JPH0323587A - Parity generating and checking system for dram - Google Patents

Parity generating and checking system for dram

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JPH0323587A
JPH0323587A JP1158000A JP15800089A JPH0323587A JP H0323587 A JPH0323587 A JP H0323587A JP 1158000 A JP1158000 A JP 1158000A JP 15800089 A JP15800089 A JP 15800089A JP H0323587 A JPH0323587 A JP H0323587A
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Abstract

PURPOSE:To increase the DRAM access speed by reading/writing only data at the time of access to a DRAM array from a CPU and generating and writing or checking parity bits at the time of refresh. CONSTITUTION:The CPU or the like reads or writes only data from or in a DRAM array 1. When a DRAM write bit 4 is turned on at the time of refresh, parity bits are generated from data read out from the DRAM array 1 and are written in DRAM parity bits 3. When the DRAM write bit 4 is turned off then, a parity detecting circuit 5 performs the parity check based on data read out from the DRAM array 1 and parity bits read from DRAM parity bits 3. Consequently, it is unnecessary to provide a wait TW in consideration of generation and write of parity bits or delay due to parity check at the time of read/write access to the DRAM array 1. Thus, the DRAM access speed is increased.

Description

【発明の詳細な説明】 〔a要〕 DRAMに書き込んだデータのバリティビノ1・の生戒
およびパリティチェノクを行うバリティ生或・チェック
方式に関し、 CPUなどがDRAMアクセス時にデータのみをライト
/リードし、リフレッシュ時にパリティビソトの生或・
書き込みおよび読み出し・パリテイチェックを行い、メ
モリアクセス速度を高速化することを目的とし、 データを書き込むDRAMアレーと、このDRAMアレ
ーに対応づけてパリティデータを書き込むDRAMバリ
ティビントと、上記DRAMアレーに対してデータを書
き込んだときにオンにセットするDRAMライトビフト
とを備え、CPUなどが上記DRAMアレーをライト/
リードアクセスすると共にライトアクセス時に上記DR
AMライトビットをオンにセントし、リフレッシュ時に
上記DRAMライトビットがオンの場合、DRAMアレ
ーから読み出したデータからパリティピットを生威して
DRAMバリティピントに書き込むと共に当!亥DRA
Mライトビットをオフにし、方、オフの場合、DRAM
アレーから読み出したデータおよび上記DRAMパリテ
ィビソトから読み出したパリティビノトをもとにパリテ
ィチェソクを行うように構威する. 〔産業上の利用分野〕 本発明は、DRAMに書き込んだデータのパリティビッ
トの生戒およびパリテイチェックを行うDRAMのパリ
ティ生威−チェノク方式に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Required] Regarding the parity generation/checking method for checking the validity and parity of data written in DRAM, it is proposed that the CPU or the like write/read only the data when accessing the DRAM. , parity bisoto's life when refreshing
The purpose is to speed up memory access speed by performing write, read, and parity checks. It is equipped with a DRAM write-byft that is set on when data is written, and the CPU etc. write/write the DRAM array.
The above DR during read access and write access
If the AM write bit is turned on and the DRAM write bit is on at the time of refresh, a parity pit is created from the data read from the DRAM array and written to the DRAM parity pin. Pig DRA
If the M write bit is off, if it is off, the DRAM
A parity check is performed based on the data read from the array and the parity bit read from the DRAM parity bit. [Industrial Application Field] The present invention relates to a DRAM parity check method that checks the parity bits of data written in a DRAM and performs a parity check.

〔従来の技術と発明が解決しようとする課題〕従来、D
RAMなどを用いた記憶装置において、データの信頼性
を向上させるために、第5図に示すように、例えばデー
タ8ビントに1ビットのバリティビントを付加して9ビ
ントを組としてDRAMなどに書き込む.そして、読み
出し時にこのパリテイビットによって8ピントのデータ
のパリテイチェックを行うようにしていた。
[Problems to be solved by conventional technology and invention] Conventionally, D
In order to improve the reliability of data in a storage device using a RAM or the like, as shown in FIG. 5, for example, a 1-bit parity bit is added to 8 bits of data and a set of 9 bits is written to the DRAM or the like. Then, at the time of reading, the parity of the 8-pin data is checked using this parity bit.

