JPH03239165A - Inverter system - Google Patents

Inverter system

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JPH03239165A
JPH03239165A JP2034236A JP3423690A JPH03239165A JP H03239165 A JPH03239165 A JP H03239165A JP 2034236 A JP2034236 A JP 2034236A JP 3423690 A JP3423690 A JP 3423690A JP H03239165 A JPH03239165 A JP H03239165A
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switching element
diode
potential
time
turned
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Naokage Kishimoto
直景 岸本
Masahito Onishi
雅人 大西
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Panasonic Electric Works Co Ltd
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Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

PURPOSE:To prevent an excessive short-circuit current from occurring which is caused by simultaneous ON conditions of switching elements by letting the potentials at anode and cathode sides of a diode fall at the same speed or letting the potential at the cathode side fall faster than the one at the anode side when the switching element at the high potential side is turned OFF. CONSTITUTION:With an oscillation output VB at the level H, a switching element S2 is driven at a gate potential E4. As the switching element S2 moves to an ON condition, a potential VA at a point A and the voltage VS2 at both ends of the switching element S2 drop to a potential E. Nextly, when the switching element S1 turnes OFF, the voltage V2 becomes zero in a moment. With the switching element S1 OFF and the switching element S2 ON, an electric charge of a parasitic capacity C2 falls. The next moment, a capacity element C3 is charged. Consequently, the switching element S1 maintains the OFF condition. Afterwards, the switching element S1 maintains the OFF condition since a forward drop voltage is low.

Description

【発明の詳細な説明】 し産業上の利用分野] 本発明は、電源と並列に2つの直列接続されたスイッチ
ング素子と接続したインバータ装置に関するものである
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an inverter device connected in parallel with a power source and two switching elements connected in series.

[従来の技術] 第7図は従来の回路を示し、第8図にその動作波形図を
示す。直流室#Eと直列に接続されているスイッチング
素子S、、S2は、MOS−FETを用いており、二の
従来の回路では、スイッチング素子S2のオンオフ動作
によって2 スイッチング素子Slの駆動信号を制御す
るものである。
[Prior Art] FIG. 7 shows a conventional circuit, and FIG. 8 shows its operating waveform diagram. The switching elements S, S2 connected in series with the DC chamber #E use MOS-FETs, and in the second conventional circuit, the drive signal of the second switching element Sl is controlled by the on/off operation of the switching element S2. It is something to do.

発振回路1は、HレベルとLレベルの期間を有する矩形
波出力信号V8を出力する。スイッチング素子S + 
、 S 2のそれぞれの駆動信号は、スイッチング素子
S2では発振回路1の出力信号V@がドライブ回路2を
介して信号■。Uア、が、スイッチング素子S1では、
■、:がドライブ回路3を介して信号V +)Bi2が
それぞれ供給される。
The oscillation circuit 1 outputs a rectangular wave output signal V8 having periods of H level and L level. Switching element S +
, S2, the output signal V@ of the oscillation circuit 1 is passed through the drive circuit 2 to the signal ■ in the switching element S2. Ua, but in the switching element S1,
(2) and : are respectively supplied with the signal V+)Bi2 via the drive circuit 3.

そして、■3.は、抵抗R1、ダイオードD1の直列回
路の接続点Aの電位であり、ダイオードDのカンード電
位となる。上記接続点Aは、ドライブ回路3の入力端子
とスイッチング素子s2のドレインに接続されている。
And ■3. is the potential at the connection point A of the series circuit of the resistor R1 and the diode D1, and is the canard potential of the diode D. The connection point A is connected to the input terminal of the drive circuit 3 and the drain of the switching element s2.

El、E2.El、E。El, E2. El, E.

は電源で!)す、インダクタl−とコンデンサc1は、
負荷4の共振的な電力を供給するための供給用素子であ
る。そして、コンデンサC6は直流分カット用であり、
コンデンサC0の容量はコンデンサ(コ、の容量より非
常に大きくしである。二の従来例では、ドライブ回路2
の電源として、E2.E。
With power! ), inductor l- and capacitor c1 are
This is a supply element for supplying resonant power to the load 4. And capacitor C6 is for DC cut,
The capacitance of capacitor C0 is much larger than that of capacitor C0.In the second conventional example, drive circuit 2
As a power source for E2. E.

の2−)の電源を有し2スイゾチsw、、sw2のオン
オフにより、ドライブ回路2の電源、すなわちスイッチ
ング素子S1の駆動電圧を制御しているものである。
It has a power source of 2-) and controls the power source of the drive circuit 2, that is, the drive voltage of the switching element S1, by turning on and off the two switches sw, , sw2.

今、インダクタし、コンデンサC2負荷4による共振回
路の共振周波数よりも高い周波数の発振出力■6が第8
図(a)に示すように出力されるものとする。時刻も0
でVIlがHレベルになると、スイッチSW1がオン、
スイッチsW2がオフとなり、ドライブ回路2を介して
スイッチング素子S、はゲート電位E、で駆動され、同
図(b)に示すように■。。、2は急速にE4に上昇し
、スイッチング素子S2も急速にオン状懸に移行する。
Now, the oscillation output ■6 with a frequency higher than the resonant frequency of the resonant circuit caused by the inductor and the capacitor C2 and the load 4 is the 8th
It is assumed that the output is as shown in Figure (a). The time is also 0
When VIl goes to H level, switch SW1 turns on.
The switch sW2 is turned off, and the switching element S is driven by the gate potential E through the drive circuit 2, as shown in FIG. . , 2 rapidly rises to E4, and the switching element S2 also rapidly shifts to the on state.

すると、■6、VO,、□も同図<d)(e)に示すよ
うに低下し始める。
Then, ■6, VO, and □ also begin to decrease as shown in <d) and (e) of the same figure.

しかし、二の時、VCの方がV。U□よりも速く降下す
る。従って、時刻1.において■。はゼロになり、さら
に低下する。この時、ダイオードD、は順バイアスされ
、スイッチング素子S、はまだオン状9分維持している
However, at the second time, VC is V. It descends faster than U□. Therefore, time 1. In ■. becomes zero and decreases further. At this time, diode D is forward biased and switching element S remains on for 9 minutes.

また、スイッチング素子82の駆動電圧(ゲート・ソー
ス間電圧)は同図<h>に示すようにElであり、この
駆動電圧E4は、スイッチング素子s2が飽和領域で動
作して同図(g)に示す電流IYの定電流源となるよう
な電圧に設定されているで、電源E→ススイチング素子
S、→ダイオードD1−スイッチング素子S2のループ
でIYの一定電流が、時刻t1からt2まで流れる。こ
の一定電流11は、電源E、の設定により微少な電流に
設定できるのて、二の間のスイッチング素子S + 、
 S 2のストレスも問題にならない。また、スイッチ
ング素子Sには第8図(「)に示すように、負荷電流I
 LOAn(第8図(1))と、一定電流Iy(第8図
(g))の合成電流が流れている。また、VCは、同e
(d)に示すように、ダイオードDIの順方向降下電圧
V F Iだけ負電位となる。
The driving voltage (gate-source voltage) of the switching element 82 is El as shown in <h> in the same figure, and this driving voltage E4 is caused by the switching element s2 operating in the saturation region as shown in (g) in the same figure. A constant current IY flows from time t1 to t2 in the loop of power supply E→switching element S→diode D1-switching element S2. This constant current 11 can be set to a minute current by setting the power source E, so that the switching element S + between the two
S2 stress is not a problem either. In addition, the switching element S has a load current I as shown in FIG.
A composite current of LOAn (FIG. 8(1)) and a constant current Iy (FIG. 8(g)) flows. In addition, the VC
As shown in (d), the potential becomes negative by the forward direction drop voltage V FI of the diode DI.

