JPH03246954A - 異物処理装置 - Google Patents
異物処理装置Info
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- JPH03246954A JPH03246954A JP4347490A JP4347490A JPH03246954A JP H03246954 A JPH03246954 A JP H03246954A JP 4347490 A JP4347490 A JP 4347490A JP 4347490 A JP4347490 A JP 4347490A JP H03246954 A JPH03246954 A JP H03246954A
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体基板、フォトマスク基板等の表面に付着した異物
を検出、分析、除去する装置に関し、作業時間の短縮、
設備費の低減、設備設置スペースの低減等が可能な異物
処理装置を提供することを目的とし、 （１）単一の基板保持台１１と、単一の光源１２と、光
波長変換手段１３と、光検出器１７とを備え、該基板保
持台１１上に保持した基板１の表面に付着している異物
を光学的手段により検出、分析、除去するように構成す
る。
を検出、分析、除去する装置に関し、作業時間の短縮、
設備費の低減、設備設置スペースの低減等が可能な異物
処理装置を提供することを目的とし、 （１）単一の基板保持台１１と、単一の光源１２と、光
波長変換手段１３と、光検出器１７とを備え、該基板保
持台１１上に保持した基板１の表面に付着している異物
を光学的手段により検出、分析、除去するように構成す
る。
（２）光源１２はＮｄ：ＹＡＧレーザであり、異物の検
出にはその第２高調波を、異物の分析にはその第３高調
波を、異物の除去にはその無変調光をそれぞれ使用する
ように構成する。
出にはその第２高調波を、異物の分析にはその第３高調
波を、異物の除去にはその無変調光をそれぞれ使用する
ように構成する。
本発明は、半導体基板、フォトマスク基板等の表面に付
着した異物を検出、分析、除去する装置に関する。
着した異物を検出、分析、除去する装置に関する。
半導体装置の製造工程のうち、特にウェーハ処理工程に
おいてはウェーハ上への異物の付着の製品歩留りに及ぼ
す影響が大きい。又、ウェーハ処理に使用するフォトマ
スクについても同様である。
おいてはウェーハ上への異物の付着の製品歩留りに及ぼ
す影響が大きい。又、ウェーハ処理に使用するフォトマ
スクについても同様である。
それ故、付着した異物の検出、分析、除去は繰り返し実
施される。従って異物の検出、分析、除去のための作業
時間、設備費、設備設置スペースの削減が望まれている
。
施される。従って異物の検出、分析、除去のための作業
時間、設備費、設備設置スペースの削減が望まれている
。
従来は、ウェーハ上の異物の検出、分析、除去をそれぞ
れ独立した装置を使用して行っていた。
れ独立した装置を使用して行っていた。
その各々について第４図により説明する。第３図は従来
の異物検出、分析、除去各装置の概略構成図である。
の異物検出、分析、除去各装置の概略構成図である。
同図（ａ）は異物検出装置であり、光のビームを照射し
て異物からの乱反射光を光検出器で捉えることにより異
物を検出し、その個数や大きさ、位置等を知るものであ
る。図中、１は被処理物のウェーハである。３１ＡはＸ
Ｙステージであり、つ工−ハＩを真空吸着して保持する
と共に、Ｘ方向及びＹ方向に移動することが出来る。３
２Ａは光源であり、半導体レーザや水銀ランプ等が用い
られている。３４Ａはバンドパスフィルタ、３５Ａはミ
ラー３６八はスリットである。３７Ａは光検出器であり
、光電子増倍管等が用いられている。光検出器３７Ａの
出力信号は信号処理装置（図示は省略）を経て記憶装置
（図示は省略）に記憶される。
