JPH03239229A - Active matrix liquid crystal display device - Google Patents

Active matrix liquid crystal display device

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JPH03239229A
JPH03239229A JP2036982A JP3698290A JPH03239229A JP H03239229 A JPH03239229 A JP H03239229A JP 2036982 A JP2036982 A JP 2036982A JP 3698290 A JP3698290 A JP 3698290A JP H03239229 A JPH03239229 A JP H03239229A
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JP
Japan
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liquid crystal
picture element
electrode
active matrix
display device
Prior art date
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Pending
Application number
JP2036982A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinji Shimada
伸二 島田
Eiichi Takahashi
栄一 高橋
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH03239229A publication Critical patent/JPH03239229A/en
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213Storage capacitors associated with the pixel electrode

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Abstract

PURPOSE:To prevent the degradation in an opening rate by forming electrodes for additive capacitors so as to cover the outer peripheral and peripheral edge parts of picture element electrodes. CONSTITUTION:The electrodes 5 for additive capacitors are formed to cover the outer periphery and peripheral edge parts of the picture element electrodes 4. The electrodes 5 for additive capacitors in common use as light shielding films are formed on the active matrix substrate provided with the picture element electrodes 4 and, therefore, the generation of the misregistration between the light shielding films (electrodes 5 for additive capacitors) and the picture element electrodes 4 which may arise at the time of sticking of the active matrix substrate and a counter substrate is obviated. The superposed parts between the light shielding films and the picture element electrodes 4 are diminished in this way and the lowering of the opening rate of the display device is lessened.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、付加容量用電極を有するアクティブマトリク
ス表示装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an active matrix display device having an electrode for additional capacitance.

(従来の技術) 液晶等の表示媒体を用いたアクティブマトリクス表示装
置では、絵素電極がマトリクス状に配列され、各絵素電
極には薄膜トランジスタ(以下ではrTFTJと称する
)等のスイッチング素子が設けられている。各絵素電極
はスイッチング素子を介して走査線によって選択され、
選択された絵素電極には信号線を介して映像信号が蓄積
される。
(Prior Art) In an active matrix display device using a display medium such as a liquid crystal, picture element electrodes are arranged in a matrix, and each picture element electrode is provided with a switching element such as a thin film transistor (hereinafter referred to as rTFTJ). ing. Each picture element electrode is selected by a scanning line via a switching element,
A video signal is accumulated in the selected picture element electrode via a signal line.

絵素電極に蓄積された映像信号は、次にその絵素電極が
選択されるまでの1フレームの間保持される。
The video signal accumulated in the picture element electrode is held for one frame until the next picture element electrode is selected.

このようなアクティブマトリクス表、示装置に於ては、
表示画像の高精細化が要求され、それに伴って絵素電極
は微小化されている。絵素電極の微小化が進むと、個々
の絵素電極と対向電極との間に形成される容量が小さく
なるため、絵素電極に蓄積された映像信号を、1フレー
ムの間保持することができなくなる。このような容量の
不足を補=3= うため、付加容量用電極がしばしば設けられる。
In such an active matrix display device,
As display images are required to have higher definition, picture element electrodes are becoming smaller. As picture element electrodes become smaller, the capacitance formed between each picture element electrode and the counter electrode becomes smaller, making it difficult to hold the video signal accumulated in the picture element electrode for one frame. become unable. To compensate for this lack of capacity, additional capacitance electrodes are often provided.

付加容量用電極は絵素電極の一部に対向して設けられ、
付加容量用電極と絵素電極との間には、絶縁膜が挟まれ
ている。付加容量用電極は金属膜によって形成されてい
るが一般的である。各絵素電極に対向して設けられた付
加容量用電極は、通常、付加容量配線に接続される。付
加容量配線には一方向に列を成す絵素電極に対向してい
る付加容量用電極が電気的に接続される。また、上述の
ように付加容量配線を設けず、付加容量用電極を次の列
の絵素電極の列に接続された走査線に接続することも行
われている。
The additional capacitance electrode is provided facing a part of the picture element electrode,
An insulating film is sandwiched between the additional capacitance electrode and the picture element electrode. The electrode for additional capacitance is generally formed of a metal film. An additional capacitance electrode provided opposite each picture element electrode is usually connected to an additional capacitance wiring. Additional capacitor electrodes facing the picture element electrodes arranged in a row in one direction are electrically connected to the additional capacitor wiring. Further, as described above, the additional capacitor wiring is not provided, and the additional capacitor electrode is connected to the scanning line connected to the next row of picture element electrodes.