そして、時刻t2において、 VQll?lは、同図(
e)に示すようにスイッチング素子Slのスレッシボル
ド電位VTlまで降下し、この時点でスイッチング素子
S、はオフする。そして、この従来例においては、スイ
ッチング素子82を飽和領域で急速にオンさせて、tR
E−スイッチング素子S1−ダイオードD、−スイッチ
ング素子s2のループでIYの一定電流と流しているの
で、Vcは急速に降下し、VOII□も急速に降下する
。従って、発振回路1の出力■6がHレベルになってが
ら、スイッチング素子Slがオフするまでの時間1、−
10は、全体の周期T(t 、−t o)に比べて非常
に小さく、無視できるものとなり、発振回路1の出力信
号通りにスイッチング素子S+、Szの他励制御が可能
となるものである。
Then, at time t2, VQll? l is the same figure (
As shown in e), the voltage drops to the threshold potential VTl of the switching element S1, and at this point the switching element S is turned off. In this conventional example, the switching element 82 is rapidly turned on in the saturation region, and tR
Since a constant current of IY is flowing in the loop of E-switching element S1-diode D and -switching element s2, Vc rapidly drops and VOII□ also rapidly drops. Therefore, the time 1, - from when the output 6 of the oscillation circuit 1 is at H level until the switching element Sl is turned off is 1, -
10 is very small compared to the entire period T(t, -t o) and can be ignored, making it possible to separately excite the switching elements S+ and Sz according to the output signal of the oscillation circuit 1. .

時刻t2でスイッチング素子S、がオフすると、インダ
クタLの電流は流れ続けようとし、ダイオードD2がオ
ンして、V2はE→0に反転し、電流Io2が第1J<
h)に示すように時刻t、まで流れる。
When the switching element S is turned off at time t2, the current in the inductor L tries to continue flowing, the diode D2 is turned on, V2 is reversed from E to 0, and the current Io2 becomes the first J<
The flow continues until time t, as shown in h).

時刻t2において、スイッチS W +はオフ、スイン
チSW2はオンとなり、■。ur□は第8図(b)に示
すように急速に上昇する6時刻t2からt、の期間にお
いては、電源E、−抵抗R1−スイッチング素子S2−
ダイオードD2の経路で電流が流れるので、Vcは同図
(d)に示すようにほぼダイオードD2の順方向降下電
圧VF、分だけ正電位となるが、順方向降下電圧VF2
は低電位(約0.7 V)であるので、Vou□はLレ
ベルを維持して、スイッチング素子S、はオフ状那を維
持する。やがて、インダクタLの電流は共振によって反
転し、ダイオードDを介してスイッチング素子82に流
れる。この時、ダイオードDlがオンしてため、■oは
第8図(d)に示すように、ダイオードD、の順方向降
下電圧Vy1分だけ負電位となるため、V OuT+は
同図(e)に示すように1.レベルを保つことになる。
At time t2, the switch SW+ is turned off, the switch SW2 is turned on, and ■. As shown in FIG. 8(b), during the period from time t2 to time t when ur□ rapidly increases, the power supply E, - resistor R1 - switching element S2 -
Since a current flows through the path of the diode D2, Vc becomes a positive potential approximately equal to the forward drop voltage VF of the diode D2, as shown in FIG.
Since Vou□ is at a low potential (approximately 0.7 V), Vou□ maintains an L level, and switching element S maintains an off state. Eventually, the current in the inductor L is reversed due to resonance and flows through the diode D to the switching element 82. At this time, since the diode Dl is turned on, ■o becomes a negative potential by the forward drop voltage Vy1 of the diode D, as shown in Fig. 8(d), so V Out+ becomes as shown in Fig. 8(e). As shown in 1. It will maintain the level.

時刻t、で、■わがLレベルに反転し、V OII 1
2は第8図<b)に示すように低下し始め、時刻t、で
VnuT2がスイッチング素子82のスレッショルド電
位■ア2まで降下し、この時改てスイッチング素子S2
はオフし、インダクタしに流れていた電流は流れ続けよ
うとし、スイッチング素子S、に逆向きに流れる。そし
て、V2は同図(c)に示すようにゼロからEに反転す
る。この後、ダイオードDはオフし、V 、: 、 、
 V O’I T lは同図(d)<e)に示すように
上昇し始め、時11 t、、 6において完全なHレベ
ルとなる。二の時、スイ・lチング素子s1には、まだ
逆向きの電流が流れている。その債、スイッチング素子
Slには共振電流が流れ続ける。時刻t、て再び、■8
がLレベルがらHしベルに反転し、前述め動作と繰り返
して、負荷4に同図(i)に示すような電流(交流電力
)を供給する。
At time t, it is reversed to the L level, and V OII 1
2 begins to decrease as shown in FIG.
is turned off, and the current that was flowing through the inductor attempts to continue flowing, flowing in the opposite direction to the switching element S. Then, V2 is inverted from zero to E as shown in FIG. After this, diode D is turned off and V , : , ,
V O'I T l begins to rise as shown in (d)<e) of the figure, and reaches a complete H level at 11 t, 6. At time 2, the current in the opposite direction is still flowing through the switching element s1. The resonant current continues to flow through the switching element Sl. At time t, again, ■8
is inverted from the L level to H and then to the bell, and the above-mentioned operation is repeated to supply the load 4 with a current (AC power) as shown in FIG. 4(i).

以上のように、第7図で示した回路においては、スイッ
チング素子S2の動作に、スイッチング素子S1の動作
が従う関係となる構成において、低電位側のスイ・lチ
ング素子S2をターンオンさせる場合に、スイッチング
素子S2を定電流源となる飽和領域で駆動し、りる一定
の定電流を電源E−スインチング素子Sl−ダイオード
D1−スイッチング素子S2のルーアで流しているので
、安定で、同時オンによる過大な短絡電流が流れること
はなく、インバータ装置内の発振回路の出力通りに他励
制御が可能となるものである。
As described above, in the circuit shown in FIG. 7, in a configuration where the operation of the switching element S1 follows the operation of the switching element S2, when turning on the switching element S2 on the low potential side, , the switching element S2 is driven in the saturation region as a constant current source, and a constant constant current is passed between the power supply E, the switching element Sl, the diode D1, and the switching element S2, so it is stable and can be turned on simultaneously. An excessive short-circuit current does not flow, and separate excitation control can be performed according to the output of the oscillation circuit within the inverter device.