て異物からの乱反射光を光検出器で捉えることにより異
物を検出し、その個数や大きさ、位置等を知るものであ
る。図中、１は被処理物のウェーハである。３１ＡはＸ
Ｙステージであり、つ工−ハＩを真空吸着して保持する
と共に、Ｘ方向及びＹ方向に移動することが出来る。３
２Ａは光源であり、半導体レーザや水銀ランプ等が用い
られている。３４Ａはバンドパスフィルタ、３５Ａはミ
ラー３６八はスリットである。３７Ａは光検出器であり
、光電子増倍管等が用いられている。光検出器３７Ａの
出力信号は信号処理装置（図示は省略）を経て記憶装置
（図示は省略）に記憶される。
同図（ｂ）は異物分析装置であり、紫外線のビームを照
射して異物から発する蛍光を光検出器で捉え、異物の種
類を分析するものである。図中、１は被処理物のウェー
ハである。３１ＢはＸＹステージであり、ウェーハ１を
真空吸着して保持すると共に、Ｘ方向及びＹ方向に移動
することが出来る。
射して異物から発する蛍光を光検出器で捉え、異物の種
類を分析するものである。図中、１は被処理物のウェー
ハである。３１ＢはＸＹステージであり、ウェーハ１を
真空吸着して保持すると共に、Ｘ方向及びＹ方向に移動
することが出来る。
３２Ｂは光源であり、水銀ランプ等が用いられている。
３４Ｂはバンドパスフィルタ、３５Ｂはミラー３６Ｂは
スリットである。３７Ｂは光検出器であり、光電子増倍
管等が用いられている。光検出器３７Ｂの出力信号は信
号処理装置（図示は省略）を経て記憶袋Ｗ（図示は省略
）に記憶される。
スリットである。３７Ｂは光検出器であり、光電子増倍
管等が用いられている。光検出器３７Ｂの出力信号は信
号処理装置（図示は省略）を経て記憶袋Ｗ（図示は省略
）に記憶される。
同図（ｃ）は異物除去装置であり、光のビームを照射し
て異物を蒸発させるものである。図中、１は被処理物の
ウェーハである。３１ＣはＸＹステージであり、ウェー
ハ１を真空吸着して保持すると共に、Ｘ方向及びＹ方向
に移動することが出来る。
て異物を蒸発させるものである。図中、１は被処理物の
ウェーハである。３１ＣはＸＹステージであり、ウェー
ハ１を真空吸着して保持すると共に、Ｘ方向及びＹ方向
に移動することが出来る。
３２Ｃは光源であり、大出力のＹＡＧレーザ等が用いら
れている。３５Ｃはミラー、３６Ｃはスリットである。
れている。３５Ｃはミラー、３６Ｃはスリットである。
これらの処理装置は半導体装置の製造ラインにあって次
のように使用される。先ずウェーハ１を異物検出装置の
ＸＹ子テーブル１Ａ上の所定の位置に載置し、真空吸着
する。ＸＹ子テーブル１＾をＸ方向及びＹ方向に移動し
ながら光のビームをウェーハ１に照射し、検出した異物
の情報（個数、大きさ、位置等）を記憶装置に記憶させ
る。その後、真空吸着を解除してウェーハ１を異物検出
装置から外す、異物検出を終えたウェーハ１のうちの一
部を抜き取り、これを異物分析装置のＸＹ子テーブル１
Ｂ上の所定の位置に載置し、真空吸着する。
のように使用される。先ずウェーハ１を異物検出装置の
ＸＹ子テーブル１Ａ上の所定の位置に載置し、真空吸着
する。ＸＹ子テーブル１＾をＸ方向及びＹ方向に移動し
ながら光のビームをウェーハ１に照射し、検出した異物
の情報（個数、大きさ、位置等）を記憶装置に記憶させ
る。その後、真空吸着を解除してウェーハ１を異物検出
装置から外す、異物検出を終えたウェーハ１のうちの一
部を抜き取り、これを異物分析装置のＸＹ子テーブル１
Ｂ上の所定の位置に載置し、真空吸着する。
ＸＹ子テーブル１ＢをＸ方向及びＹ方向に移動しながら
紫外線のビームをウェーハ１に照射し、蛍光を検出した
異物の情報（個数、位置等）を記憶装置に記憶させる。
紫外線のビームをウェーハ１に照射し、蛍光を検出した
異物の情報（個数、位置等）を記憶装置に記憶させる。
その後、真空吸着を解除してウェーハ１を異物分析装置
から外す。尚、この情報は後に製造環境の清浄度管理等