このため、データをDRAMなどに書き込む時およびD
RAMなどからデータを読み出す時に、パリテイビット
の生成・書き込みおよび読み出しバリティチェックを行
うための遅延などを考慮して、第6図に示すように、C
PUからのメモリアクセスにウェイトTW2を更に設け
る必要があり、メモリアクセス速度が低下してしまうと
いう問題があった. 本発明は、CPUなどがDRAMアクセス時にデータの
みをライト/リードーし、リフレンシュ時にパリティビ
ットの生成・書き込みおよび読み出   読み出したデ
ータおよびDRAMバリティビノトし・バリティチェン
クを行い、メモリアクセス速   3から読み出したパ
リティビソトをもとにパリテ度を高速化することを目的
としている。       イチェックヲ行うもノテあ
る.〔課題を解決する手段〕 第1図を参照して課題を解決する手段を説明する. 第1図において、DRAMアレー1は、データを書き込
むDRAMを用いて構戒したメモリアレーである. DRAMパリティビフト3は、DRAMアレー1に対応
づけてバリティデータを書き込むDRAMを用いて構成
したメモリである. DRAMライトビソト4は、DRAMアレー1に対して
データを書き込んだときにオンにセントするDRAMを
用いて構成したメモリである.パリティジエネレータ2
ば、DRAMアレー1から読み出したデータのパリティ
データを生成するものである. パリティ検出回路6は、DRAMアレー1から〔作用〕 本発明は、第1図に示すように、CPUなどがDRAM
7レーlに対してデータのみの書き込みあるいは読み出
しを行うようにしている.また、リフレッシュ時にDR
AMアレー1から読み出したデータについて、DRAM
ライトビット4がオンの場合、DRAMアレー1から読
み出したデクからバリティビントを生戒してDRAMパ
リティビント3に書き込み、一方、DRAMライトビフ
ト4がオフの場合、DRAMアレー1から読み出したデ
ータおよびDRAMパリテイビソト3から読み出したパ
リティピントをもとにバリテイ検出回路6がバリテイチ
ェソクを行うようにしている. 従って、CPUなどがDRAMアレー1をライト/リー
ドアクセスする時にパリテイビットの生威・書き込みあ
るいはバリティチェックを行うことによる遅延を考慮し
たウェイトTWを設ける必要がなくなり、高速にDRA
Mアレーをアクセスすることが可能となる. 〔実施例〕 次に、第1図から第4図を用いて本発明の1実施例の構
威および動作を順次詳細に説明する.第1図において、
DRAMアレーlは、DRAアレー1−1,l−2から
ill威され、DRAM(ダイナミックランダムアクセ
スメモリ)の例えば16ビントを1アドレスに割り当て
たメモリアレーである.このうちの8ビット毎に、lビ
ントのDRAMパリティビソト3−1,3−2を付加し
、合計9ビットの2Allから構戒されている.バリテ
ィジェネレータ2は、パリテイジエネレータ2−1、2
−2から構威され、DRAMアレーl−1,1−2から
それぞれ読み出したデータのパリティピントを生威する
ものである.DRAMパリティビット3は、DRAMバ
ッチィビット3−1、3−2から構或され、DRAMア
レー1に対応づけてlビントのバリティデータをそれぞ
れ書き込むDRAMを用いて構成したメモリである. DRAMライトビント4ば、DRAMアレーlに対して
データを書き込んだときにオンにセントするDRAMを
用いて構威したlビソトのメモリである. ライト信号コントロール回路5ば、本WE(書き込み信
号) 、REFRESH (リフレッシュ信号)を入力
とし、DRAMパリティビット3−1、3−2、DRA
Mライトビット4などへの書き込み信号などを生威する
ものである. パリティ検出回路6は、パリティジェネレーク2−1、
2−2からのパリティビットと、DRAMパリティビン
ト3−1、3−2から読み出したパリティビットとを入
力とし、DRAMアレー11、1−2から読みだしたデ
ータのバリティチ工ンクを行うものである. 次に、第2図フローチャートを用いて第1図構戒の動作
を順次詳細に説明する. +IICPUなどがDRAMアレー1−1..12をア
クセスする場合の動作: 010・・・ば、W/RおよびW時にライントビソトを
オンにセットする.これは、CPUなどがDRAMアレ
ーlをライトアクセス(W)したときに、入力データバ
スを介してデータをDRAMアレーt−t,l−2に入
力および*RAS,*CAS,*WEを当!亥DRAM
アレー1−LL−2に供給して書き込むと共に、DRA
Mライトビット4をオンにセットしてデータを書き込ん
だ旨を表示する.また、CPUなどがリードアクセスし
たときに、*RAS,*CAS,WF!.をDRAMア
レー1−1、1−2に供給し、出力データパスからデー
タを送出する. 従って、CPtJなどがDRAMアレー1−1、1−2
をライト/リードアクセスするときに従来のようにパリ
テイビント生戒・書き込みあるいはパリテイビットの読
み出し・チェックを行う必要がなく、これらによる遅延