捩れネマティック型の液晶表示装置には、液晶セルの両
側に設けられている偏光子の偏光方向の組合せにより、
ノーマリブラック方式とノーマリホワイト方式の2種類
がある。ノーマリブラック方式では、2つの偏光子の偏
光方向は互いに平行に設定されている。このような偏光
子の配置により、絵素電極と対向電極との間の液晶層に
電圧が印加されている状態で光が透過し、液晶層に電圧
が印加されない状態で光が遮断される。これに対し、ノ
ーマリホワイト方式では、2つの偏光子の偏光方向は互
いに直交するように設定されている。
Twisted nematic type liquid crystal display devices have a
There are two types: normally black method and normally white method. In the normally black method, the polarization directions of the two polarizers are set parallel to each other. With such a polarizer arrangement, light is transmitted when a voltage is applied to the liquid crystal layer between the picture element electrode and the counter electrode, and light is blocked when no voltage is applied to the liquid crystal layer. On the other hand, in the normally white method, the polarization directions of the two polarizers are set to be orthogonal to each other.

このような偏光子の配置により、液晶層に電圧が印加さ
れている状態で光が遮断され、液晶層に電圧が印加され
ない状態で光が透過する。
With such a polarizer arrangement, light is blocked when a voltage is applied to the liquid crystal layer, and light is transmitted when no voltage is applied to the liquid crystal layer.

(発明が解決しようとする課題) これらの2つの方式を比較すると、ノーマリホワイト方
式の方が大きなコントラストが得られるという利点があ
る。しかし、ノーマリホワイト方式の液晶表示装置では
、絵素電極と対向電極との間に位置する液晶層以外の部
分の液晶層から光が漏れるという欠点がある。このよう
な光の漏れを防止するため、絵素電極が設けられていな
い対向基板に、金属膜等からなる遮光膜がしばしば設け
られる。遮光膜は絵素電極の外周に重畳して形成される
(Problems to be Solved by the Invention) When these two methods are compared, the normally white method has the advantage of being able to obtain greater contrast. However, normally white liquid crystal display devices have a drawback in that light leaks from portions of the liquid crystal layer other than the liquid crystal layer located between the picture element electrode and the counter electrode. In order to prevent such light leakage, a light shielding film made of a metal film or the like is often provided on the counter substrate on which no picture element electrodes are provided. The light shielding film is formed to overlap the outer periphery of the picture element electrode.

ところが、遮光膜は対向基板に設けられるため、絵素電
極が設けられたアクティブマトリクス基板と対向基板と
の貼り合わせに際して、これらの基板間に位置ずれが生
じる。このような位置ずれによる光の漏れを防止するた
め、遮光膜は絵素電極の外周のみならず、絵素電極の周
縁部にも重畳されるように形成される。遮光膜が絵素電
極の周縁部にも重畳して設けられると、表示に寄与し得
る絵素電極の面積が減少し、アクティブマトリクス表示
装置の開口率が大幅に低下することになる。
However, since the light shielding film is provided on the counter substrate, when the active matrix substrate on which the picture element electrodes are provided and the counter substrate are bonded together, misalignment occurs between these substrates. In order to prevent light leakage due to such positional deviation, the light shielding film is formed so as to overlap not only the outer periphery of the picture element electrode but also the peripheral edge of the picture element electrode. If the light-shielding film is provided so as to overlap the peripheral edge of the picture element electrode, the area of the picture element electrode that can contribute to display will be reduced, and the aperture ratio of the active matrix display device will be significantly reduced.

ノーマリブラック方式の液晶表示装置では、電圧無印加
状態で光が透過しないため、上述のノーマリホワイト方
式の液晶表示装置のように、絵素電極と対向電極との間
の液晶層以外の部分の液晶層からの光の漏れはな(、遮
光膜を特に設ける必要がない。ところが、絵素電極に電
圧が印加されると絵素電極上の液晶分子の傾きが変化し
、電圧が印加されていない領域の液晶分子との間でディ
スクリネーションが生じる。このディスクリネーション
により、電圧が印加された領域と電圧が印加されない領
域との間に表示上の不良部分が観察される。
In a normally black type liquid crystal display device, light does not pass through when no voltage is applied, so as in the above-mentioned normally white type liquid crystal display device, the portion other than the liquid crystal layer between the pixel electrode and the counter electrode There is no light leakage from the liquid crystal layer (there is no need to provide a light shielding film. However, when a voltage is applied to the picture element electrode, the tilt of the liquid crystal molecules on the picture element electrode changes, and the voltage is applied. Disclination occurs between the liquid crystal molecules in the area where the voltage is not applied.Due to this disclination, a defective area on the display is observed between the area where voltage is applied and the area where no voltage is applied.

