JPH03231141A - 分析試料の原子化方法 - Google Patents
分析試料の原子化方法Info
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Landscapes
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、分析試料の原子化方法に係り、とくに、固体
あるいは液状の分析試料をプラズマ分析法や電熱気化原
子吸光法によって分析する際に、試料の加熱、気化過程
で効果的に原子化する方法に関する。
あるいは液状の分析試料をプラズマ分析法や電熱気化原
子吸光法によって分析する際に、試料の加熱、気化過程
で効果的に原子化する方法に関する。
〈従来の技術〉
従来、プラズマを励起源あるいはイオン化源とする分析
法としては、高周波誘導結合プラズマやマイクロ波誘導
プラズマ、直流プラズマなどがあり、中でも高周波誘導
結合プラズマ(以下、IcPと略称する)を励起源とす
る発光分析法は、高感度、高精度の分析法として鉄鋼あ
るいは環境などの広い分野で実用化されている。
法としては、高周波誘導結合プラズマやマイクロ波誘導
プラズマ、直流プラズマなどがあり、中でも高周波誘導
結合プラズマ(以下、IcPと略称する)を励起源とす
る発光分析法は、高感度、高精度の分析法として鉄鋼あ
るいは環境などの広い分野で実用化されている。
また、近年、プラズマをイオン化源として、検出器に質
量分析計を備えたlCP質量分析装置が開発され、さら
に高感度の分析法として注目を集めている。
量分析計を備えたlCP質量分析装置が開発され、さら
に高感度の分析法として注目を集めている。
しかし、これら上記した従来のICP発光分光分析法を
用いてプラズマ中に導入して分析し得る試料は、溶液、
気体あるいはエアロゾルに限られており、また例えば5
cd以下と絶対量の少ない試料の分析も通常の装置では
困難とされている。
用いてプラズマ中に導入して分析し得る試料は、溶液、
気体あるいはエアロゾルに限られており、また例えば5
cd以下と絶対量の少ない試料の分析も通常の装置では
困難とされている。
そこで、このような固体や微小量溶液などの分析法とし
ては、いわゆる電熱気化法として、例えば試料を黒鉛炉
中に入れて電気的に気化してその気体をプラズマ中に導
入する方法(例えば、C,J。
ては、いわゆる電熱気化法として、例えば試料を黒鉛炉
中に入れて電気的に気化してその気体をプラズマ中に導
入する方法(例えば、C,J。
Park、 J、C,v、Loon、 P、^rr
owsmiLh、 J、B、Frennch;Jou
rnal or AIIIerican Chem
ical 5ociety 2191 (1987
)など参照)や、黒鉛炉ごと直接プラズマ中に挿入する
方法(例えば、E、D、5alin、 G、IIorl
ick; Analytical Chew+1st
ry、 51.13(+979)など参照)などが開
発され、半導体、生体、環境試料などへの通用例(例え
ば、M、Abdullah、 K、Fuwa、 Itl
laraguti ; Spectrochimica
Acta、 398 、1129 (1984)など
参照)も見られる。
owsmiLh、 J、B、Frennch;Jou
rnal or AIIIerican Chem
ical 5ociety 2191 (1987
)など参照)や、黒鉛炉ごと直接プラズマ中に挿入する
方法(例えば、E、D、5alin、 G、IIorl
ick; Analytical Chew+1st
ry、 51.13(+979)など参照)などが開
発され、半導体、生体、環境試料などへの通用例(例え
ば、M、Abdullah、 K、Fuwa、 Itl
laraguti ; Spectrochimica
Acta、 398 、1129 (1984)など
参照)も見られる。
ここで、電熱気化法を用いたIcP発光分光分析法の構
成について簡単に説明すると、第4図に示すように、プ
ラズマトーチ部1.原子化部2高周波II源部3.同調
結合部49分光器5.計測部69表示部7よりなってい
る。
成について簡単に説明すると、第4図に示すように、プ
ラズマトーチ部1.原子化部2高周波II源部3.同調
結合部49分光器5.計測部69表示部7よりなってい
る。
