JPH03256369A - Infrared sensor - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、赤外線センサに関するものである。[Detailed description of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to an infrared sensor.
（従来の技術）
波長が３〜５ｐｍの赤外線を検出する１次元または２次
元センサでは、ホトダイオードの１次元または２次元ア
レイとＣＯＤを組み合せたものが使用されている。第１
１図に示すようにホトダイオードには、Ｐ型シリコン基
板１００上に白金シリサイド膜１ｏを形成したショット
キーバイア型ダイオードが使われている。このとき形成
されるバリアハイドは、０．２４ｅＶ程度であり、これ
より高いエネルギーの赤外線を光電変換する。第１２図
に等価回路を示すように、ホトダイオードで発生した信
号電荷は、ホトダイオードと並列接続された容量または
ホトダイオード自身の接合容量に蓄積され、蓄積時間終
了後トランスファゲートＴＧ（ＭＯ８型スイッチ）をオ
ンしてＣＯＤで電荷転送している。バリアハイドが０．
２４ｅＶと小さいためと暗電流成分を小さくするために
、７７に程度に冷却して使用している。ホトダイオード
上には、酸化膜６とＡＩ層３からなるキャビティ構造を
形成している。赤外線は基板裏面より入射するが、こう
することにより白金シリサイド膜１０で吸収されながっ
た赤外線を、ＡＩ層３で反射するので光電変換効率を向
上できる。(Prior Art) A one-dimensional or two-dimensional sensor that detects infrared rays having a wavelength of 3 to 5 pm uses a combination of a one-dimensional or two-dimensional array of photodiodes and a COD. 1st
As shown in FIG. 1, the photodiode is a Schottky via type diode in which a platinum silicide film 1o is formed on a P-type silicon substrate 100. The barrier hide formed at this time has a voltage of about 0.24 eV, and photoelectrically converts infrared rays of energy higher than this. As shown in the equivalent circuit in Figure 12, the signal charge generated by the photodiode is accumulated in the capacitance connected in parallel with the photodiode or in the junction capacitance of the photodiode itself, and after the accumulation time is over, the transfer gate TG (MO8 type switch) is turned on. Then, charge is transferred using COD. Barrier hide is 0.
Because the voltage is as low as 24 eV and to reduce the dark current component, it is used after being cooled to about 77 volts. A cavity structure consisting of an oxide film 6 and an AI layer 3 is formed on the photodiode. Infrared rays enter from the back surface of the substrate, but by doing so, the infrared rays that are not absorbed by the platinum silicide film 10 are reflected by the AI layer 3, so that the photoelectric conversion efficiency can be improved.
（発明が解決しようとする課題）
ホトダイオードの蓄積された電荷は、ＣＯＤで転送され
るので、ＣＣＤの容量よりもホトダイオードの電荷を蓄
積する容量を小さくしている。このようにホトダイオー
ドの最大電荷量には制限があるが、必要な信号電荷のほ
かに、不必要な暗電流による電荷が通常はかなり存在し
ている。このことは、ＣＯＤの電荷転送能力に比べ信号
量が小さくダイナミックレンジが小さいなどの問題を生
じる。(Problem to be Solved by the Invention) Since the charges accumulated in the photodiode are transferred by the COD, the capacity of the photodiode for accumulating charges is made smaller than the capacity of the CCD. Although there is a limit to the maximum amount of charge of a photodiode as described above, in addition to the necessary signal charge, there is usually a considerable amount of charge due to unnecessary dark current. This causes problems such as a small signal amount and a small dynamic range compared to the charge transfer ability of the COD.
この不必要な電荷は熱励起による逆方向電流などによる
ものであり、デバイス温度を更に冷却することにより低
減することができるが、ＣＯＤの転送効率の低下や冷却
方法などの問題が新たに生ずる。また、ＣＯＤの面積を
大きくしてＣＯＤの容量を増加させる方法もあるがフィ
ルファクターの低下を招く。This unnecessary charge is caused by reverse current due to thermal excitation, and can be reduced by further cooling the device temperature, but new problems arise, such as a decrease in COD transfer efficiency and a cooling method. There is also a method of increasing the capacity of the COD by increasing the area of the COD, but this results in a decrease in fill factor.
（課題を解決するための手段）
第１発明の赤外線センサは光電変換特性が異なる２つの
ホトダイオードを直列に接続したことを特徴としている
。(Means for Solving the Problems) The infrared sensor of the first invention is characterized in that two photodiodes having different photoelectric conversion characteristics are connected in series.