本発明は上述のような問題点を解決するもので一 あり、本発明の目的は、絵素電極との位置ずれの問題の
ない、従って、開口率の低下を小さ(し得る遮光膜を有
するアクティブマトリクス液晶表示装置を提供すること
である。本発明の他の目的は、ディスクリネーションが
生じても表示画面に影響しないアクティブマトリクス液
晶表示装置を提供することである。
The present invention is intended to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a light-shielding film that does not have the problem of positional misalignment with the picture element electrode, and therefore can minimize the decrease in the aperture ratio. It is an object of the present invention to provide an active matrix liquid crystal display device.Another object of the present invention is to provide an active matrix liquid crystal display device that does not affect the display screen even if disclination occurs.

(課題を解決するための手段) 本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置は、対向す
る一対の絶縁性基板と、該一対の基板の何れか一方の基
板内面にマI−リクス状に配列された絵素電極と、該絵
素電極の一部に少なくとも絶縁膜を挟んで重畳され且つ
不透明材料からなる付加容量用電極と、を備えたアクテ
ィブマトリクス液晶表示装置であって、該付加容量用電
極が該絵素電極の外周及び周縁部を覆って形成されてお
り、そのことによって上記目的が達成される。
(Means for Solving the Problems) The active matrix liquid crystal display device of the present invention includes a pair of insulating substrates facing each other, and images arranged in a matrix on the inner surface of one of the pair of substrates. An active matrix liquid crystal display device comprising an element electrode and an additional capacitance electrode made of an opaque material and superimposed on a part of the picture element electrode with at least an insulating film in between, the additional capacitance electrode It is formed to cover the outer periphery and peripheral edge of the picture element electrode, thereby achieving the above object.

また、本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置は、
対向する一対の絶縁性基板と、該一対の基板の何れか一
方の基板内面にマトリクス状に配列された絵素電極と、
該絵素電極上に形成された配向膜と、該配向膜上に於て
該配向膜に対して所定のプレティルト角をもって配向す
る液晶分子を有する液晶層と、該絵素電極の一部に少な
(とも絶縁膜を挟んで重畳され且つ不透明材料からなる
付加容量用電極と、を備えたアクティブマトリクス液晶
表示装置であって、該液晶分子の配向方向に沿い該配向
膜から該配向膜上方へ向かうベクトルを、該配向膜上に
投影したベクトルに対し、該投影ベクトルの方向とは反
対方向の該絵素電極の部分に、該付加容量用電極が重畳
されており、そのことによって上記目的が達成される。
Further, the active matrix liquid crystal display device of the present invention includes:
a pair of insulating substrates facing each other, pixel electrodes arranged in a matrix on the inner surface of one of the pair of substrates;
an alignment film formed on the picture element electrode; a liquid crystal layer having liquid crystal molecules aligned at a predetermined pretilt angle with respect to the alignment film on the alignment film; (both are active matrix liquid crystal display devices equipped with additional capacitance electrodes made of an opaque material and overlapped with an insulating film in between, and directed from the alignment film to above the alignment film along the alignment direction of the liquid crystal molecules. The additional capacitance electrode is superimposed on a portion of the picture element electrode in a direction opposite to the direction of the projected vector with respect to the vector projected onto the alignment film, thereby achieving the above purpose. be done.

また、上記の投影ベクトルの反対方向の絵素電極の部分
に付加容量用電極が重畳されている構成に於て、前記一
方の基板上に走査線を有し、前記付加容量用電極が該走
査線に電気的に接続されているとすることもできる。
Further, in the configuration in which an additional capacitance electrode is superimposed on a portion of the picture element electrode in the opposite direction of the projection vector, a scanning line is provided on the one substrate, and the additional capacitance electrode is It may also be electrically connected to a line.

更に、上記何れに於いても、前記一方の基板上に、前記
絵素電極のそれぞれに接続されたスイッチング素子を有
し、前記一対の基板の他方の基板−8= 上に、該スイッチング素子の入力端子に重畳して遮光膜
が形成されている構成とすることもできる。
Furthermore, in any of the above, a switching element connected to each of the picture element electrodes is provided on the one substrate, and the switching element is provided on the other substrate -8= of the pair of substrates. It is also possible to adopt a configuration in which a light shielding film is formed overlapping the input terminal.

(作用) 本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置では、不透
明材料からなり、且つ遮光膜を兼ねる付加容量用電極が
、絵素電極の設けられているアクティブマトリクス基板
上に形成されているので、アクティブマトリクス基板と
対向基板との貼り合わせに際して生じる遮光膜(付加容
量用電極)と絵素電極との間の位置ずれが生じない。従
って、遮光膜と絵素電極との重畳部分を小さくすること
ができ、表示装置の開口率の低下を低減することができ
る。また、ディスクリネーションによる輝線の発生部分
も覆うことができる。
(Function) In the active matrix liquid crystal display device of the present invention, the additional capacitance electrode made of an opaque material and also serving as a light shielding film is formed on the active matrix substrate on which the picture element electrodes are provided. Misalignment between the light shielding film (electrode for additional capacitance) and the picture element electrode, which occurs when the substrate and the counter substrate are bonded together, does not occur. Therefore, the overlapping portion of the light-shielding film and the picture element electrode can be made smaller, and a reduction in the aperture ratio of the display device can be reduced. Furthermore, it is also possible to cover the portion where bright lines are generated due to disclination.