そして、プラズマトーチ部1は例えば石英製で三重管構
造をしており、外側管1aにはプラズマトーチを冷却す
るとともに高電圧により一部が電離されてプラズマを形
成する冷却ガスとして、また中間管1bにはプラズマを
トーチよりわずかに浮かせて中間管1bを保護する補助
ガスとして、さらに内側管1cには原子化部2で気化し
た試料をプラズマトーチ部1に送給するキャリアガスと
して、それぞれガス供給装置8から例えばアルゴンガス
などが供給管P、、P、、P、を介して供給される。
造をしており、外側管1aにはプラズマトーチを冷却す
るとともに高電圧により一部が電離されてプラズマを形
成する冷却ガスとして、また中間管1bにはプラズマを
トーチよりわずかに浮かせて中間管1bを保護する補助
ガスとして、さらに内側管1cには原子化部2で気化し
た試料をプラズマトーチ部1に送給するキャリアガスと
して、それぞれガス供給装置8から例えばアルゴンガス
などが供給管P、、P、、P、を介して供給される。
原子化部2は例えば炭素材で成形された原子化部(ある
いはフィラメント)9とこれを抵抗加熱するだめの電気
制御部IOからなり、原子化部9の周囲および内部は例
えばアルゴンなどの不活性ガスでパージされている。原
子化部9内に入れられた試料は、例えば?fj ?g、
試料の場合には低温で加熱乾燥(場合によっては灰化過
程を経て)処理された後、さらに高温に加熱・原子化さ
れて原子版気となる。この原子蒸気状の試料は、キャリ
アガスによって内側管1cを介してプラズマトーチIf
の中心に導入される。
いはフィラメント)9とこれを抵抗加熱するだめの電気
制御部IOからなり、原子化部9の周囲および内部は例
えばアルゴンなどの不活性ガスでパージされている。原
子化部9内に入れられた試料は、例えば?fj ?g、
試料の場合には低温で加熱乾燥(場合によっては灰化過
程を経て)処理された後、さらに高温に加熱・原子化さ
れて原子版気となる。この原子蒸気状の試料は、キャリ
アガスによって内側管1cを介してプラズマトーチIf
の中心に導入される。
高周波コイル12は、高周波電源部3から供給される高
周波電力を同調結合部4を介してプラズマトーチ部1に
供給するもので、ここに発生した交番磁界により11H
された一部の冷却ガスが誘導電流によって加速され、結
合と電離を繰り返すことによってプラズマを生成するこ
とになる。
周波電力を同調結合部4を介してプラズマトーチ部1に
供給するもので、ここに発生した交番磁界により11H
された一部の冷却ガスが誘導電流によって加速され、結
合と電離を繰り返すことによってプラズマを生成するこ
とになる。
プラズマトーチUの中心に導入された原子状試料は、プ
ラズマ中で励起原子、励起イオンの状態となり、それら
が定常状態に戻る時に余分なエネルギーを元素固有の波
長をもつスペクトルとして発する。そこで、これを分光
器5を介して計測部6で分析して表示部7で表示する。
ラズマ中で励起原子、励起イオンの状態となり、それら
が定常状態に戻る時に余分なエネルギーを元素固有の波
長をもつスペクトルとして発する。そこで、これを分光
器5を介して計測部6で分析して表示部7で表示する。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、これらの方法ではTi、 Vなどの元
素は炉材である黒鉛と反応して難揮発性の炭化物を生成
し、またZr、 Mo、 Wなどの高沸点金属の原子化
も難しい。
素は炉材である黒鉛と反応して難揮発性の炭化物を生成
し、またZr、 Mo、 Wなどの高沸点金属の原子化
も難しい。
そのため、試料に塩化銀(AgC1)やポリテトラフル
オロエチレン(PTFE、商品名;テフロン)などの担
体を添加して低沸点のハロゲン化物を生成し、これら難
揮発性元素の効率的な原子化を行おうとする試みもなさ
れている(例えば、G、ZangJ、B、C,Broe
kaert、 F、Leis H5pectroc
hi*ca Acta。
オロエチレン(PTFE、商品名;テフロン)などの担
体を添加して低沸点のハロゲン化物を生成し、これら難
揮発性元素の効率的な原子化を行おうとする試みもなさ
れている(例えば、G、ZangJ、B、C,Broe
kaert、 F、Leis H5pectroc
hi*ca Acta。
す、 241 (1988)など参照)。