第２の発明の赤外線センサは、赤外線を遮光する構造を
持つダイオードと、赤外線を光電変換するホトダイオー
ドとを直列に接続したことを特徴としている。The infrared sensor of the second invention is characterized in that a diode having a structure that blocks infrared rays and a photodiode that photoelectrically converts infrared rays are connected in series.
（作用）
ホトダイオードに蓄積される電荷には、暗電流による電
荷と信号電荷がある。この信号電荷は光電変換特性を変
えることによって、その大きさを変化させることができ
る。従って、第１の発明のように、この２つのダイオー
ドを直列に接続すると、信号電荷の差のみをホトダイオ
ード２に蓄積することができ、不要な暗電流による電荷
を削減できる。(Function) Charges accumulated in the photodiode include charges due to dark current and signal charges. The magnitude of this signal charge can be changed by changing the photoelectric conversion characteristics. Therefore, when these two diodes are connected in series as in the first invention, only the difference in signal charges can be stored in the photodiode 2, and charges due to unnecessary dark current can be reduced.
また第２の発明の赤外線を遮光する構造の第１のダイオ
ードには、暗電流のみが生じる。従って、これと通常の
ホトダイオードを直列に接続すると、暗電流による不要
電荷を削減でき、第２のホトダイオードには信号電荷の
みを蓄積できる。Further, only dark current is generated in the first diode of the second invention, which has a structure that blocks infrared rays. Therefore, by connecting this and a normal photodiode in series, unnecessary charges due to dark current can be reduced, and only signal charges can be stored in the second photodiode.
（実施例）
第１図は、第１の発明による１次元または２次元センサ
の１画素の部分の断面を示している。ホトダイオードと
して、ｐ型Ｓｉと白金シリサイド（以下ＰｔＳｉと表示
する）から構成されたショットキ型ダイオードを使用し
た場合を示している。ホトダイオード１と２は、ＰｔＳ
ｉ膜１０膜上０ａの厚さが異なりホトダイオード１の方
が厚くなっている。更に、ホトダイオード２の上部のみ
に反射アルミ３が形成され、キャビティ構造となってい
る。ホトダイオード１周辺のｐ中層４とホトダイオード
２とのオーミック接触により、ホトダイオード１と２は
、直列接続している。赤外線は裏面、すなわち図の下部
より入射する。そしてホトダイオード２に蓄積された電
荷を、トランスファゲート（ＴＧ）２０にパルス電圧を
かけて垂直ＣＯＤに読み出す。第２図に等他回路を示す
。ホトダイオード１には正の一定電圧■１をかけ、ホト
ダイオード２にはＴＧのパルス電圧Ｖ２をかける。この
ときｖｌを■２より大きくし、ホトダイオード１．２が
ともに逆バイアスとなるようにする。(Example) FIG. 1 shows a cross section of a one-pixel portion of a one-dimensional or two-dimensional sensor according to the first invention. A case is shown in which a Schottky diode made of p-type Si and platinum silicide (hereinafter referred to as PtSi) is used as a photodiode. Photodiodes 1 and 2 are PtS
The thickness of the i-film 10 on the film 0a is different, and the photodiode 1 is thicker. Furthermore, reflective aluminum 3 is formed only on the upper part of the photodiode 2, forming a cavity structure. The photodiodes 1 and 2 are connected in series through ohmic contact between the p-type intermediate layer 4 around the photodiode 1 and the photodiode 2. Infrared rays enter from the back side, that is, from the bottom of the figure. Then, a pulse voltage is applied to a transfer gate (TG) 20 to read out the charge accumulated in the photodiode 2 to the vertical COD. Figure 2 shows another circuit. A constant positive voltage 1 is applied to the photodiode 1, and a TG pulse voltage V2 is applied to the photodiode 2. At this time, vl is made larger than ■2 so that both photodiodes 1 and 2 are reverse biased.
