JPH03246510A - Formation of diffraction grating optical coupler - Google Patents

Formation of diffraction grating optical coupler

Info

Publication number
JPH03246510A
JPH03246510A JP2043908A JP4390890A JPH03246510A JP H03246510 A JPH03246510 A JP H03246510A JP 2043908 A JP2043908 A JP 2043908A JP 4390890 A JP4390890 A JP 4390890A JP H03246510 A JPH03246510 A JP H03246510A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical waveguide
diffraction grating
waveguide layer
thin film
propagation direction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2043908A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tomohiko Yoshida
智彦 吉田
Masanori Watanabe
昌規 渡辺
Osamu Yamamoto
修 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2043908A priority Critical patent/JPH03246510A/en
Publication of JPH03246510A publication Critical patent/JPH03246510A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enhance coupling efficiency and to miniaturize the above optical coupler by working a thin film or optical waveguide layer constituting a diffraction grating to a specific shape and changing the coefft. of coupling according to places. CONSTITUTION:The thin film 3 is laminated by gradually changing the thickness thereof in the propagating direction of the guided light in the optical waveguide layer and in succession, the thin film 3 is removed until the optical waveguide layer 2 is exposed, by which the groove width in the propagation direction of the respective grooves dug in the thin film 3 is so formed as to have the same length without depending upon the places. The height in the thin film patterns for each of the respective pitches in the thin-film patterns is successive ly changed in the propagation direction. The coefft. of coupling of the diffraction grating optical coupler is, therefore, changed along the propagation direction. The small-sized diffraction grating optical coupler which can make the light having an ordinary intensity distribution incident on the inside of the optical waveguide with good efficiency is obtd. in this way.

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は回折格子を用いて光導波路内に光を入射、また
は光導波路内の光を外部に出射させる回折格子光結合器
の作成方法に関するものである。
Detailed Description of the Invention (a) Industrial Application Field The present invention provides a method for creating a diffraction grating optical coupler that uses a diffraction grating to input light into an optical waveguide or output light in an optical waveguide to the outside. It is related to.

(ロ)従来の技術 従来、回折格子光結合器は小形で厚さも殆ど無く、集積
化が容易であることから集積化光ピツクアップ、集積化
光走査素子、集積化光ドツプラー速度計等の集積化光素
子に広く用いられてきている。光結合器として用いられ
る回折格子としては、一定のピッチの直線で構成された
もの、曲線状でピッチが徐々に変化していることにより
レンズのような集光ll!能を有するようtものなど種
々のパターン、ピッチのものが用いられており、その有
用性はますます高まっている。これらの回折格子光結合
器の作成方法としては、例えば、ピッチが長い場合には
通常のホトリソグラフィー法で、ピッチか短い場合には
ホログラフィック露光法等により光導波路層上にホトレ
ジスト等で回折格子光結合器パターンを作成し、その上
に適当な材料を蒸着し、リフトオフ法等により不必要な
膜を除去するいわゆるリフトオフ法や、光導波路層上に
回折格子光結合基材料を先に蒸着しておき、その後でホ
トレジストパターンを作成し前記材料をエツチングする
などして作成する。また、光導波路層自身をエツチング
して作成する場合もある。
(b) Conventional technology Conventionally, diffraction grating optical couplers are small, have almost no thickness, and are easy to integrate, so they have been used to integrate integrated optical pickups, integrated optical scanning elements, integrated optical Doppler velocimeters, etc. It has been widely used in optical devices. Diffraction gratings used as optical couplers include those that are composed of straight lines with a constant pitch, and those that are curved and have a gradually changing pitch to collect light like a lens. Various patterns and pitches, such as t-shaped ones, are used, and their usefulness is increasing. These diffraction grating optical couplers can be fabricated using the normal photolithography method if the pitch is long, or by the holographic exposure method if the pitch is short. The so-called lift-off method, in which an optical coupler pattern is created, an appropriate material is deposited on it, and unnecessary films are removed by a lift-off method, etc., or a diffraction grating optical coupling base material is first deposited on the optical waveguide layer. After that, a photoresist pattern is created and the material is etched. Alternatively, the optical waveguide layer itself may be etched.

(ハ)発明が解決しようとする課題 しかし、このような回折格子光結合器の結合効率は入射
光の強度分布が対称である場合には約80%が限度であ
る。この理由は以下のように説明される。fコだし、回
折格子光結合器による光導波路層内への光の入射は回折
格子光結合器からの光の出射とちょうど逆の作用と考え
られるので、出射効率について説明する。
(c) Problems to be Solved by the Invention However, the coupling efficiency of such a diffraction grating optical coupler is limited to approximately 80% when the intensity distribution of incident light is symmetrical. The reason for this is explained as follows. Since the input of light into the optical waveguide layer by the diffraction grating optical coupler is considered to be the exact opposite effect to the output of light from the diffraction grating optical coupler, the output efficiency will be explained.

第8図(a)および(b)は従来の回折格子光結合器の
構成を説明する図である。
FIGS. 8(a) and 8(b) are diagrams illustrating the structure of a conventional diffraction grating optical coupler.

第8図(b)において、回Fr格子光結合器53には、
LiNb0a基板51上の光導波路層52に回折格子5
8が形成されている。この回折格子は、光導波路層52
に掘られた谷溝60の、導波光54の伝播方向(T方向
)における溝幅Mが場所によらず同一長さに形成される
とともに、格子ピッチPも同一間隔になるような光導波
路パターンを残有させることによって形成されている。
In FIG. 8(b), the Fr grating optical coupler 53 includes:
A diffraction grating 5 is provided on the optical waveguide layer 52 on the LiNb0a substrate 51.
8 is formed. This diffraction grating is formed by the optical waveguide layer 52.
An optical waveguide pattern in which the groove width M of the groove 60 dug in the direction of propagation of the guided light 54 (T direction) is the same regardless of the location, and the grating pitch P is also the same. It is formed by leaving behind.

また、各ピッチごとの光導波路層パターン部分58+L
の高さHも、ざらにて方向におけるパターン部分の幅N
も同一長さに設定されている。
In addition, the optical waveguide layer pattern portion 58+L for each pitch
The height H is also the width N of the pattern part in the rough direction.
are also set to the same length.

而して、光導波路層を伝搬してきた光(導波光)は回折
格子光結合器の部分て空間へ放射されるため、この放射
光の強度は微少な区間に於いては伝搬する光の強度Pと
回折格子光結合器の結合係数ηとの積に比例すると考え
られる。回折格子光結合器の結合効率ηがどの部分でも
一定であるとすると、伝搬する光は回折格子光結合器を
通過するあいだに徐々に減衰するので、回折格子部分に
おける光の強度は徐々に減衰することになる。このこと
を式で表すと、 dP/dz=  77F     (1)となる。ここ
で、Pは回折格子部分における任意の位置での光の強度
、2は光の伝搬方向を表す。
The light that has propagated through the optical waveguide layer (guided light) is radiated into space through the grating optical coupler, so the intensity of this emitted light is very small compared to the intensity of the propagating light. It is considered that it is proportional to the product of P and the coupling coefficient η of the diffraction grating optical coupler. Assuming that the coupling efficiency η of the diffraction grating optical coupler is constant in all parts, the propagating light gradually attenuates while passing through the diffraction grating optical coupler, so the intensity of the light at the diffraction grating part gradually attenuates. I will do it. This can be expressed as follows: dP/dz=77F (1). Here, P represents the intensity of light at an arbitrary position in the diffraction grating portion, and 2 represents the propagation direction of the light.

