JPH03251846A - Photosensitive resin composition, manufacture of pattern by using same, and this pattern - Google Patents

Photosensitive resin composition, manufacture of pattern by using same, and this pattern

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JPH03251846A
JPH03251846A JP5037690A JP5037690A JPH03251846A JP H03251846 A JPH03251846 A JP H03251846A JP 5037690 A JP5037690 A JP 5037690A JP 5037690 A JP5037690 A JP 5037690A JP H03251846 A JPH03251846 A JP H03251846A
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喜弘 川月
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真治 山田
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Abstract

PURPOSE:To enhance refractive index and dimensional stability and to form thick surface releaf structure by incorporating various specified polymers and an aromatic aldehyde or aromatic ketone compound in the composition. CONSTITUTION:The composition contains the polymer A having 1 - 97mol% structural units each represented by formula I, 1 - 97mol% structural units each represented by formula III, 0 - 97mol% structural units each represented by formula IV, and 1 - 97mol% structural units each represented by formula V, and the compound B selected from the aromatic aldehydes and the aromatic ketones. In formula I, X<1> is H or alkyl, Y<1> is cycloalkenyl or a group of formula II; in formulae III - V, each of X<2> and X<3> is H or alkyl; Z<2> is a divalent hydrocarbon group; each of R<4> - R<6> is H or alkyl; Y<2> is phenyl, alkoxycarbonyl or carbamoyl; X<4> is methylene or -O-; and each of X<5> - X<10> is H or alkyl.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は大きな屈折率差と凹凸差とを有するパターンを
与える感光性樹脂組成物、それを用いたパターンおよび
パターン作製法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a photosensitive resin composition that provides a pattern having a large difference in refractive index and a difference in unevenness, a pattern using the same, and a method for producing the pattern.

[従来の技術] 従来、感光性樹脂の露光部では架橋反応または分子の崩
壊反応が生起し、その露光部が難溶化または5溶化する
ことから、溶剤を用いて該露光部または非露光部の感光
性樹脂を除去する方法[従来法(1)コによりレリーフ
パターンを作製していた。
[Prior Art] Conventionally, a crosslinking reaction or a molecular collapse reaction occurs in the exposed areas of a photosensitive resin, and the exposed areas become poorly soluble or 5-solubilized. Method for removing photosensitive resin [Conventional method (1) was used to create a relief pattern.

また、樹脂に該樹脂より高い屈折率を有する比較的揮発
性の光反応性物質をドープしてなる感光性樹脂組成物よ
り薄膜を形成し、ついで該薄膜に紫外線を照射し、露光
部のドープ物質をロッキングし、非露光部のドープ物質
を蒸発除去することにより、露光部と非露光部とに屈折
率差を有するパターンを形成する方法、いわゆるフォト
ロッキング法[従来法(2)]が知られている[アプラ
イド・フイジクス・レターズ(Applied Phy
sicsLetters) 、第26巻、第6号、第3
03〜306頁(1975年)参照コ。この方法によれ
ば、露光部では非露光部に比べて膜厚が約10%増加す
ることが報告されている。
In addition, a thin film is formed from a photosensitive resin composition obtained by doping a relatively volatile photoreactive substance having a higher refractive index than the resin, and then the thin film is irradiated with ultraviolet rays to dope the exposed areas. The so-called photolocking method [conventional method (2)] is a method of forming a pattern having a difference in refractive index between exposed and unexposed areas by locking a substance and evaporating the doped material in unexposed areas. [Applied Phys Letters]
sicsLetters), Volume 26, No. 6, No. 3
See pages 03-306 (1975). According to this method, it has been reported that the film thickness increases by approximately 10% in exposed areas compared to non-exposed areas.

さらに、エステルのアルコール残基に光反応性の二重結
合を有するアクリル酸またはメタクリル酸エステル系重
合体または共重合体と芳香族ケトンまたは芳香族アルデ
ヒドとからなる感光性樹脂組成物より薄膜を形成し、つ
いで該薄膜に紫外線を照射し、ついで未反応の該芳香族
ケトンまたは芳香族アルデヒドを除去することによりN
元部と非露光部との間に屈折率差と凹凸差とを併せもつ
パターンの作製方法[従来法(3)]が知られている(
特開昭62−95525号公報および特開昭62955
26号公報参照)。
Furthermore, a thin film is formed from a photosensitive resin composition consisting of an acrylic acid or methacrylic acid ester polymer or copolymer having a photoreactive double bond in the alcohol residue of the ester and an aromatic ketone or aromatic aldehyde. Then, the thin film is irradiated with ultraviolet rays, and the unreacted aromatic ketone or aromatic aldehyde is removed.
A method for producing a pattern that has both a refractive index difference and a unevenness difference between the original part and the unexposed part [Conventional method (3)] is known (
JP-A-62-95525 and JP-A-62955
(See Publication No. 26).

[発明が解決しようとする課題] 従来法(1)により作製した感光性樹脂のレリーフパタ
ーンにおいては露光部と非露光部との屈折率差はほとん
どないか極めて小さい。従来法(2)により作製したパ
ターンは露光部と非露光部との屈折率差および凹凸部分
の厚み変化が十分ではない。
[Problems to be Solved by the Invention] In the relief pattern of photosensitive resin produced by the conventional method (1), there is almost no or extremely small difference in refractive index between exposed areas and non-exposed areas. In the pattern produced by the conventional method (2), the difference in refractive index between exposed and non-exposed areas and the change in thickness of uneven parts are not sufficient.

従来法(3)によれば感光性樹脂組成物における露光部
が非露光部よりも高い屈折率を有し、かつ厚みが大きい
鮮明なパターンが作製できるが、得られたパターンの耐
有機溶剤性および耐熱性が必ずしも十分ではない。
According to the conventional method (3), a clear pattern in which the exposed part of the photosensitive resin composition has a higher refractive index than the unexposed part and is thicker can be produced, but the organic solvent resistance of the obtained pattern is and heat resistance is not necessarily sufficient.

本発明の1つの目的は露光部か非露光部よりも屈折率が
高く、かつ厚みが大きい表面レリーフ構造を有し、社有
機溶剤性および耐熱性に優れた形状安定性の高いパター
ンを与える感光性樹脂組成物を提供することにある。本
発明の他の1つの目的は該感光性樹脂組成物を用いた上
記のパターンを作製する方法を提供することにある。本
発明の他の1つの目的は該感光性樹脂組成物により作製
されてなるパターンを提供することにある。
One object of the present invention is to provide a photosensitive pattern that has a surface relief structure with a higher refractive index and greater thickness than the exposed area or the unexposed area, has excellent solvent resistance and heat resistance, and has high shape stability. An object of the present invention is to provide a synthetic resin composition. Another object of the present invention is to provide a method for producing the above pattern using the photosensitive resin composition. Another object of the present invention is to provide a pattern produced using the photosensitive resin composition.