しかし、このような方法は操作が煩雑なうえ、担体自体
によるハックグラウンドやコンタミ7ノコンの影響が大
きく、また担体の芸発速慶が早いため、試料全量が完全
に原子化しきれないという問題もある。
によるハックグラウンドやコンタミ7ノコンの影響が大
きく、また担体の芸発速慶が早いため、試料全量が完全
に原子化しきれないという問題もある。
一方、キャリアガス中に0.1%程度のフレオンガスを
混入させて炭化物の生成を抑制したという報告(例えば
、G、F、Kirkbright、 Z、Li−Xin
g ; Analyst 、 1jQl 、 617
(1982)参照)もあるが、混合ガスの調製が煩雑で
、試料乾燥時のハロゲン化物生成による目的元素のff
1tk、あるいは長時間のフッ素などの連続注入による
原子化部や励起部のtR傷を防ぐために、混合ガスの割
合を変化させたりハロゲン化試薬の混入を停止したりす
るのも容易ではない、また、ガス混合装置などの設置は
大掛かりで汎用には通さない。
混入させて炭化物の生成を抑制したという報告(例えば
、G、F、Kirkbright、 Z、Li−Xin
g ; Analyst 、 1jQl 、 617
(1982)参照)もあるが、混合ガスの調製が煩雑で
、試料乾燥時のハロゲン化物生成による目的元素のff
1tk、あるいは長時間のフッ素などの連続注入による
原子化部や励起部のtR傷を防ぐために、混合ガスの割
合を変化させたりハロゲン化試薬の混入を停止したりす
るのも容易ではない、また、ガス混合装置などの設置は
大掛かりで汎用には通さない。
なお、上記したようなプラズマ分析法の課題は、高感度
分析法として用いられている電熱気化一原子吸光法にお
いても分析可能元素が限定されるというという点で同様
に問題である。
分析法として用いられている電熱気化一原子吸光法にお
いても分析可能元素が限定されるというという点で同様
に問題である。
本発明は、上記したような課題を解決すべくしてなされ
たものであって、上記した電熱気化法や試料直接挿入法
を用いても、高感度でしかも同一の処理で多元素の分析
が可能な分lfr試料の原子化方法および装置を提供す
ることを目的とする。
たものであって、上記した電熱気化法や試料直接挿入法
を用いても、高感度でしかも同一の処理で多元素の分析
が可能な分lfr試料の原子化方法および装置を提供す
ることを目的とする。
〈課題を解決するための手段〉
本発明は、送給されるキャリアガスの雰囲気中で、分析
試料を電気的にあるいは励起源中に直接挿入して加熱、
気化させる過程で、前記キャリアガスをハロゲンを含む
化合物中にてバブリングさせたのち送給することを特徴
とする分析試料の原子化方法である。
試料を電気的にあるいは励起源中に直接挿入して加熱、
気化させる過程で、前記キャリアガスをハロゲンを含む
化合物中にてバブリングさせたのち送給することを特徴
とする分析試料の原子化方法である。
〈作 用〉
本発明によれば、キャリアガスをハロゲン化炭化水素あ
るいは無機ハロゲン化物などのハロゲンを含む化合物中
にバブリングさせるようにしたので、炭化物を生成し易
いあるいは高沸点の元素などの難揮発性元素をハロゲン
化物の形にして効率的に原子化することができる。
るいは無機ハロゲン化物などのハロゲンを含む化合物中
にバブリングさせるようにしたので、炭化物を生成し易
いあるいは高沸点の元素などの難揮発性元素をハロゲン
化物の形にして効率的に原子化することができる。
これにより、プラズマ分析法や電熱気化原子吸光法を用
いても、同一の処理で簡便に多元素の分析ができる。
いても、同一の処理で簡便に多元素の分析ができる。
また、ガス混合装置のような大掛かりな装置をa・要と
せず、バブリング用の簡単な系を取付けるだけなので、
従来装置に容易に取付けすることができ、しかも流路バ
ルブの簡単な操作でハロゲンを含む化合物の混入や停止
を11節することができる。
せず、バブリング用の簡単な系を取付けるだけなので、
従来装置に容易に取付けすることができ、しかも流路バ
ルブの簡単な操作でハロゲンを含む化合物の混入や停止
を11節することができる。
〈実施例〉
以下に、本発明の実施例について説明すると、本発明方
法に係る原子化装置の構成は、第1図にその要部を示す
ように、原子化部2に供給されるキャリアガスの流路で
あるガス供給管P、内にバブリング装置13を設け、そ
