JPH03225611A - Manufacturing method of thin film magnetic head - Google Patents

Manufacturing method of thin film magnetic head

Info

Publication number
JPH03225611A
JPH03225611A JP1900390A JP1900390A JPH03225611A JP H03225611 A JPH03225611 A JP H03225611A JP 1900390 A JP1900390 A JP 1900390A JP 1900390 A JP1900390 A JP 1900390A JP H03225611 A JPH03225611 A JP H03225611A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
magnetic core
coil insulating
hole
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1900390A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masakatsu Saito
斉藤 正勝
Yuko Shibayama
優子 柴山
Hiroyuki Nagatomo
浩之 長友
Katsuo Konishi
小西 捷雄
Shigeo Aoki
青木 茂夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP1900390A priority Critical patent/JPH03225611A/en
Publication of JPH03225611A publication Critical patent/JPH03225611A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は記録媒体に摺動する型の薄膜磁気ヘッドに係り
、特に高精度なトラック幅制御に適した薄膜磁気ヘッド
の製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a thin film magnetic head of the type that slides on a recording medium, and particularly to a method of manufacturing a thin film magnetic head suitable for highly accurate track width control.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

VTRなど、その記録媒体にヘッドが接触して走行する
システムではヘッドの摩耗寿命確保という課題があり、
とくに、薄膜磁気ヘッドを適用するにはそのギャップ深
さの大きいものを開発する必要がある。そのためには、
ギャップ先端まで磁束を誘導するため途中で磁気コアが
飽和しない−うにコア厚を大きくしなければならない。
In systems such as VTRs where the head runs in contact with the recording medium, there is the issue of ensuring the wear life of the head.
In particular, in order to apply a thin film magnetic head, it is necessary to develop one with a large gap depth. for that purpose,
In order to guide the magnetic flux to the tip of the gap, the core thickness must be increased so that the magnetic core does not become saturated on the way.

この、Ii!について検討した結果、摩耗寿命を確保す
るに社ギャップ深さは10゛〜15μm必要であること
が解=た。そのためには、上部・下部磁気コア厚として
20(tm程度を必要とする。
This, Ii! As a result of the study, it was determined that the gap depth should be 10 to 15 μm to ensure a long wear life. For this purpose, the thickness of the upper and lower magnetic cores must be about 20 tm.

しかし、このような厚い磁性膜を高精度にパ多−ニング
により形成することは容易ではない。理膜磁気ヘッドで
はバターニング部が下地の傾斜書にまたがる部分があり
、湿式エツチングではこC傾斜部と平坦部とでは磁性膜
のエツチング速度に大きな差があるため採用できず、イ
オンミリンクというドライエツチングで加工する。この
イオンミリング方法はエツチング選択性がないという欠
点があり、加工時に用いるマスク材は磁性膜と同程度の
膜厚を必要とし、精度的に問題がある。
However, it is not easy to form such a thick magnetic film by patterning with high precision. In a film magnetic head, there is a part where the patterned part extends over the underlying inclined part, and wet etching cannot be used because there is a large difference in the etching speed of the magnetic film between the inclined part and the flat part, so a method called ion milling is used. Process by dry etching. This ion milling method has the disadvantage of not having etching selectivity, and requires the mask material used during processing to have a film thickness comparable to that of the magnetic film, which poses problems in terms of accuracy.

このように20pmという厚膜を高精度にエツチングし
てトラック幅を制御することは難しい。そこで従来提案
されている方法として、例えば特開昭63−30441
3号公報に記載されているように、下部磁気コアのフロ
ント部に設けた突起とコイル絶縁膜に設けたスルーホー
ルとでトラック幅を制御する方法がある。
It is difficult to control the track width by etching a film as thick as 20 pm with high precision. Therefore, as a conventionally proposed method, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-30441
As described in Japanese Patent No. 3, there is a method of controlling the track width using a protrusion provided on the front portion of the lower magnetic core and a through hole provided in the coil insulating film.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上記従来技術によれば、高精度なバターニングをする対
象が20μmの磁性膜から約10μmのコイル絶縁膜に
代わり、膜厚を半減できただけパターン精度は上がる。
According to the above-mentioned conventional technology, the object of highly accurate patterning is changed from a 20 μm magnetic film to a coil insulating film of about 10 μm, and the pattern accuracy is improved by reducing the film thickness by half.

しかし、下部コアの先端部がほぼトラック幅に形成され
ている場合、この下部コア先端部とコイル絶縁膜のスル
ーホールとを位置合わせして形成する必要があり、以下
に述べるようにこの場合の位置合わせ精度を確保しすら
いという問題があった。
However, if the tip of the lower core is formed to approximately the track width, it is necessary to align the tip of the lower core with the through hole of the coil insulating film. There was a problem in that it was difficult to ensure alignment accuracy.