導波光が回折格子光結合器53に入射する点z−〇にお
ける光の強度をP。とすると、(1)式の解は P−Poexp (77Z)     (2)となり、
第8図内に示したように回折格子上での導波光54の強
度分布56「第8図(a)参、照コは指数関数的になる
ことがわかる。逆に、入射光として、このような指数関
数的な強度分布を宵する光を、一定の結合係数を有する
回折格子光結合器に入射させれば100%の結合効率が
得られることになる。しかし現実には、そのような強度
分布を有する光を作ることは困難であり、たいていの光
源からでた光は対称な強度分布を持っている。
The intensity of the light at the point z-〇 where the guided light enters the diffraction grating optical coupler 53 is P. Then, the solution to equation (1) is P-Poexp (77Z) (2),
As shown in Fig. 8, the intensity distribution 56 of the guided light 54 on the diffraction grating is exponential. If light with an exponential intensity distribution such as It is difficult to create light with an intensity distribution, and the light emitted from most light sources has a symmetrical intensity distribution.

このrこめ、結合係数が一定の回折格子光結合器では通
常のレーザ光に対し100%の結合効率を得ることがで
きないのである。
Because of this, a diffraction grating optical coupler with a constant coupling coefficient cannot achieve 100% coupling efficiency for normal laser light.

このため、回折格子光結合器の結合効率を、より高くす
るためには回折格子部分における導波光の強度分布が通
常のレーザ光によくみられるようなガウス分布型になる
ようにするのがよい。このためには本発明者らが先に示
したように結合係数が直線的に変化するように設計すれ
ばよい。結合係数を変化させる方法としては先の発明(
特願平1−38686号)で示したような光導波路層の
等偏屈折率を変化させる方法があるが、結合係数の変化
が小さいため回折格子光結合器の長さを長くしなければ
ならないという問題点があった。
Therefore, in order to increase the coupling efficiency of the diffraction grating optical coupler, it is better to make the intensity distribution of the guided light in the diffraction grating part a Gaussian distribution type, which is often seen in ordinary laser light. . For this purpose, the coupling coefficient may be designed to vary linearly, as previously shown by the inventors. As a method of changing the coupling coefficient, the previous invention (
There is a method of changing the equipolarized refractive index of the optical waveguide layer as shown in Japanese Patent Application No. 1-38686, but since the change in the coupling coefficient is small, the length of the diffraction grating optical coupler must be increased. There was a problem.

(ニ)課題を解決するための手段および作用この発明は
、光導波路層、またはその光導波路層上に形成された薄
膜を光と同程度の周期でストライプ状に除去して複数の
溝を形成するか、または残して光導波路層パターン、ま
たはN膜パターンを形成することにより回折格子を作成
し、その光導波路層内に光を入射、またはその光導波路
層内の光を外部に出射させるようにした回折格子光結合
器を作成するに際して、次の(A) 、 (B)又は(
C)の何れか、すなわち、(A)薄膜を光導波路層内の
導波光の伝播方向にその膜厚を徐々に変化させて積層し
、続いて上記薄膜を光導波路層に達するまで除去するこ
とによって薄膜に掘られた谷溝の上記伝播方向における
溝幅を場所によらず同一長さになるよう形成するととも
に、薄膜パターンにおける各ピッチごとの薄膜パターン
部分の高さを上記伝播方向に順次変化させ、あるいは、
(B)薄膜を積層した後、薄膜に掘られた谷溝の上記伝
播方向における溝幅を場所によらず同一長さになるよう
形成するとともに、薄膜パターンにおける上記各溝の深
さを上記伝播方向に順次変化さ仕、あるいは、(C)薄
膜を積層した後、その薄膜を光導波路層に達するまで除
去することによって薄膜に掘られfコ谷溝の光導波路層
内の導波光の伝播方向における溝幅を順次変化させ、得
られた薄膜パターンを回折格子パターンとして光導波路
層を除去することによって光導波路層に掘られた谷溝の
上記伝播方向における溝幅を順次変化させるよう光導波
路層パターンを残存させて、各ピッチごとの光導波路層
パターン部分の上記伝播方向におけるパターン幅を順次
変化させ、それによって回折格子光結合器の結合係数を
上記伝播方向に沿って変化させるようにしたことを特徴
とする回折格子光結合器の作成方法を提供するものであ
る。
(d) Means and Effects for Solving the Problems This invention forms a plurality of grooves by removing an optical waveguide layer or a thin film formed on the optical waveguide layer in stripes at a period comparable to that of light. A diffraction grating is created by forming an optical waveguide layer pattern or an N film pattern by leaving it on or leaving it behind, so that light can enter the optical waveguide layer or the light within the optical waveguide layer can be emitted to the outside. When creating a diffraction grating optical coupler, the following (A), (B) or (
Either of C), that is, (A) laminating thin films while gradually changing the film thickness in the propagation direction of guided light in the optical waveguide layer, and then removing the thin film until reaching the optical waveguide layer; The groove width in the propagation direction of the groove dug in the thin film is formed to be the same length regardless of the location, and the height of the thin film pattern portion for each pitch in the thin film pattern is sequentially changed in the propagation direction. or,
(B) After laminating the thin films, the groove width in the propagation direction of the grooves dug in the thin film is formed to be the same length regardless of the location, and the depth of each groove in the thin film pattern is adjusted as described above in the propagation direction. (C) After laminating thin films, the thin film is removed until it reaches the optical waveguide layer, thereby changing the propagation direction of the guided light in the optical waveguide layer. The groove width in the propagation direction of the grooves dug in the optical waveguide layer is sequentially changed by sequentially changing the groove width in the propagation direction and removing the optical waveguide layer using the obtained thin film pattern as a diffraction grating pattern. The pattern remains and the pattern width in the propagation direction of the optical waveguide layer pattern portion for each pitch is sequentially changed, thereby changing the coupling coefficient of the diffraction grating optical coupler along the propagation direction. The present invention provides a method for producing a diffraction grating optical coupler characterized by the following.

