JPH03258105A - Emitter follower circuit - Google Patents

Emitter follower circuit

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Publication number
JPH03258105A
JPH03258105A JP5712690A JP5712690A JPH03258105A JP H03258105 A JPH03258105 A JP H03258105A JP 5712690 A JP5712690 A JP 5712690A JP 5712690 A JP5712690 A JP 5712690A JP H03258105 A JPH03258105 A JP H03258105A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
whose
constant potential
current
emitter
Prior art date
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Pending
Application number
JP5712690A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenichi Tadehara
健一 田手原
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP5712690A priority Critical patent/JPH03258105A/en
Publication of JPH03258105A publication Critical patent/JPH03258105A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To obtain an emitter follower circuit to increase a descending speed of an output voltage without increasing the current consumption by employing a circuit comprising a 1st conduction transistor(TR) and 1st, 2nd other conduction TRs. CONSTITUTION:The circuit consists of a PNP TR 12 and NPN TRs 5, 7. Through the constitution above, when an input voltage drops rapidly, the TR 5 is cut off, In this case, a collector current of the TR 12 increases and a base current of the TR 7 increases via a capacitor 9. As a result, a pull-in current is increased and an output voltage drops rapidly, Since the flowing of a base current of the TR 7 is blocked by the capacitor 9 in the steady-state, the current consumption is not increased. Thus, through the constitution above, the descending speed of the output voltage is surely increased without increasing the current consumption.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体集積回路のエミッタフォロア回路に関す
るものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to an emitter follower circuit for a semiconductor integrated circuit.

従来の技術 第3図に従来のエミッタフォロア回路を示し、これにつ
いて説明する。第3図において1は正の電源、2は入力
端子、3はバイアス端子、4は接地端子、5は第1のN
PN )ランジスタ、6は出力端子、7は第2のNPN
 )ランジスタ、8は抵抗である。
BACKGROUND ART FIG. 3 shows a conventional emitter follower circuit, which will be explained. In Figure 3, 1 is the positive power supply, 2 is the input terminal, 3 is the bias terminal, 4 is the ground terminal, and 5 is the first N
PN ) transistor, 6 is the output terminal, 7 is the second NPN
) transistor, 8 is a resistor.

第3図においては、バイアス端子3と第2のNPN )
ランジスタフと抵抗8とで定電流源を構威し、全体でエ
ミッタフォロア回路を構成している。
In Figure 3, bias terminal 3 and the second NPN)
The Langisthu and resistor 8 constitute a constant current source, and the whole constitutes an emitter follower circuit.

第1図の構成において、入力電圧か上昇した場合、第1
のNPN )ランジスタ5により電流か出力端子6に供
給され出力電圧が上昇する。一方、入力電圧が下降した
場合、第1のNPNトランジスタ5のエミッタ電流が減
少し前記定電流源により出力端子6から電流を引き込む
ことによって出力電圧を下降させる。
In the configuration shown in Figure 1, if the input voltage increases, the first
(NPN) transistor 5 supplies current to the output terminal 6 and the output voltage increases. On the other hand, when the input voltage decreases, the emitter current of the first NPN transistor 5 decreases, and the constant current source draws current from the output terminal 6, thereby decreasing the output voltage.

発明が解決しようとする課題 このような従来の構成では、入力電圧が急激に下降した
場合、第1のNPN)ランジスタ5がカットオフ状態に
なる。よって出力電圧の下降速度は前記定電流源の引き
込み電流値によって決定される。この出力電圧の下降速
度を上げるためには、引き込み電流値を増加させればよ
い。しかしながら引き込み電流を増加させると、入力電
圧の変化しない定常状態においても電流が流れるため消
費電流が増加するという問題点があった。
Problems to be Solved by the Invention In such a conventional configuration, when the input voltage suddenly drops, the first NPN transistor 5 enters the cut-off state. Therefore, the rate of fall of the output voltage is determined by the current value drawn by the constant current source. In order to increase the rate of fall of this output voltage, it is sufficient to increase the drawing current value. However, when the draw current is increased, the current flows even in a steady state where the input voltage does not change, resulting in an increase in current consumption.

