JPH0326780A - 有機薄膜el素子 - Google Patents
有機薄膜el素子Info
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- JPH0326780A JPH0326780A JP1159483A JP15948389A JPH0326780A JP H0326780 A JPH0326780 A JP H0326780A JP 1159483 A JP1159483 A JP 1159483A JP 15948389 A JP15948389 A JP 15948389A JP H0326780 A JPH0326780 A JP H0326780A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は平面光源やディスプレイに使用される有機薄膜
EL素子に関するものである。
EL素子に関するものである。
[従来の技術]
有機発光性薄膜と有機電荷輸送性薄膜からなる有機薄膜
EL素子は、強い発光を示すことから安価な大而積フル
カラー表示素子を実現するものとして注目を果めている
。しかし、従来の有機薄膜EL素子では、電界発光を示
す発光性材料か限られているため、フルカラー表示が困
難であった。
EL素子は、強い発光を示すことから安価な大而積フル
カラー表示素子を実現するものとして注目を果めている
。しかし、従来の有機薄膜EL素子では、電界発光を示
す発光性材料か限られているため、フルカラー表示が困
難であった。
ところが最近、2層構造の有機薄膜EL素子において、
発光層に有機色素をドーピングする、いわゆるドーピン
グ型有機薄膜ビL素子が報告ざれ、強い関心を集めてい
る(ジャーナル・オブ・アプライド・フィシックス,6
5巻, 3610ページ, 1989年〉。ここでは、
第2図に示すように強い蛍光を発する金属キレート錯体
を有機発光体薄膜層として使用し、この層に有機色素を
ドーピングして、青緑および橙色の明るい発光を得たと
報告している。これは、発光体薄膜層で形戒されたエキ
シトンがゲスト分子である有機色素にトラッピングされ
るために生じるものと考えられている。
発光層に有機色素をドーピングする、いわゆるドーピン
グ型有機薄膜ビL素子が報告ざれ、強い関心を集めてい
る(ジャーナル・オブ・アプライド・フィシックス,6
5巻, 3610ページ, 1989年〉。ここでは、
第2図に示すように強い蛍光を発する金属キレート錯体
を有機発光体薄膜層として使用し、この層に有機色素を
ドーピングして、青緑および橙色の明るい発光を得たと
報告している。これは、発光体薄膜層で形戒されたエキ
シトンがゲスト分子である有機色素にトラッピングされ
るために生じるものと考えられている。
[発明が解決しようとする課題]
前述のドーピング型有機薄膜EL素子は、青緑および橙
色の発光を示す。しかし従来より、この種の素子では、
発光層におけるホスト材料がトリス(8−ヒドロキシキ
ノリン)アルミニウムに限られているため、選択するゲ
スト材料の数が限られ、発光色も青緑および橙色のみで
あり、EL素子のフルカラー化が困難であった。また、
他のボス1〜材料を用いようとすると、各ホスト材料に
適したゲスト材料の組み合わせについての定性的な関係
が未だ見い出ざれていないために、材料の選択が困難で
あるという問題点があった。
色の発光を示す。しかし従来より、この種の素子では、
発光層におけるホスト材料がトリス(8−ヒドロキシキ
ノリン)アルミニウムに限られているため、選択するゲ
スト材料の数が限られ、発光色も青緑および橙色のみで
あり、EL素子のフルカラー化が困難であった。また、
他のボス1〜材料を用いようとすると、各ホスト材料に
適したゲスト材料の組み合わせについての定性的な関係
が未だ見い出ざれていないために、材料の選択が困難で
あるという問題点があった。
本発明は以上述べたような従来の事情に対処してなざれ
たもので、高輝度なフルカラーの有機薄膜EL素子を提
供することを目的とする。
たもので、高輝度なフルカラーの有機薄膜EL素子を提
供することを目的とする。
[y!題を解決するための手段1
本発明者は、低電圧駆動で高輝度なフルカラーのドーピ
ング型有機薄膜EL素子を得るべく鋭意研究の結果、有
機発光体薄膜層のホスト材料とゲスト材料の酸化・還元
電位に看目し、該電位が所定の関係にあるホスト材料と
ゲスト材料を組み合わせた時にはじめて特性の優れた有