に利用する。次に、異物を検出した総てのウェーハ１
（異物分析を実施したものを含む）、又は一定個数以上
の異物が検出されたウェーハ１については、これを異物
除去装置のＸＹ子テーブル１Ｃ上の所定の位置に載置し
、真空吸着する。異物検出器による異物の位置情報に基
づき、ＸＹ子テーブル１ＣをＸ方向及びＹ方向に移動し
ながら光のビームをウェーハ１上の異物に照射し、これ
を蒸発させて除去する。その後、真空吸着を解除してウ
ェーハ１を異物除去装置から外す。
から外す。尚、この情報は後に製造環境の清浄度管理等
に利用する。次に、異物を検出した総てのウェーハ１
（異物分析を実施したものを含む）、又は一定個数以上
の異物が検出されたウェーハ１については、これを異物
除去装置のＸＹ子テーブル１Ｃ上の所定の位置に載置し
、真空吸着する。異物検出器による異物の位置情報に基
づき、ＸＹ子テーブル１ＣをＸ方向及びＹ方向に移動し
ながら光のビームをウェーハ１上の異物に照射し、これ
を蒸発させて除去する。その後、真空吸着を解除してウ
ェーハ１を異物除去装置から外す。
ところがこのように異物の検出、分析、除去の各処理を
それぞれ専用の装置で行うと、処理に多大の作業時間を
費やすと共に、多大の設備費と多大の設備設置スペース
を必要とするという問題があった０ 本発明は、このような問題を解決して、作業峙間の短縮
、設備費の低減、設備設置スペースの低減等が可能な異
物処理装置を提供することを目的とする。
それぞれ専用の装置で行うと、処理に多大の作業時間を
費やすと共に、多大の設備費と多大の設備設置スペース
を必要とするという問題があった０ 本発明は、このような問題を解決して、作業峙間の短縮
、設備費の低減、設備設置スペースの低減等が可能な異
物処理装置を提供することを目的とする。
この目的は、本発明によれば、（１）単一の基板保持台
１１と、単一の光源１２と、光波長変換手段１３と、光
検出器１７とを備え、該基板保持台ｌｌ上に保持した基
板１の表面に付着している異物を光学的手段により検出
、分析、除去することを特徴とする異物処理装置とし、
（２）光源１２はＮｄ：ＹＡＧレーザであり、異物の検
出にはその第２高調波を、異物の分析にはその第３高調
波を、異物の除去にはその無変調光をそれぞれ使用する
ことを特徴とする異物処理装置とすることで、達成され
る。
１１と、単一の光源１２と、光波長変換手段１３と、光
検出器１７とを備え、該基板保持台ｌｌ上に保持した基
板１の表面に付着している異物を光学的手段により検出
、分析、除去することを特徴とする異物処理装置とし、
（２）光源１２はＮｄ：ＹＡＧレーザであり、異物の検
出にはその第２高調波を、異物の分析にはその第３高調
波を、異物の除去にはその無変調光をそれぞれ使用する
ことを特徴とする異物処理装置とすることで、達成され
る。
第３図により明らかなように、従来の異物の検出、分析
、除去各装置の構成は良くイ以ている。但し、光源はそ
れぞれ異なった種類のものが使用されている。それはそ
れぞれの装置において光源に対する要求が異なるためで
ある。即ち、異物検出装置においては光の波長が光検出
器の高感度領域であることが要求され（多くの場合、可
視光がよい）、異物分析装置においては光の波長が情報
量の多い蛍光を励起するものであることが要求され（紫
外線がよい）、異物除去装置においては異物を瞬時に蒸
発せしめるに足るパワーが要求される（ＹＡＧレーザ等
が適当）。
、除去各装置の構成は良くイ以ている。但し、光源はそ
れぞれ異なった種類のものが使用されている。それはそ
れぞれの装置において光源に対する要求が異なるためで
ある。即ち、異物検出装置においては光の波長が光検出
器の高感度領域であることが要求され（多くの場合、可
視光がよい）、異物分析装置においては光の波長が情報
量の多い蛍光を励起するものであることが要求され（紫
外線がよい）、異物除去装置においては異物を瞬時に蒸
