JPH03255981A - 超電導体を用いた磁気シールド装置 - Google Patents
超電導体を用いた磁気シールド装置Info
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- JPH03255981A JPH03255981A JP2053507A JP5350790A JPH03255981A JP H03255981 A JPH03255981 A JP H03255981A JP 2053507 A JP2053507 A JP 2053507A JP 5350790 A JP5350790 A JP 5350790A JP H03255981 A JPH03255981 A JP H03255981A
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- NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N [(1r)-3-(3,4-dimethoxyphenyl)-1-[3-(2-morpholin-4-ylethoxy)phenyl]propyl] (2s)-1-[(2s)-2-(3,4,5-trimethoxyphenyl)butanoyl]piperidine-2-carboxylate Chemical compound C([C@@H](OC(=O)[C@@H]1CCCCN1C(=O)[C@@H](CC)C=1C=C(OC)C(OC)=C(OC)C=1)C=1C=C(OCCN2CCOCC2)C=CC=1)CC1=CC=C(OC)C(OC)=C1 NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N 0.000 description 1
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、超電導体で磁気的にシールドされた極めて低
磁場の空間を実現するためのシールド装置に関するもの
である。
磁場の空間を実現するためのシールド装置に関するもの
である。
［従来の技術］
口、
従来から知られている超電導体を用いた磁気シールド装
置は、超電導を示す材料（例えば酸化物超電導体）から
なる円筒状のシールド体と、シールド体を超電導に転移
する臨界温度Ｔ、以下まで冷却するための冷却手段を備
えてなり、以下のような手順で空間の磁気シールドが行
なわれている。
置は、超電導を示す材料（例えば酸化物超電導体）から
なる円筒状のシールド体と、シールド体を超電導に転移
する臨界温度Ｔ、以下まで冷却するための冷却手段を備
えてなり、以下のような手順で空間の磁気シールドが行
なわれている。
■先ず、遮蔽対象の空間の周囲を覆うように円筒状のシ
ールド体を配置する。但し、このときのシールド体の温
度は、臨界温度ＴＣよりも高い温度にあるつまり、シー
ルド体は末だ常電導状態にある。
ールド体を配置する。但し、このときのシールド体の温
度は、臨界温度ＴＣよりも高い温度にあるつまり、シー
ルド体は末だ常電導状態にある。
■次に、シールド体を臨界温度ＴＣ以下まで冷却し、超
電導状態に転移させる。超電導状態ではシールド体は完
全な反磁性体となるので、磁束はシールド体で覆った空
間に侵入することができずに外部に押出され（マイスナ
ー効果）、シールド体内部の空間が磁気シールドされる
ことになる。
電導状態に転移させる。超電導状態ではシールド体は完
全な反磁性体となるので、磁束はシールド体で覆った空
間に侵入することができずに外部に押出され（マイスナ
ー効果）、シールド体内部の空間が磁気シールドされる
ことになる。
［発明が解決しようとするｉｌｌ！！！］しかじから、
上記のような従来のシールド装置は、シールド体外部か
らの磁束に対してのみ有効であって、冷却により常電導
から超電導状Ｆ！（転移していく際に既に遮蔽対象空間
内に存在していた地球磁場等の既存磁場は、シールド体
内にトラップされてしまうことになる。従って、従来の
磁気シールド装置においては、既存磁場以下の低磁場を
実現することは困難であった。
上記のような従来のシールド装置は、シールド体外部か
らの磁束に対してのみ有効であって、冷却により常電導
から超電導状Ｆ！（転移していく際に既に遮蔽対象空間
内に存在していた地球磁場等の既存磁場は、シールド体