E晩明が解決しようとする課題] しかしながら、従来例においては、以下のような問題が
りった。それはFETからなるスイッチング素子S、の
トレイン・ソース間の寄生容量イ:、に起因するもので
あり、第9図t!−参照しながら説明する。前述のよう
に時刻t2においてスイッチング素子S、はオフし、イ
ンダクタLの電流は流れ続けようとし、この共振のエネ
ルギーてV2は瞬時にEより0に反転するにこで、上記
接続点Aの直流型#Eのグランドより見た電位をVAと
すると、VAはスイッチング素子S2のトレイン・ソー
ス間の寄生容11 c zのために、時刻t2にt)い
ては、Eの電位に寄生容1c2が充電されているため、
第9図<e)に示すようにほぼEの電位になっている(
1M密にはE−vr+>。そして、その擾、■1)IJ
ア2は、スイッチSWlがオン、スイッチSW2はオフ
するので、同図(b)に示すように急速にE2まで上昇
するが、瞬時にE2になってスイッチング素子S2が完
全にオンするのではなく、徐々に完全なオン状態へ移行
するため5寄生容量C2の電荷は、スイッチング素子S
2を介して徐々に放電されなからOV vこ低下する。
Problems to be Solved by E-Yanmei] However, in the conventional example, the following problems arose. This is due to the parasitic capacitance between the train and source of the switching element S, which is an FET, and is shown in Fig. 9, t! -Explain with reference. As mentioned above, at time t2, the switching element S turns off, and the current in the inductor L tries to continue flowing, and the energy of this resonance instantly reverses V2 to 0 from E, and the DC current at the connection point A increases. If VA is the potential seen from the ground of type #E, VA is due to the parasitic capacitance 11 c z between the train and source of switching element S2. Because it is charged,
As shown in Figure 9<e), the potential is approximately E (
1M densely E-vr+>. And then, ■1) IJ
In A2, the switch SWl is turned on and the switch SW2 is turned off, so it quickly rises to E2 as shown in Figure (b), but it does not instantly reach E2 and the switching element S2 turns on completely. , the charge of the parasitic capacitance C2 gradually shifts to a completely on state, so that the charge of the switching element S
Since the voltage is gradually discharged through 2, the OV decreases.

従って、VAとV2とでは、第9図(end)に示すよ
うにQVに低下する速度に差が生じる。つまり、VAは
■2に比べてOVに低下するのが遅くなる。そして、時
刻t2から時刻t2′の間はダイオードD、の逆回復時
間があるため、同図(f)に示すようにほぼOVとなる
。VAと■2の電位の差異の影響は出ないが、時刻t2
′で完全にダイオードD、がオフした場合においても、
同図(e)に示すように、寄生容量C2の電荷が完全に
放電されずにVAがいくらかの電位E。と持っていると
、VCはE、の電位だけ急速に上昇し、寄生容量C2の
電荷がスイッチング素子S2を介して放電されるにつれ
て、■6 ■。ともに低下し、時刻t2″ともにOVに
なる。従って、こf)時刻t2′からt2″においては
、同図(b)(e)に示すように、スイッチング素子S
、、S2が共にオン状態になる期間が生じる。そのため
、同図<g)(b)に示すように、電源Eを介してスイ
ッチング素子S、、S2に大きな短絡電流Iつが流れる
という問題があった。尚、時刻t2″からt、までの動
作は、第7図の従来例の時刻t2からt、までの動作と
同じなのて省略する。
Therefore, there is a difference in the speed at which QV decreases between VA and V2, as shown in FIG. 9 (end). In other words, VA decreases to OV more slowly than in case (2). Since there is a reverse recovery time of the diode D between time t2 and time t2', the voltage becomes approximately OV as shown in FIG. 4(f). Although there is no effect of the difference in potential between VA and ■2, at time t2
Even if diode D is completely turned off at
As shown in the figure (e), the parasitic capacitance C2 is not completely discharged and VA is at a certain potential E. , VC rapidly rises by the potential of E, and as the charge of the parasitic capacitance C2 is discharged via the switching element S2, 6. Therefore, from time t2' to t2'', as shown in (b) and (e) of the figure, the switching element S becomes OV.
, , S2 are both in the on state. Therefore, as shown in <g)(b) of the same figure, there is a problem in that a large short-circuit current I flows through the switching elements S, S2 via the power source E. Note that the operation from time t2'' to t is the same as the operation from time t2 to t in the conventional example shown in FIG. 7, and will therefore be omitted.

このように、従来例においては、低電位側のスイッチン
グ素子S2の寄生容量C2に起因するV2と■6の電位
の差異により、スイッチング素子S、S2の同時オンに
よる破壊が発生し、信頼性が低下するという問題があっ
た。
As described above, in the conventional example, due to the difference in potential between V2 and ■6 caused by the parasitic capacitance C2 of the switching element S2 on the low potential side, destruction occurs due to simultaneous ON of the switching elements S and S2, and reliability is reduced. There was a problem with the decline.

本発明は、上述の点に濫みて提供したものであって、安
定で、スイッチング素子の同時オンによる過大な短絡電
流が流れることなく、他動制御がiiT能なインバータ
装置を提供することを目的としたものである。
The present invention has been provided in view of the above-mentioned points, and an object of the present invention is to provide an inverter device that is stable and capable of passive control without causing an excessive short-circuit current to flow due to simultaneous ON of switching elements. That is.

〔課題ご解決するための手段] 本発明は、直流電源と並列に、高電位側のスイッチング
素子と、このスイッチング素子と順方向となるダイオー
ドと、低電位側のスイッチング素子との直列回路を接続
し、上記ダイオードと低電位r!sグ)スイッチング素
子の接続点と高電位側のスイッチ〉グ素子の制御端子と
を接続し1両スインチング素子と交互にオンオフ制御す
るようにしたインバータ装置において、上記高電位側の
スイッチング素子がターンオフする時に、上記ダイオー
ド力アノードとカソードの2点め電位がほぼ同じように
降下若しくはカソード側を早く降下させる制御手段′!
−備之たものである6 [作 用] 而して、高電位側のスイッチング素子をターンオフさせ
る時に、低電位側のスイッチング素子の寄生容量に起因
して生しるダイオードのアノードとカソードの2点の電
位を制御手段により、はぼ同じように降下若しくはカソ
ード側を早く降下させるようにして低電位側のスイッチ
ング素子の寄生容量に充電される電荷の影響を無くし、
両スイ/チング素子の同時オンによる過大な短絡電流を
防止するようにしている5 [実施例1] 以下5本発明の一実施例を図面を参照して説明する。本
発明は、第7図で示した従来例において、低電位側のM
o5−FETからなるスイッチング素子S2の寄生容量
に起因するV2の電位とA点の電位の降下の速度の違い
から生じる影響をなくす手段をf+を加したものである
。これによって5低電位側のスイッチング素子がオンに
もかかわらず、vl、が上昇して高電位側のスイッチン
グ素子らオンして同時オンによる過大な短絡電流が流れ
ることを防ぎ、安定で同時オ〉による過大な短絡電流が
流れることのない他動制御可能としているものである。
[Means for Solving the Problems] The present invention connects a series circuit of a switching element on the high potential side, a diode in the forward direction of this switching element, and a switching element on the low potential side in parallel with a DC power supply. And the above diode and low potential r! In an inverter device in which the connection point of the switching element and the control terminal of the switching element on the high potential side are connected to perform on/off control alternately with one switching element, the switching element on the high potential side is turned off. At this time, the diode power anode and cathode potentials at the second point drop almost equally, or the cathode side drops quickly!
6 [Function] Therefore, when the switching element on the high potential side is turned off, the voltage between the anode and cathode of the diode is generated due to the parasitic capacitance of the switching element on the low potential side. Using a control means, the potential at the point is lowered in the same way, or the cathode side is lowered faster, thereby eliminating the influence of the charge charged in the parasitic capacitance of the switching element on the low potential side,
Excessive short-circuit current due to simultaneous turning on of both switching/switching elements is prevented.5 [Embodiment 1] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. The present invention improves the M on the low potential side in the conventional example shown in FIG.
f+ is added as a means for eliminating the influence caused by the difference in rate of drop between the potential at V2 and the potential at point A, which is caused by the parasitic capacitance of the switching element S2 consisting of an o5-FET. As a result, even though the switching element on the low potential side is on, vl increases and the switching element on the high potential side turns on, preventing an excessive short-circuit current from flowing due to simultaneous on, and stable and simultaneous on. This enables passive control without causing excessive short-circuit current to flow.