の内部にはハロゲン化炭化水素あるいは無機ハロゲン化
物などのハロゲンを含む化合物(以下、単にハロゲン化
合物という)を注入して、そこをキャリアガスを通過さ
せる。また、バブリング装置13の前後に波路切換バル
ブ14.15を取付けて、その間をバイパス管16で接
続しておく。
法に係る原子化装置の構成は、第1図にその要部を示す
ように、原子化部2に供給されるキャリアガスの流路で
あるガス供給管P、内にバブリング装置13を設け、そ
の内部にはハロゲン化炭化水素あるいは無機ハロゲン化
物などのハロゲンを含む化合物(以下、単にハロゲン化
合物という)を注入して、そこをキャリアガスを通過さ
せる。また、バブリング装置13の前後に波路切換バル
ブ14.15を取付けて、その間をバイパス管16で接
続しておく。
このように構成することにより、まず、分析待機時およ
び低温での試料の乾燥や灰化の過程では、流路切換バル
ブ14.15をバイパス管16tl!Iに切り換えてバ
イパス管16を通じてハロゲン化合物を含まない純アル
ゴンガスのみを原子化部9に送給するようにする。
び低温での試料の乾燥や灰化の過程では、流路切換バル
ブ14.15をバイパス管16tl!Iに切り換えてバ
イパス管16を通じてハロゲン化合物を含まない純アル
ゴンガスのみを原子化部9に送給するようにする。
つぎに分析時においては、流路切換バルブI415をバ
ブリング装置13側に切り換え、沸点の低いハロゲン化
合物を含んだキャリアガスを原子化部9に送給して炉内
を置換する。そして、原子化部9を高温に加熱すると、
難揮発性の炭化物を生成することなく、またZr、 M
o、 Wなどの高沸点金属の試料であっても容易に原子
化するから、この原子蒸気の試料をキャリアガスによっ
て内側管ICを介してプラズマトーチ11に送給する。
ブリング装置13側に切り換え、沸点の低いハロゲン化
合物を含んだキャリアガスを原子化部9に送給して炉内
を置換する。そして、原子化部9を高温に加熱すると、
難揮発性の炭化物を生成することなく、またZr、 M
o、 Wなどの高沸点金属の試料であっても容易に原子
化するから、この原子蒸気の試料をキャリアガスによっ
て内側管ICを介してプラズマトーチ11に送給する。
このように原子化時のみに、ハロゲン化合物を含んだキ
ャリアガスを原子化部9に送給することにより、試料の
乾燥、灰化時における目的元素の揮散およびフッ素など
の連続注入による原子化部や励起部の損傷が抑制される
ことになり、またハロゲン化合物の消費を削減すること
ができる。
ャリアガスを原子化部9に送給することにより、試料の
乾燥、灰化時における目的元素の揮散およびフッ素など
の連続注入による原子化部や励起部の損傷が抑制される
ことになり、またハロゲン化合物の消費を削減すること
ができる。
なお、バブリング装置13のバブリング管の孔径やハロ
ゲン化合物の種類を種々変えることによって、原子化部
9に送給するハロゲンの量および種類も容易に変更する
ことが可能である。
ゲン化合物の種類を種々変えることによって、原子化部
9に送給するハロゲンの量および種類も容易に変更する
ことが可能である。
一方、本発明を試料直接挿入法に適用する場合には、試
料を入れた原子化部が通過できるように拡張したプラズ
マトーチ部の内側管に、前記した電熱気化法の場合と同
様のハロゲン化合物を含んだキャリアガスを挿入してや
ればよい。
料を入れた原子化部が通過できるように拡張したプラズ
マトーチ部の内側管に、前記した電熱気化法の場合と同
様のハロゲン化合物を含んだキャリアガスを挿入してや
ればよい。
また、誘導加熱によりプラズマトーチ部内で試料の乾燥
、灰化処理を行う場合には、やはり電熱気化法と同様に
目的元素の揮散を防ぐために、ハロゲン化合物を含まな
いキャリアガスを挿入してやればよい。
、灰化処理を行う場合には、やはり電熱気化法と同様に
目的元素の揮散を防ぐために、ハロゲン化合物を含まな
いキャリアガスを挿入してやればよい。
試料直接挿入法を用いたICP発光分光分析法に本発明
法を通用して、微小のMOおよびCrの試料を含有した
溶液をそれぞれ分析した結果を、第2図(a)、 (b
)に示した。このとき、キャリアガスとしてはArガス
を、ハロゲン化合物としてはトリクロロトリフルオロエ
タン(CC1sF−CCIFエ ;沸点47.6℃)を
用い、このハロゲン化合物の中にA「ガスを10sj!