内にトラップされてしまうことになる。従って、従来の
磁気シールド装置においては、既存磁場以下の低磁場を
実現することは困難であった。
この発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、地
球磁場等の既存磁場を減少させ、より低磁場の空間を広
い範囲に渡って実現できる磁気シールド装置を提供する
ことを特徴とするものである。
球磁場等の既存磁場を減少させ、より低磁場の空間を広
い範囲に渡って実現できる磁気シールド装置を提供する
ことを特徴とするものである。
［ｉ１！ｌ！を解決するための手段］
本発明の磁気シールド装置は、超電導を示す材料からな
る筒状のシールド体と、このシールド体を臨界温度以下
まで冷却して常電導状態から超電導状態へ転移させる冷
却手段とを有してなり、上記の課題を達成するために、
前記シールド体の外面あるいは内面（磁場を印加する磁
束発生手段を備え、かつ前記シールド体の一部に、臨界
電流の大きさが他の部分より小さい低臨界電流領域が設
けられたものである。
る筒状のシールド体と、このシールド体を臨界温度以下
まで冷却して常電導状態から超電導状態へ転移させる冷
却手段とを有してなり、上記の課題を達成するために、
前記シールド体の外面あるいは内面（磁場を印加する磁
束発生手段を備え、かつ前記シールド体の一部に、臨界
電流の大きさが他の部分より小さい低臨界電流領域が設
けられたものである。
［作用］
本発明の第１実施例を示す第１図を用いて、本発明の詳
細な説明する０図において、１は酸化物超電導体からな
る円筒状の磁気シールド体である。磁気シールド体１の
長さは断面差し渡しの２倍から２０倍程度が一般的であ
るが、必要とする遮蔽対象空間の大きさや低磁場の程度
に応じてこの価を変え得ることは言うまでもない、２は
シールド体１外面に磁場を与えるためのコイルであり、
電源３が備えられている。このコイル２と電源３が磁束
発生手段を構成する。また、ＩＣはシールド体１の一部
に設けられた低臨界電流領域であり、Ｎ１図の例ではシ
ールド体１の突起部１ｂ先端の超電導体の肉厚を他の半
分とすることによりその部分の臨界電流値を下げている
。
細な説明する０図において、１は酸化物超電導体からな
る円筒状の磁気シールド体である。磁気シールド体１の
長さは断面差し渡しの２倍から２０倍程度が一般的であ
るが、必要とする遮蔽対象空間の大きさや低磁場の程度
に応じてこの価を変え得ることは言うまでもない、２は
シールド体１外面に磁場を与えるためのコイルであり、
電源３が備えられている。このコイル２と電源３が磁束
発生手段を構成する。また、ＩＣはシールド体１の一部
に設けられた低臨界電流領域であり、Ｎ１図の例ではシ
ールド体１の突起部１ｂ先端の超電導体の肉厚を他の半
分とすることによりその部分の臨界電流値を下げている
。
このような磁気シールド装置を用いて、低磁場空間を実
現するには、まず、冷却手段（図示せず）によってシー
ルド体１を臨界温度Ｔｃ以下まで冷却し、常電導状態か
ら超電導状態へ転移させる。この状態では、シールド体
１が超電導状態となる前に存在していた地球磁場等の既
存磁場により磁束φ。がトラップされる。この時の磁束
密度Ｂ１は、シールド体１内部の空間の断面積を３０と
すると、 ＢＩ冨φｏ ／ Ｓ ｏ −（１）で与
えられる。
現するには、まず、冷却手段（図示せず）によってシー
ルド体１を臨界温度Ｔｃ以下まで冷却し、常電導状態か
ら超電導状態へ転移させる。この状態では、シールド体
１が超電導状態となる前に存在していた地球磁場等の既
存磁場により磁束φ。がトラップされる。この時の磁束
密度Ｂ１は、シールド体１内部の空間の断面積を３０と
すると、 ＢＩ冨φｏ ／ Ｓ ｏ −（１）で与
えられる。
次に、コイル２に電流を流すことにより、シールド体１
外面に磁場を印加する。この際、シールド体１外部に発
生する磁束の密度をＢ、とすると、内部と外部の磁束密
度の差Ｂ ａ ＝ Ｂ １− Ｂ 。
外面に磁場を印加する。この際、シールド体１外部に発
生する磁束の密度をＢ、とすると、内部と外部の磁束密
度の差Ｂ ａ ＝ Ｂ １− Ｂ 。
により、シールド体１内部の磁束が外部に移動する。こ
れを一般にフナツクスフローという。
れを一般にフナツクスフローという。
磁束の移動量については、磁束密度の差Ｂ、と時間ｔの
間におよそ次のような関係がある。