発せしめるに足るパワーが要求される（ＹＡＧレーザ等
が適当）。
本発明では、異物除去に必要なパワーを有する光源から
得られる光の波長を用途に応じて変換することにより、
単一の光源を持つ一台の装置で異物の検出、分析、除去
の総ての処理を行うことを可能とした。具体的には、従
来から異物除去装置に採用されている大出力のＮｄ ：
ＹＡＧレーザ（波長は１．０６４ ｎｍ）を用い、異
物検出用には第２高調波（５３２ｎｍ）に、また異物分
析には第３高調波（３５４ｎｍ）に変換して使用する。
得られる光の波長を用途に応じて変換することにより、
単一の光源を持つ一台の装置で異物の検出、分析、除去
の総ての処理を行うことを可能とした。具体的には、従
来から異物除去装置に採用されている大出力のＮｄ ：
ＹＡＧレーザ（波長は１．０６４ ｎｍ）を用い、異
物検出用には第２高調波（５３２ｎｍ）に、また異物分
析には第３高調波（３５４ｎｍ）に変換して使用する。
本発明に基づく異物処理装置の実施例を第１図及び第２
図により説明する。第１図は本発明の実施例の装置概略
構成図である。図中、１は被処理物のウェーハである。
図により説明する。第１図は本発明の実施例の装置概略
構成図である。図中、１は被処理物のウェーハである。
１１はＸＹステージであり、ウェーハ１を真空吸着して
保持すると共に、Ｘ方向及びＹ方向に移動することが出
来る。１２は光源であり、大出力（数百ワット）のＮｄ
： ＹＡＧレーザ（波長は１，０６４ ｎｍ）を用い
た。１３は周波数変調器（光波長変換手段）であり、光
源１２からの入射光をそのまま通過させること、第２高
調波に変調すること、並びに第３高調波に変調すること
が可能である。この詳細は後述する。１４は所望の波長
だけを通過させるバンドパスフィルタ、１５はミラー、
１６はスリットである。１７は光検出器であり、光電子
増倍管を用いた。光検出器１７の出力信号は信号処理装
置（図示は省略）を経て記憶装置（図示は省略）に記憶
される。
保持すると共に、Ｘ方向及びＹ方向に移動することが出
来る。１２は光源であり、大出力（数百ワット）のＮｄ
： ＹＡＧレーザ（波長は１，０６４ ｎｍ）を用い
た。１３は周波数変調器（光波長変換手段）であり、光
源１２からの入射光をそのまま通過させること、第２高
調波に変調すること、並びに第３高調波に変調すること
が可能である。この詳細は後述する。１４は所望の波長
だけを通過させるバンドパスフィルタ、１５はミラー、
１６はスリットである。１７は光検出器であり、光電子
増倍管を用いた。光検出器１７の出力信号は信号処理装
置（図示は省略）を経て記憶装置（図示は省略）に記憶
される。
前述の周波数変調器１３としては非線型光学結晶を用い
たものを採用した。これを第２図に′より説明する。第
２図は非線型光学結晶を用いた周波数変調器の模式図で
ある。図中、２１は回転円板、２２及び２３は非線型光
学結晶、２４は透孔である。このうち２２は第２高調波
発生用のＫＤＰＸＫＴＰ、ＬｉＩＯ３等の非線型光学結
晶であり、２３は第３高調波発生用のＫＢ５、β−Ｂａ
８３０ｍ等の非線型光学結晶である。この非線型光学結
晶２２．２３及び透孔２４は回転円板２１の回転中心か
ら等距離にあり、回転円板２１を回転することにより、
光源１２を発した光ビームの光路にこの非線型光学結晶
２２．２３、透孔２４の何れかを配設することが出来る
。
たものを採用した。これを第２図に′より説明する。第
２図は非線型光学結晶を用いた周波数変調器の模式図で
ある。図中、２１は回転円板、２２及び２３は非線型光
学結晶、２４は透孔である。このうち２２は第２高調波
発生用のＫＤＰＸＫＴＰ、ＬｉＩＯ３等の非線型光学結
晶であり、２３は第３高調波発生用のＫＢ５、β−Ｂａ
８３０ｍ等の非線型光学結晶である。この非線型光学結
晶２２．２３及び透孔２４は回転円板２１の回転中心か
ら等距離にあり、回転円板２１を回転することにより、