液晶表示装置では、ディスクリネーションによる輝線が
発生する位置は、液晶分子の配向方向に依存する。絵素
電極上に形成された配向膜上の各液晶分子は、該配向膜
に対し所定のプレチルト角をもって配向し、絵素電極の
上面より見ると、定の方向に配向している。このように
配向した液晶分子の配向方向に沿い、配向膜から該配向
膜上方に向かうベクトルを、配向膜上に投影したベクト
ルを考える。この投影ベクトルの反対方向の絵素電極の
部分に、上記の輝線が発生することが判明している。本
発明の表示装置では、この絵素電極の部分に遮光膜を兼
ねる付加容量用電極が形成されているので、たとえ上記
の輝線が発生しても表示画面上には現れない。しかも、
この遮光膜を兼ねる付加容量用電極は、絵素電極が形成
されているアクティブマトリクス基板上に形成されてい
るので、アクティブマトリクス基板と対向基板との貼り
合わせに際して生ずる遮光膜(付加容量用電極)と絵素
電極との位置ずれは生じない。従って、絵素電極と遮光
膜を兼ねる付加容量用電極との重畳部を小さくすること
ができ、表示装置の開口率の低下を小さすることができ
る。
In a liquid crystal display device, the position where a bright line due to disclination is generated depends on the alignment direction of liquid crystal molecules. Each liquid crystal molecule on the alignment film formed on the picture element electrode is aligned at a predetermined pretilt angle with respect to the alignment film, and is aligned in a fixed direction when viewed from the top surface of the picture element electrode. Consider a vector projected onto the alignment film from a vector directed upward from the alignment film along the alignment direction of the liquid crystal molecules oriented in this manner. It has been found that the above-mentioned bright line is generated in a portion of the picture element electrode in the opposite direction of this projection vector. In the display device of the present invention, an additional capacitance electrode that also serves as a light-shielding film is formed on the picture element electrode, so even if the bright line is generated, it does not appear on the display screen. Moreover,
This additional capacitance electrode, which also serves as a light-shielding film, is formed on the active matrix substrate on which the pixel electrodes are formed, so the light-shielding film (additional capacitance electrode) that is formed when the active matrix substrate and the counter substrate are bonded together No misalignment occurs between the pixel electrode and the pixel electrode. Therefore, the overlapping portion of the picture element electrode and the additional capacitance electrode that also serves as a light shielding film can be made small, and the reduction in the aperture ratio of the display device can be made small.

(実施例) 本発明を実施例について以下に説明する。以下の実施例
では、スイッチング素子としてTPTを用いているが、
他の例えばMIM (金属−絶縁層−金属)等を用いて
ることもできる。
(Example) The present invention will be described below with reference to an example. In the following examples, TPT is used as a switching element, but
Other methods such as MIM (metal-insulating layer-metal) can also be used.

第1図に本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置に
用いられる、アクティブマトリクス基板の平面図を示す
。ガラス等の絶縁性基板上に、走査線として機能するゲ
ートバス配線lが平行して形成されている。ゲートバス
配線lに交差して、信号線として機能するソースバス配
線2が形成されている。ゲートバス配線1及びソースバ
ス配線2の間には、後に述べるゲート絶縁膜8が挟まれ
ている。ゲートバス配線1のソースバス配線2との交差
位置近傍からは、ゲート電極1aが分岐している。ゲー
ト電極la上にはTFT3が形成されている。ゲートバ
ス配線1及びソースバス配線2によって規定される各領
域には、絵素電極5が形成されている。後に述べるよう
に、TFT3のソース電極11はソースバス配線2に電
気的に接続され、ドレイン電極12は絵素電極4に電気
的に接続されている。
FIG. 1 shows a plan view of an active matrix substrate used in the active matrix liquid crystal display device of the present invention. Gate bus lines 1 functioning as scanning lines are formed in parallel on an insulating substrate such as glass. A source bus line 2 that functions as a signal line is formed to intersect with the gate bus line l. A gate insulating film 8, which will be described later, is sandwiched between the gate bus line 1 and the source bus line 2. A gate electrode 1a branches from near the intersection of the gate bus line 1 and the source bus line 2. A TFT 3 is formed on the gate electrode la. A picture element electrode 5 is formed in each region defined by the gate bus wiring 1 and the source bus wiring 2. As will be described later, the source electrode 11 of the TFT 3 is electrically connected to the source bus wiring 2, and the drain electrode 12 is electrically connected to the picture element electrode 4.