本発明はこのような問題点を解決するもので、消費電流
を増加させることなく出力電圧の下降速度を上昇させる
ことのできるエミッタフォロア回路を提供することを目
的とするものである。
The present invention has been made to solve these problems, and it is an object of the present invention to provide an emitter follower circuit that can increase the rate of fall of the output voltage without increasing current consumption.

課題を解決するための手段 この間助を解決するために、本発明は、エミッタか第2
の抵抗を介して第1の定電位に接続されベースか入力端
子に接続されコレクタか定電流源を介して第2の定電位
に接続された第一導電型のトランジスタと、コレクタが
前記第1の定電位に接続されベースが前記入力端子に接
続されエミッタが出力端子に接続された第1の第二導電
型のトランジスタと、コレクタか出力端子に接続されエ
ミッタが第1の抵抗を介して前記第2の定電位に接続さ
れベースが第3の定電源に接続されるとともに容量を介
して前記第一導電型のトランジスタのコレクタに接続さ
れた第2の第二導電型のトランジスタとからなるエミッ
タフォロア回路を形成したものである。
Means for Solving the Problems In order to solve this problem, the present invention provides an emitter or a second
a first conductivity type transistor connected to a first constant potential via a resistor, connected to the base or input terminal, and connected to a second constant potential via the collector or constant current source; a first transistor of a second conductivity type, which is connected to a constant potential of the transistor, whose base is connected to the input terminal, and whose emitter is connected to the output terminal; a second second conductivity type transistor connected to a second constant potential, a base connected to a third constant power source, and a second conductivity type transistor connected to the collector of the first conductivity type transistor via a capacitor; A follower circuit is formed.

また、本発明は第2の抵抗と第一導電型のトランジスタ
の代わりにソースが前記第1の定電位に接続されゲート
が前記入力端子に接続されドレインが前記定電流源を介
して前記第2の定電位に接続されたMOS)ランジスタ
を用いたエミッタ7107回路を形成したものである。
Further, in the present invention, instead of the second resistor and the transistor of the first conductivity type, the source is connected to the first constant potential, the gate is connected to the input terminal, and the drain is connected to the second resistor via the constant current source. An emitter 7107 circuit is formed using a MOS transistor connected to a constant potential.

作用 本発明によれば消費電流を増加させることなく出力電圧
の下降速度を確実に上昇させることが可能となる。
According to the present invention, it is possible to reliably increase the rate of fall of the output voltage without increasing current consumption.

実施例 第1図に本発明の一実施例を示しこれについて説明する
。第1図において1は正の電源端子、2は入力端子、3
はバイアス端子、4は接地端子、5は第1のNPN )
ランジスタ、6は出力端子、7は第2のNPN トラン
ジスタ、8は第1の抵抗、9は容量、10は定電流源、
11は第2の抵抗、12はPNPトランジスタである。
Embodiment An embodiment of the present invention is shown in FIG. 1 and will be explained. In Figure 1, 1 is the positive power supply terminal, 2 is the input terminal, and 3
is the bias terminal, 4 is the ground terminal, and 5 is the first NPN)
transistor, 6 is an output terminal, 7 is a second NPN transistor, 8 is a first resistor, 9 is a capacitor, 10 is a constant current source,
11 is a second resistor, and 12 is a PNP transistor.

この構成においても、入力電圧が急激に下降すると第1
のNPNトランジスタ5はカットオフ状態となる。とこ
ろかこの時PNP )ランジスタ12のコレクタ電流は
増加し、容量9を介して第2のNPN l−ランジスタ
フのベース電流が増加する。
Even in this configuration, if the input voltage suddenly drops, the first
The NPN transistor 5 is in a cut-off state. At this time, however, the collector current of the PNP transistor 12 increases, and the base current of the second NPN transistor 12 increases via the capacitor 9.

その結果、引き込み電流値が増加し、出力電圧が急激に
下降する。また定常状態では容量9によって第2のNP
N)ランジスタフへムース電流か流れるのを阻止するこ
とができるので、消費電流は増加していない。よってこ
の構成によれば消費電流を増加させることなく確実に出
力電圧の下降速度を上昇させることが可能となる。
As a result, the current value increases and the output voltage drops rapidly. In addition, in the steady state, the second NP is
N) Current consumption does not increase because it is possible to prevent the mousse current from flowing to the Langistaph. Therefore, with this configuration, it is possible to reliably increase the rate of fall of the output voltage without increasing current consumption.