以下、具体的に説明する。第1図に具体回路図を示し、
第2図にその動作波形図と示している。
This will be explained in detail below. Figure 1 shows a specific circuit diagram,
FIG. 2 shows its operating waveform diagram.

本実施例においては、低電位側のスイッチング素子S2
と、それに順方向になるようにA点とスイッチング素子
S2の間にダイオードD、を接続したものである。これ
によりスイッチング素子S2の寄生容量C2に起因する
スイッチング素子S2の両端電圧■s2の電位と、A点
の電位■6の降下の速度の違いから生じるスイッチング
素子S1.S2の同時オンを防止し、たちのである。尚
、上記ダイオードD、にて制御手段と構成している。
In this embodiment, the switching element S2 on the low potential side
A diode D is connected between the point A and the switching element S2 so as to be in the forward direction. As a result, the switching element S1. which is caused by the difference in the rate of drop between the potential of the voltage s2 across the switching element S2 due to the parasitic capacitance C2 of the switching element S2 and the potential 6 of the point A. This prevents S2 from being turned on at the same time. Note that the diode D constitutes a control means.

次に、本実施例において、特徴となる部分のみ第20を
参照しながら説明する。今、インダクタし、コンデンサ
C3、負R4による共振回路の共振周波数よりも高い周
波数の発振出力V6が発振回路1から第2[J(a)に
示すように出力されるものとする。時刻t0で■6がH
しベルとなると、スイッチSW、がオン、スイッチSW
2がオフとなり、同図(b)に示すように、ドライブ回
路2f!−介してスイッチング素子S2はゲート電位E
、で駆動される。この時、A点の電位は、スイッチング
素子S1がオンしているので、同[](e)に示すよう
にE+E、f)電位となり、また、スイッチング素子S
2の両端間の電位も、スイッチング素子S、のドレイン
・ソース間の寄生容量C2がE+EIに充電されるので
、同図(f)に示すようにE+Elの電位になっている
Next, in this embodiment, only the characteristic portion will be explained with reference to No. 20. Now, it is assumed that an oscillation output V6 having a frequency higher than the resonant frequency of the resonant circuit formed by the inductor, capacitor C3, and negative R4 is outputted from the oscillation circuit 1 as shown in the second [J(a)]. ■6 is H at time t0
When the bell comes on, switch SW is turned on and switch SW is turned on.
2 is turned off, and as shown in FIG. 2(b), the drive circuit 2f! -The switching element S2 is connected to the gate potential E through
, driven by . At this time, since the switching element S1 is on, the potential at point A becomes the E+E,f) potential as shown in [ ] (e), and the switching element S
Since the parasitic capacitance C2 between the drain and source of the switching element S is charged to E+EI, the potential between both ends of the switching element 2 is also at the potential E+El as shown in FIG. 2(f).

そして、時刻t0からt、まで、スイッチング素子S2
がオン状態に移行するにつれ、■。は同図(g>に示す
ようにElよりOVに低下するので、■6、VS2も共
に同図(e)(f)に示すようにE + E lからE
に低下する。そして、時刻t、からt2の間の動作は第
7図で示した従来例と同じ動作である。
Then, from time t0 to t, switching element S2
As the transitions to the on state, ■. As shown in the same figure (g>), OV decreases from El, so ■6 and VS2 also change from E + E l to E as shown in (e) and (f) of the same figure.
decreases to The operation from time t to t2 is the same as the conventional example shown in FIG.

時刻t2において、第2図(e)に示すようにスイッチ
ング素子S1がオフすると、インダクタLの1に流は流
れ続けようとし、この共振のエネルギーで■2は同図(
d)に示すように瞬時にEよりOVになる。ここで、ス
イ・1チング素子S2の両端電圧Vs2は、そのトレイ
ン・ソース間の寄生容量C2が時刻t2においては、E
の電位に充電されているので、はぼEの電位になる。そ
して、VAはダイオードD、が第1図に示すように接続
されているので、ダイオードDコが逆バイアスされてオ
フ状移となり、スイッチング素子S2の両端電圧Vs2
の影響を受けない、そして、二の時点てはダイオードD
1が逆回復時であって、逆向きに導通しているので、V
Aは■2と同様に同図(e)に示すようにEより0に反
転し、VCは同図(g>に示すようにQVとなる。
At time t2, when the switching element S1 is turned off as shown in Fig. 2(e), the current tends to continue flowing through the inductor L, and due to the energy of this resonance, ■2 becomes as shown in Fig. 2(e).
As shown in d), OV instantly changes from E. Here, the voltage Vs2 across the switching element S2 is such that the parasitic capacitance C2 between its train and source is E at time t2.
Since it is charged to the potential of E, it becomes the potential of E. Since VA is connected to diode D as shown in FIG. 1, diode D is reverse biased and turned off, and the voltage Vs2 across switching element S2 is
, and the second point is diode D.
1 is at the time of reverse recovery, and conduction is in the opposite direction, so V
Similarly to (2), A is inverted from E to 0 as shown in (e) of the same figure, and VC becomes QV as shown in (g>) of the same figure.

そして、時刻t2からt2′の間は、ダイオードD、が
まだ逆回復時であるので、■。はほぼ0■でスイッチン
グ素子SIはオフしており、V s 2はスイッチング
素子82が徐々に完全にオンに以降するので i−主容
量C2の電荷はスインチング素子S2念介して放電され
、低下していく。また、V、、V、は共にまだ共振電流
がダイオードD2と介して流れているので、共にほぼ0
■となっている。
Then, between time t2 and t2', diode D is still in reverse recovery, so (2). is almost 0■, the switching element SI is off, and since the switching element 82 is gradually turned on completely, the electric charge of the i-main capacitor C2 is discharged through the switching element S2 and lowered. To go. In addition, since resonant current still flows through the diode D2, both V and V are almost 0.
■It is.