間におよそ次のような関係がある。
Ｂａ ＝Ｂａ （１−ａ ｌｏｇ （ｔ◆ｔｏ ）
）−（２）ここで、Ｎ６．ａは定数で ｌｏｇ ｔｏ” （１−Ｂｇ ／ Ｂｏ ） ／ ａ
−（３）が成立する。Ｂ１は１＝０のときのＢ、の値
である。
）−（２）ここで、Ｎ６．ａは定数で ｌｏｇ ｔｏ” （１−Ｂｇ ／ Ｂｏ ） ／ ａ
−（３）が成立する。Ｂ１は１＝０のときのＢ、の値
である。
よって、内部磁束は次の（４）式に従って変化する。
Ｂ、”Ｂ、＋Ｂ。
＝Ｂ＠ ＋Ｂｏ （１−ａ ｌｏｇ （ｔｉ
ｔｏ） ）・・・（４） 即ち、Ｂ、とｔを適宜選択することにより、内部磁束Ｂ
、を零とすることができる。
ｔｏ） ）・・・（４） 即ち、Ｂ、とｔを適宜選択することにより、内部磁束Ｂ
、を零とすることができる。
さて、このようにして、内部磁束をほぼ零にすることが
可能であるが、シールド体１内部空間を更に細かくみる
と、磁場測定点では磁束密度がほぼ零であっても、測定
点から離れた点では超電導体内部にトラップされている
磁場が僅かに存在しており、広い範囲に渡って極低磁場
を実現することはできない。
可能であるが、シールド体１内部空間を更に細かくみる
と、磁場測定点では磁束密度がほぼ零であっても、測定
点から離れた点では超電導体内部にトラップされている
磁場が僅かに存在しており、広い範囲に渡って極低磁場
を実現することはできない。
そこで、本発明ではシールド体１の一部に低臨界電流領
域１ｃを設けることで、磁束がトラップされる場所を特
定の位置とし、それ以外の内部空間では広い範囲で極低
磁場を実現している。この点について以下に説明する。
域１ｃを設けることで、磁束がトラップされる場所を特
定の位置とし、それ以外の内部空間では広い範囲で極低
磁場を実現している。この点について以下に説明する。
超電導体に外部から磁場を与えると、超電導体にはその
磁場を遮蔽する電流が流れるが、磁場が強くなって遮蔽
するために必要な電流がその超電導体の臨界電流を越え
ると、その部分から磁束の侵入が始まる。即ち、フラッ
クスフローが起こる。従って、超電導体からなるシール
ド体１の一部に臨界電流の小さい領域が存在すると、そ
の部分にのみフラックスフローが生じ、低臨界電流領域
１ｃを介して磁束の出入が起こる。それ故、シールド体
１内部にトラップされる磁束も低臨界電流領域ｌｃ付近
にだけ存在することとなる。′ｉ４１図の例では低臨界
電流領＠１ｃが突起部１ｂの高さ分だけ遮蔽対象空間か
ら離れているので、トラップされた磁束の影響を回避し
て必要な低磁場−空間を確保することができる。
磁場を遮蔽する電流が流れるが、磁場が強くなって遮蔽
するために必要な電流がその超電導体の臨界電流を越え
ると、その部分から磁束の侵入が始まる。即ち、フラッ
クスフローが起こる。従って、超電導体からなるシール
ド体１の一部に臨界電流の小さい領域が存在すると、そ
の部分にのみフラックスフローが生じ、低臨界電流領域
１ｃを介して磁束の出入が起こる。それ故、シールド体
１内部にトラップされる磁束も低臨界電流領域ｌｃ付近
にだけ存在することとなる。′ｉ４１図の例では低臨界
電流領＠１ｃが突起部１ｂの高さ分だけ遮蔽対象空間か
ら離れているので、トラップされた磁束の影響を回避し
て必要な低磁場−空間を確保することができる。
［実施例］
実施例：１
第１図は本発明の第１実施例による磁気シールド装置の
要部断面図である。
要部断面図である。
図において、１は酸化物超電導体からなる円筒状のシー
ルド体である０本実施例のシールド体１の寸法は円形断
面の内径３０ｃｍ、肉厚４ｍｍ 、長さ１．５ｍとなっ
ており、シールド体１の内外面には冷却効率を向上させ
るため熱絶縁層を設けられている。また、シールド体１
の壁面の一部には高さ５ｃｍ、厚さ（円周方向） ４ｍ
ｍの突起部１ｂが設けられ、その先端部の肉厚は２ｍｍ
となっている。この突起部１ｂ先端の肉厚が半分となっ
ている部分が低臨界電流領域ＩＣを構成する。また、シ
ールド体１の外周囲には、磁束発生手段として電源３を
備えたソレノイドコイル２が設けられている。
ルド体である０本実施例のシールド体１の寸法は円形断
面の内径３０ｃｍ、肉厚４ｍｍ 、長さ１．５ｍとなっ
ており、シールド体１の内外面には冷却効率を向上させ
るため熱絶縁層を設けられている。また、シールド体１
の壁面の一部には高さ５ｃｍ、厚さ（円周方向） ４ｍ