なお、第2図に示すようにPNPトランジスタ12の代
わりにP形MOSトランジスタ13を用いても同様の効
果が得られる。また各トランジスタの極性は第1図、第
2図の実施例と逆であってもよい。
Note that the same effect can be obtained by using a P-type MOS transistor 13 instead of the PNP transistor 12 as shown in FIG. Further, the polarity of each transistor may be reversed from that of the embodiments shown in FIGS. 1 and 2.

発明の効果 以上のように本発明によれば消費電流を増加させること
なく確実に出力電圧の下降速度を上昇させることが可能
となる。
Effects of the Invention As described above, according to the present invention, it is possible to reliably increase the rate of fall of the output voltage without increasing current consumption.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例によるエミッタフナ0フ回路
の回路図、第2図は本発明の第2の実施例によるエミッ
タフナ0フ回路の回路図、第3図は従来のエミンタフt
ロア回路の回路図である。 1・・・・・・正の電源端子、2・・・・・・入力端子
、3・・・・・・バイアス端子、4・・・・・・接地端
子、5・・・・・・第1のNPNトランジスタ、6・・
・・・・出力端子、7・・・・・・第2のNPN )ラ
ンジスタ、8・・・・・・第1の抵抗、9・・・・・・
容量、10・・・・・・定電流源、11・・・・・・第
2の抵抗、12−・・−PNP )ランジスタ、13・
・・・・・P形MOSトランジスタ。
FIG. 1 is a circuit diagram of an emitter-flat circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of an emitter-flat circuit according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional emitter-flat circuit.
FIG. 3 is a circuit diagram of a lower circuit. 1...Positive power supply terminal, 2...Input terminal, 3...Bias terminal, 4...Ground terminal, 5...No. 1 NPN transistor, 6...
...Output terminal, 7...2nd NPN) transistor, 8...1st resistor, 9...
Capacitance, 10... constant current source, 11... second resistor, 12-...-PNP) transistor, 13...
...P-type MOS transistor.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)エミッタが第2の抵抗を介して第1の定電位に接
続されベースが入力端子に接続されコレクタが定電流源
を介して第2の定電位に接続された第一導電型のトラン
ジスタと、コレクタが前記第1の定電位に接続されベー
スが前記入力端子に接続されエミッタが出力端子に接続
された第1の第二導電型のトランジスタと、コレクタが
出力端子に接続されエミッタが第1の抵抗を介して前記
第2の定電位に接続されベースが第3の定電源に接続さ
れるとともに容量を介して前記第一の導電型のトランジ
スタのコレクタに接続された第2の第二導電型のトラン
ジスタとからなるエミッタフォロア回路。
(1) A first conductivity type transistor whose emitter is connected to a first constant potential via a second resistor, whose base is connected to an input terminal, and whose collector is connected to a second constant potential via a constant current source. a first second conductivity type transistor having a collector connected to the first constant potential, a base connected to the input terminal, and an emitter connected to the output terminal; a second transistor connected to the second constant potential through a resistor, a base connected to a third constant power source, and connected to a collector of the transistor of the first conductivity type through a capacitor; An emitter follower circuit consisting of a conductive type transistor.
(2)ソースが第1の定電位に接続されゲートが入力端
子に接続されドレインが定電流源を介して第2の定電位
に接続されたMOSトランジスタと、コレクタが前記第
1の定電位に接続されベースが前記入力端子に接続され
エミッタが出力端子に接続された第1のトランジスタと
、コレクタが出力端子に接続されたエミッタが抵抗を介
して前記第2の定電位に接続されベースが第3の定電源
に接続されるとともに容量を介して前記MOSトランジ
スタのドレインに接続された第2のトランジスタとから
なるエミッタフォロア回路。
(2) A MOS transistor whose source is connected to a first constant potential, whose gate is connected to an input terminal, and whose drain is connected to a second constant potential via a constant current source, and whose collector is connected to the first constant potential. a first transistor whose base is connected to the input terminal and whose emitter is connected to the output terminal; and a first transistor whose collector is connected to the output terminal and whose emitter is connected to the second constant potential via a resistor and whose base is connected to the second constant potential. and a second transistor connected to the constant power source of No. 3 and connected to the drain of the MOS transistor via a capacitor.
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