時刻t2′でダイオードD、が完全にオフした時点にお
いて、第2図(f)に示すように、寄生容量C2の電荷
が完全に放電されずに■7がいくらかの電位E0を持っ
ており、その後、時刻t2〜で完全に放電されて0■と
なる。そして、この時刻t′とt、″において、V、、
V2はともにほぼOVとなって、Vs2より低い電位と
なっているが、V9に関してはダイオードD、があるた
め、Vs2の影響を受けず、第7図の従来例で示したよ
うにVs。
When the diode D is completely turned off at time t2', as shown in FIG. 2(f), the charge of the parasitic capacitance C2 is not completely discharged and 7 has some potential E0, Thereafter, from time t2 onwards, it is completely discharged and becomes 0■. Then, at these times t' and t,'', V,...
Both V2 are approximately OV, which is a lower potential than Vs2, but since V9 has a diode D, it is not affected by Vs2, and as shown in the conventional example in FIG. 7, Vs.

分だけ急速に上昇するということはなく、ダイオードD
、がオフしているので、電源E、−抵抗R1−C1の経
路で、C3が充電される。ここで、Cコは、ドライブ回
路3の入力端子やダイオードDの寄生容量をまとめた容
量成分である。従って、抵抗R1の値を適切に設定すれ
ば、この時刻t2からt2″の間において、VCが上昇
する電位は非常に小さいものなので、スイッチング素子
SLはオフ状態を維持する。
It does not rise as quickly as the diode D
, is off, C3 is charged through the path of power supply E, resistor R1 and C1. Here, C is a capacitance component that summarizes the parasitic capacitance of the input terminal of the drive circuit 3 and the diode D. Therefore, if the value of the resistor R1 is appropriately set, the potential at which VC rises between times t2 and t2'' is very small, so that the switching element SL maintains the off state.

その後5時刻t、′からt、の間において、Vs2≦E
、どなると、電源E、−抵抗R9−スイッチング素子S
2−ダイオードD2の経路で電流が流れ出し、そのうち
、VCは第2図(g)に示すようにほぼダイオードD2
の順方向降下電圧■、2分だけ正電位となって一定とな
る。これ以後時刻t、まては、E 1−= R,−C3
の充電経路はない。そして、順方向降下電圧V、2は低
電位(約0.7V)であるので、V ou□は第2図(
c)に示すようにLレベルを維持してスイッチング素子
S1はオフ状態を維持する。
After that, from time t,' to t, Vs2≦E
, when the power source E, - resistor R9 - switching element S
2-A current flows through the path of the diode D2, of which VC almost reaches the diode D2 as shown in Fig. 2(g).
The forward voltage drop ■ becomes a positive potential for 2 minutes and becomes constant. From now on, time t, or E 1-= R, -C3
There is no charging route. Since the forward drop voltage V,2 is a low potential (approximately 0.7V), Vou□ is shown in Figure 2 (
As shown in c), the switching element S1 maintains the L level and maintains the off state.

やがて、インダクタLの電流は共振によって反転し、ダ
イオードD、を介してスイッチング素子S2を流れる。
Eventually, the current in the inductor L is reversed due to resonance and flows through the switching element S2 via the diode D.

この時、ダイオードD、がオンしているため、■ゆけ第
2図([1>に示すようにダイオードD、の順方向降下
電圧75分だけ負電位となるため、■。1JTIはLレ
ベルを保ち、スイッチング素子S1はオフ状態を維持す
る。
At this time, since diode D is on, the potential becomes negative by 75 minutes of the forward drop voltage of diode D, as shown in Figure 2 ([1>). and the switching element S1 maintains the off state.

時刻t4で■、が第2図(a)に示すようにLレベルに
反転した後5時刻t、で再びLレベルよりHレベルに反
転するまでの動作は第7図の従来例と同じであり、この
繰り返しで動作する。そして、負荷4には第2図(k>
に示すような電流(交流電力)を供給するものである。
The operation from when ■ is inverted to the L level at time t4 as shown in FIG. 2(a) until it is again inverted from the L level to the H level at time t is the same as in the conventional example shown in FIG. , it works by repeating this. Then, for load 4, as shown in Fig. 2 (k>
It supplies current (AC power) as shown in .

以上のように、第1図で示した回路においては、スイッ
チング素子S2とそれに順方向になるように点Aとスイ
ッチング素子S2の間にダイオードD、と接続すること
によって、スイッチング素子S2の寄生容量C2に起因
するスイッチング素子S2の両端電圧V s 2の電位
A点の電位■8の降下の速度の違いから生じるスイッチ
ング素子SS2の同時オンを防止できるので5従来例の
ような不都合は発生しなくなる。
As described above, in the circuit shown in FIG. 1, the parasitic capacitance of the switching element S2 is reduced by connecting the diode D between the switching element S2 and the point A and the switching element S2 in the forward direction. It is possible to prevent the simultaneous turning on of the switching element SS2 caused by the difference in the rate of drop of the potential of the voltage V s 2 across the switching element S2 at the point A due to the difference in the rate of drop of the voltage V s 2 across the switching element S2 due to C2, so the inconveniences as in the conventional example 5 no longer occur. .

[実施例2] 第3図は実施例2を示し、ハーフブリッジ構成において
も、本発明が適用できることを示すもので、スイッチン
グ素子S1と82がダイオードDを介して直列に接続さ
れる構成に適用できるものである。この実施例でも先の
実施例と同様の効果がある。
[Example 2] FIG. 3 shows Example 2, and shows that the present invention can be applied to a half-bridge configuration, and is applied to a configuration in which switching elements S1 and 82 are connected in series via a diode D. It is possible. This embodiment also has the same effects as the previous embodiment.

〔実施例3] 第4図に実施例3を示す。発振回路1は、タイマー用の
IC1a(NEC製u PD5555等)と、抵[Ry
、Rs、コンデンサC,,C,により無安定発振回路を
構成して得ている。抵抗R,,R,、コンデンサC,の
定数により、IC1aの3番の出力端子から出力される
方形波の周波数とオンデユーテイが決定される。スイッ
チング素子S2の駆動回路であるドライブ回路2は、N
PN型のトランジスタQ、とPNP型のトランジスタQ
2と抵抗R5により構成される。同様に、スイッチング
素子S、の駆動回路であるドライブ回路3も、NPN型
Fl i−ランジスタQ、とPNP型のトランジスタQ
4により構成される。抵抗R,,,R,はそれぞれスイ
ッチング素子S、、S2のゲート抵抗である。
[Example 3] Example 3 is shown in FIG. The oscillation circuit 1 includes a timer IC1a (NEC u PD5555, etc.) and a resistor [Ry
, Rs, and capacitors C, ,C constitute an astable oscillation circuit. The frequency and on-duty of the square wave output from the No. 3 output terminal of the IC 1a are determined by the constants of the resistors R, ,R, and the capacitor C. The drive circuit 2, which is a drive circuit for the switching element S2, has an N
PN type transistor Q and PNP type transistor Q
2 and a resistor R5. Similarly, the drive circuit 3, which is a drive circuit for the switching element S, also includes an NPN type Fl i-transistor Q and a PNP type transistor Q.
Consisting of 4. Resistors R, , R, are gate resistances of switching elements S, , S2, respectively.