機発光体薄膜が得られることを見い出し、本発明に至っ
た。
ング型有機薄膜EL素子を得るべく鋭意研究の結果、有
機発光体薄膜層のホスト材料とゲスト材料の酸化・還元
電位に看目し、該電位が所定の関係にあるホスト材料と
ゲスト材料を組み合わせた時にはじめて特性の優れた有
機発光体薄膜が得られることを見い出し、本発明に至っ
た。
即ち本発明は、少なくとも一方か透明な一対の電極間に
少なくとも有機発光体薄膜層が形或され、かつ該有機発
光体薄膜層には酸化電位X (V)、還元電位Y (V
)を有するホスト材利と、酸化電位X(v〉、還元電位
y (V)を有するゲスト材料とを含んでなるドーピン
グ型有機薄膜E[素子において、XおよびYの絶対値は
各々xおよびyの絶対値よりも大きいことを特徴とする
有機薄膜E1索子である。
少なくとも有機発光体薄膜層が形或され、かつ該有機発
光体薄膜層には酸化電位X (V)、還元電位Y (V
)を有するホスト材利と、酸化電位X(v〉、還元電位
y (V)を有するゲスト材料とを含んでなるドーピン
グ型有機薄膜E[素子において、XおよびYの絶対値は
各々xおよびyの絶対値よりも大きいことを特徴とする
有機薄膜E1索子である。
本発明によれば、有機発光層におけるホスl・材料の還
元電位がY(V対飽和力ロメル電極)、酸化電位がX(
V対飽和力ロメル電極)である時に、ゲスト材料の還元
電位がY(V対飽和力ロメル電lj )以下、酸化電位
がX(V対飽和力ロメル電極〉以下であるホスト材斜と
ゲスト材料の組み合わせにおいて、きわめて優れたフル
カラーの発光を有する素子が得られる。
元電位がY(V対飽和力ロメル電極)、酸化電位がX(
V対飽和力ロメル電極)である時に、ゲスト材料の還元
電位がY(V対飽和力ロメル電lj )以下、酸化電位
がX(V対飽和力ロメル電極〉以下であるホスト材斜と
ゲスト材料の組み合わせにおいて、きわめて優れたフル
カラーの発光を有する素子が得られる。
本発明の有機薄膜EL素子としては、第1図のように透
明電極12と背面電極15との間に有機発光体薄膜層1
4のみが形成ざれたものの他、第2図のように有機発光
体薄膜層24と有機正孔注入層23が形成ざれたもの、
および第3図のように有機正孔注入層33、有機発光体
薄膜層34および有機電子注入層36が形成ざれたもの
が挙げられる。このうち、特に第2図に示すように、透
明でかつ正孔注入電極であるITO電極の上に正孔注入
層材料としてP型半導体特性を示す第3アミン系化合物
やフタ口シアニン系化合物などを用い、ITO電極から
の正孔注入効率および正孔注入層内の輸送効率を高めた
ものは更に有効である。
明電極12と背面電極15との間に有機発光体薄膜層1
4のみが形成ざれたものの他、第2図のように有機発光
体薄膜層24と有機正孔注入層23が形成ざれたもの、
および第3図のように有機正孔注入層33、有機発光体
薄膜層34および有機電子注入層36が形成ざれたもの
が挙げられる。このうち、特に第2図に示すように、透
明でかつ正孔注入電極であるITO電極の上に正孔注入
層材料としてP型半導体特性を示す第3アミン系化合物
やフタ口シアニン系化合物などを用い、ITO電極から
の正孔注入効率および正孔注入層内の輸送効率を高めた
ものは更に有効である。
なお、透明電極としては、通常用いられるものであれば
いずれでもよく、例えばI丁O以外にはSnO2 :s
b,ZnO:Aj!やAUなどが挙げられる。背面電極
にはIn,Mg、ACIやMg:Agなどが使われる。
いずれでもよく、例えばI丁O以外にはSnO2 :s
b,ZnO:Aj!やAUなどが挙げられる。背面電極
にはIn,Mg、ACIやMg:Agなどが使われる。
また本発明に用いられる有機発光体薄膜層におけるホス
ト材料として用いられる具体的な例としては、トリス(
8−ヒドロキシキノリン〉アルミニウム、12−フタロ
ペリノン、8,9,10.11−テトラク口ロー12−
フタロペリノン、8,9,10.11−テトラブロモ−
12−フタロペリノン、1,2,3.4−テトラフエニ
ルシクロペンタジエン、1,2.3 4−テトラフエニ
ルシク口ペンタジエノン、5,6,11.12テトラフ
ェニルナフタセン、ナフタルイミド、4−7ミノナフタ
ルイミド、N−メチル−4−アミノナフタルイミド、N
一エチル−4−アミノナフタルイミド、N−プロビル−
4−アミノナフタルイミド、N−n−ブヂルー4−アミ
ノナフタルイミド、4−アセチルアミノナフタルイミド
、N−メチル−4−アセチルアミノナフタルイミド、N