を考慮してウェイトサイクルTWをDRAMアクセスに
設ける必要がなく (第3図TW2を設ける必要がな<
)、高速にDRAMアレー1−1  1−2をアクセス
することが可能となる. (2)  リフレッシュ時におけるパリティビットの生
成・書き込みおよびパリティチェフクの場合の動作: ■は、DRAMライトビント4がオンか否かを判別する
。YESの場合(パリティ未書き込みの場合)には、[
相]、[相]でパリテイビットの書き込みを行う.NO
の場合(バリティ書き込み済の場合)には、[相]、■
でパリティチェックをj↑う。以下説明する. Oぱ、*RAS,*CAS)f−DRAMアレーl−L
  1−2に人力して読み出したデータについてパリテ
ィジエネレータ2−1、2−2によって生戒したパリテ
ィビットをパリティ検出回路6に入力すると共に、DR
AMパリティビフト3−123−2から読み出したパリ
ティビフトを当該バリティビント検出回路6に入力し、
両者を比較してパリティチェックを行う.このパリテイ
チェックの結果について、OでOKであれば、[相]で
次のアドレスについて■以降を実行し、一方、■でNO
であれば、パリティーエラーとする. [相]は、*RASS*CAS,WEをDRAMアレー
L−L 1−2に入力して読み出したデータについてパ
リティジエネレータ2−1、2−2によって生威したパ
リテイビノトを、[相]でDRAMパリテイビット3−
1、3−2に書き込む.この際、パリティビット検出回
路6にマスクを行い、パリティエラーが発生しないよう
にすると共に、DRAMライトビフト4をオフにリセッ
トする(パリティビットを書き込んだ旨を表示してお<
). 従って、リフレッシュ時に、DRAMライトビット4を
参照してパリテイ未書き込みと判明したときにDRAM
バリティビント3−1、3−2に対して生戒したパリテ
ィビフトを書き込み、一方、パリティ書き込み済と判明
したときにDRAMアレー1−L  1−2のパリティ
チェックを行うことにより、CPUなどがDRAMアレ
ー1−1、1−2をアクセスするサイクルに遅延を与え
ることなく、パリティビットの生戒・書き込みおよびパ
リティチェツクを行うことが可能となる.第3図は、本
発明のリード時の波形図を示す。
Therefore, when writing data to DRAM etc.
When reading data from a RAM, etc., the C
It is necessary to further provide a wait TW2 for memory access from the PU, which poses a problem in that the memory access speed decreases. In the present invention, the CPU or the like writes/reads only data when accessing DRAM, generates, writes, and reads parity bits during refresh, performs parity check on the read data and DRAM, and reads from memory access speed 3. The purpose is to speed up the parity degree based on the parity resolution. There is also a note on checking the status. [Means for solving the problem] The means for solving the problem will be explained with reference to Figure 1. In FIG. 1, a DRAM array 1 is a memory array using DRAMs to write data. The DRAM parity byft 3 is a memory configured using a DRAM in which parity data is written in association with the DRAM array 1. The DRAM write memory 4 is a memory configured using a DRAM that turns on when data is written to the DRAM array 1. Parity generator 2
For example, it generates parity data for data read from the DRAM array 1. The parity detection circuit 6 is connected to the DRAM array 1 [Operation] As shown in FIG.