また、別の観点から、基板上に形成された光導波路層内
に光を入射、またはその光導波路層内の光を外部に出射
させるようにした回折格子光結合器において、光導波路
層上に薄膜を形成した後、その薄膜上に、光導波路層内
の導波光の伝播方向に沿って電子ビームを順次照射し、
上記薄膜上の電子ビーム照射部分の面積を格子ピッチご
とに変化させ、それによって電子ビーム照射部分の屈折
率を変化ざ仕るとともに、屈折率変化の割合も電子ビー
ム照射部分の面積に応じて変化させ、回折格子光結合器
の結合係数を上記伝播方向に沿って変化させるようにし
たことを特徴とする回折格子光結合器の作成方法を提供
するものである。
From another perspective, in a diffraction grating optical coupler that allows light to enter an optical waveguide layer formed on a substrate or emit light within the optical waveguide layer to the outside, After forming the thin film, the thin film is sequentially irradiated with an electron beam along the propagation direction of the guided light in the optical waveguide layer,
The area of the electron beam irradiated part on the thin film is changed for each grating pitch, thereby changing the refractive index of the electron beam irradiated part, and the rate of change in the refractive index also changes according to the area of the electron beam irradiated part. The present invention provides a method for producing a diffraction grating optical coupler, characterized in that the coupling coefficient of the diffraction grating optical coupler is changed along the propagation direction.

すなわち、この発明は、回折格子を構成する薄膜あるい
は光導波路層を特定の形状に加工したり、屈折率を変化
させた部分の割合を変化させるようにすることによって
、回折格子光結合器の結合係数を場所により変化させて
回折格子部分における導波光の強度分布を通常の光の強
度部分と等しくできるようにし、結合効率を高くするこ
とにより小型化できるようにしたものである。
That is, the present invention improves the coupling of a diffraction grating optical coupler by processing the thin film or optical waveguide layer constituting the diffraction grating into a specific shape or by changing the proportion of the portion where the refractive index is changed. By changing the coefficient depending on the location, the intensity distribution of the guided light in the diffraction grating portion can be made equal to the intensity portion of normal light, and by increasing the coupling efficiency, it is possible to reduce the size.

この発明において、光導波路層や光導波路層パターン、
あるいは、/I模、NH膜パターンさらにはレジスト膜
や回折格子パターン(レジスト膜の残りの部分)の厚さ
(層厚)とは、それらの高さ方向の長さを意味する。
In this invention, an optical waveguide layer, an optical waveguide layer pattern,
Alternatively, the thickness (layer thickness) of the /I pattern, NH film pattern, resist film or diffraction grating pattern (remaining portion of the resist film) means the length thereof in the height direction.

具体的には、回折格子光結合器の結合効率の変化を大き
くするため、薄膜を特定の形状に加工した例として、 (i)第6図に示すように、該回折格子光結合器を構成
しているTtO,I!i33の厚さを回折格子部分にお
いて徐々に変化させ〔第6図(c)参照]、格子ピッチ
Pごとのパターン部分33bの高さを導波光の伝播方向
に順次変化させる。
Specifically, in order to increase the change in the coupling efficiency of the diffraction grating optical coupler, as an example of processing a thin film into a specific shape, (i) the diffraction grating optical coupler is configured as shown in FIG. TtO, I! The thickness of the i33 is gradually changed in the diffraction grating portion [see FIG. 6(c)], and the height of the pattern portion 33b for each grating pitch P is sequentially changed in the propagation direction of the guided light.

(ii)回折格子を構成している線の太さの格子ピッチ
に対する割合を徐々に変化させる。すなわち、第5図(
d)に示すように、光導波路層の除去した部分(ill
)22b、または、残した部分(パターン部分)302
の割合を変化させる。
(ii) Gradually change the ratio of the thickness of the lines forming the diffraction grating to the grating pitch. In other words, Fig. 5 (
As shown in d), the removed portion of the optical waveguide layer (ill
) 22b or the remaining part (pattern part) 302
change the proportion of

(iii)第1図(c)に示すように、ITO膜に掘ら
れた溝too、totの深さを上記伝播方向に順次変化
させることにより、回折格子光結合器の結合効率を変化
させるようにしたものである。
(iii) As shown in Fig. 1(c), the coupling efficiency of the diffraction grating optical coupler can be changed by sequentially changing the depth of the grooves too and tot dug in the ITO film in the above propagation direction. This is what I did.

回折格子光結合器の結合効率は、回折格子光結合器を構
成している薄膜の厚さが十分薄い場合(0〜2000人
が好ましい)が好ましく、第3図に示した曲線G (T
Mモードの場合)では層厚の2乗に比例して増加し、例
えば、第3図の例では01波長分厚くなると、はぼ10
倍大きくなる。このため、層厚をわずかに変化させるだ
けで十分な結合効率の変化が得られ、回折格子光結合器
の小型化が計れる。
The coupling efficiency of the diffraction grating optical coupler is preferably determined when the thickness of the thin film constituting the diffraction grating optical coupler is sufficiently thin (preferably 0 to 2000), as shown in the curve G (T
In the case of M mode), the layer thickness increases in proportion to the square of the layer thickness.For example, in the example shown in Fig. 3, when the thickness increases by 01 wavelength, the
Become twice as large. Therefore, a sufficient change in coupling efficiency can be obtained by only slightly changing the layer thickness, and the size of the diffraction grating optical coupler can be reduced.

一方、回折格子を構成している線の太さの格子ピッチに
対する割合を変えたときの結合効率の変化は、第4図に
示したようにアスペクト比が0.5に対し、はぼ対称な
放物線状の曲線K (TMモードの場合)になる。この
場合は、上記層厚を変化させた場合に比べ結合効率の変
化は小さいが、屈折率を変化させた場合に比べると大き
く、層厚を変えた場合よりは制御性は良くなる。
On the other hand, the change in coupling efficiency when the ratio of the thickness of the lines constituting the diffraction grating to the grating pitch is changed is almost symmetrical when the aspect ratio is 0.5, as shown in Figure 4. It becomes a parabolic curve K (in case of TM mode). In this case, the change in coupling efficiency is smaller than when the layer thickness is changed, but it is larger than when the refractive index is changed, and the controllability is better than when the layer thickness is changed.

さらに、結合効率を高くするための方法として、第7図
に示すように、カルコゲナイドガラス薄膜43に、ピッ
チPを変えずに電子ビーム44を照射する部分の面積を
変え、それによって屈折率が変化した部分43a〜43
gの割合を変化させるようにしても良い。
Furthermore, as a method for increasing the coupling efficiency, as shown in FIG. 7, the area of the part of the chalcogenide glass thin film 43 irradiated with the electron beam 44 is changed without changing the pitch P, thereby changing the refractive index. parts 43a to 43
The ratio of g may be changed.

(ホ)実施例 以下、本発明の実施例を図面を参照しなから詳細に説明
する。
(e) Examples Examples of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.