第4図は従来技術により製造した薄膜磁気ヘッドの摺動
面の説明図であって、同図は媒体に接するヘッド摺動面
で略トラック幅の突起を有する下部磁気コア2とコイル
絶縁膜4に設けたスルーホールとは、ΔQ 1.ΔQ2
だけずれている。このΔ21.ΔQ2はスルーホール形
成用のレジストの位置ずれや、コイル絶縁膜の厚さバラ
ツキによるエツチング後の寸法変化量バラツキ等が合わ
さったものである。
FIG. 4 is an explanatory diagram of the sliding surface of a thin-film magnetic head manufactured by a conventional technique, and the figure shows a lower magnetic core 2 and a coil insulating film 4 having protrusions approximately the width of a track on the head sliding surface in contact with the medium. The through hole provided in ΔQ1. ΔQ2
It's off by just that. This Δ21. ΔQ2 is a combination of misalignment of the resist for through-hole formation, variation in the amount of dimensional change after etching due to variation in the thickness of the coil insulating film, etc.

フォトエツチング技術ではマスク材のフォトレジストは
マスクアライナ−によって基板面上のマーカーとフォト
マスクのマーカーとを合わせて位置決めされる。上記従
来技術では、コイル絶縁膜である約10μmのSin、
(透明)と約15μmのフォトレジストの合計的25μ
m離れた下部コア表面と同一面上にマーカーがある。こ
のため、フォトマスクのマーカーと合わせる時には、位
置合わせ作業に必要な基板面とフォトマスクとの間のス
ペースを考えると50〜601tm離れたマーカーどう
しを合わせることになり、焦点深度の点から顕微鏡倍率
150倍程度しか使えず、レジストの位置合わせは1μ
mの精度が限界であった。また、コイル絶縁膜は膜厚1
0μmに対して、基板内1μm程度の分布はさけられな
い。この時、スルーホールのテープ角を45゛ とした
場合、スルーホール寸法は基板内で2μmばらつく。し
たがって、従来技術では最悪3μm程度のスルーホール
位置ずれは起こりうる。
In the photoetching technique, the photoresist as a mask material is positioned by a mask aligner by aligning markers on the substrate surface with markers on the photomask. In the above conventional technology, the coil insulating film is made of about 10 μm of Sin,
(transparent) and approximately 15μm of photoresist for a total of 25μ
There is a marker on the same plane as the lower core surface, m apart. Therefore, when aligning markers on a photomask, considering the space between the substrate surface and the photomask required for alignment work, it is necessary to align markers that are 50 to 601 tm apart, and from the viewpoint of depth of focus the microscope magnification It can only be used about 150 times, and the resist alignment is 1μ.
The accuracy of m was the limit. Also, the coil insulating film has a film thickness of 1
A distribution of about 1 μm inside the substrate is unavoidable compared to 0 μm. At this time, if the tape angle of the through-hole is 45°, the through-hole dimensions will vary by 2 μm within the board. Therefore, in the conventional technology, a through-hole position shift of about 3 μm may occur at worst.

また、上記従来技術のヘッド構成技術のうち、コイル絶
縁膜は、ギャップ形成面となるスルーホールを設けるた
めに、下地との選択エツチングが可能であること、およ
びCo−Nb系やFeAlSi系等のコア材の磁気特性
を良好なものにするための400°C以上の熱処理に耐
えられること、等が要求され、無機材量のSiO□がよ
く使われる。ところが、磁性膜にあわせた基板(例えば
Mn5Niの酸化物系セラミックス材)や保護膜(例え
ばSin、−MgO系絶縁膜)の熱膨張係数は100 
X 10−’/’C以上であり、SiOよのそれは2桁
近く小さく、硬度は他の材料より大きい。このため、5
tOzfflは大きな膜応力が生じて、膜はがれ、基板
のフラッグ等を生じたり、媒体と摺動させた時にSin
、かつき出てスペーシングロスが大きくなる、等の問題
があった。すなわち、従来技術はヘッド構成材料として
、熱膨張係数、耐摺動性、耐摩耗性等を考えた最適材料
を選択することができない。
In addition, among the above-mentioned conventional head construction techniques, the coil insulating film can be selectively etched with the underlying layer in order to provide through holes that serve as gap-forming surfaces, and it is also possible to selectively etch the coil insulating film with the underlying layer. In order to improve the magnetic properties of the core material, it is required to withstand heat treatment of 400°C or higher, and SiO□, which is an inorganic material, is often used. However, the thermal expansion coefficient of the substrate (e.g., Mn5Ni oxide ceramic material) and protective film (e.g., Sin, -MgO-based insulating film) matched to the magnetic film is 100.
X 10-'/'C or more, which is nearly two orders of magnitude smaller than that of SiO, and the hardness is greater than that of other materials. For this reason, 5
tOzffl causes large film stress, which may cause film peeling, flags on the substrate, etc., or cause sin when sliding with the medium.
, and the spacing loss increases. In other words, in the prior art, it is not possible to select the optimum material for the head constituting material in consideration of thermal expansion coefficient, sliding resistance, abrasion resistance, etc.