Only data can be written to or read from the 7-rail. Also, when refreshing, DR
Regarding the data read from AM array 1, DRAM
When write bit 4 is on, the parity bit is read from the data read from DRAM array 1 and written to DRAM parity bit 3. On the other hand, when DRAM write bit 4 is off, the data read from DRAM array 1 and the DRAM parity bit are written to DRAM parity bit 3. The parity detection circuit 6 performs a parity check based on the parity focus read from the . Therefore, when the CPU or the like performs write/read access to the DRAM array 1, there is no need to provide a wait TW that takes into account the delay caused by parity bit generation, writing, or parity checking, and the DRAM array 1 can be accessed at high speed.
It becomes possible to access the M array. [Embodiment] Next, the structure and operation of an embodiment of the present invention will be explained in detail using FIGS. 1 to 4. In Figure 1,
The DRAM array 1 is a memory array in which, for example, 16 bits of DRAM (dynamic random access memory) are allocated to one address, which is inputted from the DRA arrays 1-1 and 1-2. For every 8 bits of these, 1 bit of DRAM parity bits 3-1 and 3-2 are added, and a total of 9 bits of 2All are used. The parity generator 2 includes parity generators 2-1 and 2.
-2, and performs parity focus on data read from DRAM arrays l-1 and 1-2, respectively. The DRAM parity bit 3 is composed of DRAM batch bits 3-1 and 3-2, and is a memory constructed using a DRAM in which one bit of parity data is written in association with the DRAM array 1. DRAM write bin 4 is a bi-soto memory constructed using a DRAM that turns on when data is written to the DRAM array. The write signal control circuit 5 receives this WE (write signal) and REFRESH (refresh signal) as inputs, and inputs the DRAM parity bits 3-1, 3-2, DRA
This is used to generate write signals to M write bit 4, etc. The parity detection circuit 6 includes a parity generator 2-1,
The parity bit from DRAM array 2-2 and the parity bit read from DRAM parity bits 3-1 and 3-2 are input, and the parity check of the data read from DRAM array 11 and 1-2 is performed. .. Next, using the flowchart in Figure 2, we will explain in detail the operation of the composition command in Figure 1. +II CPU etc. are connected to DRAM array 1-1. .. Operation when accessing 12: 010... sets line access to on at W/R and W. This means that when the CPU or the like performs write access (W) to DRAM array l, data is input to DRAM arrays t-t, l-2 via the input data bus and *RAS, *CAS, *WE are input! Pig DRAM
While supplying and writing to array 1-LL-2, DRA
Set M write bit 4 on to indicate that data has been written. Also, when the CPU etc. makes read access, *RAS, *CAS, WF! .. is supplied to the DRAM arrays 1-1 and 1-2, and the data is sent out from the output data path. Therefore, CPtJ etc. are connected to DRAM arrays 1-1 and 1-2.
There is no need to monitor and write the parity bit or read and check the parity bit as in the past when writing/reading the DRAM, and there is no need to provide a wait cycle TW in DRAM access in consideration of delays caused by these. Figure 3: No need to provide TW2
), it becomes possible to access DRAM arrays 1-1 and 1-2 at high speed. (2) Operation in the case of parity bit generation/writing and parity check during refresh: (2) determines whether DRAM write bit 4 is on or not. If YES (if parity has not been written), [
Write the parity bit in [phase] and [phase]. NO
(If parity has been written), [Phase], ■
Check the parity with ↑. It will be explained below. Opa, *RAS, *CAS) f-DRAM array l-L
The parity bits manually read out in 1-2 by the parity generators 2-1 and 2-2 are input to the parity detection circuit 6, and the DR
Input the parity bit read from the AM parity bit 3-123-2 to the parity bint detection circuit 6,
Compare the two and perform a parity check. Regarding the result of this parity check, if it is OK with O, execute the steps after ■ for the next address in [Phase], and on the other hand, if it is NO with ■
If so, it is considered a parity error. [Phase] is the parity generated by the parity generators 2-1 and 2-2 for the data read out by inputting *RASS*CAS, WE to the DRAM array L-L 1-2, parity bit 3-
Write in 1, 3-2. At this time, the parity bit detection circuit 6 is masked to prevent a parity error from occurring, and the DRAM write bit 4 is reset to off (a message indicating that the parity bit has been written is displayed).