[課題を解決するたぬの手段〕 本発明によれば、上記の1つの目的は、下記一般式(I
)で示される構造単位(以下、これを構造単位(1)と
称する)を1〜97モル%、下記一般式(n)で示され
る構造単位(以下、これを構造単位(II)と称する)
を1〜97モル%、下記一般式(DI)で示される構造
単位(以下、これを構造単位(I[[)と称する)を0
〜97モル%、および下記一般式(IV)で示される構
造単位(以下、これを構造単位(IV)と称する)を1
〜97モル%有する重合体(^)と、置換基を有してい
てもよい芳香族アルデヒドおよび、芳香族ケトンからな
る群より選ばれる化合物(B)とからなる感光性樹脂組
成物を提供することにより達成される。
[Means for solving the problem] According to the present invention, one of the above objects is achieved by solving the following general formula (I
) (hereinafter referred to as structural unit (1)) from 1 to 97 mol%, a structural unit represented by the following general formula (n) (hereinafter referred to as structural unit (II))
1 to 97 mol% of the structural unit represented by the following general formula (DI) (hereinafter referred to as the structural unit (I [[))]
~97 mol%, and 1 structural unit represented by the following general formula (IV) (hereinafter referred to as structural unit (IV))
Provided is a photosensitive resin composition comprising a polymer (^) having ~97 mol% and a compound (B) selected from the group consisting of an aromatic aldehyde which may have a substituent and an aromatic ketone. This is achieved by

構造単位(I): I [式中、xlは水素原子まIこはアルキル基を表し、Y
lはシクロアルケニル基または下記一般式で示される基
を表す。ここでZlは2価の炭化水素基を表し、R’、
 R’およびR3はそれぞれ水素原子、アルキル基また
はアルケニル基を表す。コ構造単位(■): 1 U式中、X″は水素原子またはアルキル基を表し、Z!
は2価の炭化水素基を表し、R4、R5およびR@はそ
れぞれ水素原子またはアルキル基を表す。〕構造単位(
■): 3 Y” [式中、x3は水素原子またはアルキル基を表し、Y′
はフェニル基、アルコキシカルボニル基またはカルバモ
イル基を表し、一般式(I[[)における水素原子はフ
ッ素原子によって置換されていてもよい。] 構造単位(■): S xl [式中、x4はメチレン基または酸素原子を表し、1s
Sx*、x7、x”%x”およびX”はそれぞれ水素原
子またはアルキル基を表し、nは0ないし3の整数であ
る。〕 本発明に用いられる感光性樹脂組成物を構成する重合体
(A)は構造単位(1)を5〜90モル%含み、を10
〜60モル%含み、構造単位(n)を10〜60モル%
含み、かつ構造単位(I[)と構造単位(IV)との割
合が5=2〜5:6(モル比)の範囲である場合がより
好ましい。
Structural unit (I): I [where xl represents a hydrogen atom or I represents an alkyl group, and Y
l represents a cycloalkenyl group or a group represented by the following general formula. Here, Zl represents a divalent hydrocarbon group, R',
R' and R3 each represent a hydrogen atom, an alkyl group or an alkenyl group. Co-structural unit (■): 1 In the U formula, X'' represents a hydrogen atom or an alkyl group, and Z!
represents a divalent hydrocarbon group, and R4, R5 and R@ each represent a hydrogen atom or an alkyl group. ] Structural unit (
■): 3 Y" [In the formula, x3 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and Y'
represents a phenyl group, an alkoxycarbonyl group or a carbamoyl group, and the hydrogen atom in the general formula (I[[) may be substituted with a fluorine atom. ] Structural unit (■): S xl [In the formula, x4 represents a methylene group or an oxygen atom, and 1s
Sx*, x7, x"%x" and A) contains 5 to 90 mol% of structural unit (1) and contains 10
Contains ~60 mol%, and 10 to 60 mol% of structural unit (n)
It is more preferable that the ratio of the structural unit (I[) to the structural unit (IV) is in the range of 5=2 to 5:6 (molar ratio).

上記の構造単位(1)におけるXI、構造単位(II)
におけるX’、構造単位(I[[)におけるx3および
構造単位(IV)におけるx6、xl、x7、X@、X
”オヨヒXIOがそれぞれ表すアルキル基としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチ
ル基などの炭素数が4以下の低級アルキル基か好ましい
。また構造単位(1)におけるR1、R″およびR3な
らびに構造単位(I[)におけるR4、R’およびR1
がそれぞれ表すアルキル基は分岐鎖または任意の置換基
を有していてもよく、メチル基、エチル基、プロピル基
、イソプロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基などの炭素数が8以下の低級ア
ルキル基が好ましい。上記のR1、R1およびR3がそ
れぞれ表すアルケニル基は2−ブテニル基、3−メチル
−2−ブテニル基、3−ペンテニル基、4−メチル−3
−ペンテニル基が好ましい。構造単位(I)におけるZ
lおよび構造単位(If)における2!がそれぞれ表す
2価の炭化水素基としては分岐鎖を有していてもよい炭
素数2〜8のアルキレン基が好ましい。構造単位(r)
に、おけるYlの好適例として、アリル基、2−ブテニ
ル基、3−ブテニル基、2−メチル−2−プロペニル基
、2−へブテニル基、3−へブテニル基、4−へブテニ
ル基、2−メチル−2−ブテニル基、3−メチル−2−
ブテニル基、2−エチル−2−プロペニル基、2−メチ
ル−3−ブテニル基、1.2−ジメチル−2−プロペニ
ル基、2−へキセニル基、3−へキセニル基、4−へキ
セニル基、5−へキセニル基、1.1−ジメチル−2−
ブテニル基、1.2−ジメチル−2−ブテニル基、1.
3−ジメチル−2−ブテニル基、2.3−ジメチル−2
−ブテニル基、3−メチル−2−へブテニル基、2−メ
チル−2−へブテニル基、2−メチル−2−シクロへキ
セニル基、3−メチル−2−シクロへキセニル基、ゲラ
ニル基、イソゲラニル基、ネリル基、ラパンジュリル基
、6−メチルゲラニル基、1−メチルゲラニル基、6エ
チルゲラニル基、ペリリル基、ファルネシル基、ゲラニ
ルゲラニル基、β−シクロゲラニルゲラニル基などを挙
げることができる。
XI in the above structural unit (1), structural unit (II)
X′ in, x3 in the structural unit (I[[) and x6, xl, x7, X@, X in the structural unit (IV)
"The alkyl groups each represented by OYOHI and R3 and R4, R' and R1 in the structural unit (I[)
The alkyl groups each represented by may have a branched chain or an arbitrary substituent, and include a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, amyl group, hexyl group,
A lower alkyl group having 8 or less carbon atoms such as a heptyl group or an octyl group is preferred. The alkenyl groups represented by R1, R1 and R3 above are 2-butenyl group, 3-methyl-2-butenyl group, 3-pentenyl group, 4-methyl-3
-Pentenyl group is preferred. Z in structural unit (I)
1 and 2 in the structural unit (If)! The divalent hydrocarbon groups represented by are preferably alkylene groups having 2 to 8 carbon atoms which may have a branched chain. structural unit (r)
Preferable examples of Yl in are allyl group, 2-butenyl group, 3-butenyl group, 2-methyl-2-propenyl group, 2-hebutenyl group, 3-hebutenyl group, 4-hebutenyl group, 2 -Methyl-2-butenyl group, 3-methyl-2-
butenyl group, 2-ethyl-2-propenyl group, 2-methyl-3-butenyl group, 1,2-dimethyl-2-propenyl group, 2-hexenyl group, 3-hexenyl group, 4-hexenyl group, 5-hexenyl group, 1,1-dimethyl-2-
butenyl group, 1,2-dimethyl-2-butenyl group, 1.
3-dimethyl-2-butenyl group, 2,3-dimethyl-2
-butenyl group, 3-methyl-2-hebutenyl group, 2-methyl-2-hebutenyl group, 2-methyl-2-cyclohexenyl group, 3-methyl-2-cyclohexenyl group, geranyl group, isogeranyl group Examples include a neryl group, a lapandulyl group, a 6-methylgeranyl group, a 1-methylgeranyl group, a 6-ethylgeranyl group, a perylyl group, a farnesyl group, a geranylgeranyl group, and a β-cyclogeranylgeranyl group.