また、本実施例では絵素電極4の外周及び周縁部に重な
るように、付加容量用電極5が形成されている。そして
、後述するように、付加容量用電極5は絵素電極4の周
縁部と、ゲート絶縁膜8を挟んで対向している。付加容
量用電極5は不透明金属層から形成されているので、遮
光膜としても機能し得る。隣接する付加容量用電極5は
それぞれ電気的に接続されている。
Further, in this embodiment, the additional capacitance electrode 5 is formed so as to overlap the outer periphery and peripheral edge of the picture element electrode 4. As will be described later, the additional capacitance electrode 5 faces the peripheral edge of the picture element electrode 4 with the gate insulating film 8 in between. Since the additional capacitance electrode 5 is formed from an opaque metal layer, it can also function as a light shielding film. Adjacent additional capacitance electrodes 5 are electrically connected to each other.

第2図に第1図のn−n線に沿った断面図を示す。第2
図を参照しながら、本実施例のアクティブマトリクス液
晶表示装置を製造工程に従って説明する。ガラス、石英
等の絶縁性基板20」二に、Ta、AI、T1、MoS
 Cu、等の金属膜を形成し、フォトリソグラフィ法及
びエツチングにより、ゲートバス配線1、ゲート電極1
a、及び付加容量用電極5をパターン形成した。第1図
に示すように、付加容量用電極5は後に形成される絵素
電極4の外周及び周縁部に重なるように形成される。次
に、S+02、SiNx等の絶縁性材料を用いて、ゲー
ト絶縁膜8を形成した。次に、アモルファスシリコンか
らなる半導体層9をパターン形成した。更に、n“型ア
モルファスシリコンからなるコンタクト層10.10を
パターン形成した。
FIG. 2 shows a sectional view taken along line nn in FIG. 1. Second
The active matrix liquid crystal display device of this embodiment will be explained according to the manufacturing process with reference to the drawings. Insulating substrate 20'' made of glass, quartz, etc. Second, Ta, AI, T1, MoS
A metal film such as Cu is formed, and gate bus wiring 1 and gate electrode 1 are formed by photolithography and etching.
a, and the additional capacitance electrode 5 were patterned. As shown in FIG. 1, the additional capacitance electrode 5 is formed so as to overlap the outer periphery and peripheral edge of the picture element electrode 4, which will be formed later. Next, a gate insulating film 8 was formed using an insulating material such as S+02 or SiNx. Next, a semiconductor layer 9 made of amorphous silicon was patterned. Furthermore, a contact layer 10.10 made of n" type amorphous silicon was patterned.

コンタクト層10,10上には、ソース電極11及びド
レイン電極12がそれぞれパターン形成され、前述のソ
ースバス配線2もこのとき同時にパターン形成される。
A source electrode 11 and a drain electrode 12 are patterned on the contact layers 10 and 10, respectively, and the source bus wiring 2 described above is also patterned at the same time.

ソースバス配線2、v−スミ極11及びドレイン電極1
2にはTa、AI、T1、Mo、Cu、ITO等の導電
性材料が用いられる。更に、ITOからなる絵素電極4
がパターン形成される。絵素電極4はドレイン電極12
上にも形成され、これにより絵素電極4とドレイン電極
12とは電気的に接続される。また、絵素電極5は付加
容量用電極5に部分的に重なるように形成される。更に
、絵素電極4を覆って全面に、配向膜13が形成されて
いる。配向膜13は、ポリイミド、ポリビニルアルコー
ル等を塗布し、焼成し、ラビング処理を施すことにより
、形成される。
Source bus wiring 2, v-sumi pole 11 and drain electrode 1
For 2, a conductive material such as Ta, AI, T1, Mo, Cu, ITO, etc. is used. Furthermore, a picture element electrode 4 made of ITO
is patterned. The picture element electrode 4 is the drain electrode 12
The pixel electrode 4 and the drain electrode 12 are electrically connected to each other. Further, the picture element electrode 5 is formed so as to partially overlap the additional capacitance electrode 5. Furthermore, an alignment film 13 is formed over the entire surface of the picture element electrode 4. The alignment film 13 is formed by applying polyimide, polyvinyl alcohol, etc., baking it, and performing a rubbing process.