この構造により、ホトダイオード２の光電変換特性はホ
トダイオード１のそれより高くなる。つまりホトダイオ
ード２の上にキャビティ構造を形成しているのでホトダ
イオードへの入射光量を増加できることと、ホトダイオ
ード２のＰｔＳｉ膜１０ｂの方がホトダイオード１のＰ
ｔＳｉ膜１０膜上０ａ厚が薄いことによる。なお膜厚が
厚いはど光電変換特性は劣化する（オプチカルエンジニ
アリング（ＯｐｔｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）２
６巻２０９ページ（１９８７））。Due to this structure, the photoelectric conversion characteristics of the photodiode 2 are higher than those of the photodiode 1. In other words, since the cavity structure is formed on the photodiode 2, the amount of light incident on the photodiode can be increased, and the PtSi film 10b of the photodiode 2 is more
This is due to the thin thickness of the tSi film 10. Note that the thicker the film, the worse the photoelectric conversion characteristics (Optical Engineering 2)
Volume 6, page 209 (1987)).
第３図にエネルギーバンド図を示す。ホトダイオード１
と２はバリアハイドは同じなので、逆バイアスを等しく
すれば両者の暗電流の値を等しくできる。その場合ホト
ダイオード２で発生した電子は、ホトダイオード１によ
る正孔と再結合して、暗電流による不要電荷が削減でき
る。一方、信号光が入射した場合には、ホトダイオード
２の方が１より多く信号電荷が発生し、その差が蓄積さ
れる。Figure 3 shows an energy band diagram. Photodiode 1
and 2 have the same barrier hydride, so if the reverse bias is made equal, the dark current values of both can be made equal. In this case, the electrons generated by the photodiode 2 are recombined with the holes generated by the photodiode 1, and unnecessary charges due to dark current can be reduced. On the other hand, when signal light is incident, more signal charges are generated in the photodiode 2 than one, and the difference is accumulated.
その様子を第４図に示す。ここでＱｍａｘ、 ＰＤはホ
トダイオード２に蓄積できる最大電荷量である。The situation is shown in Figure 4. Here, Qmax and PD are the maximum amount of charge that can be stored in the photodiode 2.
次に第２の発明の詳細な説明する。Next, the second invention will be explained in detail.
第６図、第７図、及び第８図は、本発明による１次元ま
たは２次元センサの１画素の部分を示している。まず第
６図の実施例について説明する。ホトダイオードに、Ｐ
型Ｓｉと白金シリサイド膜１０ａ、 ｂ（以下ＰｔＳｉ
膜と表示）から構成されたショトツキ型ダイオードを使
用した場合を示している。ホトダイオード１の上部のみ
に遮光アルミ３を設けてあり赤外線から遮光された構造
となっている。ホトダイオード１と２は、ホトダイオー
ド１周辺のｐ＋層４とホトダイオード２とのオーミック
接触により、直列接続している。赤外線は表面すなわち
図の上部より入射する。そしてホトダイオード２に蓄積
された電荷を、トランスファゲート（ＴＧ）にパルス電
圧をかけて垂直ＣＯＤに読み出す。等価回路としては第
２図に示したものと同じであり、動作も同じである。Figures 6, 7 and 8 show one pixel portion of a one-dimensional or two-dimensional sensor according to the invention. First, the embodiment shown in FIG. 6 will be explained. P to the photodiode
Type Si and platinum silicide films 10a, b (hereinafter referred to as PtSi
The case is shown in which a Schottski diode composed of a film (indicated by 1) is used. A light-shielding aluminum layer 3 is provided only on the upper part of the photodiode 1, so that the structure is shielded from infrared rays. Photodiodes 1 and 2 are connected in series through ohmic contact between photodiode 2 and p+ layer 4 around photodiode 1 . Infrared rays enter from the surface, that is, from the top of the figure. Then, the charges accumulated in the photodiode 2 are read out to the vertical COD by applying a pulse voltage to the transfer gate (TG). The equivalent circuit is the same as that shown in FIG. 2, and the operation is also the same.
第９図にエネルギーバンド図を示す。ホトダイオードｌ
と２の暗電流は、■□の値で等しくでき、その場合ホト
ダイオード２で発生した電子は、ホトダイオード１によ
る正孔と再結合して、暗電流による不要電荷を削減でき
る。一方、信号光が入射した場合には、ホトダイオード
２でのみ信号電荷が発生するのでそれが蓄積される。そ
の様子を第１０図に示す、ここでＱｍａｘ、 ＦＤはホ
トダイオード２に蓄積できる最大電荷量である。Figure 9 shows an energy band diagram. photodiode l
The dark currents of and 2 can be made equal to the value of ■□. In this case, the electrons generated in the photodiode 2 are recombined with the holes generated by the photodiode 1, and unnecessary charges due to the dark current can be reduced. On the other hand, when signal light is incident, signal charges are generated only in the photodiode 2 and are accumulated. The situation is shown in FIG. 10, where Qmax and FD are the maximum amount of charge that can be stored in the photodiode 2.