本発明の目的は、トラック幅寸法に形成された下部コア
寸法先端部とコイル絶縁膜に設けたスルーホールとの位
置ずれを生じない、すなわち下部コアと上部コアのトラ
ックずれのない薄膜ヘッド製造方法を提供することにあ
る。また、他の目的は、ヘッド構成材料を任意に選択し
つるヘッド製造方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a thin film head manufacturing method that does not cause misalignment between the tip of the lower core formed to the track width dimension and the through hole provided in the coil insulating film, that is, does not cause misalignment between the lower core and the upper core. Our goal is to provide the following. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a head by arbitrarily selecting a material for forming the head.

[課題を解決するための手段] 上記目的は、トラック幅寸法の下部コア突起上に、コイ
ル絶縁層および下地と選択エツチング可能な新しい薄膜
層を突起形成と同時に設け、コイル絶縁膜へのスルーホ
ール形成をこの新しい薄膜層内途中までをイオンエツチ
ングで行い、その後を反応性イオンエツチング等の選択
エツチング可能な方式で上記新しい薄膜層を除去する方
法を採用することによって達成される。
[Means for solving the problem] The above object is to provide a new thin film layer that can be selectively etched with the coil insulating layer and the base layer on the lower core protrusion of the track width dimension at the same time as the protrusion formation, and to form a through hole to the coil insulating film. This is achieved by performing ion etching up to part of the new thin film layer, and then removing the new thin film layer using a selective etching method such as reactive ion etching.

[作用コ 新たに設けた下部コア突起上の新しい薄膜層は突起と同
時にパターニングされているため、突起との位置ずれは
生じない。また、コイル絶縁層に設けたスルーホール幅
はこの薄膜層によって規定される。このため、突起とス
ルーホール、すなわち下部コアと上部コアのトラックず
れはなくなる。
[Operation] Since the new thin film layer on the newly provided lower core protrusion is patterned at the same time as the protrusion, no misalignment with the protrusion occurs. Further, the width of the through hole provided in the coil insulating layer is defined by this thin film layer. Therefore, there is no track misalignment between the protrusion and the through hole, that is, the lower core and the upper core.

また、薄膜層は選択エツチング可能な材料であることが
要求されるが、工程途中で除去されてしまい、最終的な
構成材料としてはエツチングの選択性の制限はなくなり
、任意な材料構成をとれる。
Further, although the thin film layer is required to be a material that can be selectively etched, it is removed during the process, and the final constituent material is not limited in etching selectivity and can be of any material composition.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の実施例
を図面を参照して説明する。
Embodiments of the method for manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例にかかる薄膜磁気ヘッドの製
造方法の工程説明図であって、図の左側が摺動面、右側
が磁路方向の断面図で、下部磁気コアが非磁性基板に埋
込まれ、かつ、下部磁気コアのフロントおよびリアに設
けた突起内にコイルを形成した構造の薄膜磁気ヘッドで
示しである。
FIG. 1 is a process explanatory diagram of a method for manufacturing a thin-film magnetic head according to an embodiment of the present invention, in which the left side of the figure is a sliding surface, the right side is a cross-sectional view in the magnetic path direction, and the lower magnetic core is nonmagnetic. This is a thin film magnetic head embedded in a substrate and having a structure in which coils are formed in protrusions provided at the front and rear of a lower magnetic core.

同図において、1は非磁性基板、2は基板に埋込まれた
下部磁気コア、2a、2bは下部磁気コアのフロント部
およびリア部に設けた突起、41゜42はコイル絶縁層
、6a、6bはコイル絶縁層に設けたフロント部および
リア部のスルーホール。
In the figure, 1 is a non-magnetic substrate, 2 is a lower magnetic core embedded in the substrate, 2a and 2b are protrusions provided on the front and rear parts of the lower magnetic core, 41° and 42 are coil insulating layers, 6a, 6b is a through-hole in the front and rear parts provided in the coil insulating layer.