第1図のアクティブマトリクス基板に対向する対向基板
には対向電極、配向膜等が形成されている。対向基板上
の配向膜のラビング処理方向は、アクティブマトリクス
基板上の配向膜13のラビング処理方向と直交している
。次に、第1図のアクティブマトリクス基板及び対向基
板の何れかにプラスチックスペーサを散布し、これらの
基板間に液晶層を封止し、液晶セルを得た。更にこの液
晶セルの外側に、それぞれ偏光板を取り付けた。
A counter electrode, an alignment film, etc. are formed on a counter substrate that faces the active matrix substrate of FIG. The rubbing direction of the alignment film on the counter substrate is perpendicular to the rubbing direction of the alignment film 13 on the active matrix substrate. Next, plastic spacers were spread on either the active matrix substrate or the counter substrate shown in FIG. 1, and a liquid crystal layer was sealed between these substrates to obtain a liquid crystal cell. Furthermore, a polarizing plate was attached to the outside of each liquid crystal cell.

これらの偏光板の偏光方向が互いに直交するように設定
するとノーマリホワイト型の液晶表示装置に、互いに平
行となるように設定するとノーマリブラック型の液晶表
示装置となる。本実施例ではノーマリホワイト型とした
。以上のようにして、捩れネマティック型のアクティブ
マトリクス液晶表示装置が得られる。
When the polarization directions of these polarizing plates are set to be perpendicular to each other, a normally white liquid crystal display device is obtained, and when they are set to be parallel to each other, a normally black liquid crystal display device is obtained. In this example, a normally white type was used. In the manner described above, a twisted nematic active matrix liquid crystal display device is obtained.

本実施例のアクティブマトリクス液晶表示装置では、不
透明材料からなり、且つ遮光膜を兼ねる付加容量用電極
5が、絵素電極4の設けられているアクティブマトリク
ス基板上に形成されているので、アクティブマトリクス
基板と対向基板との貼り合わせに際して生じる遮光膜(
付加容量用電極5)と絵素電極4との間の位置ずれが生
じない。
In the active matrix liquid crystal display device of this embodiment, the additional capacitance electrode 5 made of an opaque material and also serving as a light shielding film is formed on the active matrix substrate on which the picture element electrode 4 is provided. A light-shielding film (
No misalignment occurs between the additional capacitance electrode 5) and the picture element electrode 4.

従って、遮光膜と絵素電極との重量部分を小さくするこ
とができ、開口率の低下を低減した液晶表示装置が得ら
れる。また、ディスクリネーションによる輝線の発生部
分も覆うことができる。
Therefore, the weight of the light-shielding film and the picture element electrode can be reduced, and a liquid crystal display device with reduced reduction in aperture ratio can be obtained. Furthermore, it is also possible to cover the portion where bright lines are generated due to disclination.

第3図に本発明の他の実施例に用いられるアクティブマ
トリクス基板の平面図を示す。第3図の実施例では、ゲ
ートバス配線1、ソースバス配線2、ゲート電極1a、
TFT3、絵素電極4等は、前述の第1図の実施例と同
様である。本実施例の付加容量用電極5は、絵素電極4
の一方の辺より内側の部分に重畳して設けられている。
FIG. 3 shows a plan view of an active matrix substrate used in another embodiment of the present invention. In the embodiment shown in FIG. 3, a gate bus wiring 1, a source bus wiring 2, a gate electrode 1a,
The TFT 3, picture element electrode 4, etc. are the same as those in the embodiment shown in FIG. 1 described above. The additional capacitance electrode 5 of this embodiment is the pixel electrode 4
It is provided so as to overlap the inner part of one side of the .

付加容量用電極5を形成する位置は、液晶分子の配向方
向に関係している。
The position where the additional capacitance electrode 5 is formed is related to the alignment direction of the liquid crystal molecules.

第4図に示すように、本実施例では、配向膜13上の液
晶分子23は配向膜13に対し所定のプレチルト角θを
もって配向している。液晶分子23の配向方向に沿い、
配向膜から該配向膜上方に向かうベクトル22を考える
。このベクトル22を配向膜13上へ投影する七ベクト
ル21が得うれる。ベクトル21は、第1図に示すよう
に、絵素電極40対角方向を有している。本実施例の付
加容量用電極5は、ベクトル21の方向とは反対方向の
絵素電極4の部分に重畳して設けられている。
As shown in FIG. 4, in this embodiment, the liquid crystal molecules 23 on the alignment film 13 are aligned at a predetermined pretilt angle θ with respect to the alignment film 13. Along the orientation direction of the liquid crystal molecules 23,
Consider a vector 22 directed upward from the alignment film. Seven vectors 21 are obtained by projecting this vector 22 onto the alignment film 13. The vector 21 has a direction diagonal to the picture element electrode 40, as shown in FIG. The additional capacitance electrode 5 of this embodiment is provided so as to overlap a portion of the picture element electrode 4 in the opposite direction to the direction of the vector 21.