また構造単位(I[)における基 としでは、2.3−エポキシプロピル基、2.3−エポ
キシブチル基、3.4−エポキシブチル基、23−エポ
キシ−2−メチルプロピル基、2−メチル−2,3−エ
ポキシブチル基、3−メチル−2,3−エポキシブチル
基、2.3−エポキシヘプチル基、5.6−エポキシへ
ブチル基、3−メチル−2,3−エポキシブチル基、4
−メチル−2,3−エポキシヘプチル基、4−メチル−
5,6−エポキシヘプチル基などが挙げられる。
The groups in the structural unit (I[) include 2.3-epoxypropyl group, 2.3-epoxybutyl group, 3.4-epoxybutyl group, 23-epoxy-2-methylpropyl group, 2-methyl- 2,3-epoxybutyl group, 3-methyl-2,3-epoxybutyl group, 2,3-epoxyheptyl group, 5.6-epoxyhebutyl group, 3-methyl-2,3-epoxybutyl group, 4
-Methyl-2,3-epoxyheptyl group, 4-methyl-
Examples include 5,6-epoxyheptyl group.

構造単位(I[[)におけるYlが表すアルコキノ・カ
ルボニル基の好適例としては、メトキノカルボニル基、
エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブト
キシカルボニル基、ペンタノキシカルボニル基、ヘキサ
ノキシカルボニル基、ヘプタノキシカルボニル基、シク
ロヘキサノキンカルボニル基などを挙げることができる
Suitable examples of the alkokino carbonyl group represented by Yl in the structural unit (I[[) include a methoxycarbonyl group,
Examples include ethoxycarbonyl group, propoxycarbonyl group, butoxycarbonyl group, pentanoxycarbonyl group, hexanoxycarbonyl group, heptanoxycarbonyl group, and cyclohexanoquinecarbonyl group.

構造単位(■)におけるx5、ス1、x7、x”、 x
@およびXIOはそれぞれ水素原子であることが好まし
い。
x5, s1, x7, x”, x in structural unit (■)
It is preferable that @ and XIO are each hydrogen atoms.

また構造単位(IV)におけるnは0またはlであるこ
とが好ましい。
Further, n in the structural unit (IV) is preferably 0 or l.

重合体(A)はα位がアルキル基によって置換されてい
てもよいアクリル酸もしくはそのエステルと構造単位C
TV’)を形成するコモノマーとの共重合丈たは該アク
リル酸またはそのエステルと構造単位(II[)を形成
するコモノマーと構造単位(ff)を形成するコモノマ
ーとの共重合により重合体を得、ついで該重合体と基Y
lを有するアルコール、および基Y3を有するアルコー
ルとの混合物を反応させるか、または構造単位(I)を
形成するアクリル酸誘導体と構造単位(n)を形成する
アクリル酸誘導体と構造単位CW”)を形成するコモノ
マーとの共重合またはこれらのアクリル酸誘導体と構造
単位(III)を形成するコモノマーとの共重合により
製造することができる。
Polymer (A) comprises acrylic acid or its ester which may be substituted with an alkyl group at the α-position, and structural unit C.
A polymer is obtained by copolymerization with a comonomer forming the structural unit (TV') or copolymerization of the acrylic acid or its ester with a comonomer forming the structural unit (II[) and a comonomer forming the structural unit (ff). , then the polymer and the group Y
1 and an alcohol having a group Y3, or the acrylic acid derivative forming the structural unit (I) and the acrylic acid derivative forming the structural unit (n) are reacted with the structural unit CW''). It can be produced by copolymerization with a comonomer forming the structural unit (III) or copolymerization of these acrylic acid derivatives with a comonomer forming the structural unit (III).

構造単位(I)を形成するアクリル酸誘導体としては、
アリルメタクリレート、アリルアクリレート、2(また
は3)−ブテニルメタクリレート、2(または3)−ブ
テニルアクリレート、2−メチル2−プロペニルメタク
リレート、2−メチル−2−プロペニルアクリレート、
2(または3または4)−へブテニルメタクリレート、
2(または3または4)−へブテニルアクリレート、2
−メチル−2(または3)−ブテニルメタクリレート、
2−メチル−2(または3)−ブテニルアクリレート、
2−エチル−2−プロペニルメタクリレート、2−エチ
ル−2−プロペニルアクリレート、1.2−ジメチル−
2−プロペニルメタクリレート、1,2−ジメチル−2
−プロペニルアクリレート、2(または3または4また
は5)−へキセニルメタクリレート、2(または3また
は4または5)−へキセニルアクリレート、1.1(ま
たは1.2または1.3または2.3) −ジメチル−
2−ブテニルメタクリレート、1.1(または1,2ま
たは1.3または2.3)−ジメチル−2−ブテニルア
クリレート、2(または3)−メチル−2=へブテニル
メタクリレート、2(または3)−メチル−2−ヘプテ
ニルアクリレートなどのアルコール残基が鎖状になって
いるアクリル酸誘導体2(または3)−メチル−2−シ
クロへキセニルメタクリレート、2(または3)−メチ
ル−2−シクロヘキセニルアクリレートなどのアルコー
ル残基か環状になっているアクリル酸誘導体;ゲラニル
メタクリレート、ゲラニルアクリレート、ネリルメタク
リレート、ネリルアクリレート、イソゲラニルメタクリ
レート、イソゲラニルアクリレート、ラパンジュリルメ
タクリレート、ラバンジュリルアクリレート、6−メチ
ルゲラニルメタクリレート、6−メチルゲラニルアクリ
レート、l−メチルゲラニルメタクリレート、1−メチ
ルゲラニルアクリレート、6−エチルゲラニルメタクリ
レート、6−エチルゲラニルアクリレート、ペリリルメ
タクリレート、ペリリルアクリレート等の非共役二重結
合を2個有する鎖状または環状テルペン系アルコールと
アクリル酸またはメタクリル酸とのエステル:ファルネ
シルメタクリレート、ファルネシルアクリレート、ゲラ
ニルゲラニルメタクリレート、ゲラニルゲラニルアクリ
レート、β−シクロゲラニルゲラニルメタクリレート、
β−シクロゲラニルゲラニルアクリレート等の非共役二
重結合を3個以上有する鎖状または環状テルペン系アル
コールとアクリル酸またはメタクリル酸とのエステルが
挙げられる。これらの中で、アリルメタクリレート、2
−メチル−2−プロペニルメタクリレート、2−ブテニ
ルメタクリレート、2−メチル−2−ブテニルメタクリ
レート、2−へキセニルメタクリレート、3−、ヘキセ
ニルメタクリレート、ゲラニルメタクリレートが、原料
となるアルコールの入手のし昌さ、エステル合成のし昼
さの点から好ましい。
As the acrylic acid derivative forming the structural unit (I),
Allyl methacrylate, allyl acrylate, 2 (or 3)-butenyl methacrylate, 2 (or 3)-butenyl acrylate, 2-methyl 2-propenyl methacrylate, 2-methyl-2-propenyl acrylate,
2 (or 3 or 4)-hebutenyl methacrylate,
2 (or 3 or 4)-hebutenyl acrylate, 2
-methyl-2(or 3)-butenyl methacrylate,
2-methyl-2 (or 3)-butenyl acrylate,
2-ethyl-2-propenyl methacrylate, 2-ethyl-2-propenyl acrylate, 1,2-dimethyl-
2-propenyl methacrylate, 1,2-dimethyl-2
-propenyl acrylate, 2 (or 3 or 4 or 5) -hexenyl methacrylate, 2 (or 3 or 4 or 5) -hexenyl acrylate, 1.1 (or 1.2 or 1.3 or 2.3) ) -dimethyl-
2-butenyl methacrylate, 1.1 (or 1,2 or 1.3 or 2.3)-dimethyl-2-butenyl acrylate, 2 (or 3)-methyl-2=hebutenyl methacrylate, 2 (or 3) Acrylic acid derivatives in which alcohol residues are chained, such as -methyl-2-heptenyl acrylate, 2 (or 3)-methyl-2-cyclohexenyl methacrylate, 2 (or 3)-methyl-2 - Acrylic acid derivatives having a cyclic alcohol residue such as cyclohexenyl acrylate; geranyl methacrylate, geranyl acrylate, neryl methacrylate, neryl acrylate, isogeranyl methacrylate, isogeranyl acrylate, lapanduryl methacrylate, lavanduryl acrylate, 6 - Non-conjugated double bonds such as methylgeranyl methacrylate, 6-methylgeranyl acrylate, l-methylgeranyl methacrylate, 1-methylgeranyl acrylate, 6-ethylgeranyl methacrylate, 6-ethylgeranyl acrylate, perylyl methacrylate, perillyl acrylate, etc. Esters of a chain or cyclic terpene alcohol with two acrylic acid or methacrylic acid: farnesyl methacrylate, farnesyl acrylate, geranylgeranyl methacrylate, geranylgeranyl acrylate, β-cyclogeranylgeranyl methacrylate,
Examples include esters of chain or cyclic terpene alcohols having three or more non-conjugated double bonds and acrylic acid or methacrylic acid, such as β-cyclogeranylgeranyl acrylate. Among these, allyl methacrylate, 2
- Methyl-2-propenyl methacrylate, 2-butenyl methacrylate, 2-methyl-2-butenyl methacrylate, 2-hexenyl methacrylate, 3-, hexenyl methacrylate, and geranyl methacrylate are methods of obtaining alcohol as raw materials. This is preferable from the viewpoint of ease of ester synthesis.