つぎに第７図の実施例について説明する。第６図の実施
例のホトダイオードのｐ＋層４を受光部下部に高濃度に
厚く形威し、ホトダイオード２の上部に反射アルミ１２
を形威している。赤外線は裏面、すなわち図の下部より
入射する。赤外線はｐ＋層４で吸収されるので、ホトダ
イオード１には照射されない構造となっている。ホトダ
イオード２の反射アルミは、なくとも本発明の効果はあ
るが、第７図のようにキャビティ構造を有することで表
面照射の第６図の実施例よりも光電変換特性を向上でき
る。Next, the embodiment shown in FIG. 7 will be explained. The p+ layer 4 of the photodiode in the embodiment shown in FIG.
It has an imposing shape. Infrared rays enter from the back side, that is, from the bottom of the figure. Since the infrared rays are absorbed by the p+ layer 4, the photodiode 1 is not irradiated with the infrared rays. The reflective aluminum of the photodiode 2 has at least the effect of the present invention, but by having a cavity structure as shown in FIG. 7, the photoelectric conversion characteristics can be improved compared to the front-illuminated embodiment shown in FIG. 6.
最後に第８図の実施例について説明する。裏面照射のデ
バイスにおいて、裏面に第８図のようにマイクロレンズ
を形威し、赤外線がホトダイオード２のみに入射するよ
うにしている。こうすることにより、フィルファクタの
低下を相殺できる。Finally, the embodiment shown in FIG. 8 will be explained. In a backside illumination device, a microlens is formed on the backside as shown in FIG. 8 so that infrared rays are incident only on the photodiode 2. By doing so, the decrease in fill factor can be offset.
また以上述べた第１、第２の発明の実施例すべてに適用
できることであるが、ホトダイオード１の逆バイアスを
大きくする他に、ホトダイオード１の障壁の高さを小さ
くし暗電流密度を大きくすることにより、ホトダイオー
ド１の面積を小さくできる。Furthermore, which can be applied to all of the embodiments of the first and second inventions described above, in addition to increasing the reverse bias of the photodiode 1, the height of the barrier of the photodiode 1 may be decreased to increase the dark current density. Therefore, the area of the photodiode 1 can be reduced.
障壁の高さを小さくするには、（１）ホトダイオード１
の金属をより仕事関数の大きなイリジウムに変える、（
２）ホトダイオード１でＳｉ基板の金属接触部分のＰ型
不純物濃度を大きくする方法がある。To reduce the height of the barrier, (1) photodiode 1
Converts the metal into iridium, which has a higher work function, (
2) There is a method of increasing the P-type impurity concentration of the metal contact portion of the Si substrate in the photodiode 1.
なお本発明は、ホトダイオードとしてショットキバリア
型に限ったものではなく、ＨｇＣｄＴｅ等を開いたｐｎ
接合型赤外線センサや特開昭６３−２３７５８３号公報
（特願昭６２−７３２４０号）に記載のホモ接合型赤外
線センサ等にも適用できる。Note that the present invention is not limited to the Schottky barrier type photodiode, but also to open pn photodiodes such as HgCdTe.
It can also be applied to a junction type infrared sensor, a homozygous type infrared sensor described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-237583 (Japanese Patent Application No. 62-73240), and the like.