一エチルーアセチルアミノナフタルイミト、N−プロビ
ル−4−7セチルアミノナフタルイ三ド、N−n−ブチ
ルー4−アセチルアミノナフタルイミド、N−メチル−
4−メトキシナフタルイミド、N一エチル−4−メトキ
シナフタルイミド、N−プロビル−4−メトキシナフタ
ルイミド、N−n−ブチルー4−メトキシナフタルイミ
ド、N−メチル−4−エトキシナフタルイミド、トエチ
ル−4−エトキシナフタルイミド、N−プロビル−4−
エトキシナフタルイミド、N−n−ブチルー4−エトキ
シナフタルイミドなどの蛍光材料があるが、この限りで
はない。
ト材料として用いられる具体的な例としては、トリス(
8−ヒドロキシキノリン〉アルミニウム、12−フタロ
ペリノン、8,9,10.11−テトラク口ロー12−
フタロペリノン、8,9,10.11−テトラブロモ−
12−フタロペリノン、1,2,3.4−テトラフエニ
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一エチル−4−アミノナフタルイミド、N−プロビル−
4−アミノナフタルイミド、N−n−ブヂルー4−アミ
ノナフタルイミド、4−アセチルアミノナフタルイミド
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一エチルーアセチルアミノナフタルイミト、N−プロビ
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4−メトキシナフタルイミド、N一エチル−4−メトキ
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ル−4−エトキシナフタルイミド、N−プロビル−4−
エトキシナフタルイミド、N−n−ブチルー4−エトキ
シナフタルイミドなどの蛍光材料があるが、この限りで
はない。
一方、ゲスト材料として用いられる具体的な例としては
、7−ジエチルアミンー4−メチルクマリン、4,6−
ジメチル−7−エチルアミノクマリン、7−ジエチルア
ミノクマリン、7−ジエチルアミンー3−(1−メチル
ベンズイミダゾイル〉クマリン、3−(2−ペンズイミ
ダゾイル〉−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2−
ペンゾチアゾイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3
−(2’−ベンゾチアゾイル〉−7−ジエチルアミノク
マリン、7−アミノー3−フエニルクマリン、7−アミ
ノー4−トリフルオロメチルクマリン、1,2,4,5
.31.6H, 10H−テトラヒドロー8−トリフル
オロメチル[1−コベンゾピラノし9.9a,1−gh
]キノリジン−10−オン、7−エチルアミノー6−メ
チル−4−トリフルオロメチルクマリン、1,2,4,
5,3H,6H, IOH−テトラヒドローカノレポエ
トキシ[1−1ペンゾピラノ[ 9.9a,1−(lh
]キノリノ−10−オン、4−(ジシアノメチレン〉−
2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4
8−ピラン、4−(ジシアノメチレン〉−2−メチル−
6−[2− (9−ジュロリジイル〉エチニル]−48
−ピラン、4−(ジシアノメチレン〉−2−フエニルー
6−[2−(9−ジュロリジイル)エチニル]−4H−
ビラン、4−(ジシアノメチレン) −2.6− [2
− (9−ジュロリジイル)エチニル1−41(一ピラ
ン、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6− [
2− (9−ジュロリジイル)エチニル1−40−チオ
ピラン、1−エチル−2−[(1−エチルー2(1H)
一キノリリデン)メチル]キノリニウムアイオデイン、
3,3゛−ジエチノレ−2,2゜−チアカノレポシアニ
ンアイオデイン、3,3゛−ジエチル−2.2’−オキ
ザシアニンアイオディン、2−[4− (p−ジメチル
アミノフエニル)−1.3−ブタジエニル]−1−エチ
ルピリジニウムパークロレート、1,3,3,1゜,3
゜3゜−ヘキサメチル−2,2゜−(4,5,4゜,5
゛−ジベンゾ〉イントジ力ルポシアニンパークロレート
などの蛍光材料があるが、この限りではない。
、7−ジエチルアミンー4−メチルクマリン、4,6−
ジメチル−7−エチルアミノクマリン、7−ジエチルア
ミノクマリン、7−ジエチルアミンー3−(1−メチル