/winでバブリングした。
法を通用して、微小のMOおよびCrの試料を含有した
溶液をそれぞれ分析した結果を、第2図(a)、 (b
)に示した。このとき、キャリアガスとしてはArガス
を、ハロゲン化合物としてはトリクロロトリフルオロエ
タン(CC1sF−CCIFエ ;沸点47.6℃)を
用い、このハロゲン化合物の中にA「ガスを10sj!
/winでバブリングした。
なお、比較のために、ハロゲン化合物を含有しないAr
ガスをキャリアガスを用いた従来法による微小のMoお
よびC「の試料を分析した結果を、第3図(al、 (
b)にそれぞれ示した。
ガスをキャリアガスを用いた従来法による微小のMoお
よびC「の試料を分析した結果を、第3図(al、 (
b)にそれぞれ示した。
Moについては、沸点が4800 Kと高いことから、
従来法では第3図(aJかられかるように発光シグナル
強度は殆ど得られないが、本発明法では第2図(a)に
示したようにシャープな発光シグナル強度が得られ、こ
れによって溶液試#Jを50μlと8ii@小な量の場
合で、0.O2ppmの検出下限を得ることができた。
従来法では第3図(aJかられかるように発光シグナル
強度は殆ど得られないが、本発明法では第2図(a)に
示したようにシャープな発光シグナル強度が得られ、こ
れによって溶液試#Jを50μlと8ii@小な量の場
合で、0.O2ppmの検出下限を得ることができた。
一方、Crについては、従来法では第3図(b)に示す
ように発光シグナル強度が低いものしか得られないが、
これはCrが溶液中では3000〜4000 Kの高沸
点のCrオ0.などの酸化物を形成し易く、また加熱時
には炉材である黒鉛と反応して、沸点が3800にの炭
化物Cr5Ctを形成し易いため十分な感度の得られな
い元素であるからである。しかし、本発明法を用いた場
合は、第2図(b)から明らかなように発光シグナル強
度のピークがシャープになり、感度も10倍近くに向上
することがわかる。
ように発光シグナル強度が低いものしか得られないが、
これはCrが溶液中では3000〜4000 Kの高沸
点のCrオ0.などの酸化物を形成し易く、また加熱時
には炉材である黒鉛と反応して、沸点が3800にの炭
化物Cr5Ctを形成し易いため十分な感度の得られな
い元素であるからである。しかし、本発明法を用いた場
合は、第2図(b)から明らかなように発光シグナル強
度のピークがシャープになり、感度も10倍近くに向上
することがわかる。
なお、上記実施例においては、試料に門0とC「を用い
た場合について説明したが、本発明法はこれに限定され
るものではなく、Ti、 V、 Nb、 Zr、
YWなどの元素についても同様の効果が得られることは
言うまでもない。
た場合について説明したが、本発明法はこれに限定され
るものではなく、Ti、 V、 Nb、 Zr、
YWなどの元素についても同様の効果が得られることは
言うまでもない。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、キャリアガスを
ハロゲンを含む化合物中にてバブリングさせるようにし
たので、従来の電熱気化法や試料直接挿入法では高沸点
の酸化物や炭化物を形成し易いために分析困難とされて
いたMoやCr、 Ti、 VNb、 Zr、 Y、
Wなどの元素を、低沸点のハロゲン化物として効率的
に原子化することができ、これによって他の元素と同様
に高感度の分析を行うことができるから、その寄与する
ところ大である。
ハロゲンを含む化合物中にてバブリングさせるようにし
たので、従来の電熱気化法や試料直接挿入法では高沸点
の酸化物や炭化物を形成し易いために分析困難とされて
いたMoやCr、 Ti、 VNb、 Zr、 Y、
Wなどの元素を、低沸点のハロゲン化物として効率的
に原子化することができ、これによって他の元素と同様
に高感度の分析を行うことができるから、その寄与する
ところ大である。
また、本発明は、バブリング用の簡単な系を従来装置に
容易に取付けるだけでよいので、ガス混合装置のような
大掛かりな装置を必要とせず、設備費の低減などに貢献
する。
容易に取付けるだけでよいので、ガス混合装置のような
大掛かりな装置を必要とせず、設備費の低減などに貢献
する。
第1図は、本発明に係る実施例の要部構成の概要説明図
、第2図(a)、 (b)は、本発明法の適用時におけ
る発光シグナル強度の時間的推移の一例を示す特性図、
第3図(a)、 (b)は、従来法での発光シグナル強
度の時間的推移の一例を示す特性図、第4図は、従来法
による測定装置の構成の概要説明図である。 !・・・プラズマトーチ部。 la・・・外側管。 1c・・・内側管。 3・・・高周波を源部。 5・・・分光器。 7・・・表示部。 9・・・原子化部 11・・・プラズマトーチ。 12・・・高周波コイル。 lb・・・中間管。 2・・・原子化部。 4・・・同調結合部。 6・・・計測部。 8・・・ガス供給装置。 lO・・・電気制御部。 13・・・バブリング装!。 14゜ 15・・・流路切換バルブ 】6・・・バイパス管。 1 z P。 ・・・ガス供給管。
、第2図(a)、 (b)は、本発明法の適用時におけ
る発光シグナル強度の時間的推移の一例を示す特性図、
第3図(a)、 (b)は、従来法での発光シグナル強
度の時間的推移の一例を示す特性図、第4図は、従来法
による測定装置の構成の概要説明図である。 !・・・プラズマトーチ部。 la・・・外側管。 1c・・・内側管。 3・・・高周波を源部。 5・・・分光器。 7・・・表示部。 9・・・原子化部 11・・・プラズマトーチ。 12・・・高周波コイル。 lb・・・中間管。 2・・・原子化部。 4・・・同調結合部。 6・・・計測部。 8・・・ガス供給装置。 lO・・・電気制御部。 13・・・バブリング装!。 14゜ 15・・・流路切換バルブ 】6・・・バイパス管。 1 z P。 ・・・ガス供給管。