また構造単位(II)を形成するアクリル酸誘導体とし
ては、2.3−エポキシプロピルメタクリレート、2.
3−エポキシプロピルアクリレート、2.3エポキシブ
チルメタクリレート、2.3−エポキシブチルアクリレ
ート、3.4−エポキシブチルメタクリレート、3.4
−エポキシブチルアクリレート、2−メチル−2,3−
エポキシプロピルメタクリレート、2−メチル−2,3
−エポキシプロピルアクリレート、2.3−エポキシへ
ブチルメタクリレート、5.6−エポキシへブチルメタ
クリレート、2.3−エポキシへブチルアクリレート、
5.6−エポキシへブチルアクリレート、2(または3
)−メチルー2.3−エポキシブチルメタクリレート、
2(または3)−メチル−2,3−エポキシブチルアク
リレート、4−メチル−2,3−エポキシへブチルメタ
クリレート、4−メチル−5,6−エポキシへブチルア
クリレートが挙げられる。これらの中で、2.3−エポ
キシプロビルメタクリレート、2.3−エポキシブチル
メタクリレート、3.4−エポキシブチルメタクリレー
トがエステル合成のし易さの点から好ましい。
Further, examples of the acrylic acid derivative forming the structural unit (II) include 2.3-epoxypropyl methacrylate, 2.
3-epoxypropyl acrylate, 2.3 epoxybutyl methacrylate, 2.3-epoxybutyl acrylate, 3.4-epoxybutyl methacrylate, 3.4
-Epoxybutyl acrylate, 2-methyl-2,3-
Epoxypropyl methacrylate, 2-methyl-2,3
-Epoxypropyl acrylate, 2.3-epoxyhebutyl methacrylate, 5.6-epoxyhebutyl methacrylate, 2.3-epoxyhebutyl acrylate,
5.6-Epoxy hebutyl acrylate, 2 (or 3
)-methyl-2,3-epoxybutyl methacrylate,
Examples include 2 (or 3)-methyl-2,3-epoxybutyl acrylate, 4-methyl-2,3-epoxybutyl methacrylate, and 4-methyl-5,6-epoxybutyl acrylate. Among these, 2.3-epoxypropyl methacrylate, 2.3-epoxybutyl methacrylate, and 3.4-epoxybutyl methacrylate are preferred from the viewpoint of ease of ester synthesis.

構造単位(II[)を形成するコモノマーとしてはメタ
クリル酸:メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、
メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ブチル、メタクリ
ル酸ペンチル、メタクリル酸ヘキシル、メタクリル酸ア
ミル、メタクリル酸シクロヘキシルなどのメタクリル酸
アルキルエステル;アクリル酸;アクリル酸メチル、ア
クリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチ
ル、アクリル酸ペンチル、アクリル酸ヘキシル、アクリ
ル酸アミル、アクリル酸シクロヘキシルなどのアクリル
酸アルキルエステル;メタクリル酸アミド、アクリル酸
アミド、スチレン、α−メチルスチレンなどの置換スチ
レンなどが挙げられる。構造単位(I[[)における水
素原子はフッ素原子によっ装置マレイン酸、5−ノルボ
ルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、7−オキサ−5
−ノルボルネン−2,3ジカルボン酸無水物、7−オキ
サ・−5−メチル−5−ノルボルネン−2,3−ジカル
ボン酸無水物、7−オキサ−5−エチル−5−ノルボル
ネン−2,3−ジカルボン酸無水物、4−メチル−7−
オキサ−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水
物、14−ジメチル−7−オキサ−5−ノルボルネン−
2,3−ジカルボン酸無水物、4−エチル−7−オキサ
−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、1
,2゜3.4,4a、5,8.8a−才クタヒド口−1
,4: 5.8−ジオキサナフタレン−2,3−ジカル
ボン酸無水物、1.2゜3.4,4a、5.8,8a−
オクタヒドロ−1,4: 5.8−ジメタノナフタレン
−2,3−ジカルボン酸無水物、3−メチル−5−ノル
ボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物などの酸無水物
を挙げることができる。これらの中で無水マレイン酸、
5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、7−
オキサ−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸が合
成のし易さの点から好ましい。
Comonomers forming the structural unit (II[) include methacrylic acid: methyl methacrylate, ethyl methacrylate,
Methacrylic acid alkyl esters such as propyl methacrylate, butyl methacrylate, pentyl methacrylate, hexyl methacrylate, amyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate; acrylic acid; methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, butyl acrylate, acrylic Examples include alkyl acrylates such as pentyl acrylate, hexyl acrylate, amyl acrylate, and cyclohexyl acrylate; substituted styrenes such as methacrylic amide, acryl amide, styrene, and α-methylstyrene; The hydrogen atom in the structural unit (I [
-Norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride, 7-oxa-5-methyl-5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride, 7-oxa-5-ethyl-5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride Acid anhydride, 4-methyl-7-
Oxa-5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride, 14-dimethyl-7-oxa-5-norbornene-
2,3-dicarboxylic anhydride, 4-ethyl-7-oxa-5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride, 1
, 2゜ 3.4, 4a, 5, 8.8a-saikutahid mouth-1
, 4: 5.8-dioxanaphthalene-2,3-dicarboxylic anhydride, 1.2°3.4,4a, 5.8,8a-
Octahydro-1,4: Acid anhydrides such as 5,8-dimethanonaphthalene-2,3-dicarboxylic anhydride and 3-methyl-5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride can be mentioned. Among these, maleic anhydride,
5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride, 7-
Oxa-5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid is preferred from the viewpoint of ease of synthesis.

重合体く^)はゲルパーミェーションクロマトグラフィ
により求めたポリスチレン換算の数平均分子量が1,0
00〜2,000,000の範囲にあるものが好ましい
。重合体(A)は数平均分子量が100,000〜1.
500,000の範囲にあるものがより好ましい。
The polymer (^) has a number average molecular weight of 1.0 in terms of polystyrene determined by gel permeation chromatography.
Those in the range of 00 to 2,000,000 are preferred. The polymer (A) has a number average molecular weight of 100,000 to 1.
More preferably, it is in the range of 500,000.

