にするのに好適する
方法に関する。
従来征皮直
従来、半導体へのイオン注入は、第４図に示すように半
導体基板１１の結晶表面ＩＯに不純物イオンを発生させ
るイオン源６から不純物の質量分析を行う質量分析器７
．不純物イオンを加速しエネルギーを与える加速部８．
不純物イオンを被注入物へ均一に注入するためのスキャ
ン部９を通して所定のエネルギーで所定の量打ち込む。
導体基板１１の結晶表面ＩＯに不純物イオンを発生させ
るイオン源６から不純物の質量分析を行う質量分析器７
．不純物イオンを加速しエネルギーを与える加速部８．
不純物イオンを被注入物へ均一に注入するためのスキャ
ン部９を通して所定のエネルギーで所定の量打ち込む。
このようにして打ち込まれた不純物イオンは半導体基板
１１中の格子原子と衝突を繰り返しながらエネルギーを
失い、表面ｌＯから所定の深さまで侵入し停止する。
１１中の格子原子と衝突を繰り返しながらエネルギーを
失い、表面ｌＯから所定の深さまで侵入し停止する。
これにより、不純物が半導体基板中にドーピングされ、
後工程の熱処理によってイオン注入によって乱された結
晶を回復し不純物が結晶構成原子と入れ替わることによ
り不純物層が形成される。
後工程の熱処理によってイオン注入によって乱された結
晶を回復し不純物が結晶構成原子と入れ替わることによ
り不純物層が形成される。
ところで、前記のイオン注入方法においては、被注入物
が結晶構造をもっているため、第今図に示すように被注
入物の場所によって、イオンビームの入射角が変化する
注入装置においては、不純物イオンが空間格子の間を潜
り抜けて、所定の深さよりも深く侵入するイオンが発生
する “チャネリング現象が被注入物の場所によって変
化するため、第５図に示すように被注入物場所４゛ （
実線）と５′ （破線）においてイオンの大深さＸと侵
入数分布Ｎの関係がグラフに示すように変化するという
欠点があった。
が結晶構造をもっているため、第今図に示すように被注
入物の場所によって、イオンビームの入射角が変化する
注入装置においては、不純物イオンが空間格子の間を潜
り抜けて、所定の深さよりも深く侵入するイオンが発生
する “チャネリング現象が被注入物の場所によって変
化するため、第５図に示すように被注入物場所４゛ （
実線）と５′ （破線）においてイオンの大深さＸと侵
入数分布Ｎの関係がグラフに示すように変化するという
欠点があった。
−−めの
本発明における前記の課題解決のための技術的手段は被
注入物に導電性不純物イオンを打ち込む前にあらかじめ
被注入物の構成原子イオンを打ち込んで被注入物表層に
非晶質層を形成することを特徴とする。
注入物に導電性不純物イオンを打ち込む前にあらかじめ
被注入物の構成原子イオンを打ち込んで被注入物表層に
非晶質層を形成することを特徴とする。
伍且
本発明方法では、被注入物にあらかじめ打ち込んだイオ
ンによって、被注入物表面層の結晶が乱されることによ
って、被注入物表面層が非晶質化し、導電性不純物イオ
ンは非晶質な表面層になった被注入物に打ち込まれるこ
とになる。
ンによって、被注入物表面層の結晶が乱されることによ
って、被注入物表面層が非晶質化し、導電性不純物イオ
ンは非晶質な表面層になった被注入物に打ち込まれるこ
とになる。
したがって、後から打ち込まれる不純物イオンによる“
チャネリング現象の入射角依存性がほとんどなくなる。
チャネリング現象の入射角依存性がほとんどなくなる。
実ＪＬ４糺
本発明に係るイオン注入方法の一実施例を第１図、第２
図および第３図を参照しながら説明する。
図および第３図を参照しながら説明する。
本発明の特徴は、ＧａＡｓ基板１の非晶質２にある。す
なわち第１図に示すように上記ＧａＡｓ基板の表面層２
は、Ｓｉイオンとは別にあらかじめＳｌの活性化を助け
るＡｓイオンを打ち込まれた非晶質の層である。
なわち第１図に示すように上記ＧａＡｓ基板の表面層２
は、Ｓｉイオンとは別にあらかじめＳｌの活性化を助け
るＡｓイオンを打ち込まれた非晶質の層である。
本発明では、上記のＡｓイオンにより非晶質化された層
に第２図に示すようにＳｉイオンを注入して導電性の層
３を形成するため、Ｓ１イオンがＧａＡｓ基板の空間格
子の配列間を潜り抜けていく“チャネリング現象の発生
が抑えられ、第３図に示すようにＧａＡｓ基板の場所に
おいて不純物イオンの侵入深さがばらつくことが少なく
なるという利点がある。
に第２図に示すようにＳｉイオンを注入して導電性の層
３を形成するため、Ｓ１イオンがＧａＡｓ基板の空間格
子の配列間を潜り抜けていく“チャネリング現象の発生
が抑えられ、第３図に示すようにＧａＡｓ基板の場所に
おいて不純物イオンの侵入深さがばらつくことが少なく
なるという利点がある。
下表に基板、基板構成イオンに、導電性不純物イオンの
例をいくつか示す。
例をいくつか示す。
もちろん、上記以外の物質についても本発明の方法が可
能であることはいうまでもない。
能であることはいうまでもない。
見虹旦剋果
以上説明したように、この発明によれば、目的とした不
純物イオンの打ち込みを、別のイオンで半導体基板表面
を非晶質化してから打ち込むことで、半導体基板結晶の
場所によるイオン注入層のばらつきを低減させたことに
より、電気的特性の半導体基板、結晶内での均一性を向
上させることが可能となる。
純物イオンの打ち込みを、別のイオンで半導体基板表面
を非晶質化してから打ち込むことで、半導体基板結晶の
場所によるイオン注入層のばらつきを低減させたことに
より、電気的特性の半導体基板、結晶内での均一性を向
上させることが可能となる。
るイオンを打ち込んだ状態の基板の要部断面図。
第３図は第２図の状態の基板中の不純物イオン分布を示
すグラフである。
すグラフである。
第４図はイオン注入装置を示す概略構成図、第５図は従
来技術で半導体中に形成された不純物層の断面図と、不
純物分布を示すグラフである。
来技術で半導体中に形成された不純物層の断面図と、不
純物分布を示すグラフである。
１・・・ＧａＡｓ基板
２・・・非晶質層、
３・・・導電性の層。
第１図は、本発明の一実施例の被注入物イオンを注入し
た基板の要部断面図、第２図は目的とす第 １ 図 第 図 Ｘ→ 第 図 − 第 図
た基板の要部断面図、第２図は目的とす第 １ 図 第 図 Ｘ→ 第 図 − 第 図
Claims (1)
- 半導体基板、結晶等へのイオン注入技術において、被
注入物に導電性不純物イオンを注入する前にあらかじめ
、前記被注入物の構成原子イオンを打ち込むことにより
被注入物表層に非晶質層を形成することを特徴としたイ
オン注入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7077090A JPH03270222A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 半導体へのイオン注入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7077090A JPH03270222A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 半導体へのイオン注入方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03270222A true JPH03270222A (ja) | 1991-12-02 |
Family
ID=13441087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7077090A Pending JPH03270222A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 半導体へのイオン注入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03270222A (ja) |
-
1990
- 1990-03-20 JP JP7077090A patent/JPH03270222A/ja active Pending
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