実施例1(第1の実施例) 第1図は通常のイオン交換法によりストライプ状に光導
波路層2を作成したニオブ酸リチウムの基[1上に回折
格子光結合器を作成する方法を示したものである。
Example 1 (First Example) Figure 1 shows a method for creating a diffraction grating optical coupler on a lithium niobate base [1] on which an optical waveguide layer 2 was created in the form of a stripe by a normal ion exchange method. It is something that

第1図において、まず、4000人厚の光導波路層2を
作成した基板1上に、回折格子光結合器を構成する薄膜
として例えば1500人厚のIrO膜3を通常のマグネ
トロンスパッタリング法で蒸着しfこ後、電子ビームレ
ジスト4を塗布し、電子ビーム露光法により回折格子光
結合器パターンを描画する。
In FIG. 1, first, on a substrate 1 on which an optical waveguide layer 2 with a thickness of 4000 nm is formed, an IrO film 3 having a thickness of, for example, 1500 nm is deposited by ordinary magnetron sputtering as a thin film constituting a diffraction grating optical coupler. After f, an electron beam resist 4 is applied, and a diffraction grating optical coupler pattern is drawn by electron beam exposure.

その際、電子ビーム5の露光量をピッチ毎に徐々に変化
させることにより、現像後のレジスト膜の残りの厚さが
少しづつ変化するようにしておく(第1図(a)参照)
At this time, by gradually changing the exposure amount of the electron beam 5 for each pitch, the remaining thickness of the resist film after development is made to change little by little (see Figure 1 (a)).
.

その後、Arイオンビーム6によるエツチング法により
電子ビームレジスト4とITO@3を続けてエツチング
する(第1図(b)参照)と、レジスト膜4の残りの部
分(回折格子パターン)4aの厚さに比例してITO膜
3がエツチングされ、得られた【TO膜パターン3aを
回折格子として加工できる(第1図(c)参照)。
Thereafter, when the electron beam resist 4 and ITO@3 are successively etched by the etching method using the Ar ion beam 6 (see FIG. 1(b)), the thickness of the remaining portion (diffraction grating pattern) 4a of the resist film 4 is reduced. The ITO film 3 is etched in proportion to the etching rate, and the obtained TO film pattern 3a can be processed as a diffraction grating (see FIG. 1(c)).

即ち、ITO膜3の除去部分からなる複数の溝のうち、
回折格子パターン4&における溝底面とITO膜3の上
面間の膜部分が厚い部分、例えば、第1図(b)におい
て符号141で示す部分(仮想線で示す)の厚さより厚
い符号+42で示す部分(仮想線で示す)に対応するI
TO膜エツチング部分ではITO膜は殆どエツチングさ
れずに、例えば最小の深さを有する最も浅い溝100が
形成され、薄い部分に対応するITO膜エツチング部分
ではITOIIは深くエツチングされて、例えば最大の
深さを有する最も深い溝101が光導波路層2に到達す
るよう形成されることになる[第1図(c)参照コ。こ
のため、回折格子を構成する■TO膜パターン3aとし
て、その溝の深さが浅い溝100から長いJIOIへと
徐々に変化した、回折格子光結合器が作成されることに
なる(竿1図(C)参照)。
That is, among the plurality of grooves formed by the removed portion of the ITO film 3,
A portion where the film portion between the groove bottom surface and the top surface of the ITO film 3 in the diffraction grating pattern 4& is thicker, for example, the portion indicated by +42 which is thicker than the portion indicated by the symbol 141 (indicated by a phantom line) in FIG. 1(b). I corresponding to (indicated by phantom line)
In the etched portion of the TO film, the ITO film is hardly etched to form, for example, the shallowest groove 100 having the minimum depth, and in the etched portion of the ITO film corresponding to the thinner portion, the ITO II is etched deeply, for example, to the maximum depth. The deepest groove 101 with the highest depth is formed so as to reach the optical waveguide layer 2 [see FIG. 1(c)]. For this reason, a diffraction grating optical coupler is created in which the groove depth gradually changes from shallow groove 100 to long JIOI as TO film pattern 3a that constitutes the diffraction grating (Figure 1). (See (C)).

この際、溝幅Mは符号100や101あるいは、これら
の間に配設された谷溝(符号は省略した)とも同一長さ
に形成され、一方、矩形状の各パターン部分は互いに高
さは異なり、例えば、符号3bで示すものと30で示す
ものでは符号3Cのものの方が高さは高い(その他のパ
ターン部分の符号は省略した)。また、導波光伝播方向
のパターン幅Wは同一長さに形成される。回折格子光結
合器の結合効率は第3図に示したように膜厚が光の波長
の0.1以下程度の場合には膜厚の2乗に比例するので
、膜厚は位置の平方根に比例するようにしておけばよい
At this time, the groove width M is formed to have the same length as the numbers 100 and 101, or the valley grooves (the numbers are omitted) arranged between them, and on the other hand, the heights of the rectangular pattern parts are different from each other. For example, the height of the pattern 3C is higher than that of the pattern 3b (numerals of other pattern parts are omitted). Further, the pattern width W in the guided light propagation direction is formed to have the same length. As shown in Figure 3, the coupling efficiency of a diffraction grating optical coupler is proportional to the square of the film thickness when the film thickness is about 0.1 or less of the wavelength of light, so the film thickness is proportional to the square root of the position. Just make sure it's proportionate.

また、複数の溝の形状を、それぞれ大きさの異なる刃型
状に形成して、断面形状が鋸歯状形状のITO膜パター
ンを形成しても良い。
Alternatively, a plurality of grooves may be formed into blade shapes having different sizes, thereby forming an ITO film pattern having a sawtooth cross-sectional shape.

すなわち、第2図に示したように、1つの周期の内で露
光量を変化させることにより回折格子を形成しようとす
る領域Rにおいて、その1つの周期ごとに大きさの異な
る刃型の溝(例えば、符号102.103で示す)を形
成して断面形状が鋸歯状形状のITO膜パターン部分3
dを複数有するパターン3aを回折格子として加工する
こともできる。これにより、上記矩形の断面形状のパタ
ーン部分3cのときよりも結合効率を高くすることがで
き小型化が計れる。
That is, as shown in FIG. 2, in the region R where a diffraction grating is to be formed by changing the exposure amount within one period, blade-shaped grooves ( For example, an ITO film pattern portion 3 having a sawtooth cross-sectional shape is formed by forming
The pattern 3a having a plurality of d can also be processed as a diffraction grating. Thereby, the coupling efficiency can be made higher than in the case of the pattern portion 3c having a rectangular cross-sectional shape, and the size can be reduced.

なお、ITO膜パターンの断面形状は上記2つの形状に
限らず結合効率を高める形状であれば、適宜任意のもの
に加工することができるのはいうまでもない。
It goes without saying that the cross-sectional shape of the ITO film pattern is not limited to the above two shapes, but can be processed into any shape as long as it increases the coupling efficiency.

実施例2(第2の実施例) 上記実施例においては電子ビーム露光によるチャージア
ップを防ぐため導電性の膜であるITO膜を用いたもの
を示したが、通常の金属膜を用いたこの発明の第2の実
施例について説明する。
Example 2 (Second Example) In the above example, an ITO film, which is a conductive film, was used to prevent charge-up due to electron beam exposure, but this invention uses an ordinary metal film. A second example will be described.