化合物(B)としては例えば置換基を有していてもよい
ベンズアルデヒド、ベンゾフェノンまたはその誘導体が
挙げられ、具体的には下記の一般式(V)、一般式(V
T)または一般式(■)で示される。
Examples of the compound (B) include benzaldehyde, benzophenone, or derivatives thereof which may have a substituent, and specifically, the following general formula (V), general formula (V
T) or the general formula (■).

15 [式中、X口、x目、X13、X14.115、xll
l、X17X11およびx目はそれぞれ水素原子、炭素
数7以下のアルキル基もしくはアルコキシ基、またはハ
ロゲン原子を表し、X!O,X!I、X″!x!コ、x
14オヨびXtsはそれぞれ水素原子またはハロゲン原
子を表す。lは0.1または2である。コ 好ましい化合物(B)としてはベンゾフェノン;3(ま
たは4)−メチルベンゾフェノン、3(または4)−メ
トキシベンゾフェノン、3.3’ (または4゜4°)
−ジメチルベンゾフェノン、3,3°(または4゜4°
)−ジメトキシベンゾフェノン、2.3(または2.4
)−クロルベンゾフェノン、3,4.5− )ジメトキ
シベンゾフェノンなどの置換ベンゾフェノン・3−ベン
ゾイルベンゾフェノン;3(または4)−メチルベンゾ
イル−3°(または4°)−メチルベンゾフェノン;3
(または4)−メトキシベンゾイル−3°(または4゛
)−メトキシベンゾフェノン、3゜3−ジベンゾイルベ
ンゾフェノン、1,3.5− )リベンゾイルベンゼン
などのメタ置換型のベンゾフェノン、ベンズアルデヒド
:3(または4)−メチルベンズアルデヒド、3(また
は4)−メトキシベンズアルデヒド、3.4−ジメチル
ベンズアルデヒド、3.4−ジメトキシベンズアルデヒ
ドなどの置換ベンズアルデヒドを挙げることができる。
15 [In the formula, X mouth, x eye, X13, X14.115, xll
l, X17X11 and x-th each represent a hydrogen atom, an alkyl group or alkoxy group having 7 or less carbon atoms, or a halogen atom, and X! O,X! I, X″! x! Ko, x
14 and Xts each represent a hydrogen atom or a halogen atom. l is 0.1 or 2. Preferred compounds (B) include benzophenone; 3(or 4)-methylbenzophenone, 3(or 4)-methoxybenzophenone, 3.3' (or 4°4°)
-dimethylbenzophenone, 3,3° (or 4°4°
)-dimethoxybenzophenone, 2.3 (or 2.4
)-chlorobenzophenone, 3,4.5-) substituted benzophenones such as dimethoxybenzophenone, 3-benzoylbenzophenone; 3 (or 4)-methylbenzoyl-3° (or 4°)-methylbenzophenone;
(or 4)-Methoxybenzoyl-3° (or 4゛)-methoxybenzophenone, 3゜3-dibenzoylbenzophenone, meta-substituted benzophenones such as 1,3.5-)ribenzoylbenzene, benzaldehyde: 3 (or 4) Substituted benzaldehydes such as -methylbenzaldehyde, 3 (or 4)-methoxybenzaldehyde, 3,4-dimethylbenzaldehyde, and 3,4-dimethoxybenzaldehyde can be mentioned.

これらの中でベンズアルデヒド、ベンゾフェノン、3ベ
ンゾイルベンゾフエノン、3.3’−9ベンゾイルベン
ゾフエノンおよび1,3.5− トリベンゾイルベンゼ
ンが合成のし5さから好ましく、また3−ベンゾイルベ
ンゾフェノンおよび1,3.5− )リベンゾイルベン
ゼンが、光反応性が良好であり、露光部と非露光部との
凹凸差および屈折率差を大きくすることが可能であり、
作製されたパターンの耐有機溶剤性および耐熱性が高い
点で、特に好ましい。
Among these, benzaldehyde, benzophenone, 3benzoylbenzophenone, 3.3'-9benzoylbenzophenone and 1,3.5-tribenzoylbenzene are preferred from the viewpoint of ease of synthesis, and 3-benzoylbenzophenone and 1 , 3.5-) Ribenzoylbenzene has good photoreactivity and can increase the difference in unevenness and the difference in refractive index between exposed areas and non-exposed areas,
This is particularly preferred because the produced pattern has high organic solvent resistance and high heat resistance.

また重合体(A)にベンジルジメチルアミンなどの第3
級アミンを添加することが熱反応性を高められる点で好
適である。
Additionally, the polymer (A) may contain a tertiary compound such as benzyldimethylamine.
It is preferable to add a class amine in that the thermal reactivity can be increased.

重合体(A)と化合物(B)との組成割合は10:1〜
1:10(重量比)の範囲が好ましく、2:1−1・2
(重量比)の範囲がより好ましい。重合体(A)が有す
る構造単位(1)と化合物(B)との割合は101〜1
:20(モル比)の範囲が好ましく、5:1〜110(
モル比)4)範囲がより好ましい。
The composition ratio of polymer (A) and compound (B) is 10:1 to
The range of 1:10 (weight ratio) is preferable, and 2:1-1.2
(weight ratio) is more preferable. The ratio of the structural unit (1) possessed by the polymer (A) to the compound (B) is 101 to 1
:20 (molar ratio) is preferable, and the range is 5:1 to 110 (
Molar ratio) 4) range is more preferable.

本発明によれば、上記の他の1つの目的は、下記の(イ
)(ロ)および(八)の工程を設けてなることを特徴と
する上記の感光性樹脂組成物を用いたパターン作&法を
提供することにより達成される。
According to the present invention, another object of the above is to create a pattern using the photosensitive resin composition described above, which is characterized by comprising the following steps (a), (b) and (viii). &Achieved by providing law.

(イ)上記の感光性樹脂組成物の薄膜を形成する工程。(a) A step of forming a thin film of the above photosensitive resin composition.

(II+)薄膜に所望のパターンに応じて部分的に紫外
線を照射する工程。
(II+) A step of partially irradiating the thin film with ultraviolet rays according to a desired pattern.

(ハ)薄膜から未反応の化合物(B)を除去する工程。(c) Step of removing unreacted compound (B) from the thin film.

上記(イ)工程では重合体(A)と化合物(B)とをこ
れらを溶解する溶媒に溶解し、得られた溶液を用いてキ
ャスティング法、バーコード法、スピンコード法などに
よって薄膜を形成する。必要に応じて薄膜を減圧処理ま
たは熱処理することにより該薄膜から溶剤を除去する。
In the above step (a), the polymer (A) and the compound (B) are dissolved in a solvent that dissolves them, and the resulting solution is used to form a thin film by a casting method, a barcode method, a spin code method, etc. . The solvent is removed from the thin film by subjecting the thin film to vacuum treatment or heat treatment as required.

薄膜の形成法は所望の薄膜の厚さの程度または形態によ
って選択される。
The method for forming the thin film is selected depending on the desired thickness or form of the thin film.

薄膜の膜厚は0.1〜20μmの範囲であることが好ま
しい。一般に厚さが大きい場合には、キャスティング法
、小さい場合にはバーコード法またはスピンコード法が
採用される。
The thickness of the thin film is preferably in the range of 0.1 to 20 μm. Generally, when the thickness is large, a casting method is used, and when it is small, a bar code method or a spin code method is used.

(イ)工程に統< ([+)工程では、薄膜に所望のパ
ターンに応じて部分的に波長が200〜450nmの紫
外線を照射する。これによって、構造単位(I)と化合
物(B)とが光反応する。光源には高圧水銀ランプ、N
、ガスレーザ、He−Cdレーザなどが用いられる。
(B) Process < ([+) In the process, the thin film is partially irradiated with ultraviolet rays having a wavelength of 200 to 450 nm in accordance with a desired pattern. As a result, the structural unit (I) and the compound (B) undergo a photoreaction. The light source is a high pressure mercury lamp, N
, gas laser, He-Cd laser, etc. are used.

