JPH03240226A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
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- JPH03240226A JPH03240226A JP3608190A JP3608190A JPH03240226A JP H03240226 A JPH03240226 A JP H03240226A JP 3608190 A JP3608190 A JP 3608190A JP 3608190 A JP3608190 A JP 3608190A JP H03240226 A JPH03240226 A JP H03240226A
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- JP
- Japan
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- wafer
- magnetic field
- earth
- increased
- microwave
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- Pending
Links
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 7
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 abstract 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロ波プラズマ処理装置に係り、特にマ
イクロ波電界と磁場との作用により生成されたプラズマ
を利用して半導体素子基板等の被加工物を処理するのに
好適なマイクロ波プラズマ処理装置に関するものである
。
イクロ波電界と磁場との作用により生成されたプラズマ
を利用して半導体素子基板等の被加工物を処理するのに
好適なマイクロ波プラズマ処理装置に関するものである
。
従来の１！Ｉｅ置は、例えば、特開昭５９−１３２５１
号公報に記載のように、バイアス用のアース面積を広く
していたが、磁場勾配のことを考慮していなかった。
号公報に記載のように、バイアス用のアース面積を広く
していたが、磁場勾配のことを考慮していなかった。
上記従来技術は、バイアス用のアースのプラズマに対す
る方向について配慮がされておらず、アース面と磁力線
とが垂直に交差していないなどの間層があった。
る方向について配慮がされておらず、アース面と磁力線
とが垂直に交差していないなどの間層があった。
本発明の目的は、処理速度、精度を向上できるマイクロ
波プラズマ処理装置を提供することにある。
波プラズマ処理装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、磁場の傾きに合せ、バイア
ス用のアース面と磁力線が垂直に交わり、アースの有効
面積を広く取れるようアースの角度を磁場の変更に伴な
い可変できるようにする。
ス用のアース面と磁力線が垂直に交わり、アースの有効
面積を広く取れるようアースの角度を磁場の変更に伴な
い可変できるようにする。
バイアス用のアース構造は、磁力線と、アース面とが垂
直に交わるようアース面の傾きを変えられる構造になっ
ている。それによって、高周波によるプラズマ放電をし
た際、アース内に取り込まれる電子が多くなり、被加工
物に対するイオン性を高くできるようになり、処理速度
、精度（形状性）に対するマージンが大さくなる。また
アース面積を広くできるようになり、安定した放電が得
られるようになる。
直に交わるようアース面の傾きを変えられる構造になっ
ている。それによって、高周波によるプラズマ放電をし
た際、アース内に取り込まれる電子が多くなり、被加工
物に対するイオン性を高くできるようになり、処理速度
、精度（形状性）に対するマージンが大さくなる。また
アース面積を広くできるようになり、安定した放電が得
られるようになる。
以下、本発明の一実施例を１Ｊｌ１図により説明する。
１１１１図は本発明を実施した有磁場型のマイクロ波プ
ラズマエツチング装置の処理室部の縦断面図で、処理室
１の上部には石英製の放電管２が設けてあり、真空処理
室を形成している。処理室１には、真空処理室内にエツ
チングガスな供給するガス供給口３が設けてあり、また
、真空処理室内部を所定圧力に減圧、排気する真空排気
装置（図示路）につながる排気口４が設けである。処理
室１内には被エツチング材であるウェハ５を配置する試
料台６が設けである。試料台６には、バイアス用電源で
ある高周波電ｆｔ７が接続しである。放電管２の外側に
は放電管２を囲んで導波管８が設けてあり、さらにその
外側には、放電管２内に磁場を発生させるコイル９が設
けである。導波管８の端部にはマイクロ波を発するマグ
ネトロン１０が設けである。
ラズマエツチング装置の処理室部の縦断面図で、処理室
１の上部には石英製の放電管２が設けてあり、真空処理
室を形成している。処理室１には、真空処理室内にエツ
チングガスな供給するガス供給口３が設けてあり、また
、真空処理室内部を所定圧力に減圧、排気する真空排気
装置（図示路）につながる排気口４が設けである。処理
室１内には被エツチング材であるウェハ５を配置する試
料台６が設けである。試料台６には、バイアス用電源で
ある高周波電ｆｔ７が接続しである。放電管２の外側に