発振回路1及びドライブ回路2の電源は、抵抗R1、コ
ンデンサC6、ツェナーダイオードZD、により構成さ
れ、電源Eより抵抗R3を介して、コンデンサC6の両
端電圧E2として得られる。ツェナーダイオードZD、
は、過電圧保護と電源の安定化のためのものて゛ある。
The power supply for the oscillation circuit 1 and the drive circuit 2 is constituted by a resistor R1, a capacitor C6, and a Zener diode ZD, and is obtained from a power supply E through a resistor R3 as a voltage E2 across the capacitor C6. Zener diode ZD,
is for overvoltage protection and power supply stabilization.

ドライブ回路3の電源は、抵抗R,,コンデンサC5に
よって構成され、スイッチング素子S2がオンしている
間に、電源Eの抵抗RイとR7の分圧分の電圧E1がコ
ンデンサC3に蓄積されるものである。そして、抵抗R
s、R1゜、ツェナーダイオードZD2.FETQ、が
、スイッチング素子S2をターンオンする場合に、スイ
ッチング素子S2を定電流源とし、ある定電流を$源E
−スイッチング素子S1→ダイオードD、→スイッチン
グ素子S2のループに流れるように駆動電圧(S2のゲ
ート・ソースms圧)を制御する制御部5である。
The power supply of the drive circuit 3 is composed of a resistor R, and a capacitor C5, and while the switching element S2 is on, a voltage E1 divided by the resistors R and R7 of the power supply E is accumulated in the capacitor C3. It is something. And resistance R
s, R1°, Zener diode ZD2. When FETQ turns on the switching element S2, the switching element S2 is used as a constant current source, and a certain constant current is applied to the $ source E.
- A control unit 5 that controls the drive voltage (gate-source ms pressure of S2) so that it flows in the loop of switching element S1 → diode D, → switching element S2.

抵抗R5とRIGの直列回路がダイオードD2に並列に
接続され、抵抗R1oに並列にツェナーダイオードZD
2が接続され、F E T Q sのゲートは上記抵抗
R5とR2゜の接続点りに接続され、F E T Q 
sのソースはグランドラインに、ドレインはスイッチン
グ素子S2のゲートに接続されている。また、先の実施
例と同様に、ダイオードDつがA点とスイッチング素子
S2との間に挿入接続しである。
A series circuit of resistor R5 and RIG is connected in parallel to diode D2, and a Zener diode ZD is connected in parallel to resistor R1o.
2 is connected, and the gate of FETQs is connected to the connection point of the resistors R5 and R2°, and FETQ
The source of s is connected to the ground line, and the drain is connected to the gate of switching element S2. Further, as in the previous embodiment, D diodes are inserted and connected between the point A and the switching element S2.

池の構成については、第1図に示した構成と同じである
The configuration of the pond is the same as that shown in FIG.

本実施例における制御部5について、動作波形図を示す
第2図を参照しながら説明する。時刻to″cv、がH
レベルとなると、抵抗R6を介してトランジスタQ、は
順バイアス、トランジスタQ2は逆バイアスされ、Q、
はオン、Q2はオフとなって、Q、を介して電圧E2が
抵抗R2を介してスイッチング素子S2のゲートに印加
される。しかし、この時、制御部5において、抵抗R,
,R,。、ツェナーダイオードZD2の設定により、V
2がほぼゼロになるまで、換言すれば、抵抗R9を介し
である程度のツェナー電流がツェナーダイオードZD2
に流れている間においてはF E T Q sをツェナ
ーダイオードZD2のツェナー電圧でバイアスし、Q5
を電流I0の定電流源としている。
The control section 5 in this embodiment will be explained with reference to FIG. 2 showing an operation waveform diagram. Time to″cv, is H
level, transistor Q is forward biased through resistor R6, transistor Q2 is reverse biased, and Q,
is on, Q2 is off, and voltage E2 is applied via Q to the gate of switching element S2 via resistor R2. However, at this time, in the control section 5, the resistance R,
,R,. , by setting the Zener diode ZD2, V
In other words, some Zener current flows through the Zener diode ZD2 through the resistor R9 until ZD2 becomes almost zero.
While the current is flowing, FETQs is biased with the Zener voltage of Zener diode ZD2, and Q5
is a constant current source of current I0.

従って、この時F E T Q sは定電流源として動
作し、スイッチング素子S2の駆動電圧■。ut2は、 VouT:=Ez   R2’  I 。
Therefore, at this time, FETQs operates as a constant current source, and the driving voltage of the switching element S2 is . ut2 is VouT:=Ez R2' I.

となる。従って、 ■−=(E 2  E 4>y’ R2と設定すると、
駆動電圧■。。、2をスイッチング素子S2が飽和領域
で動作して、Ivの定電流源となるような電圧E、に設
定できる。
becomes. Therefore, if we set ■-=(E 2 E 4 >y' R2,
Driving voltage ■. . , 2 can be set to a voltage E such that the switching element S2 operates in the saturation region and serves as a constant current source of Iv.

従って、時刻t0において、ゲート電位E4でスイッチ
ング素子S2は駆動され、■。II?□は急速に上昇し
、以後、V2がほぼゼロになるまで、R4を維持する。
Therefore, at time t0, the switching element S2 is driven with the gate potential E4, and the state (2) occurs. II? □ rises rapidly and thereafter maintains R4 until V2 becomes almost zero.

そして、スイッチング素子S2は急速にオン状態に移行
する。すると、V、が低下し始め、ドライブ回路3のト
ラ〉・ジスタQ3はオフへ、Q、はオン状態に移行し始
め、VOLIT+は抵抗R+、Q4を介してしレベルに
低下し始める。時刻1、において、VCはゼロになり、
更に低下する2二の時、ダイオードD1は順バイアスさ
れ、スイッチング素子S1はまだオン状態を維持するの
で、電源E−スイッチング素子S、→ダイオードDI=
スイッチング素子S2のループで上記I、の一定電流が
流れ始める。
Then, the switching element S2 rapidly shifts to the on state. Then, V starts to drop, the transistor Q3 of the drive circuit 3 turns off, Q starts to turn on, and VOLIT+ starts to fall to the - level through resistors R+ and Q4. At time 1, VC becomes zero,
When 22 further decreases, the diode D1 is forward biased and the switching element S1 still maintains the on state, so power supply E - switching element S, → diode DI=
The constant current I begins to flow in the loop of the switching element S2.