ベンズイミダゾイル〉クマリン、3−(2−ペンズイミ
ダゾイル〉−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2−
ペンゾチアゾイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3
−(2’−ベンゾチアゾイル〉−7−ジエチルアミノク
マリン、7−アミノー3−フエニルクマリン、7−アミ
ノー4−トリフルオロメチルクマリン、1,2,4,5
.31.6H, 10H−テトラヒドロー8−トリフル
オロメチル[1−コベンゾピラノし9.9a,1−gh
]キノリジン−10−オン、7−エチルアミノー6−メ
チル−4−トリフルオロメチルクマリン、1,2,4,
5,3H,6H, IOH−テトラヒドローカノレポエ
トキシ[1−1ペンゾピラノ[ 9.9a,1−(lh
]キノリノ−10−オン、4−(ジシアノメチレン〉−
2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4
8−ピラン、4−(ジシアノメチレン〉−2−メチル−
6−[2− (9−ジュロリジイル〉エチニル]−48
−ピラン、4−(ジシアノメチレン〉−2−フエニルー
6−[2−(9−ジュロリジイル)エチニル]−4H−
ビラン、4−(ジシアノメチレン) −2.6− [2
− (9−ジュロリジイル)エチニル1−41(一ピラ
ン、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6− [
2− (9−ジュロリジイル)エチニル1−40−チオ
ピラン、1−エチル−2−[(1−エチルー2(1H)
一キノリリデン)メチル]キノリニウムアイオデイン、
3,3゛−ジエチノレ−2,2゜−チアカノレポシアニ
ンアイオデイン、3,3゛−ジエチル−2.2’−オキ
ザシアニンアイオディン、2−[4− (p−ジメチル
アミノフエニル)−1.3−ブタジエニル]−1−エチ
ルピリジニウムパークロレート、1,3,3,1゜,3
゜3゜−ヘキサメチル−2,2゜−(4,5,4゜,5
゛−ジベンゾ〉イントジ力ルポシアニンパークロレート
などの蛍光材料があるが、この限りではない。
本発明によれば、青色から赤色に至る高輝度なフルカラ
ーの有tjll膜EL素子が得られる。
ーの有tjll膜EL素子が得られる。
[実施例]
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。
実施例1
有}幾発光体薄膜層のホスト材料としてトリス(8−ヒ
トロキシキノリン)アルミニウム(酸化電位+1.01
,運元電位−1. 78 ;単位vs. S C [:
.以下同様)を用い、ゲスト材料として4−(ジシア
ノメチレン)−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノ
スチリル)−4H−ピラン(酸化電位+0.75,運元
電位−1.33)を用いた。
トロキシキノリン)アルミニウム(酸化電位+1.01
,運元電位−1. 78 ;単位vs. S C [:
.以下同様)を用い、ゲスト材料として4−(ジシア
ノメチレン)−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノ
スチリル)−4H−ピラン(酸化電位+0.75,運元
電位−1.33)を用いた。
第2図に示すように、ガラス基板21上にITO透明電
極22を形成してから、1.1−ビス( 4−N, N
−ジトリルアミノフエニル)シクロヘキサンa)模を有
機正孔注入層23として500A蒸着した。更に、上記
のホスト材料と、該ホスト材料に対して数モル%になる
ようにゲス1〜材料を共蒸着して有機発光体薄膜居24
を1000入形或した。最後に背面金属電極25として
インジウムを電子ビーム蒸着法で1500 A形成して
有機薄膜EL素子を作製した。
極22を形成してから、1.1−ビス( 4−N, N
−ジトリルアミノフエニル)シクロヘキサンa)模を有
機正孔注入層23として500A蒸着した。更に、上記
のホスト材料と、該ホスト材料に対して数モル%になる
ようにゲス1〜材料を共蒸着して有機発光体薄膜居24
を1000入形或した。最後に背面金属電極25として
インジウムを電子ビーム蒸着法で1500 A形成して
有機薄膜EL素子を作製した。
この素子の発光特性を乾燥窒素中で測定したところ、約
10Vの直流電圧の印加で約200 cd/mの明るい
橙色発光が得られた。従来の素子に比べ発光色が変化し