7はギャップ材、8は上部磁気コアである。7 is a gap material, and 8 is an upper magnetic core.

以下、工程(a)〜(i)にそって説明する。Hereinafter, steps (a) to (i) will be explained.

(a)非磁性基板1にダイシングソーやイオンエツチン
グ等により溝を掘り、CoNbZr、 FeAlSi等
の磁性膜をスパッタリングにより形成し、摩耗により平
坦化する。
(a) A groove is dug in the non-magnetic substrate 1 using a dicing saw, ion etching, etc., a magnetic film of CoNbZr, FeAlSi, etc. is formed by sputtering, and the groove is flattened by abrasion.

(b) Sin、をスパッタリングにより所定厚さに成
膜して薄膜層3を形成する。
(b) A thin film layer 3 is formed by depositing Sin to a predetermined thickness by sputtering.

(c) Sin、から成る薄膜層3と下部磁気コア2と
を同時にイオンエツチングによりパターニングする。
(c) The thin film layer 3 made of Sin and the lower magnetic core 2 are simultaneously patterned by ion etching.

これによってフロント部分の突起2a、リア部分の突起
2bおよびこれらの上の薄膜パターン3 a s3bが
作られ、突起2aおよび薄膜パターン3aが最終的に下
部コア幅、上部コア幅となり、トラック幅を規定する。
As a result, the protrusion 2a on the front part, the protrusion 2b on the rear part, and the thin film pattern 3a s3b on these are created, and the protrusion 2a and the thin film pattern 3a finally become the lower core width and the upper core width, and define the track width. do.

(d)第1のコイル絶縁層として、Sin、と選択工・
ソチング可能なA1.O,\SiO*−MgO系等の絶
縁膜41をスパッタリングにより形成する。
(d) As the first coil insulating layer, Sin and selective
Soching possible A1. An insulating film 41 of O, \SiO*-MgO, etc. is formed by sputtering.

(e) Cr/Cu/Cr (Cr ;接着層)から成
るコイル導体5を形成した後、第1のコイル絶縁膜と同
じ材料をスパッタリングにより形成し、第2コイル絶縁
層42とする。
(e) After forming the coil conductor 5 made of Cr/Cu/Cr (Cr; adhesive layer), the same material as the first coil insulating film is formed by sputtering to form the second coil insulating layer 42.

(f)エッチバック法や研磨等により第2コイル絶縁層
42を平坦にする。第2コイル絶縁層42の膜厚は薄膜
パターン3a(3b)と下部磁気コア突起2a(2b)
とを合わせた高さより厚くする。
(f) The second coil insulating layer 42 is made flat by an etch-back method, polishing, or the like. The film thickness of the second coil insulating layer 42 is between the thin film pattern 3a (3b) and the lower magnetic core protrusion 2a (2b).
be thicker than the combined height of

(g)コイル絶縁層41.42に下部磁気コア突起2a
(g) Lower magnetic core protrusion 2a on coil insulating layer 41, 42
.

2bと位置合わせして、イオンエツチングによりスルー
ホール6a、6bを形成する。イオンエツチングではエ
ツチング面の平坦性が損なわれ、アジマス損失によるヘ
ッド性能劣化を招くため、この工程のエツチングは薄膜
パターン3a、3bを所定厚さ残して終わる (h)薄膜パターン3a、3bの残りをCF、などを用
いた反応性イオンエツチングによりエツチングし、スル
ーホール6a、8bを完成する。
Through holes 6a and 6b are formed by ion etching in alignment with 2b. Ion etching impairs the flatness of the etched surface and causes head performance deterioration due to azimuth loss, so the etching process ends with the thin film patterns 3a and 3b remaining at a predetermined thickness (h) The remaining thin film patterns 3a and 3b are removed. Etching is performed by reactive ion etching using CF or the like to complete through holes 6a and 8b.

(i) CrやAltos、 Sift−MgO系絶縁
材などをギャップ材7として形成した後、下部磁気コア
と同じコア材をスパッタリングで成膜し、エツチングし
て上部磁気コア8を作る。この後、保護膜形成、チツブ
化、組立工程等をへてヘッドが完成する。
(i) After forming a gap material 7 of Cr, Altos, Sift-MgO based insulating material, etc., the same core material as the lower magnetic core is deposited by sputtering and etched to form the upper magnetic core 8. Thereafter, the head is completed by forming a protective film, forming a chip, assembling process, etc.