第3図の基板では、付加容量用電極5は遮光膜としても
機能し、ディスクリネーションによる輝線が発生する位
置は、付加容量用電極5が形成されている位置と一致し
ている。従って、第3図のアクティブマトリクス基板を
用いて表示装置を組み立てると、輝線は表示画面上では
見えなくなる。
In the substrate shown in FIG. 3, the additional capacitance electrode 5 also functions as a light shielding film, and the position where a bright line due to disclination is generated coincides with the position where the additional capacitance electrode 5 is formed. Therefore, when a display device is assembled using the active matrix substrate shown in FIG. 3, the bright lines become invisible on the display screen.

しかも、この遮光膜を兼ねる付加容量用電極5は、絵素
電極4が形成されているアクティブマトリクス基板上に
形成されているので、アクティブマトリクス基板と対向
基板との貼り合わせに際して生ずる遮光膜(付加容量用
電極5)と絵素電極4との位置ずれは生じない。従って
、遮光膜を兼ねる付加容量用電極5を設けたことによる
開口率の低下を小さくし得る。
Furthermore, since the additional capacitance electrode 5 that also serves as a light-shielding film is formed on the active matrix substrate on which the picture element electrode 4 is formed, the light-shielding film (additional No misalignment occurs between the capacitor electrode 5) and the picture element electrode 4. Therefore, the decrease in the aperture ratio due to the provision of the additional capacitance electrode 5 which also serves as a light shielding film can be reduced.

第5図に本発明の表示装置の他の実施例に用いられるア
クティブマトリクス基板の平面図を示す。
FIG. 5 shows a plan view of an active matrix substrate used in another embodiment of the display device of the present invention.

本実施例では、付加容量用電極5は第3図の付加容量用
電極5と同様の形状を有している。そして、本実施例で
は各付加容量用電極5間を電気的に接続する配線は、該
付加容量用電極5に対向する絵素電極4の次の列の絵素
電極4に接続されるゲートバス配線1が兼ねている。即
ち、このゲートバス配線1と付加容量用電極5とは一体
的に形成されている。このような構成により、付加容量
用電極5間を接続する配線が不要となるので、絵素電極
4の面積を大きくすることができ、表示装置の開口率を
大きくすることができる。
In this embodiment, the additional capacitance electrode 5 has the same shape as the additional capacitance electrode 5 shown in FIG. In this embodiment, the wiring that electrically connects each additional capacitor electrode 5 is a gate bus connected to the pixel electrode 4 in the next row of the pixel electrode 4 facing the additional capacitor electrode 5. Wiring 1 also serves as this. That is, the gate bus wiring 1 and the additional capacitance electrode 5 are integrally formed. With such a configuration, there is no need for wiring to connect between the additional capacitance electrodes 5, so the area of the picture element electrodes 4 can be increased, and the aperture ratio of the display device can be increased.

上記何れの実施例に於いても、ソース電極11の近傍に
位置する液晶分子の配向が、TFT3に印加される映像
信号により変化し、光が漏れる場合がある。このような
場合には、ソース電極11を覆う遮光膜を対向基板上に
設けた構成ともし得る。この遮光膜はソース電極11と
同じ形状で、ソース電極11と同じか又はそれより太き
(形成される。この構成により、開口率を低下させるこ
となく上記の光の漏れを防止し得る。
In any of the above embodiments, the orientation of liquid crystal molecules located near the source electrode 11 may change depending on the video signal applied to the TFT 3, and light may leak. In such a case, a structure may be adopted in which a light shielding film covering the source electrode 11 is provided on the counter substrate. This light shielding film is formed to have the same shape as the source electrode 11 and to be the same or thicker than the source electrode 11. With this configuration, the above-mentioned leakage of light can be prevented without reducing the aperture ratio.