（発明の効果）
第５図の右図は入射光量に対するホトダイオードの蓄積
電荷量を従来例と本発明の実施例とで比較したものであ
る。あわせて左図に垂直ＣＣＤポテンシャル井戸に蓄え
られる電荷を示す。従来は暗電流による電荷Ｑｄａｒｋ
、 ＰＤのために、ホトダイオードの容量を全部は有効
に使えず、その結果飽和入射光量Ｆｍａｘ（ダイナミッ
クレンジ）が小さがった。しがし本発明ではＱｄａｒｋ
、 ＦＤを削減する（最良の場合はＱｄａｒｋ、 ＰＤ
をなくす）ことができ、ホトダイオードの容量のほとん
どを信号電荷の蓄積に使うことができる。従って、ホト
ダイオードの最大蓄積電荷量Ｑｍａｘ、 ＰＤを同じに
する（第５図はこの場合を示している）なら、従来より
蓄積信号電荷量を大きくでき、
ダイナミックレンジを太きく（Ｆ＋ｍａ
ｘ）することができる。またＦｍａｘを一定とした場合
には、Ｑｍａｘ、 ＰＤを小さくできる。このことはＣ
ＯＤの最大転送電荷量を小さくできる、つまりＣＯＤの
面積を小さくできることを意味し、フィルファクタを向
上できる。(Effects of the Invention) The right diagram in FIG. 5 compares the amount of charge accumulated in the photodiode with respect to the amount of incident light between the conventional example and the embodiment of the present invention. The left figure also shows the charges stored in the vertical CCD potential well. Conventionally, charge Qdark due to dark current
, PD, the full capacity of the photodiode cannot be used effectively, and as a result, the saturation incident light amount Fmax (dynamic range) is reduced. However, in the present invention, Qdark
, reduce FD (best case Qdark, PD
), and most of the photodiode's capacity can be used to store signal charge. Therefore, if the maximum accumulated charge amount Qmax and PD of the photodiode are made the same (Figure 5 shows this case), the accumulated signal charge amount can be made larger than before,
Increasing the dynamic range (F+ma)
x) Can. Furthermore, when Fmax is kept constant, Qmax and PD can be made smaller. This is C
The maximum transfer charge amount of the OD can be reduced, which means that the area of the COD can be reduced, and the fill factor can be improved.
他の効果としては、従来例での赤外線センサでは暗電流
をなるべく小さくするために、７７Ｋまで冷却していた
が、本発明では暗電流分は除去されるので、ダイオード
特性が満足される温度（例えば９０Ｋ）まで冷却温度を
上げることができる。Another effect is that in the conventional infrared sensor, the dark current is cooled to 77K in order to minimize the dark current, but in the present invention, the dark current is removed, so the temperature at which the diode characteristics are satisfied ( For example, the cooling temperature can be increased to 90K).
また、本発明のセンサは光電変換によって発生した電荷
のみを取り扱うが、光電変換特性の温度依存性は暗電流
よりも小さいので、従来のセンサよりも特性が温度変化
に影響されなくなるという効果もある。Furthermore, although the sensor of the present invention only handles charges generated by photoelectric conversion, the temperature dependence of photoelectric conversion characteristics is smaller than that of dark current, so it also has the effect that its characteristics are less affected by temperature changes than conventional sensors. .
第１図は第１の発明による１次元または２次元センサの
１画素分を示す図、第２図は等価回路図、第３図は第１
の発明のホトダイオード部のエネルギーバンド図であり
、第４図は第１の発明の構造を持った光電変換部に蓄積
される電荷量を入射光量に対して示した図、第５図は、
入射光量に対する電荷量を、従来例と第１、第２の発明
について示した図、第６図、第７図、第８図は、第２の
発明による１次元または２次元センサの１画素分を示す
図、第９図は、第２の発明のホトダイオード部のエネル
ギーバンド図であり、第１０図は第２の発明の構造を持
った光電変換部に蓄積される電荷量を入射光量に対して
示した図、第１１図、第１２図は、それぞれ従来の２次
元センサの位画素部分を示す図とその等価回路図である
。
１．２・・・ホトダイオード、１０ａ、 ｂ・ＰｔＳｉ
膜、２０・・・トランスファゲート（ＴＧ）、３．１２
・・・反射アルミ、４・・・ｐ層層、５・・・ｎ層、６
・・・ＣＶＤ酸化膜、７・・・熱酸化膜、８・・・ｎ層
層、９・・・ｐ層、１１・・・ポリシリコン、１００・
・・ｐ型基板、１３・・・マイクロレンズFIG. 1 is a diagram showing one pixel of a one-dimensional or two-dimensional sensor according to the first invention, FIG. 2 is an equivalent circuit diagram, and FIG.
FIG. 4 is a diagram showing the amount of charge accumulated in the photoelectric conversion section having the structure of the first invention with respect to the amount of incident light. FIG.