は放電管２を囲んで導波管８が設けてあり、さらにその
外側には、放電管２内に磁場を発生させるコイル９が設
けである。導波管８の端部にはマイクロ波を発するマグ
ネトロン１０が設けである。
ｌ！１図で、ガス供給口３から真空処理室内にエツチン
グガスを供給するとともに、真空処理室内を所定の圧力
に減圧、排気し、導波管８によってマグネトロン１０か
らのマイクロ波を放電管２内に導入するとともに、コイ
ル９によって磁場を形放し、マイクロ波の電界とコイル
９の磁場との相乗作用によって、放電管２内のエツチン
グガスをプラズマ化する。コイル９によって磁場が形成
され、アースＵに電子が取り込まれる。このＦＲａＳ勾
配に合わせて、コントローラ１３で、駆動装置ｉ１２を
操作し、アース１１の傾きを変える。これによりアース
１１の有効面積が太き（なる。
グガスを供給するとともに、真空処理室内を所定の圧力
に減圧、排気し、導波管８によってマグネトロン１０か
らのマイクロ波を放電管２内に導入するとともに、コイ
ル９によって磁場を形放し、マイクロ波の電界とコイル
９の磁場との相乗作用によって、放電管２内のエツチン
グガスをプラズマ化する。コイル９によって磁場が形成
され、アースＵに電子が取り込まれる。このＦＲａＳ勾
配に合わせて、コントローラ１３で、駆動装置ｉ１２を
操作し、アース１１の傾きを変える。これによりアース
１１の有効面積が太き（なる。
このため、アース１１内に取り込まれる電子が多くなり
、ウェハ５に対するイオン性が高くなる。
、ウェハ５に対するイオン性が高くなる。
従って、ウェハ５のエツチング速度、精度（異方性）に
対するマージンが大きくなる。また、アース面積を広く
できるようになり、安定した放電が傳られる１゜ なお、上記−実施例の他ｉこ、被加工物にＣＶＤＭ、膜
処理する装置にも同様、かつ、有効に適用することがで
きる・ 〔発明の効果〕 本発明によれば、アース内に取り込まれる電子が多くな
り、被加工物に対するイオン性を高くでき処理速度、精
度に対するマージンを大きくできる効果がある。
対するマージンが大きくなる。また、アース面積を広く
できるようになり、安定した放電が傳られる１゜ なお、上記−実施例の他ｉこ、被加工物にＣＶＤＭ、膜
処理する装置にも同様、かつ、有効に適用することがで
きる・ 〔発明の効果〕 本発明によれば、アース内に取り込まれる電子が多くな
り、被加工物に対するイオン性を高くでき処理速度、精
度に対するマージンを大きくできる効果がある。
第１図は、本発明の一実施例の有磁場型のマイクロ波プ
ラズマエツチング装置の処すの縦断面図である。 ｌ・・・・・・処理室、２・・・・・・放電室、３・・
・・・・ガス供給口、４・・・・・・排気口、５・・・
・・・ウェハ、６・・・・・・試料台、７・・・・・・
高周波電源、８・・・・・・導波管、９・・・・・・コ
イル、１０・・・・・・マグネトロン、Ｕ・・・・・・
アース、坐・・・・・・駆動′：Ａ Ｉ 図 ｙ−−−−−コイル ／Ｊ−−−−コントローラ
ラズマエツチング装置の処すの縦断面図である。 ｌ・・・・・・処理室、２・・・・・・放電室、３・・
・・・・ガス供給口、４・・・・・・排気口、５・・・
・・・ウェハ、６・・・・・・試料台、７・・・・・・
高周波電源、８・・・・・・導波管、９・・・・・・コ
イル、１０・・・・・・マグネトロン、Ｕ・・・・・・
アース、坐・・・・・・駆動′：Ａ Ｉ 図 ｙ−−−−−コイル ／Ｊ−−−−コントローラ
Claims (1)
- １．マイクロ波電界と磁場との相乗作用により処理ガス
をプラズマ化し、該プラズマを利用して被加工物を処理
する装置において、前配磁場の勾配に合せてバイアス用
アースの傾きを可変可能としたことを特徴とするマイク
ロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3608190A JPH03240226A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3608190A JPH03240226A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03240226A true JPH03240226A (ja) | 1991-10-25 |
Family
ID=12459792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3608190A Pending JPH03240226A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03240226A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019220532A (ja) * | 2018-06-18 | 2019-12-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
1990
- 1990-02-19 JP JP3608190A patent/JPH03240226A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019220532A (ja) * | 2018-06-18 | 2019-12-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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