第5図において、まず、上記実施例と同様にプロトン交
換法により光導波路層22を形成したLi N b O
y基板21上に、例えばAI膜23を抵抗加熱法等によ
り厚さ約200人まで蒸着し、該Al膜23上に電子ビ
ームレジスト24を塗布する。この上から電子ビーム2
5を照射して(第5図(a)参照)回折格子パターン2
4aを描画した(第5図(b)参照)。
In FIG. 5, first, an optical waveguide layer 22 is formed by the proton exchange method as in the above embodiment.
For example, an AI film 23 is deposited on the y-substrate 21 to a thickness of approximately 200 mm using a resistance heating method, and an electron beam resist 24 is coated on the Al film 23. Electron beam 2 from above
5 (see FIG. 5(a)) to form a diffraction grating pattern 2.
4a was drawn (see FIG. 5(b)).

この時、1周期内で露光する部分の割合を徐々に増加さ
せていくことにより結合効率を変化させた。このレジス
トパタ、−ン24aを現像した後、A IH23を例え
ばCC1,を反応ガスとするCC1,イオンビーム26
の反応性イオンエツチング法を用いてエツチングしく第
5図(b)参照)、AI膜パターン23aを形成する(
第5図(c)参照)。
At this time, the coupling efficiency was changed by gradually increasing the proportion of the exposed portion within one cycle. After developing the resist pattern 24a, the A IH 23 is used as a CC1, ion beam 26 using CC1 as a reactive gas.
The AI film pattern 23a is formed by etching using the reactive ion etching method (see FIG. 5(b)).
(See Figure 5(c)).

この際、レジストパターン24aをアセトン等の有機溶
剤で除去する。次に、このAt膜23の回折格子パター
ン23aをマスクとして03 F m等を反応ガスとし
て用いたC5Fsイオンビーム27の反応性イオンビー
ムエツチング法を用いて(第5図(c)参照)光導波路
層22をエツチングし、光導波路層パターン22aを形
成しく第5図(c)参照)、該パターン22aを回折格
子とする回折格子光結合器を形成する(第5図(d)参
照)。
At this time, the resist pattern 24a is removed using an organic solvent such as acetone. Next, using the diffraction grating pattern 23a of the At film 23 as a mask, an optical waveguide is etched using a reactive ion beam etching method using a C5Fs ion beam 27 using 03 Fm or the like as a reactive gas (see FIG. 5(c)). The layer 22 is etched to form an optical waveguide layer pattern 22a (see FIG. 5(c)), and a diffraction grating optical coupler is formed using the pattern 22a as a diffraction grating (see FIG. 5(d)).

この際、各光導波路層パターン部分、例えば、符号50
1と502で示すものは、矩形状で、パターン幅がd 
、、 d 2 (d t< d 、)と異なり当然谷溝
22bの幅も異なる(その他のパターン部分の符号は省
略した)。溝の深さやパターン幅の高さ(パターン層厚
)は各パターン部分ともすべて同じ長さである。
At this time, each optical waveguide layer pattern portion, for example, 50
1 and 502 are rectangular and have a pattern width of d.
,, d 2 (d t < d ,), and the width of the valley groove 22b is naturally different (numerals of other pattern parts are omitted). The depth of the groove and the height of the pattern width (pattern layer thickness) are all the same length for each pattern portion.

実施例3(第3の実施例) 本実施例の場合、第6図に示すように、光導波路層32
を作成したLiNb0.基板31上に透明なT t O
を膜33を通常の電子ビーム蒸着法の方向性のある蒸着
法により蒸着する。
Example 3 (Third Example) In the case of this example, as shown in FIG.
LiNb0. Transparent T t O on the substrate 31
The film 33 is deposited by a conventional directional electron beam deposition method.

その蒸着時には基板31のすぐ前方に配置されたシャッ
ター35をS方向に徐々に開くことにより蒸着されるT
 i Ox膜の膜厚を制御した(第6図(a)参照)。
At the time of vapor deposition, the shutter 35 disposed immediately in front of the substrate 31 is gradually opened in the S direction.
The thickness of the iOx film was controlled (see FIG. 6(a)).

即ち、T i O*膜33の膜厚はシャッター35が開
いている時間に比例するので、この比例係数をあらかじ
め実験で求めておき、それによってシャッター35を開
く速度を決定した。
That is, since the thickness of the T i O* film 33 is proportional to the time the shutter 35 is open, this proportionality coefficient was determined in advance through experiments, and the speed at which the shutter 35 was opened was determined based on it.

このようにして第611(b)に示すように光導波路層
32上に膜厚が徐々に変化した断面が斜面形状のT i
 O!膜33を形成し、続いてこの傾斜面33b上にホ
トレジスト膜37を塗布し、2光束361.36bを用
いた通常の2光束干渉露光法により回折格子パターン3
7aを作成しく第6図(c)参照)、HFとNH,Fの
混合液によりTi01膜33をエツチングしてTiO*
Miパターン33aの回折格子を形成する(第6図(d
)参照)。
In this way, as shown in No. 611(b), Ti
O! A film 33 is formed, and then a photoresist film 37 is applied on this inclined surface 33b, and a diffraction grating pattern 3 is formed by a normal two-beam interference exposure method using two light beams 361 and 36b.
7a (see Fig. 6(c)), the TiO1 film 33 is etched with a mixed solution of HF, NH, and F to form a TiO*
A diffraction grating of the Mi pattern 33a is formed (FIG. 6(d)
)reference).

この際、L i N b O2基板31はHFとNH,
Fの混合液では殆どエツチングされないので、作成され
た回折格子光結合器の膜厚、すなわち、TiO*l[パ
ターン33aの、例えば、パターン部分601(7)膜
厚D +i 元(’) T i OtR33(D膜厚d
(第6図(c)において、仮想線で示す部分333の高
さ)とほぼ等しく (Dad)、場所により徐々に変化
することになる。このため結合係数も変化することにな
るが、所望の値を得るためにはTiO2膜33の厚さを
十分制御する必要がある。そして、回折格子の谷溝(符
号33bで示すもので、他の溝の符号は省略し几)の導
波光伝播方向(T方向)における溝幅〜fおよびパター
ン部分の幅Wは同一長さであり、格子ピッチPごとのパ
ターン部分の高さ(例えば、パターン部分601では符
号りで示す)が伝播方向に順次変化している。
At this time, the L i N b O2 substrate 31 contains HF and NH,
Since the mixed solution of F is hardly etched, the film thickness of the created diffraction grating optical coupler, that is, TiO OtR33 (D film thickness d
(The height of the portion 333 indicated by the imaginary line in FIG. 6(c)) is approximately equal to (Dad), and gradually changes depending on the location. For this reason, the coupling coefficient will also change, but in order to obtain the desired value, it is necessary to sufficiently control the thickness of the TiO2 film 33. The groove width ~f in the guided light propagation direction (T direction) of the valley grooves (indicated by reference numeral 33b, other grooves are omitted) of the diffraction grating and the width W of the pattern portion are the same length. The height of the pattern portion for each grating pitch P (for example, indicated by a symbol in the pattern portion 601) changes sequentially in the propagation direction.