ｍの突起部１ｂが設けられ、その先端部の肉厚は２ｍｍ
となっている。この突起部１ｂ先端の肉厚が半分となっ
ている部分が低臨界電流領域ＩＣを構成する。また、シ
ールド体１の外周囲には、磁束発生手段として電源３を
備えたソレノイドコイル２が設けられている。
さて、このようなシールド装置のシールド体１内部の中
央部に磁束密度を測定するセンサを配置し、液体窒素を
用いた冷却手段（図示せず）でシールド体１を冷却した
後、初期の磁束密度を測定したところ磁束密度は０．４
ガウスであった。
央部に磁束密度を測定するセンサを配置し、液体窒素を
用いた冷却手段（図示せず）でシールド体１を冷却した
後、初期の磁束密度を測定したところ磁束密度は０．４
ガウスであった。
この状態で、電＠３からコイル２に電流をｌＯＡ。
５分間流し、初期と同様にしてセンサで磁束密度を測定
したところ、その値は２．ＯＸｌ０−”ガウスまで減少
した０次いで、電流を更に７Ａ、５分間流したところ、
磁束密度は−３，ＯＸ １０−’ガウスとなった。
したところ、その値は２．ＯＸｌ０−”ガウスまで減少
した０次いで、電流を更に７Ａ、５分間流したところ、
磁束密度は−３，ＯＸ １０−’ガウスとなった。
そこで、コイル２に逆方向の電流を６＾、３分間流した
ところ、磁束密度は１．ＯＸ １０−’ガウスとなった
。このようにして、電流の方向と電流値及び電流を流す
時間を調整しつつ磁場を減少させていったところ、磁束
密度は４．ＯＸ １０−’ガウスまで減少させることが
できた。この状態で、シールド体１の中央部から半径方
向に１０ｃｍ１ｌれた３点について磁束密度を測定した
ところいずれも１．５ Ｘｌ０−’ガラスとなり、広い
空間にわたり極低磁場が形成されていることが判明した
。
ところ、磁束密度は１．ＯＸ １０−’ガウスとなった
。このようにして、電流の方向と電流値及び電流を流す
時間を調整しつつ磁場を減少させていったところ、磁束
密度は４．ＯＸ １０−’ガウスまで減少させることが
できた。この状態で、シールド体１の中央部から半径方
向に１０ｃｍ１ｌれた３点について磁束密度を測定した
ところいずれも１．５ Ｘｌ０−’ガラスとなり、広い
空間にわたり極低磁場が形成されていることが判明した
。
実施例＝２
第２図は本発明のｙ、２実施例による磁気シールド装置
の要部断面図である。
の要部断面図である。
図において、１１は酸化物超電導体からなる円筒状のシ
ールド体である０本実施例のシールド体１１の寸法は円
形断面の内径３０ｃ＋＋＋、肉厚４ｍｍ 、長さ５ｈと
なっており、シールド体１１の内外面には冷却効率を向
上させるため熱絶縁層が設けられている。また、シール
ド体１１の壁面の一部には超電導体の厚さを半分とした
低臨界電流領域ｌＩＣが設けられている。この低臨界電
流領域１１ｃの内側には、超電導体からなる遮蔽層１１
ｂが配置されている。前述した実施例１では突起部１ｂ
を形成して低臨界電流領＠１ｃを遮蔽対象空間から遠ざ
けることにより、トラップされた磁束の影響を低磁場空
間に与えないようにしているのに対して、本実施例では
遮蔽層１１ｂによって低臨界電流領域１１ｃ付近に残る
磁束の影響を防止している。また、シールド体１１の外
周囲には、磁束発生手段として電源３を備えたソレノイ
ドコイル２が設けられている。
ールド体である０本実施例のシールド体１１の寸法は円
形断面の内径３０ｃ＋＋＋、肉厚４ｍｍ 、長さ５ｈと
なっており、シールド体１１の内外面には冷却効率を向
上させるため熱絶縁層が設けられている。また、シール
ド体１１の壁面の一部には超電導体の厚さを半分とした
低臨界電流領域ｌＩＣが設けられている。この低臨界電
流領域１１ｃの内側には、超電導体からなる遮蔽層１１
ｂが配置されている。前述した実施例１では突起部１ｂ
を形成して低臨界電流領＠１ｃを遮蔽対象空間から遠ざ
けることにより、トラップされた磁束の影響を低磁場空
間に与えないようにしているのに対して、本実施例では
遮蔽層１１ｂによって低臨界電流領域１１ｃ付近に残る
磁束の影響を防止している。また、シールド体１１の外
周囲には、磁束発生手段として電源３を備えたソレノイ
ドコイル２が設けられている。
次に、このようなシールド装置のシールド体１１内の中
央部に磁束密度を測定するセンサを配置し、液体窒素を
用いた冷却手段（図示せず）でシールド体１１を冷却し
た後、初期の磁束密度を測定したところ磁束密度は０．
４ガウスであった。