ただけでなく、発光輝度・効率が1.5〜2倍改善ざれ
ている。
10Vの直流電圧の印加で約200 cd/mの明るい
橙色発光が得られた。従来の素子に比べ発光色が変化し
ただけでなく、発光輝度・効率が1.5〜2倍改善ざれ
ている。
実施例2
有機発光体薄膜層のゲスト材料として、1−エチル−2
−[(1−エチル−2(1旧−キノリリデン)メチル]
キノリニウムアイオディン(酸化電位+0. 99,還
元電位−1.00)を用いた以外は実施例1と同様にし
て素子を作製し、約150cd/mの明るい黄色発光か
得られた。
−[(1−エチル−2(1旧−キノリリデン)メチル]
キノリニウムアイオディン(酸化電位+0. 99,還
元電位−1.00)を用いた以外は実施例1と同様にし
て素子を作製し、約150cd/mの明るい黄色発光か
得られた。
実施例3
有機発光体薄膜層のゲスト材料として、3一(2“−ベ
ンズイミダゾイル) −7−N,N−ジエチルアミノク
マリン(酸化電位+0. 98,還元電位−1.22>
を用いた以外は実施例1と同様にして素子を作製し、約
1000 cd/ mの明るい青緑色発光が得られた。
ンズイミダゾイル) −7−N,N−ジエチルアミノク
マリン(酸化電位+0. 98,還元電位−1.22>
を用いた以外は実施例1と同様にして素子を作製し、約
1000 cd/ mの明るい青緑色発光が得られた。
実施例4
有機発光体薄膜層のホスト材利としてN−ブチルー4−
(ブチルアミノ〉ナフタルイミト(酸化電位+1.08
,還元電位−1.59>を用い、ゲス1・材料として4
−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p−ジメ
チルア゜ミノスチリル)−41−ピランを用いた以外は
実施例1と同様にして素子を作製し、約200 cd
/mの明るい橙色発光が得られた。
(ブチルアミノ〉ナフタルイミト(酸化電位+1.08
,還元電位−1.59>を用い、ゲス1・材料として4
−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p−ジメ
チルア゜ミノスチリル)−41−ピランを用いた以外は
実施例1と同様にして素子を作製し、約200 cd
/mの明るい橙色発光が得られた。
実施例5
有機発光体薄膜層のホスト材料として12−フタ口ベリ
ノン(酸化電位+0.98,還元電位−1.87>を用
い、ゲスト材料として4−(ジシアノメチレン〉−2−
メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−40−
ピランを用いた以外は実施例1と同様にして素子を作製
し、約200 cd /rrtの明るい]登色発光が得
られた。
ノン(酸化電位+0.98,還元電位−1.87>を用
い、ゲスト材料として4−(ジシアノメチレン〉−2−
メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−40−
ピランを用いた以外は実施例1と同様にして素子を作製
し、約200 cd /rrtの明るい]登色発光が得
られた。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明の有機薄膜E「素子は、フ
ルカラー化を実現することができ、低電圧駆動の薄膜発
光体として極めて有効であり、その工業的価値は高い。
ルカラー化を実現することができ、低電圧駆動の薄膜発
光体として極めて有効であり、その工業的価値は高い。
第1図から第3図はそれぞれ本発明の有機薄膜EL素子
の一実施例の概略断面図である。 11,21.31・・・ガラス基板 12, 22. 32・・・ITO透明電極14 24
.34・・・有機発光体薄膜層15,25.35・・・
背面電極 2333・・・有機正孔注入層 36・・・有機電子注入層
の一実施例の概略断面図である。 11,21.31・・・ガラス基板 12, 22. 32・・・ITO透明電極14 24
.34・・・有機発光体薄膜層15,25.35・・・
背面電極 2333・・・有機正孔注入層 36・・・有機電子注入層
Claims (4)
- (1)少なくとも一方が透明な一対の電極間に少なくと
も有機発光体薄膜層が形成され、かつ該有機発光体薄膜
層には酸化電位X(V)、還元電位Y(V)を有するホ
スト材料と、酸化電位x(V)、還元電位y(V)を有
するゲスト材料とを含んでなるドーピング型有機薄膜E
L素子において、XおよびYの絶対値は各々xおよびy