また、本方法では電子ビームを用いないので導電性の膜
を使用する必要はない。一方、パターン33aは光学系
により固定してしまうので同じパターンを大量に生産す
るのに向いている。
Furthermore, since this method does not use an electron beam, there is no need to use a conductive film. On the other hand, since the pattern 33a is fixed by an optical system, it is suitable for mass production of the same pattern.

実施例4(第4の実施例) 本実施例の場合も、第7図に示すように、プロトン交換
法、またはチタン、その他の金属原子を拡散する方法等
で光導波路層42を作成したニオブ酸リチウム基板41
上にひ素、セレン、硫黄等の原子で構成された、いわゆ
るカルコゲナイドガラス薄膜43を、例えば、通常のR
Fスパッタ法により1500人の厚さで作成する。カル
コゲナイドガラス薄膜43は電子ビーム44を照射する
と屈折率が変化する。このため第7図(a)に示すよう
にピッチpを変えずに電子ビーム44を照射する部分の
面積を変えれば、それに応じて屈折率が変化した部分4
3+L〜43g(第7図(b)における斜線部分)の割
合(アスペクト比)も変化することになる。
Example 4 (Fourth Example) In the case of this example as well, as shown in FIG. Lithium oxide substrate 41
For example, a so-called chalcogenide glass thin film 43 composed of atoms such as arsenic, selenium, and sulfur is placed on top of the
It is made to a thickness of 1500 mm using the F sputtering method. When the chalcogenide glass thin film 43 is irradiated with an electron beam 44, its refractive index changes. Therefore, as shown in FIG. 7(a), if the area of the part irradiated with the electron beam 44 is changed without changing the pitch p, the refractive index of the part 4 changes accordingly.
The ratio (aspect ratio) of 3+L to 43g (shaded area in FIG. 7(b)) will also change.

この際、回折格子光結合器の結合効率は第4図のように
前記屈折率の変化した部分43&〜43gの割合(アス
ペクト比)により、該割合が約0゜5で最大となる放物
線状に変化するので電子ビーム44で露光する面積を徐
々に増加、または減少させることにより所望の結合効率
の分布を得ることができる。
At this time, the coupling efficiency of the diffraction grating optical coupler is determined by the ratio (aspect ratio) of the portions 43 & ~ 43g where the refractive index has changed as shown in Fig. 4, and the coupling efficiency is parabolic, with the ratio being maximum at approximately 0°5. Therefore, a desired distribution of coupling efficiency can be obtained by gradually increasing or decreasing the area exposed by the electron beam 44.

以上、上記各実施例では、すべてLiNbO5基板を用
いた場合について説明したが、これ以外の基板、光導波
路層を用いて良く、または光導波路層以外の回折格子層
である薄膜の材料としても他の回折格子材料を用いても
良いことはいうまでもない。要するに本発明の趣旨を逸
脱することなく様々な基板、光導波路層、回折格子層を
組み合わせて用いることができる。
In each of the above embodiments, a LiNbO5 substrate was used, but other substrates and optical waveguide layers may be used, or other materials may be used for the thin film that is the diffraction grating layer other than the optical waveguide layer. It goes without saying that the diffraction grating material may be used. In short, various substrates, optical waveguide layers, and diffraction grating layers can be used in combination without departing from the spirit of the present invention.

(へ)発明の効果 以上、本発明によれば、光導波路層、または光導波路層
上に形成されたN膜を光と同程度の周期でストライブ状
に除去するか、残すか、または屈折率を変化させること
により回折格子を作成し、該光導波路層内に光を入射、
または該光導波路内の光を外部に出射させるようにした
回折格子光結合器を作成するに際して、回折格子を構成
する前記薄膜の厚さを変化させるか、回折格子光結合器
を構成するために掘られた溝の深さを変化させるかによ
って、回折格子光結合器を構成する層の厚さを徐々に変
化させ、あるいは回折格子を構成する前記薄膜の除去し
た部分、または残した部分の割合を変化させるか、回折
格子光結合器を構成するため屈折率を変化させた部分り
割合を変化さ仕ることにより、回折格子光結合器の結合
係数を場所により変化するようにしたので、通常の強度
分布を有する光を効率良く光導波路内に入射させること
のできる、小型の回折格子光結合器を作成することかで
き、光導波路型2次高謂波発生器をはじめとする光導波
路型素子へ応用することにより産業上多大な効果を与え
ることかできる。、
(f) Effects of the Invention According to the present invention, the optical waveguide layer or the N film formed on the optical waveguide layer is removed in a stripe shape at a period comparable to that of light, or left or refracted. Creating a diffraction grating by changing the ratio and injecting light into the optical waveguide layer,
Or, when creating a diffraction grating optical coupler that outputs the light in the optical waveguide to the outside, the thickness of the thin film constituting the diffraction grating may be changed, or in order to configure the diffraction grating optical coupler. By changing the depth of the grooves dug, the thickness of the layer constituting the diffraction grating optical coupler is gradually changed, or the proportion of the removed portion or the remaining portion of the thin film constituting the diffraction grating is changed. The coupling coefficient of the diffraction grating optical coupler can be changed depending on the location by changing the ratio of the part with the changed refractive index to configure the diffraction grating optical coupler. It is possible to create a small-sized diffraction grating optical coupler that can efficiently input light with an intensity distribution into an optical waveguide. Application to devices can bring great industrial effects. ,