央部に磁束密度を測定するセンサを配置し、液体窒素を
用いた冷却手段（図示せず）でシールド体１１を冷却し
た後、初期の磁束密度を測定したところ磁束密度は０．
４ガウスであった。
この状態で、電源３からコイル２に電流をＩＯＡ。
５分間流し、初期と同様にしてセンサで磁束密度を測定
したところ、その値は３．５ Ｘ １０−”ガウスまで
減少した。
したところ、その値は３．５ Ｘ １０−”ガウスまで
減少した。
次いで、電流を更に７Ａ、５分間流したところ、磁束密
度は−２，５Ｘ １０−’ガウスとなった。そこで、コ
イル２に逆方向の電流を６＾、３分間流したところ、磁
束密度は１．３ Ｘ １０−’ガウスとなった。このよ
うにして、電流の方向と電流値及び電流を流す時間を調
整しつつ磁場を減少させていったところ、磁束密度は５
．３ ｘ ｌ（ｒ’ガウスまで減少させることがでてき
た。この状態で、シールド体の中央部から半径方向に１
０ｃｔａｌｌｌれた３点について磁束密度を測定したと
ころいずれも５．４ Ｘ １０−’ガウスとなり、広い
空間にわたり極低磁場が形成されていることが判明した
。
度は−２，５Ｘ １０−’ガウスとなった。そこで、コ
イル２に逆方向の電流を６＾、３分間流したところ、磁
束密度は１．３ Ｘ １０−’ガウスとなった。このよ
うにして、電流の方向と電流値及び電流を流す時間を調
整しつつ磁場を減少させていったところ、磁束密度は５
．３ ｘ ｌ（ｒ’ガウスまで減少させることがでてき
た。この状態で、シールド体の中央部から半径方向に１
０ｃｔａｌｌｌれた３点について磁束密度を測定したと
ころいずれも５．４ Ｘ １０−’ガウスとなり、広い
空間にわたり極低磁場が形成されていることが判明した
。
なお、以上の実施例では磁場発生装置がシールド体の外
面にあるが、これを内面に置いても原理で説明した通り
、全く同じ効果を示すことは言うまでもない。
面にあるが、これを内面に置いても原理で説明した通り
、全く同じ効果を示すことは言うまでもない。
［発明の効果］
以上のように、本発明の磁気シールド装置は、シールド
体の外面あるいは内面に磁場を印加する磁束発生手段を
有するとともに、シールド体の一部に臨界電流値が他の
部分より低いｆ；Ｂ＠が設置すられているので、シール
ド体内部の既存磁場を低臨界電流領域を介してフラック
スフローとして流出させることができ、既存磁場以下の
極低磁場を実現できる。また、本発明においては磁束が
出入する場所が低臨界電流領域に特定されるので、低臨
界電流領域の配置位置を適宜選択することにより、比較
的低コストで必要な極低磁場を広い空間にわたって確保
することが可能である。かかる磁気シールド装置は、例
えば周囲の磁場の影響を受けやすい５ＱＵＩＤ（超電導
量子干渉装置）を用いた測定空間の磁気シールド等に有
効であり、化学技術上、及び医療上、微小な磁気現象を
観測する有用な用途が多く、工業的価値も大である。
体の外面あるいは内面に磁場を印加する磁束発生手段を
有するとともに、シールド体の一部に臨界電流値が他の
部分より低いｆ；Ｂ＠が設置すられているので、シール
ド体内部の既存磁場を低臨界電流領域を介してフラック
スフローとして流出させることができ、既存磁場以下の
極低磁場を実現できる。また、本発明においては磁束が
出入する場所が低臨界電流領域に特定されるので、低臨
界電流領域の配置位置を適宜選択することにより、比較
的低コストで必要な極低磁場を広い空間にわたって確保
することが可能である。かかる磁気シールド装置は、例
えば周囲の磁場の影響を受けやすい５ＱＵＩＤ（超電導
量子干渉装置）を用いた測定空間の磁気シールド等に有
効であり、化学技術上、及び医療上、微小な磁気現象を
観測する有用な用途が多く、工業的価値も大である。
′ｓ１図は本発明のｆｉｔ実施例による磁気シールド装
置の要部断面図、第２図は第２実施例による磁気シール
ド装置の要部断面図である。 ［主要部分の符号の説明］ 、１１−・・・・・・・・シールド体 ｂ・・・・・・・・・・・・・・・突起部ｂ・・・・・
・・・・・・・・・・遮蔽層Ｃ，１１Ｃ−・・低臨界電
流領域 １２・・・・・・・・・コイル １３・・・・・・・・・電源 第１図
置の要部断面図、第２図は第２実施例による磁気シール
ド装置の要部断面図である。 ［主要部分の符号の説明］ 、１１−・・・・・・・・シールド体 ｂ・・・・・・・・・・・・・・・突起部ｂ・・・・・