Figures 6, 7, and 8 showing the amount of charge relative to the amount of incident light for the conventional example and the first and second inventions are for one pixel of the one-dimensional or two-dimensional sensor according to the second invention. FIG. 9 is an energy band diagram of the photodiode section of the second invention, and FIG. 10 shows the amount of charge accumulated in the photoelectric conversion section having the structure of the second invention with respect to the amount of incident light. 11 and 12 are a diagram showing a pixel portion of a conventional two-dimensional sensor and an equivalent circuit diagram thereof, respectively. 1.2... Photodiode, 10a, b・PtSi
Membrane, 20... Transfer gate (TG), 3.12
... Reflective aluminum, 4... P layer, 5... N layer, 6
...CVD oxide film, 7...thermal oxide film, 8...n layer, 9...p layer, 11...polysilicon, 100...
...p-type substrate, 13...microlens
Claims (1)
電荷結合素子とホトダイオードに蓄積された電荷を電荷
結合素子へ送るためのトランスファゲートを有する赤外
線センサにおいて、異なる光電変換特性を持つ２つのホ
トダイオードを直列に接続し、高い光電変換特性を持つ
ホトダイオードの方に蓄積された電荷をトランスファゲ
ートを介して、電荷結合素子で転送することを特徴とす
る赤外線センサ。 ２、１次元または２次元に配置されたホトダイオードと
電荷結合素子とホトダイオードに蓄積された電荷を電荷
結合素子へ送るためのトランスファゲートを有する赤外
線センサにおいて、赤外線が遮光された第１のホトダイ
オードと、赤外線を光電変換する第２のホトダイオード
を直列に接続し、第２のホトダイオードに蓄積された電
荷をトランスファゲートを介して、電荷結合素子で転送
することを特徴とする赤外線センサ。[Claims] An infrared sensor having photodiodes and a charge-coupled device arranged one-dimensionally or two-dimensionally, and a transfer gate for sending charges accumulated in the photodiodes to the charge-coupled device, which have different photoelectric conversion characteristics. An infrared sensor characterized by connecting two photodiodes in series and transferring the charge accumulated in the photodiode, which has high photoelectric conversion characteristics, via a transfer gate using a charge-coupled device. 2. In an infrared sensor having a photodiode arranged one-dimensionally or two-dimensionally, a charge-coupled device, and a transfer gate for sending the charge accumulated in the photodiode to the charge-coupled device, a first photodiode shielded from infrared rays; An infrared sensor characterized in that a second photodiode that photoelectrically converts infrared rays is connected in series, and the charge accumulated in the second photodiode is transferred by a charge-coupled device via a transfer gate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2055447A JP2671548B2 (en) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | Infrared sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2055447A JP2671548B2 (en) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | Infrared sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03256369A true JPH03256369A (en) | 1991-11-15 |
| JP2671548B2 JP2671548B2 (en) | 1997-10-29 |
Family
ID=12998854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2055447A Expired - Lifetime JP2671548B2 (en) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | Infrared sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2671548B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1732123A3 (en) * | 2005-06-08 | 2007-01-03 | ATMEL Germany GmbH | Method of fabricating a metal-semiconductor contact in semiconductor devices |
| US7923362B2 (en) | 2005-06-08 | 2011-04-12 | Telefunken Semiconductors Gmbh & Co. Kg | Method for manufacturing a metal-semiconductor contact in semiconductor components |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50101080A (en) * | 1973-12-28 | 1975-08-11 | ||
| JPS59225564A (en) * | 1983-06-06 | 1984-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | Solid-state image pick-up device |
| JPS62219581A (en) * | 1986-02-17 | 1987-09-26 | メツセルシユミツト−ベルコウ−ブロ−ム・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | Optoelectric device compensating dark current |
-
1990
- 1990-03-06 JP JP2055447A patent/JP2671548B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50101080A (en) * | 1973-12-28 | 1975-08-11 | ||
| JPS59225564A (en) * | 1983-06-06 | 1984-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | Solid-state image pick-up device |
| JPS62219581A (en) * | 1986-02-17 | 1987-09-26 | メツセルシユミツト−ベルコウ−ブロ−ム・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | Optoelectric device compensating dark current |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1732123A3 (en) * | 2005-06-08 | 2007-01-03 | ATMEL Germany GmbH | Method of fabricating a metal-semiconductor contact in semiconductor devices |
| US7923362B2 (en) | 2005-06-08 | 2011-04-12 | Telefunken Semiconductors Gmbh & Co. Kg | Method for manufacturing a metal-semiconductor contact in semiconductor components |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2671548B2 (en) | 1997-10-29 |
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