所望のパターンを形成する方法としてフォトマスクを用
いるマスク露光法、三光束干渉露光法、レーザビーム直
接描画法などが採用される。
As a method for forming a desired pattern, a mask exposure method using a photomask, a three-beam interference exposure method, a laser beam direct writing method, etc. are employed.

(CI)工程に続く(ハ)工程における未反応の化合物
(B)の除去は、薄膜を減圧下で20〜120℃の範囲
の温度で15〜30時間熱処理(以下、これを前熱処理
と称する)し、ついで常圧下で105〜230℃の範囲
の温度で15分間〜40時間熱処理(以下、これを後熱
処理と称する)することにより行うか、前熱処理し、つ
いで感光性樹脂組成物の薄膜の全面に強度が1(1−4
0wY/ cm”の範囲であり、かつ波長が200〜4
50niの範囲である紫外線を30秒間〜10分間照射
することにより行うことが好ましい。これによって所望
の屈折率差と凹凸差とを有するパターンを得る。該パタ
ーンに含まれる構造単位(1)、構造単位(n)および
構造単位OV)は熱架橋することから、該パターンは高
い耐有機溶剤性および耐熱性を有している。上記の後熱
処理は150〜200℃の範囲の温度で1〜5時間行う
か、110〜140℃の範囲の温度で10〜25時間行
うことがより好適である。
The unreacted compound (B) in step (c) following step (CI) is removed by heat treatment of the thin film at a temperature in the range of 20 to 120°C for 15 to 30 hours under reduced pressure (hereinafter, this is referred to as preheat treatment). ) and then heat-treated at a temperature in the range of 105 to 230° C. for 15 minutes to 40 hours under normal pressure (hereinafter referred to as post-heat treatment), or preheat-treated, and then a thin film of the photosensitive resin composition. The strength is 1 (1-4
0wY/cm” and the wavelength is 200 to 4
This is preferably carried out by irradiating ultraviolet light in the range of 50 ni for 30 seconds to 10 minutes. As a result, a pattern having a desired refractive index difference and unevenness difference is obtained. Since the structural unit (1), structural unit (n), and structural unit OV) included in the pattern are thermally crosslinked, the pattern has high organic solvent resistance and heat resistance. The above post-heat treatment is preferably carried out at a temperature in the range of 150 to 200°C for 1 to 5 hours, or more preferably at a temperature in the range of 110 to 140°C for 10 to 25 hours.

また、上記の前熱処理したのちに、後熱処理ついで紫外
線照射することが、更に耐有機溶剤性および耐熱性を有
するパターンが得られる点で好ましい。なお、上記の前
熱処理を100〜120℃の範囲の温度で15〜30時
間行う際には、上記の後熱処理を省略する場合でも高い
耐有機溶剤性および耐熱性を有するパターンが得られる
Further, it is preferable to carry out the above-mentioned pre-heat treatment, then carry out the post-heat treatment and then irradiate the pattern with ultraviolet rays, since this allows a pattern to be further improved in organic solvent resistance and heat resistance. Note that when the above preheat treatment is performed at a temperature in the range of 100 to 120° C. for 15 to 30 hours, a pattern having high organic solvent resistance and heat resistance can be obtained even when the above post heat treatment is omitted.

上記の方法により感光性樹脂組成物から、先導波路、回
折格子、グレーティングレンズ、フレネルレンズ、ホロ
グラムレンズなどのパターンを作製することができる。
Patterns such as a guiding waveguide, a diffraction grating, a grating lens, a Fresnel lens, a hologram lens, etc. can be produced from a photosensitive resin composition by the above method.

また種々の非線形光学材料を感光性樹脂組成物にドープ
することにより、非線形効果を有する先導波路を作製す
ることができる。それらのパターンは光学的透明性、耐
有機溶剤性および耐熱性に極めてすぐれている。
Further, by doping a photosensitive resin composition with various nonlinear optical materials, a leading waveguide having a nonlinear effect can be produced. These patterns have excellent optical clarity, organic solvent resistance, and heat resistance.

[実施例] 以下、実施例により本発明を具体的に説明する。[Example] Hereinafter, the present invention will be specifically explained with reference to Examples.

実施例1 反応容器にN!置換後に2−ブテニルメタクリレ−) 
70g、メチルメタクリレートlog、 2.3−エポ
キシプロピルメタクリレート71g1無水マレイン酸9
8g、アゾビスイソブチロニトリル600mg、 ジオ
キサン90h12を仕込み、封管して53℃のウォータ
ーバス中で24時間加熱し重合反応を行った。得られた
反応液をメタノール4ρ中へあけ、生成物を沈澱させ、
乾燥させることにより重合体(A)を150g得た。こ
の重合体(A)はNMRによる測定結果から2−ブテニ
ルメタクリレート対メチルメタクリレート対2.3−エ
ポキシプロピルメタクリレート対無水マレイン酸のモル
比が1対2対1対1の共重合体であることが確認された
。またこの重合体(A)のゲルパーミェーションクロマ
トグラフィー法により求めたポリスチレン換算の数平均
分子量は250.000であった。上記重合体(A)1
0部と、3−ベンゾイルベンゾフェノン6部とからなる
組成物をトルエンに溶解し、得られた溶液を用いてガラ
ス基板上にスピンコード法によって薄膜(厚さ1.5μ
m)を形成した。この薄膜に35g膿周期のラインアン
ドスペースを有するフォトマスクを通して25m1/c
m”の紫外線を120秒間照射した。照射後フォトマス
クをはずし、真空乾燥機中で100℃、0.2mmHg
の条件で20時間の前熱処理した。こののち、薄膜の全
面に40m1/am″の紫外線を7分間照射し、さらに
120℃、常圧の条件で2時間の後熱処理することによ
って、未反応の化合物(B)を除去して、屈折率差と凹
凸差とを有する回折格子のパターンを作製した。
Example 1 N! to the reaction vessel! (2-butenyl methacrylate after substitution)
70g, methyl methacrylate log, 2.3-epoxypropyl methacrylate 71g 1 maleic anhydride 9
8g of azobisisobutyronitrile, 600mg of azobisisobutyronitrile, and 90h12 of dioxane were charged, the tube was sealed and heated in a water bath at 53°C for 24 hours to perform a polymerization reaction. The resulting reaction solution was poured into 4 ρ of methanol to precipitate the product,
By drying, 150 g of polymer (A) was obtained. This polymer (A) is a copolymer with a molar ratio of 2-butenyl methacrylate, methyl methacrylate, 2.3-epoxypropyl methacrylate, and maleic anhydride of 1:2:1:1 from the results of NMR measurements. was confirmed. Further, the number average molecular weight of this polymer (A) in terms of polystyrene determined by gel permeation chromatography was 250.000. The above polymer (A) 1
A composition consisting of 0 parts of 3-benzoylbenzophenone and 6 parts of 3-benzoylbenzophenone was dissolved in toluene, and the resulting solution was used to form a thin film (thickness: 1.5 μm) on a glass substrate by spin coding.
m) was formed. This thin film was passed through a photomask with lines and spaces with a period of 35 g of pus at a rate of 25 m1/c.
m" ultraviolet rays for 120 seconds. After irradiation, the photomask was removed and dried at 100°C and 0.2 mmHg in a vacuum dryer.
Preheat treatment was performed for 20 hours under the following conditions. After that, the entire surface of the thin film was irradiated with ultraviolet rays of 40 m1/am'' for 7 minutes, and then post-heated at 120°C and normal pressure for 2 hours to remove unreacted compound (B) and refract. A diffraction grating pattern having a difference in index and a difference in unevenness was fabricated.