・・・・・・・・・・遮蔽層Ｃ，１１Ｃ−・・低臨界電
流領域 １２・・・・・・・・・コイル １３・・・・・・・・・電源 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マイスナー効果を示す材料からなる筒状のシールド体と
、このシールド体を超電導状態に転移する臨界温度以下
まで冷却して常電導状態から超電導状態へ転移させる冷
却手段とを有してなる磁気シールド装置において、 前記シールド体の外面あるいは内面に磁場を印加する磁
束発生手段を備え、かつ前記シールド体の一部に、臨界
電流の大きさが他の部分より小さい低臨界電流領域が設
けられたことを特徴とする超電導体を用いた磁気シール
ド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2053507A JPH03255981A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 超電導体を用いた磁気シールド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2053507A JPH03255981A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 超電導体を用いた磁気シールド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03255981A true JPH03255981A (ja) | 1991-11-14 |
Family
ID=12944735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2053507A Pending JPH03255981A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 超電導体を用いた磁気シールド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03255981A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0832273A (ja) * | 1994-07-19 | 1996-02-02 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | 磁気遮蔽装置 |
| EP1489629A2 (en) * | 2003-06-19 | 2004-12-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting cable and superconducting cable line using the same |
-
1990
- 1990-03-07 JP JP2053507A patent/JPH03255981A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0832273A (ja) * | 1994-07-19 | 1996-02-02 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | 磁気遮蔽装置 |
| EP1489629A2 (en) * | 2003-06-19 | 2004-12-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting cable and superconducting cable line using the same |
| EP1489629A3 (en) * | 2003-06-19 | 2006-01-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting cable and superconducting cable line using the same |
| CN100336138C (zh) * | 2003-06-19 | 2007-09-05 | 住友电气工业株式会社 | 超导电缆以及使用该超导电缆的超导线路 |
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