の絶対値よりも大きいことを特徴とする有機薄膜EL素
子。 - (2)有機発光体薄膜層に含まれるホスト材料は、トリ
ス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウムである請求
項(1)記載の有機薄膜EL素子。 - (3)有機発光体薄膜層に含まれるホスト材料は、ナフ
タルイミドを基本構造とする有機蛍光体である請求項(
1)記載の有機薄膜EL素子。 - (4)有機発光体薄膜層に含まれるホスト材料は、フタ
ロペリノンを基本構造とする有機蛍光体である請求項(
1)記載の有機薄膜EL素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1159483A JPH0326780A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 有機薄膜el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1159483A JPH0326780A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 有機薄膜el素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0326780A true JPH0326780A (ja) | 1991-02-05 |
Family
ID=15694757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1159483A Pending JPH0326780A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 有機薄膜el素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0326780A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5281489A (en) * | 1990-03-16 | 1994-01-25 | Asashi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Electroluminescent element |
JP2007042624A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置及び電子機器 |
JP2007302782A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Ueno Fine Chem Ind Ltd | フタロペリノン化合物 |
US8415878B2 (en) | 2005-07-06 | 2013-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
-
1989
- 1989-06-23 JP JP1159483A patent/JPH0326780A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5281489A (en) * | 1990-03-16 | 1994-01-25 | Asashi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Electroluminescent element |
JP2007042624A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置及び電子機器 |
US8415878B2 (en) | 2005-07-06 | 2013-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
US8901814B2 (en) | 2005-07-06 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
JP2007302782A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Ueno Fine Chem Ind Ltd | フタロペリノン化合物 |
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