この後、V2は、E−0に徐々に反転するが、前述の通
り、FETQ5をツェナーダイオードZD2のツェナー
電圧でバイアスし、FETQsを電流I0の定電流源と
して、■。ut 1 ”” E 4の状態が■2がほぼ
ゼロになるまで維持され、電源E→スイッチング素子S
1−ダイオードD、→スイッチング素子S2のループで
I、の一定電流が流れ続ける。そして、時刻t2におい
て、VQIjア、がスイッチング素子S、のスレッショ
ルド電位■T1まで降下し、こめ時点でスイッチング素
子S1はオフし、その後、オフ状態を維持する6時刻t
1でスイッチング素子Slがオフすると、インダクタL
の電流が流れ続けようとし、ダイオードD2がオンする
After this, V2 gradually inverts to E-0, but as described above, bias FET Q5 with the Zener voltage of Zener diode ZD2, and use FET Qs as a constant current source of current I0. The state of ut 1 "" E 4 is maintained until ■ 2 becomes almost zero, and the power supply E → switching element S
A constant current of I continues to flow in the loop of 1-diode D,→switching element S2. Then, at time t2, VQIj falls to the threshold potential T1 of the switching element S, and at this point the switching element S1 is turned off, and thereafter remains in the off state until 6 time t.
When the switching element Sl is turned off at 1, the inductor L
The current will continue to flow, and diode D2 will turn on.

二の時、接続点D、すなわち、F E T Q sのゲ
ート電位は完全にゼロになり、Q、はオフし、V o 
u tはトランジスタQ3、抵抗R2を介して急速に電
圧E2まで上昇する。その後、時刻t、で、■6がLレ
ベルに反転し、時刻t、でスイッチング素子S2がオフ
するまで、実施例】と同様の動作を行つ。
At the time of 2, the gate potential of the connection point D, that is, FETQs becomes completely zero, Q is turned off, and V o
u t rapidly rises to voltage E2 via transistor Q3 and resistor R2. Thereafter, at time t, the signal 6 is inverted to the L level, and the same operation as in the embodiment is performed until the switching element S2 is turned off at time t.

スイッチング素子S2がオフし、インダクタしに流れて
いた電流は流れ続けようとし、スイッチング素子Slに
逆向きに流れる。そして、■2はゼロから電圧Eに反転
すると同時に、F E T Q sは■。の定電流とな
るが、VBがLレベルであるため、トランジスタQ1が
オフ、トランジスタQ2がオンとなるので、■。U□は
Lレベルを維持して、スイッチング素子S2はオフ状態
を維持する。その後、ダイオードD1はオフし、コンデ
ンサC3の両端電圧E、が抵抗R1を介してドライブ回
路3に入力されるために、VCは急速に上昇し、トラン
ジスタQ、はオン状態へ、トランジスタQ、はオフ状態
に移行するので、V o++t+も急速にトランジスタ
Q1、抵抗R1を介して電圧E1に上昇し、時刻t6に
おいて、完全なHレベルとなる。この時、スイ・ノチン
グ素子S、には、まだ逆向きの電流が流れている。その
後、スイッチング素子SIには共振電流が流れ続ける。
The switching element S2 is turned off, and the current that was flowing through the inductor tries to continue flowing, but flows in the opposite direction to the switching element Sl. Then, ■2 is reversed from zero to voltage E, and at the same time, F E T Q s becomes ■. However, since VB is at L level, transistor Q1 is turned off and transistor Q2 is turned on. U□ maintains the L level, and the switching element S2 maintains the off state. Thereafter, the diode D1 is turned off, and the voltage E across the capacitor C3 is input to the drive circuit 3 via the resistor R1, so VC rapidly rises, the transistor Q turns on, and the transistor Q turns on. Since it shifts to the off state, V o++t+ also rapidly rises to the voltage E1 via the transistor Q1 and the resistor R1, and becomes completely H level at time t6. At this time, a current in the opposite direction is still flowing through the switch notching element S. After that, the resonant current continues to flow through the switching element SI.

時刻tアで再び■8がLレベルよりHレベルに反転し、
前述の動作を繰り返して、負荷4に第2図(k)に示す
ような交流電力を得るものであり、本実施例においては
、抵抗R7+ Rsを可変にする二とによって、負荷4
に任意の出力を得ることもできる。
At time ta, ■8 is again inverted from L level to H level,
By repeating the above-mentioned operation, AC power as shown in FIG. 2(k) is obtained for the load 4. In this embodiment, the load 4 is
You can also get arbitrary output.

以上のように、第4図に示した回路においても、第1図
で示した実施例と同様の効果を得ることができる。
As described above, the circuit shown in FIG. 4 can also achieve the same effects as the embodiment shown in FIG. 1.

[実施例4] 第5図に実施例4を示す0本実施例は、寄生容量C2に
影響されるA点の電位■7とV2の電位がほぼ同じに降
下するように制御する制御部6を付加したものである。
[Embodiment 4] Embodiment 4 is shown in FIG. 5. In this embodiment, the control unit 6 controls the potential of point A, which is affected by parasitic capacitance C2, and the potential of V2 to drop almost to the same level. is added.

この制御部6を付加することによって、比較器CPによ
ってA点と■2の電位を比較し、■6の方がV2の電位
より大きい場合には、トランジスタQ6がオンして制御
部5を不動作にし、スイッチング素子S2を完全に駆動
するようにしたものである。この場合の各部の波形を第
6図に示す。
By adding this control section 6, the comparator CP compares the potentials at point A and (2), and if the potential at point (2) is greater than the potential at V2, the transistor Q6 is turned on and the control section 5 is turned off. The switching element S2 is activated to completely drive the switching element S2. The waveforms of each part in this case are shown in FIG.

制御部6により、時刻t2で第6図(d)に示すように
、スイッチング素子SIがオフし、■=がEから0に瞬
時に反転すると同時に、VAの方がV2より大きくなっ
て比較器CPの出力はLレベルかたHレベルとなって、
トランジスタQ、がオンし、Q、のゲート・ソース閏が
Lレベルとなって、Q5がオフとなる。従って、制御部
5は不動作となり、スイッチング素子S2の駆動電圧■
。ut2は、第6図(b)に示すようにE2になり、ス
イッチング素子S2を完全にオンさせる。これにより、
寄生容量C2の電荷はスイッチング素子S2を介して急
速に放電され、■、は第6図(e)に示すように急速に
E−〇に反転する。
As shown in FIG. 6(d) at time t2, the control unit 6 turns off the switching element SI, and at the same time, ■ = instantaneously inverts from E to 0, and at the same time, VA becomes larger than V2 and the comparator The output of CP becomes L level or H level,
Transistor Q is turned on, the gate and source gates of Q are at L level, and Q5 is turned off. Therefore, the control section 5 becomes inoperative, and the driving voltage of the switching element S2 is
. ut2 becomes E2 as shown in FIG. 6(b), completely turning on the switching element S2. This results in
The electric charge of the parasitic capacitance C2 is rapidly discharged via the switching element S2, and ■ is quickly reversed to E-〇 as shown in FIG. 6(e).