【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例の作成方法を示した図、第2
図は上記実施例における変形例を示す図、第3図は回折
格子層を形成している薄膜の厚さと回折格子光結合器の
結合効率(係数)との関係を表した特性図、第4図は回
折格子を構成している薄膜パターン部分の線の幅の、1
周期の長さに対する割合と回折格子の結合係数との関係
を表した図、第5図は本発明の他の実施例の作成方法を
示した図、第6図は本発明のさらに他の実施例の作成方
法を示した図、第7図は本発明のもう一つの実施例の作
成方法を示した図、第8図(a)および(b)はそれぞ
れその導波光の強度特性を示した特性図および従来の回
折格子光結合器を表した図である。 1.21.31.41・・・・・・L i N b O
s基板、2.22,32.42・・・・・光導波路層、
3・・・・・・ITO膜、3a・・・・・・ITO膜パ
ターン、3b、3c、3d、40ト−−ITO膜パター
ン部分、4.24・・・・・電子ビームレジスト、5.
25,37.44・・・・・・電子−ム、6・・・・・
・Arイオンビーム、 22a・・・・・・光導波路層パターン、22b、33
b、102,103,501・・・・・・溝、23・・
・・・・AI膜、 26・・・・・・CCl、イオンビーム、27・・・・
・・C3Fllイオンビーム、33・・・・・・Ti0
z膜、 33a・・・・・・Ti Oを膜パターン、35・・・
・・シャッター 36a、36b・・・・・・光束、 43・・・・・・カルコゲナイドガラス薄膜、43a〜
43g・・・・・・電子ビームにより露光したカルコゲ
ナイドガラス薄膜部分、 lOO・・・・・・ITO膜に形成された最も短い溝、
101・・・・・・ITO膜に形成された最も長い溝、
01 ・・・・最も長い幅を有する光導波路層パターン部分、  02 ・・・・最も短い幅を有する光導波路層パターン部分、  01 502・・・・・・光導波路層パターン部分、01 ・・・・・’f i O2膜パタ一ン部分。
[Brief Description of the Drawings] Figure 1 is a diagram showing a method of manufacturing an embodiment of the present invention;
The figures show a modification of the above embodiment, Figure 3 is a characteristic diagram showing the relationship between the thickness of the thin film forming the diffraction grating layer and the coupling efficiency (coefficient) of the diffraction grating optical coupler, and Figure 4 The figure shows the line width of the thin film pattern that makes up the diffraction grating.
A diagram showing the relationship between the ratio to the period length and the coupling coefficient of the diffraction grating, FIG. 5 is a diagram showing a method for creating another embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a diagram showing still another embodiment of the present invention. FIG. 7 is a diagram showing the method of creating another embodiment of the present invention, and FIGS. 8(a) and (b) each show the intensity characteristics of the guided light. FIG. 2 is a diagram showing a characteristic diagram and a conventional diffraction grating optical coupler. 1.21.31.41...L i N b O
s substrate, 2.22, 32.42... optical waveguide layer,
3...ITO film, 3a...ITO film pattern, 3b, 3c, 3d, 40--ITO film pattern portion, 4.24...Electron beam resist, 5.
25, 37.44...electronic, 6...
・Ar ion beam, 22a... Optical waveguide layer pattern, 22b, 33
b, 102, 103, 501... Groove, 23...
...AI film, 26...CCl, ion beam, 27...
...C3Fll ion beam, 33...Ti0
z film, 33a...TiO film pattern, 35...
...Shutters 36a, 36b...Light flux, 43...Chalcogenide glass thin film, 43a~
43g... Chalcogenide glass thin film portion exposed to electron beam, lOO... Shortest groove formed in ITO film,
101...The longest groove formed in the ITO film,
01... Optical waveguide layer pattern part with the longest width, 02... Optical waveguide layer pattern part with the shortest width, 01 502... Optical waveguide layer pattern part, 01... ...'fi O2 film pattern part.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、光導波路層、またはその光導波路層上に形成された
薄膜を光と同程度の周期でストライプ状に除去して複数
の溝を形成するか、または残して光導波路層パターン、
または薄膜パターンを形成することにより回折格子を作
成し、その光導波路層内に光を入射、またはその光導波
路層内の光を外部に出射させるようにした回折格子光結
合器を作成するに際して、 次の(A)、(B)又は(C)の何れか、すなわち、(
A)薄膜を光導波路層内の導波光の伝播方向にその膜厚
を徐々に変化させて積層し、続いて上記薄膜を光導波路
層に達するまで除去することによって薄膜に掘られた各
溝の上記伝播方向における溝幅を場所によらず同一長さ
になるよう形成するとともに、薄膜パターンにおける各
ピッチごとの薄膜パターン部分の高さを上記伝播方向に
順次変化させ、 あるいは、 (B)薄膜を積層した後、薄膜に掘られた各溝の上記伝
播方向における溝幅を場所によらず同一長さになるよう
形成するとともに、薄膜パターンにおける上記各溝の深
さを上記伝播方向に順次変化させ、 あるいは、 (C)薄膜を積層した後、その薄膜を光導波路層に達す
るまで除去することによって薄膜に掘られた各溝の光導
波路層内の導波光の伝播方向における溝幅を順次変化さ
せ、得られた薄膜パターンを回折格子パターンとして光
導波路層を除去することによって光導波路層に掘られた
各溝の上記伝播方向における溝幅を順次変化させるよう
光導波路層パターンを残存させて、各ピッチごとの光導
波路層パターン部分の上記伝播方向におけるパターン幅
を順次変化させ、 それによって回折格子光結合器の結合係数を上記伝播方
向に沿って変化させるようにしたことを特徴とする回折
格子光結合器の作成方法。 2、基板上に形成された光導波路層内に光を入射、また
はその光導波路層内の光を外部に出射させるようにした
回折格子光結合器において、光導波路層上に薄膜を形成
した後、その薄膜上に、光導波路層内の導波光の伝播方
向に沿って電子ビームを順次照射し、上記薄膜上の電子
ビーム照射部分の面積を格子ピッチごとに変化させ、そ
れによって電子ビーム照射部分の屈折率を変化させると
ともに、屈折率変化の割合も電子ビーム照射部分の面積
に応じて変化させ、回折格子光結合器の結合係数を上記
伝播方向に沿って変化させるようにしたことを特徴とす
る回折格子光結合器の作成方法。
[Claims] 1. The optical waveguide layer or the thin film formed on the optical waveguide layer is removed in stripes at a period comparable to that of light to form a plurality of grooves, or the optical waveguide is formed by leaving a plurality of grooves. layer pattern,
Or, when creating a diffraction grating optical coupler in which a diffraction grating is created by forming a thin film pattern, and light is input into the optical waveguide layer, or light within the optical waveguide layer is emitted to the outside, Any of the following (A), (B) or (C), i.e. (
A) Each groove dug in the thin film is stacked by gradually changing the film thickness in the propagation direction of the guided light in the optical waveguide layer, and then removing the thin film until it reaches the optical waveguide layer. The groove width in the propagation direction is formed to be the same length regardless of the location, and the height of the thin film pattern portion for each pitch in the thin film pattern is sequentially changed in the propagation direction, or (B) the thin film is After laminating, the width of each groove in the propagation direction of each groove dug in the thin film is formed to be the same length regardless of the location, and the depth of each groove in the thin film pattern is sequentially changed in the propagation direction. , or (C) After laminating thin films, the thin films are removed until reaching the optical waveguide layer, thereby sequentially changing the groove width of each groove dug in the thin film in the propagation direction of the guided light in the optical waveguide layer. By using the obtained thin film pattern as a diffraction grating pattern and removing the optical waveguide layer, the optical waveguide layer pattern is left so as to sequentially change the groove width in the propagation direction of each groove dug in the optical waveguide layer. A diffraction grating light characterized in that the pattern width in the propagation direction of the optical waveguide layer pattern portion for each pitch is sequentially changed, thereby changing the coupling coefficient of the diffraction grating optical coupler along the propagation direction. How to create a combiner. 2. In a diffraction grating optical coupler that allows light to enter an optical waveguide layer formed on a substrate or emit light within the optical waveguide layer to the outside, after forming a thin film on the optical waveguide layer. , the thin film is sequentially irradiated with an electron beam along the propagation direction of the guided light in the optical waveguide layer, and the area of the electron beam irradiated part on the thin film is changed for each grating pitch, thereby making the electron beam irradiated part In addition to changing the refractive index of the electron beam, the rate of change in the refractive index is also changed in accordance with the area of the electron beam irradiated portion, and the coupling coefficient of the diffraction grating optical coupler is changed along the propagation direction. How to create a diffraction grating optical coupler.
JP2043908A 1990-02-23 1990-02-23 Formation of diffraction grating optical coupler Pending JPH03246510A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2043908A JPH03246510A (en) 1990-02-23 1990-02-23 Formation of diffraction grating optical coupler