(発明の効果) 本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置では、遮光
膜としても機能する付加容量用電極がアクティブマトリ
クス基板に形成されているので、アクティブマトリクス
基板と対向基板との貼り合わせの位置ずれに起因する開
口率の低下が生じない。また、ディスクリネーションが
生じる部分に遮光膜を兼ねる付加容量用電極が重畳され
ているので、ディスクリネーションに起因する輝線は表
示画面上には現れない。従って、本発明によれば、開口
率が大きく、高い画像品位を有するアクティブマトリク
ス液晶表示装置が提供される。
(Effects of the Invention) In the active matrix liquid crystal display device of the present invention, since the additional capacitance electrode that also functions as a light shielding film is formed on the active matrix substrate, it is possible to avoid misalignment when bonding the active matrix substrate and the counter substrate. There is no reduction in the aperture ratio due to this. Furthermore, since the additional capacitance electrode that also serves as a light-shielding film is superimposed on the portion where disclination occurs, bright lines caused by disclination do not appear on the display screen. Therefore, according to the present invention, an active matrix liquid crystal display device having a large aperture ratio and high image quality is provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置の
一実施例を構成するアクティブマトリクス基板の平面図
、第2図は第1図のIf−ff線に沿った断面図、第3
図は本発明の表示装置の他の実施例を構成するアクティ
ブマトリクス基板の平面図、第4図は第3図の基板上の
液晶分子の配向方向を示す図、第5図は本発明の表示装
置の他の実施例を構成するアクティブマトリクス基板の
平面図である。 1・・・ゲートバス配線、la・・・デー+1極、2・
・・ソースバス配線、3・・・TFT、4・・・絵素電
極、5・・・付加容量用電極、8・・・ゲート絶縁膜、
13・・・配向膜、23・・・液晶分子。 以上
FIG. 1 is a plan view of an active matrix substrate constituting an embodiment of the active matrix liquid crystal display device of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along the If-ff line in FIG. 1, and FIG.
The figure is a plan view of an active matrix substrate constituting another embodiment of the display device of the present invention, FIG. 4 is a diagram showing the alignment direction of liquid crystal molecules on the substrate of FIG. 3, and FIG. 5 is a display of the present invention. FIG. 7 is a plan view of an active matrix substrate constituting another embodiment of the device. 1... Gate bus wiring, la... Day +1 pole, 2...
...Source bus wiring, 3...TFT, 4...Picture element electrode, 5...Additional capacitance electrode, 8...Gate insulating film,
13... Alignment film, 23... Liquid crystal molecules. that's all

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、対向する一対の絶縁性基板と、該一対の基板の何れ
か一方の基板内面にマトリクス状に配列された絵素電極
と、該絵素電極の一部に少なくとも絶縁膜を挟んで重畳
され且つ不透明材料からなる付加容量用電極と、を備え
たアクティブマトリクス液晶表示装置であって、 該付加容量用電極が該絵素電極の外周及び周縁部を覆っ
て形成されているアクティブマトリクス液晶表示装置。 2、対向する一対の絶縁性基板と、該一対の基板の何れ
か一方の基板内面にマトリクス状に配列された絵素電極
と、該絵素電極上に形成された配向膜と、該配向膜上に
於て該配向膜に対して所定のプレティルト角をもって配
向する液晶分子を有する液晶層と、該絵素電極の一部に
少なくとも絶縁膜を挟んで重畳され且つ不透明材料から
なる付加容量用電極と、を備えたアクティブマトリクス
液晶表示装置であって、 該液晶分子の配向方向に沿い該配向膜から該配向膜上方
へ向かうベクトルを、該配向膜上に投影したベクトルに
対し、該投影ベクトルの方向とは反対方向の該絵素電極
の部分に、該付加容量用電極が重畳されているアクティ
ブマトリクス液晶表示装置。 3、前記一方の基板上に走査線を有し、前記付加容量用
電極が該走査線に電気的に接続されている、請求項2に
記載のアクティブマトリクス液晶表示装置。 4、前記一方の基板上に、前記絵素電極のそれぞれに接
続されたスイッチング素子を有し、前記一対の基板の他
方の基板上に、該スイッチング素子の入力端子に重畳し
て遮光膜が形成されている、請求項1から3の何れかに
記載のアクティブマトリクス液晶表示装置。
[Claims] 1. A pair of insulating substrates facing each other, pixel electrodes arranged in a matrix on the inner surface of one of the pair of substrates, and at least a portion of the pixel electrodes having an insulating structure. An active matrix liquid crystal display device comprising additional capacitance electrodes made of an opaque material and overlapped with a film in between, the additional capacitance electrodes being formed to cover the outer periphery and peripheral edge of the picture element electrode. Active matrix liquid crystal display device. 2. A pair of opposing insulating substrates, picture element electrodes arranged in a matrix on the inner surface of one of the pair of substrates, an alignment film formed on the picture element electrode, and the alignment film. a liquid crystal layer having liquid crystal molecules oriented at a predetermined pretilt angle with respect to the alignment film thereon; and an additional capacitance electrode made of an opaque material and superimposed on a part of the picture element electrode with at least an insulating film in between. An active matrix liquid crystal display device comprising: a vector directed upward from the alignment film along the alignment direction of the liquid crystal molecules, with respect to a vector projected onto the alignment film; An active matrix liquid crystal display device in which the additional capacitance electrode is superimposed on a portion of the picture element electrode in the opposite direction. 3. The active matrix liquid crystal display device according to claim 2, further comprising a scanning line on the one substrate, and the electrode for additional capacitance is electrically connected to the scanning line. 4. A switching element connected to each of the picture element electrodes is provided on the one substrate, and a light shielding film is formed on the other substrate of the pair of substrates so as to overlap the input terminal of the switching element. 4. The active matrix liquid crystal display device according to claim 1, wherein the active matrix liquid crystal display device is
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