). Therefore, during refresh, when it is determined that parity has not been written by referring to DRAM write bit 4, the DRAM
By writing the corrected parity bits to parity bins 3-1 and 3-2, and on the other hand, checking the parity of DRAM array 1-L 1-2 when it is determined that parity has already been written, the CPU etc. It becomes possible to read, write, and check parity bits without delaying cycles that access -1 and 1-2. FIG. 3 shows a waveform diagram during reading according to the present invention.

これは、CPUなどがDRAMアレー11 12をリー
ドアクセスする時の波形図であって、図中斜線を用いて
示すように、1つのウェイトサイクルTWIのみでデー
タを読み出すことができる.尚、従来は第6図の斜線部
に示すようにウェイトサイクルTW2のときにデータを
読み出すようにしていた. ここで、第3図において、SYSCLOCKはシステム
クロソク、CI’tlCLOCKはCPuが動作するク
ロック、TWはウェイトサイクノレ、八LEはアドレス
ラノチ信号、*RDはリード信号、*IIEADYはレ
ディ信号(本信号によ9てウェイトサイルクTWIを挿
入する)、アドレス/データはDRAMアレー1−1、
!−2に入力するアドレス/データを表す.第4図は、
本発明のリフレッシュ時のパリティ生成/チェック波形
図を示す.これは、リフレッシュ時にDRAMアレー1
−1、1−2から読み出したデータから生成したバリテ
ィビソトをDRAMパリテイビット3−1、3−2に書
き込んだり、あるいはDRAMアレー1−1,1−2か
ら読み出したデータから生戒したパリティビットをバリ
ティ検出回路6に入力すると共にDRAMバリティビソ
ト3−1、3−2から読み出したパリティピントを当該
パリティ検出回路6に人力し、両者を比較してパリティ
チェノクを行うときの波形図を示す. 尚、図中、RDXXはリードデータ、I?PL[lT 
, IIPUDTはDRAMパリティビット3−L  
3−2から読み出したパリテイビット、WPLDT ,
 WPUDTはDI?AMパリティビソト3−1、3−
2に書き込むためのパリティビント、jl[lTBはD
RAMライトビ,ト4に書き込むためのビットを表す(
第1図参照).〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、CPUなどがD
r?AMアレー1をアクセスするときにデータのみのラ
イト/リードを行い、パリテイビットの生成・書き込み
/バリティチェックについてリフレ,シュ時に行う横l
戊を採用しているため、CPUなどがDRAMアレーl
をアクセスする時にパリティビソトの生成/チェノクを
行うことによる遅延を考慮したウェイトTWを設ける必
要がなく、高速にDRAMアレーlをアクセスすること
ができる.
This is a waveform diagram when the CPU or the like performs read access to the DRAM arrays 11 to 12, and as indicated by diagonal lines in the figure, data can be read out with only one wait cycle TWI. In the past, data was read out during wait cycle TW2, as shown in the shaded area in FIG. Here, in Fig. 3, SYSCLOCK is the system clock, CI'tlCLOCK is the clock that the CPU operates, TW is the wait cycle, 8LE is the address delay signal, *RD is the read signal, and *IIEADY is the ready signal (this signal 9, the wait cycle TWI is inserted), the address/data is DRAM array 1-1,
! -2 represents the address/data to be input. Figure 4 shows
A parity generation/check waveform diagram during refresh of the present invention is shown. This means that DRAM array 1 is
- Write the parity bits generated from the data read from DRAM arrays 1-1 and 1-2 to DRAM parity bits 3-1 and 3-2, or write the parity bits generated from the data read from DRAM arrays 1-1 and 1-2. A waveform diagram is shown when inputting the data to the parity detection circuit 6 and manually inputting the parity focus read from the DRAM parity bits 3-1 and 3-2 to the parity detection circuit 6, and performing parity check by comparing the two. In addition, in the figure, RDXX is read data, I? PL [lT
, IIPUDT is DRAM parity bit 3-L
Parity bit read from 3-2, WPLDT,
Is WPUDT a DI? AM Paritibisoto 3-1, 3-
Parity bint for writing to 2, jl[lTB is D
Represents the bit to write to RAM write bit 4 (
(See Figure 1). [Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the CPU etc.