光源１２を発した光ビームの光路にこの非線型光学結晶
２２．２３、透孔２４の何れかを配設することが出来る
。
この異物処理装置は半導体装置の製造ラインにおいて次
のように使用する。先ず光源１２を発した光ビームの波
長を周波数変調器１３によりその第２高調波（可視光）
に変換しておき、ウェーハ１をＸＹ子テーブル１上の所
定の位置に載置し、真空吸着する。ＸＹ子テーブル１を
Ｘ方向及びＹ方向に移動しながら第２高調波のビームを
ウェーハ１に照射し、検出した異物の情報（個数、大き
さ、位置等）を記憶装置に記憶させる。次に光源１２を
発した光ビームの波長がその第３高調波（紫外線）に変
換されるように周波数変調器１３を切り換え、再びＸＹ
子テーブル１をＸ方向及びＹ方向に移動しながら第３高
調波のビームをウェーハ１に照射し、蛍光を検出した異
物の情報（個数、位置等）を記憶装置に記憶させる。そ
の後、光源１２を発した光ビームがそのまま通過するよ
うに周波数変調器１３を切り換え、異物検出時の異物の
位置情報に基づき、ｘｙ子テーブル１をＸ方向及びＹ方
向に移動しながら光のビームをウェーハ１上の異物に照
射し、これを蒸発させて除去する。その後、真空吸着を
解除してウェーハ１を異物処理装置から外す。
のように使用する。先ず光源１２を発した光ビームの波
長を周波数変調器１３によりその第２高調波（可視光）
に変換しておき、ウェーハ１をＸＹ子テーブル１上の所
定の位置に載置し、真空吸着する。ＸＹ子テーブル１を
Ｘ方向及びＹ方向に移動しながら第２高調波のビームを
ウェーハ１に照射し、検出した異物の情報（個数、大き
さ、位置等）を記憶装置に記憶させる。次に光源１２を
発した光ビームの波長がその第３高調波（紫外線）に変
換されるように周波数変調器１３を切り換え、再びＸＹ
子テーブル１をＸ方向及びＹ方向に移動しながら第３高
調波のビームをウェーハ１に照射し、蛍光を検出した異
物の情報（個数、位置等）を記憶装置に記憶させる。そ
の後、光源１２を発した光ビームがそのまま通過するよ
うに周波数変調器１３を切り換え、異物検出時の異物の
位置情報に基づき、ｘｙ子テーブル１をＸ方向及びＹ方
向に移動しながら光のビームをウェーハ１上の異物に照
射し、これを蒸発させて除去する。その後、真空吸着を
解除してウェーハ１を異物処理装置から外す。
尚、異物分析情報は後に製造環境の清浄度管理等に利用
するものであり、従って異物分析を必ずしもウェーハ１
全数について実施しな（でもよい。
するものであり、従って異物分析を必ずしもウェーハ１
全数について実施しな（でもよい。
又、異物除去は異物を検出した総てのウェーハ１につい
て実施しても、或いは一定個数以上の異物が検出された
ウェーハ１についてのみ実施してもよい。
て実施しても、或いは一定個数以上の異物が検出された
ウェーハ１についてのみ実施してもよい。
本発明は以上の実施例に限定されることなく、更に種々
変形して実施出来る。例えば、ウェーハではなくフォト
マスクの異物処理に適用することも出来る。又、光源と
してＮｄ ： ＹＡＧレーザ以外の大出力レーザを用い
ることが可能であり、周波数変調器として音響光学光偏
向器を用いることが可能である。
変形して実施出来る。例えば、ウェーハではなくフォト
マスクの異物処理に適用することも出来る。又、光源と
してＮｄ ： ＹＡＧレーザ以外の大出力レーザを用い
ることが可能であり、周波数変調器として音響光学光偏
向器を用いることが可能である。
以上説明したように、本発明によれば、作業時間の短縮
、設備費の低減、設備設置スペースの低減等が可能な異
物処理装置を提供することが出来るため、半導体装置等
の製造合理化等に寄与するところが大である。
、設備費の低減、設備設置スペースの低減等が可能な異
物処理装置を提供することが出来るため、半導体装置等
の製造合理化等に寄与するところが大である。
第１図は本発明の実施例の装置概略構成図、第２図は非