この回折格子の回折効率は波長が633nmの光に対し
て33%であった。回折格子をメチルメタクリレートの
飽和蒸気中に50℃で100時間放置したが、その回折
効率は変化しなかった。これより、この回折格子の形状
および屈折率は変化しないものと判定した。
The diffraction efficiency of this diffraction grating was 33% for light with a wavelength of 633 nm. The diffraction grating was left in saturated vapor of methyl methacrylate at 50° C. for 100 hours, but its diffraction efficiency did not change. From this, it was determined that the shape and refractive index of this diffraction grating did not change.

また、この回折格子を160℃(常圧)で8時間加熱し
たが、回折効率は変化しなかった。
Furthermore, although this diffraction grating was heated at 160° C. (normal pressure) for 8 hours, the diffraction efficiency did not change.

実施例2〜9 実施例1におけると同様の方法で、第1表に示す重合体
(A)と化合物(B)とからなる感光性樹脂組成物を調
製し、第1表に示す組成の感光性樹脂組成物を用いて実
施例1におけると同じ条件で回折格子を作製した。
Examples 2 to 9 Photosensitive resin compositions consisting of the polymer (A) and compound (B) shown in Table 1 were prepared in the same manner as in Example 1, and photosensitive resin compositions having the compositions shown in Table 1 were prepared. A diffraction grating was produced using the same resin composition under the same conditions as in Example 1.

各実施例において作製した回折格子を用いて実施例1に
おけると同様の耐有機溶剤性および耐熱性の試験を行っ
たところ、いずれの回折格子においても回折効率は変化
しなかった。
When the same organic solvent resistance and heat resistance tests as in Example 1 were conducted using the diffraction gratings prepared in each example, the diffraction efficiency did not change in any of the diffraction gratings.

なお、第1表において、部は重量部を示す。In Table 1, parts indicate parts by weight.

以下余白 実施例1O 実施例1におけると同じ組成の重合体(A)10部と3
−ベンゾイルベンゾフェノン6部とからなる組成物をト
ルエンに溶解し、得られた溶液を用いて、ガラス基板上
にスピンコード法によって1lll(厚さ1.5μm)
を形成した。この薄膜に35μ−周期のラインアンドス
ペースを有するフォトマスクを通して25aI/ cm
”の紫外線を150秒間照射した。照射後フォトマスク
をはずし、真空乾燥機中で110℃、0.2msHgの
条件で20時間熱処理した。こののち、′N膜の全面に
25mT/am”の紫外線を5分間照射することによっ
て、未反応の化合物(B)を除去して、屈折率差と凹凸
差とを有する回折格子のパターンを作製した。
Below is the margin Example 1O 10 parts of polymer (A) with the same composition as in Example 1 and 3
- Dissolve a composition consisting of 6 parts of benzoylbenzophenone in toluene, and use the resulting solution to coat 1 lll (thickness 1.5 μm) on a glass substrate by a spin code method.
was formed. This thin film was passed through a photomask with a 35μ-period line and space at 25aI/cm.
After irradiation, the photomask was removed and heat treated in a vacuum dryer at 110°C and 0.2 msHg for 20 hours. After that, the entire surface of the N film was exposed to ultraviolet rays of 25 mT/am. was irradiated for 5 minutes to remove unreacted compound (B), thereby producing a diffraction grating pattern having a difference in refractive index and a difference in unevenness.

この回折格子の回折効率は波長が633n−の光に対し
て30%であり、実施例1の回折格子と同様に耐有機溶
剤性および耐熱性は良好であフた。
The diffraction efficiency of this diffraction grating was 30% for light having a wavelength of 633n-, and like the diffraction grating of Example 1, the organic solvent resistance and heat resistance were good.

実施例11 反応容器にytWl換後にゲラニルメタクリレート39
g、 2.3−エボキノプロピルメタクリレート26g
、メチルメタクリレート38g、無水マレイン酸40g
、アゾビスイソブチロニトリル135Bおよびジオキサ
ン450mCを仕込み、封管して55℃のウォーターバ
ス中で24時間加熱し重合反応を行った。得られた反応
液をメタノール1512中へあけ、生成物を沈澱させ、
乾燥させるこ)書より重合体(A)60gを得た。この
重合体(A)はNMRによる測定結果から、ゲラニルメ
タクリレート対2.3−エポキシプロビルメタクリレー
ト対メチルメタクリレート対無水マレイン酸のモル比が
1対1対2対1の共重合体であることが確認された。ま
たこの重合体(A)のゲルパーミェーションクロマトグ
ラフィー法による求めたポリスチレン換算の数平均分子
量は300.000であった。上記重合体(A)10部
と、1.3.5−トリベンゾイルベンゼン8部とからな
る組成物をトルエンに溶解し、得られた溶液を用いてガ
ラス基板上にスピンコード法によって薄1j(厚さ1.
5μ■)を形成し、実施例1におけると同じ条件でフォ
トマスクを通して紫外線を照射した。こののち、実施例
1におけると同様に前熱処理、後熱処理および紫外線照
射することによって、未反応の化合物(B)を除去して
、屈折率差と凹凸差とを有する回折格子のパターンを作
製した。
Example 11 After replacing ytWl in the reaction vessel, geranyl methacrylate 39
g, 26 g of 2,3-evoquinopropyl methacrylate
, methyl methacrylate 38g, maleic anhydride 40g
, azobisisobutyronitrile 135B and dioxane 450mC were charged, the tube was sealed and heated in a water bath at 55°C for 24 hours to perform a polymerization reaction. The resulting reaction solution was poured into methanol 1512 to precipitate the product,
60 g of polymer (A) was obtained from the drying process. The results of NMR measurements show that this polymer (A) is a copolymer with a molar ratio of geranyl methacrylate, 2,3-epoxypropyl methacrylate, methyl methacrylate, and maleic anhydride of 1:1:2:1. confirmed. Further, the number average molecular weight of this polymer (A) in terms of polystyrene determined by gel permeation chromatography was 300.000. A composition consisting of 10 parts of the above polymer (A) and 8 parts of 1,3,5-tribenzoylbenzene was dissolved in toluene, and the resulting solution was used to coat a thin 1j ( Thickness 1.
5μ■) was formed and irradiated with ultraviolet rays through a photomask under the same conditions as in Example 1. Thereafter, unreacted compound (B) was removed by pre-heat treatment, post-heat treatment and ultraviolet irradiation in the same manner as in Example 1, and a diffraction grating pattern having a difference in refractive index and a difference in unevenness was produced. .

この回折格子は実施例1の回折格子と同様に耐有機溶剤
性および耐熱性は良好であった。
Similar to the diffraction grating of Example 1, this diffraction grating had good organic solvent resistance and heat resistance.

比較例 2−ブテニルメタクリレート対メチルメタクリレートの
モル比が1対3の共重合体10部と、3−ベンゾイルベ
ンゾフェノン6部とからなる感光性樹脂組成物を用いて
、実施例1におけると同じ方法で回折格子を作製した。
Comparative Example 2 - The same method as in Example 1 using a photosensitive resin composition consisting of 10 parts of a copolymer with a molar ratio of butenyl methacrylate to methyl methacrylate of 1:3 and 6 parts of 3-benzoylbenzophenone. A diffraction grating was made using

この回折格子の回折効率は波長が633nmの光に対し
て30%であった。回折格子を150℃(常圧)で4時
間加熱すると回折格子が変形し、回折効率が25%まで
低下した。
The diffraction efficiency of this diffraction grating was 30% for light with a wavelength of 633 nm. When the diffraction grating was heated at 150° C. (normal pressure) for 4 hours, the diffraction grating was deformed and the diffraction efficiency decreased to 25%.