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2043908A JPH03246510A (en) 1990-02-23 1990-02-23 Formation of diffraction grating optical coupler

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03246510A true JPH03246510A (en) 1991-11-01

Family

ID=12676816

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2043908A Pending JPH03246510A (en) 1990-02-23 1990-02-23 Formation of diffraction grating optical coupler

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03246510A (en)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0440404A (en) * 1990-06-06 1992-02-10 Fuji Photo Film Co Ltd Optical waveguide element
EP0631158A1 (en) * 1992-12-23 1994-12-28 AT&T Corp. Method for forming distributed bragg reflectors with spezially varying amplitude in optical media
EP0949518A1 (en) * 1998-04-10 1999-10-13 CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni S.p.A. Fibre bragg grating with offset equivalent mirror plane and method for its manufacture
CN102269833A (en) * 2010-05-13 2011-12-07 精工爱普生株式会社 Spectrometry apparatus, detection apparatus, and method for manufacturing spectrometry apparatus
WO2012121859A3 (en) * 2011-03-05 2012-11-08 Alcatel Lucent Radial optical coupler
US8682120B2 (en) 2011-03-05 2014-03-25 Alcatel Lucent Polarization-independent grating optical coupler
US9140854B2 (en) 2011-09-22 2015-09-22 Alcatel Lucent Spatial division multiplexing optical mode converter
JP2020531908A (en) * 2017-10-24 2020-11-05 エルジー・ケム・リミテッド Diffractive light guide plate and manufacturing method of diffractive light guide plate
JP2020531905A (en) * 2017-09-12 2020-11-05 エルジー・ケム・リミテッド Diffractive light guide plate and manufacturing method of diffractive light guide plate
JP2022020733A (en) * 2016-10-05 2022-02-01 マジック リープ, インコーポレイテッド Processing of ununiform grating
JP2022526635A (en) * 2019-04-11 2022-05-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Patterning of multi-depth optical devices
JP2022532589A (en) * 2019-05-15 2022-07-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド How to Form a Variable Depth Device Structure
JP2023527692A (en) * 2020-05-11 2023-06-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Method for variable etch depth

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0440404A (en) * 1990-06-06 1992-02-10 Fuji Photo Film Co Ltd Optical waveguide element
EP0631158A1 (en) * 1992-12-23 1994-12-28 AT&T Corp. Method for forming distributed bragg reflectors with spezially varying amplitude in optical media
EP0949518A1 (en) * 1998-04-10 1999-10-13 CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni S.p.A. Fibre bragg grating with offset equivalent mirror plane and method for its manufacture
US6201910B1 (en) 1998-04-10 2001-03-13 Otc-Optical Technologies Center S.R.L. Fibre bragg grating with offset equivalent mirror plane and method for its manufacture
CN102269833A (en) * 2010-05-13 2011-12-07 精工爱普生株式会社 Spectrometry apparatus, detection apparatus, and method for manufacturing spectrometry apparatus
CN102269833B (en) * 2010-05-13 2016-07-06 精工爱普生株式会社 The manufacture method of spectral device, detecting device and spectral device
US9162404B2 (en) 2011-03-05 2015-10-20 Alcatel Lucent Radial optical coupler
US8682120B2 (en) 2011-03-05 2014-03-25 Alcatel Lucent Polarization-independent grating optical coupler
WO2012121859A3 (en) * 2011-03-05 2012-11-08 Alcatel Lucent Radial optical coupler
US9140854B2 (en) 2011-09-22 2015-09-22 Alcatel Lucent Spatial division multiplexing optical mode converter
JP2022020733A (en) * 2016-10-05 2022-02-01 マジック リープ, インコーポレイテッド Processing of ununiform grating
JP2020531905A (en) * 2017-09-12 2020-11-05 エルジー・ケム・リミテッド Diffractive light guide plate and manufacturing method of diffractive light guide plate
JP2020531908A (en) * 2017-10-24 2020-11-05 エルジー・ケム・リミテッド Diffractive light guide plate and manufacturing method of diffractive light guide plate
US11892662B2 (en) 2017-10-24 2024-02-06 Lg Chem Ltd. Diffraction light guide plate and method of manufacturing diffraction light guide plate
JP2022526635A (en) * 2019-04-11 2022-05-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Patterning of multi-depth optical devices
US11614685B2 (en) 2019-04-11 2023-03-28 Applied Materials, Inc. Patterning of multi-depth optical devices
JP2022532589A (en) * 2019-05-15 2022-07-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド How to Form a Variable Depth Device Structure
JP2023527692A (en) * 2020-05-11 2023-06-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Method for variable etch depth

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5436991A (en) Optical waveguide device
US6392792B1 (en) Method of fabricating reflection-mode EUV diffraction elements
JPH03246510A (en) Formation of diffraction grating optical coupler
EP1645903A1 (en) Wire grid polarizer and fabrication method thereof
US4343890A (en) Method for making planar optical waveguide comprising thin metal oxide film incorporating a relief phase grating
KR940027082A (en) Reflective phase shift mask and pattern formation method
US4227769A (en) Planar optical waveguide comprising thin metal oxide film incorporating a relief phase grating
EP0964305A1 (en) Method of making a photonic crystal
US5101297A (en) Method for producing a diffraction grating in optical elements
JP2002258034A (en) Wavelength filter
JPH02211450A (en) Phase shift mask and its manufacture
JPS63106605A (en) Thin film waveguide type optical diffraction element
JP4968234B2 (en) Optical element and display device
JP4178583B2 (en) Anti-reflection coating
JP2004219998A (en) Optical circuit
US4359373A (en) Method of formation of a blazed grating
JPWO2006104045A1 (en) Wavelength filter
JPH06347630A (en) Diffraction element and its production and optical wavelength conversion element and its production
JP5887833B2 (en) Optical fiber processing phase mask and manufacturing method thereof
JPS5983111A (en) Preparation of optical integrated circuit
JPH0247610A (en) Grating coupler and optical head device using such coupler
Aagard et al. Electron‐beam and photolithographic fabrication of guided‐wave optical components
JPS6271907A (en) Grating optical device
CN115480331A (en) Grating structure and preparation method thereof
JP2001343563A (en) Optical device for taking-out monitor light