Claims (1)
- 送給されるキャリアガスの雰囲気中で、分析試料を電気
的にあるいは励起源中に直接挿入して加熱、気化させる
過程で、前記キャリアガスをハロゲンを含む化合物中に
てバブリングさせたのち送給することを特徴とする分析
試料の原子化方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2025969A JPH0781953B2 (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 分析試料の原子化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2025969A JPH0781953B2 (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 分析試料の原子化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03231141A true JPH03231141A (ja) | 1991-10-15 |
JPH0781953B2 JPH0781953B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=12180563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2025969A Expired - Lifetime JPH0781953B2 (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 分析試料の原子化方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0781953B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008544454A (ja) * | 2005-06-17 | 2008-12-04 | パーキンエルマー・インコーポレイテッド | 増強装置及びその使用方法 |
US8786394B2 (en) | 2010-05-05 | 2014-07-22 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Oxidation resistant induction devices |
US8829386B2 (en) | 2010-05-05 | 2014-09-09 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Inductive devices and low flow plasmas using them |
US8896830B2 (en) | 2005-06-17 | 2014-11-25 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Devices and systems including a boost device |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5210797A (en) * | 1975-07-04 | 1977-01-27 | Hitachi Ltd | Sample atomizer unit for atomic extinction analyzer |
-
1990
- 1990-02-07 JP JP2025969A patent/JPH0781953B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5210797A (en) * | 1975-07-04 | 1977-01-27 | Hitachi Ltd | Sample atomizer unit for atomic extinction analyzer |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008544454A (ja) * | 2005-06-17 | 2008-12-04 | パーキンエルマー・インコーポレイテッド | 増強装置及びその使用方法 |
US8896830B2 (en) | 2005-06-17 | 2014-11-25 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Devices and systems including a boost device |
US8786394B2 (en) | 2010-05-05 | 2014-07-22 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Oxidation resistant induction devices |
US8829386B2 (en) | 2010-05-05 | 2014-09-09 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Inductive devices and low flow plasmas using them |
US10096457B2 (en) | 2010-05-05 | 2018-10-09 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Oxidation resistant induction devices |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0781953B2 (ja) | 1995-09-06 |
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