線型光学結晶を用いた周波数変調器の模式図、 第３図は従来の異物検出、分析、除去各装置の概略構成
図、である。 図中、１はウェーハ（基板）、 １１．３１Ａ、３１Ｂ、３１ＣはＸＹ子テーブル基板保
持台）、 １２、３２＾、 ３２８ 、３２Ｃは光源、１３は周波
数変調器（光波長変換手段）、１４、３４Ａ、 ３４Ｂ
はバンドパスフィルタ、１５．３５Ａ、３５Ｂ、３５Ｃ
はミラー１６．３６Ａ、３６Ｂ、３６Ｃはスリット、１
７、３７Ａ、 ３７Ｂは光検出器、である。 ２３、井穆甲χ学鞘晶 （（１）平面図 （１））断面図
線型光学結晶を用いた周波数変調器の模式図、 第３図は従来の異物検出、分析、除去各装置の概略構成
図、である。 図中、１はウェーハ（基板）、 １１．３１Ａ、３１Ｂ、３１ＣはＸＹ子テーブル基板保
持台）、 １２、３２＾、 ３２８ 、３２Ｃは光源、１３は周波
数変調器（光波長変換手段）、１４、３４Ａ、 ３４Ｂ
はバンドパスフィルタ、１５．３５Ａ、３５Ｂ、３５Ｃ
はミラー１６．３６Ａ、３６Ｂ、３６Ｃはスリット、１
７、３７Ａ、 ３７Ｂは光検出器、である。 ２３、井穆甲χ学鞘晶 （（１）平面図 （１））断面図
Claims (2)
- （１）単一の基板保持台（１１）と、単一の光源（１２
）と、光波長変換手段（１３）と、光検出器（１７）と
、を備え、 該基板保持台（１１）上に保持した基板（１）の表面に
付着している異物を光学的手段により検出、分析、除去
することを特徴とする異物処理装置。 - （２）光源（１２）はＮｄ：ＹＡＧレーザであり、異物
の検出にはその第２高調波を、異物の分析にはその第３
高調波を、異物の除去にはその無変調光をそれぞれ使用
することを特徴とする請求項（１）記載の異物処理装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4347490A JPH03246954A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 異物処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4347490A JPH03246954A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 異物処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03246954A true JPH03246954A (ja) | 1991-11-05 |
Family
ID=12664721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4347490A Pending JPH03246954A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 異物処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03246954A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0606479A1 (en) * | 1991-10-01 | 1994-07-20 | OHMI, Tadahiro | Analyzer |
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| JP2017142143A (ja) * | 2016-02-09 | 2017-08-17 | 西進商事株式会社 | 蛍光測定装置及び蛍光測定方法 |
-
1990
- 1990-02-23 JP JP4347490A patent/JPH03246954A/ja active Pending
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