従って、時刻t2′においては、VAはQVになってい
るのて、■、、は同図(f)に示すように上昇すること
なく、従来のように、VAとV2の降下速度の違いから
生じるスイッチング素子S1.S2の同時オンを防止で
き、従来のような不都合は発生しないものである。
Therefore, at time t2', since VA is QV, ■ does not rise as shown in (f) of the same figure, but due to the difference in the descending speed of VA and V2 as in the conventional case. The resulting switching element S1. Simultaneous turning on of S2 can be prevented, and the inconvenience that occurs in the conventional case does not occur.

[発明の効果コ 本発明は上述のように、直流電源と並列に、高電位側の
スイッチング素子と、このスイッチング素子と順方向と
なるダイオードと、低電位側のスイッチング素子との直
列回路を接続し、上記ダイオードと低電位側のスイッチ
ング素子の接続点と高電位側のスイッチング素子の制御
端子とを接続し、両スイッチング素子を交互にオンオフ
制御するようにしたインバータ装置において、上記高電
位側のスイッチング素子がターンオフする時に、上記ダ
イオードのアノードとカソードの2点の電位がほぼ同じ
ように降下若しくはカソード側を早く降下させる制御手
段を備えたもので!)るから、高電位側のスイッチング
素子とターンオフさせる時に、低電位側のスイッチング
素子の寄生容量に起因して生じるダイオードのアノード
とカソードの2点の電位を制御手段により、はぼ同じよ
うに降下若しくは力゛/−ド側を早く降下させるように
して低電位側のスイ・ン千ング素子の寄生容量に充電さ
れる電荷の影響を無くし、両スイッチング素子の同時オ
ンによる過大な短絡電流を防止するようにしているもの
であり、そのため、安定で、且−)同時オンによる過大
な短絡電流が流れることがないので、信卸性の向上した
インバータ装置を提供てき、また、インバータ装置内に
設けられるスイ・I千ング素子駆動用の発振回路の出力
信号通りにインバータ装置を他動制御できるもので!)
す、更には、直列インバータにおいて、他励制御をする
堝きに必要となる高電位側のスイッチング素子への駆動
信号を伝達する、例えばフォトカッアラ、若しくはトラ
ンスといったレベルシフト回路が不要になり、回路が安
価且′)簡略になるという効果を奏するものである。
[Effects of the Invention] As described above, the present invention connects a series circuit of a switching element on the high potential side, a diode that is in the forward direction of this switching element, and a switching element on the low potential side in parallel with the DC power supply. In an inverter device, the connection point between the diode and the switching element on the low potential side is connected to the control terminal of the switching element on the high potential side, and both switching elements are controlled to be turned on and off alternately. It is equipped with a control means that causes the potentials at the anode and cathode of the diode to drop almost equally when the switching element turns off, or to make the cathode drop faster! ), when the switching element on the high potential side is turned off, the potentials at the anode and cathode of the diode, which are generated due to the parasitic capacitance of the switching element on the low potential side, are dropped in approximately the same way by the control means. Alternatively, the influence of the charge charged in the parasitic capacitance of the switching element on the low potential side can be eliminated by dropping the power (-) side quickly, thereby preventing excessive short-circuit current due to simultaneous ON of both switching elements. Therefore, it is stable and does not cause an excessive short-circuit current to flow due to simultaneous ON, thereby providing an inverter device with improved reliability. This device can passively control the inverter device according to the output signal of the oscillation circuit for driving the switching element! )
Furthermore, in a series inverter, a level shift circuit such as a photocoupler or a transformer that transmits a drive signal to the switching element on the high potential side, which is necessary for separately excitation control, is no longer required, and the circuit becomes simpler. This has the advantage of being inexpensive and simple.

また、、t+ti項2では、高電位側のスイッチング素
子の制御端子と低電位側のスイッチング素子の間に、低
電位側のスイッチング素子にカソード側を接続した第2
のダイオードで上記制御手段を構成していることで、ダ
イオードという1つの部品構成で上記効果を容易に達成
することができるものである。
In addition, in t+ti term 2, a second terminal whose cathode side is connected to the switching element on the low potential side is connected between the control terminal of the switching element on the high potential side and the switching element on the low potential side.
By configuring the control means with diodes, the above effects can be easily achieved with a single component configuration of diodes.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の実施例1のブロック回路図、第2図は
同上の動作波形図、第3図は同上の実施例2のブロック
回路口、第4図は同上の実施例3の具体回路図、第5図
は同上の実施例4の異体回路図、第6L2Iは同上の動
作波形図、第7図は従来例のブロック回路図、第8図は
同上の動作波形図、第9図は同上の動作波形図である。 Eは直流電源、D、はダイオード、S、は高電位側のス
イッチング素子、S2は低電位側のスイッチング素子、
D、は第2のダイオードである。 第6図 第8図
FIG. 1 is a block circuit diagram of Embodiment 1 of the present invention, FIG. 2 is an operation waveform diagram of the same as above, FIG. 3 is a block circuit diagram of Embodiment 2 of the same as above, and FIG. 4 is a specific example of Embodiment 3 of same as above. Circuit diagram, FIG. 5 is a different circuit diagram of Example 4 same as above, No. 6L2I is an operation waveform diagram of same as above, FIG. 7 is a block circuit diagram of the conventional example, FIG. 8 is an operation waveform diagram of same as above, FIG. 9 is an operation waveform diagram of the same as above. E is a DC power supply, D is a diode, S is a switching element on the high potential side, S2 is a switching element on the low potential side,
D is the second diode. Figure 6 Figure 8

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)直流電源と並列に、高電位側のスイッチング素子
と、このスイッチング素子と順方向となるダイオードと
、低電位側のスイッチング素子との直列回路を接続し、
上記ダイオードと低電位側のスイッチング素子の接続点
と高電位側のスイッチング素子の制御端子とを接続し、
両スイッチング素子を交互にオンオフ制御するようにし
たインバータ装置において、上記高電位側のスイッチン
グ素子がターンオフする時に、上記ダイオードのアノー
ドとカソードの2点の電位がほぼ同じように降下若しく
はカソード側を早く降下させる制御手段を備えたことを
特徴とするインバータ装置。
(1) Connect a series circuit of a switching element on the high potential side, a diode in the forward direction of this switching element, and a switching element on the low potential side in parallel with the DC power supply,
Connect the connection point between the diode and the switching element on the low potential side and the control terminal of the switching element on the high potential side,
In an inverter device in which both switching elements are controlled to be turned on and off alternately, when the switching element on the high potential side is turned off, the potentials at the two points of the anode and cathode of the diode drop almost equally, or the cathode side drops quickly. An inverter device characterized by comprising a control means for lowering the inverter.
(2)高電位側のスイッチング素子の制御端子と低電位
側のスイッチング素子の間に、低電位側のスイッチング
素子にカソード側を接続した第2のダイオードで上記制
御手段を構成したことを特徴とする請求項1記載のイン
バータ装置。
(2) The control means is characterized by comprising a second diode between the control terminal of the switching element on the high potential side and the switching element on the low potential side, the cathode of which is connected to the switching element on the low potential side. The inverter device according to claim 1.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5481152A (en) * 1993-06-08 1996-01-02 Heidelberger Druckmaschinen Ag Piezoelectric actuator

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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