[発明の効果] 本発明によれば、感光性樹脂の露光部が非露光部よりも
屈折率が高く、かつ厚みが大きい表面レリーフ構造を有
し、耐有機溶剤性および耐熱性に優れたパターンを与え
る感光性樹脂組成物が得られる。また該感光性樹脂組成
物を用いた上記のパターンを作製する方法および該感光
性樹脂組成物により作製されてなるパターンが得られる
[Effects of the Invention] According to the present invention, a pattern having a surface relief structure in which the exposed part of the photosensitive resin has a higher refractive index and greater thickness than the unexposed part, and has excellent organic solvent resistance and heat resistance. A photosensitive resin composition is obtained that provides the following properties. Furthermore, a method for producing the above-mentioned pattern using the photosensitive resin composition and a pattern produced using the photosensitive resin composition are also obtained.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、下記一般式( I ) ( I )▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、X^1は水素原子またはアルキル基を表し、Y
^1はシクロアルケニル基または下記一般式▲数式、化
学式、表等があります▼ で示される基を表す。ここで、Z^1は2価の炭化水素
基を表し、R^1、R^2およびR^3はそれぞれ水素
原子、アルキル基またはアルケニル基を表す。] で示される構造単位を1〜97モル%、下記一般式(I
I) (II)▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、X^2は水素原子またはアルキル基を表し、Z
^2は2価の炭化水素基を表し、R^4、R^5および
R^6はそれぞれ水素原子またはアルキル基を表す。]
で示される構造単位を1〜97モル%、下記一般式(I
II) (III)▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、X^3は水素原子またはアルキル基を表し、Y
^2はフェニル基、アルコキシカルボニル基またはカル
バモイル基を表し、一般式(III)における水素原子は
フッ素原子によつて置換されていてもよい。] で示される構造単位を0〜97モル%、および下記一般
式(IV) (IV)▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、X^4はメチレン基または酸素原子を表し、X
^5、X^6、X^7、X^8、X^9およびX^1^
0はそれぞれ水素原子またはアルキル基を表し、nは0
ないし3の整数である。] で示される構造単位を1〜97モル%有する重合体(A
)と、置換基を有していてもよい芳香族アルデヒドおよ
び芳香族ケトンからなる群より選ばれる化合物(B)と
からなる感光性樹脂組成物。 2、請求項1記載の感光性樹脂組成物により作製されて
なることを特徴とするパターン。3、(イ)下記一般式
( I ) ( I )▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、X^1は水素原子またはアルキル基を表し、Y
^1はシクロアルケニル基または下記一般式▲数式、化
学式、表等があります▼ で示される基を表す。ここで、Z^1は2価の炭化水素
基を表し、R^1、R^2およびR^3はそれぞれ水素
原子、アルキル基またはアルケニル基を表す。] で示される構造単位を1〜97モル%、下記一般式(I
I) (II)▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、X^2は水素原子またはアルキル基を表し、Z
^2は2価の炭化水素基を表し、R^4、R^5および
R^6はそれぞれ水素原子またはアルキル基を表す。]
で示される構造単位を1〜97モル%、下記一般式(I
II) (III)▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、X^3は水素原子またはアルキル基を表し、Y
^2はフェニル基、アルコキシカルボニル基またはカル
バモイル基を表し、一般式(III)における水素原子は
フッ素原子によって置換されていてもよい。] で示される構造単位を0〜97モル%、および下記一般
式(IV) (IV)▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、X^4はメチレン基または酸素原子を表し、X
^5、X^6、X^7、X^8、X^9およびX^1^
0はそれぞれ水素原子またはアルキル基を表し、nは0
ないし3の整数である。] で示される構造単位を1〜97モル%有する重合体(A
)と、置換基を有していてもよい芳香族アルデヒドおよ
び芳香族ケトンからなる群より選ばれる化合物(B)と
からなる感光性樹脂組成物の薄膜を形成する工程、 (ロ)薄膜に所望のパターンに応じて部分的に紫外線を
照射する工程、 および (ハ)薄膜から未反応の化合物(B)を除去する工程、
を設けてなることを特徴とするパターン作製法。
[Claims] 1. The following general formula (I) (I)▲ Numerical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ [In the formula, X^1 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and Y
^1 represents a cycloalkenyl group or a group represented by the following general formula ▲ Numerical formulas, chemical formulas, tables, etc. are available▼. Here, Z^1 represents a divalent hydrocarbon group, and R^1, R^2 and R^3 each represent a hydrogen atom, an alkyl group or an alkenyl group. ] 1 to 97 mol% of the structural unit represented by the following general formula (I
I) (II) ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ [In the formula, X^2 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and Z
^2 represents a divalent hydrocarbon group, and R^4, R^5 and R^6 each represent a hydrogen atom or an alkyl group. ]
1 to 97 mol% of the structural unit represented by the following general formula (I
II) (III)▲Mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ [In the formula, X^3 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and Y
^2 represents a phenyl group, an alkoxycarbonyl group or a carbamoyl group, and the hydrogen atom in general formula (III) may be substituted with a fluorine atom. ] 0 to 97 mol% of structural units represented by the following general formula (IV) (IV) ▲ Numerical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ [In the formula,
^5, X^6, X^7, X^8, X^9 and X^1^
0 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and n is 0
An integer between 3 and 3. ] A polymer having 1 to 97 mol% of structural units represented by (A
) and a compound (B) selected from the group consisting of aromatic aldehydes and aromatic ketones that may have substituents. 2. A pattern produced from the photosensitive resin composition according to claim 1. 3. (a) The following general formula (I) (I) ▲ Numerical formulas, chemical formulas, tables, etc. are available▼ [In the formula, X^1 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and Y
^1 represents a cycloalkenyl group or a group represented by the following general formula ▲ Numerical formulas, chemical formulas, tables, etc. are available▼. Here, Z^1 represents a divalent hydrocarbon group, and R^1, R^2 and R^3 each represent a hydrogen atom, an alkyl group or an alkenyl group. ] 1 to 97 mol% of the structural unit represented by the following general formula (I
I) (II) ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ [In the formula, X^2 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and Z
^2 represents a divalent hydrocarbon group, and R^4, R^5 and R^6 each represent a hydrogen atom or an alkyl group. ]
1 to 97 mol% of the structural unit represented by the following general formula (I
II) (III)▲Mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ [In the formula, X^3 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and Y
^2 represents a phenyl group, an alkoxycarbonyl group or a carbamoyl group, and the hydrogen atom in general formula (III) may be substituted with a fluorine atom. ] 0 to 97 mol% of structural units represented by the following general formula (IV) (IV) ▲ Numerical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ [In the formula,
^5, X^6, X^7, X^8, X^9 and X^1^
0 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and n is 0
An integer between 3 and 3. ] A polymer having 1 to 97 mol% of structural units represented by (A
) and a compound (B) selected from the group consisting of aromatic aldehydes and aromatic ketones which may have substituents; (b) forming a thin film as desired in the thin film; (c) removing unreacted compound (B) from the thin film;
A pattern manufacturing method characterized by providing.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2000080124A (en) * 1998-08-27 2000-03-21 Hyundai Electronics Ind Co Ltd Photoresist monomer, photoresist copolymer and preparation thereof, photoresist composition, photoresist pattern formation method, and semiconductor device
JP2019517598A (en) * 2016-06-03 2019-06-24 コアテツクス Copolymer with thickening and suspending properties
CN110857267A (en) * 2018-08-22 2020-03-03 昱镭光电科技股份有限公司 Aromatic ketone compound and organic light emitting device thereof

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