r? Writes/reads only data when accessing AM array 1, and performs parity bit generation/writing/parity check during refresh and refresh.
Because it uses the same technology, the CPU, etc. are connected to the DRAM array.
There is no need to provide a weight TW that takes into account the delay due to parity generation/checking when accessing the DRAM array, and the DRAM array can be accessed at high speed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の1実施例構戒図、第2図は本発明の動
作説明フローチャート、第3図は本発明のリード時の波
形図、第4図は本発明のりフレノシュ時のバリティ生威
/チェンク波形図、第5図は従来回路例、第6図は従来
回路の波形図を示す。 図中、1、l−L L−2はDRAMアレー2、2−1
、2−2はバリティンエネレータ、3、3−1 3−2
はDRAMパリテイビット、4はDRAMライトビット
、6はバリティ検出回路を表す.
FIG. 1 is a configuration diagram of one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a flowchart explaining the operation of the present invention, FIG. 3 is a waveform diagram when reading according to the present invention, and FIG. FIG. 5 shows an example of a conventional circuit, and FIG. 6 shows a waveform diagram of the conventional circuit. In the figure, 1, l-L L-2 is DRAM array 2, 2-1
, 2-2 is a baritin generator, 3, 3-1 3-2
represents the DRAM parity bit, 4 represents the DRAM write bit, and 6 represents the parity detection circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】  DRAMに書き込んだデータのパリテイビットの生成
およびパリテイチェックを行うパリテイ生成・チェック
方式において、 データを書き込むDRAMアレー(1)と、このDRA
Mアレー(1)に対応づけてパリテイデータを書き込む
DRAMパリテイビット(3)と、上記DRAMアレー
(1)に対してデータを書き込んだときにオンにセット
するDRAMライトビット(4)とを備え、 CPUなどが上記DRAMアレー(1)をライト/リー
ドアクセスすると共にライトアクセス時に上記DRAM
ライトビット(4)をオンにセットし、リフレッシュ時
に上記DRAMライトビット(4)がオンの場合、DR
AMアレー(1)から読み出したデータからパリテイビ
ットを生成してDRAMパリテイビット(3)に書き込
むと共に当該DRAMライトビット(4)をオフにし、
一方、オフの場合、DRAMアレー(1)から読み出し
たデータおよび上記DRAMパリテイビット(3)から
読み出したパリテイビットをもとにパリテイチェックを
行うように構成したことを特徴とするDRAMのパリテ
イ生成・チェック方式。
[Claims] A parity generation/check method for generating a parity bit of data written to a DRAM and performing a parity check, comprising: a DRAM array (1) to which data is written;
A DRAM parity bit (3) in which parity data is written in association with the M array (1), and a DRAM write bit (4) which is set on when data is written to the DRAM array (1). The CPU and the like write/read access to the DRAM array (1), and the DRAM array (1) is accessed during write access.
If the write bit (4) is set on and the above DRAM write bit (4) is on during refresh, the DR
Generate a parity bit from the data read from the AM array (1), write it to the DRAM parity bit (3), and turn off the DRAM write bit (4),
On the other hand, when the DRAM is off, a parity check is performed based on the data read from the DRAM array (1) and the parity bit read from the DRAM parity bit (3). Parity generation/check method.
JP1158000A 1989-06-20 1989-06-20 DRAM parity generation / check method Expired - Lifetime JPH0746495B2 (en)

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JPH0746495B2 JPH0746495B2 (en) 1995-05-17

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6697992B2 (en) 2000-08-14 2004-02-24 Hitachi, Ltd. Data storing method of dynamic RAM and semiconductor memory device
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