以上の製法によれば、スルーホール6aと突起2aとの
位置ずれをなくすことができる。次にその理由について
第2図により説明する。
According to the above manufacturing method, it is possible to eliminate misalignment between the through hole 6a and the protrusion 2a. Next, the reason will be explained with reference to FIG.

第2図は第1図の工程(f)から(h)までを説明する
ための摺動面に相当する断面図である。ただし、第1、
第2コイル絶縁層41.42はまとめてコイル絶縁層4
とした。
FIG. 2 is a sectional view corresponding to the sliding surface for explaining steps (f) to (h) in FIG. 1. However, first,
The second coil insulating layers 41 and 42 collectively form the coil insulating layer 4.
And so.

同図において、薄膜パターン3a上のコイル絶縁層4(
膜厚T)にスルーホールを設けた時、薄膜パターン3a
との位置ずれ量が八βとすると、従来技術ではこのΔ2
がそのままスルーホールと突起との位置ずれ量となった
。しかし、本実施例では、薄膜パターン3aの薄膜がt
o以下となるまで、さらにイオンエツチングによりエツ
チングを進める。このエツチングにより、スルーホール
は一点鎖線から点線のようになり、この後でエツチング
選択性のある反応性イオンエツチングにより残りの薄膜
パターン3a(膜厚to)を除去すれば、スルーホール
の底の部分にほぼ垂直テーパをもつ部分が若干できるが
スルーホールと突起との位置ずれは全く発生しない。
In the figure, a coil insulating layer 4 (
When a through hole is provided in the film thickness T), the thin film pattern 3a
If the amount of positional deviation from the
is the amount of positional deviation between the through hole and the protrusion. However, in this embodiment, the thin film of the thin film pattern 3a is t
Etching is further carried out by ion etching until it becomes less than o. By this etching, the through hole changes from a dashed line to a dotted line. After that, if the remaining thin film pattern 3a (film thickness to) is removed by reactive ion etching with etching selectivity, the bottom part of the through hole will be removed. Although there is a slight part with an almost vertical taper, no misalignment between the through hole and the protrusion occurs at all.

このように本発明は平面内での位置ずれ量を膜厚方向で
吸収するというものである。ここで、より具体的に薄膜
パターン3aの膜厚t8と吸収しつるずれ量Δ2との関
係について第3図により説明する。
In this manner, the present invention absorbs the amount of in-plane positional deviation in the film thickness direction. Here, the relationship between the film thickness t8 of the thin film pattern 3a and the absorption displacement amount Δ2 will be explained in more detail with reference to FIG.

第3図は第2図における薄膜パターンの膜厚と吸収し得
るずれ量との関係を示すグラフで、以下の条件の場合に
ついてのものである。
FIG. 3 is a graph showing the relationship between the film thickness of the thin film pattern in FIG. 2 and the amount of shift that can be absorbed, under the following conditions.

スルーホール高さは従来と同じ高さ、すなわちT+t□
=10(μm) スルーホールテーパ角αは、α=45(’ ) 、また
イオンエツチングで残す薄膜パターン3aの膜厚toは
、基板内の膜厚分布1μmとした。
The through hole height is the same as the conventional one, i.e. T+t□
=10 (μm) The through-hole taper angle α was α=45(′), and the film thickness to of the thin film pattern 3a left by ion etching was set to 1 μm in the film thickness distribution within the substrate.

同図より、先に述べた従来技術でずれる可能性のある最
大値3μmを吸収するにはt8を4μmにすればよいこ
とがわかる。ただし、本実施例では、イオンエツチング
でエツチングする膜厚が従来よりt!たけ薄い分、位置
ずれの可能性のある最大値は従来より小さくなるため、
実際はt8は4μmより薄くてよい。
From the figure, it can be seen that t8 should be set to 4 μm in order to absorb the maximum value of 3 μm that may shift in the prior art described above. However, in this example, the film thickness etched by ion etching is t! Because it is thinner, the maximum possible positional deviation is smaller than before.
In reality, t8 may be thinner than 4 μm.

以上説明した実施例では、コイルを下部コアに理込む構
造で、ギャップ材は上部コア形成直前に形成し、薄膜層
3aはSin、を用いたが、本発明はこれらの構造や材
料に限定されるものではない。
In the embodiment described above, the coil is inserted into the lower core, the gap material is formed immediately before the formation of the upper core, and the thin film layer 3a is made of Sin. However, the present invention is not limited to these structures and materials. It's not something you can do.

また、上記実施例では、薄膜層3aと下部磁気コア先端
部2aは同時に形成したが、下部磁気コア先端部を形成
した後で、薄膜層3aを形成しても、従来より位置合わ
せ精度は良くなる。
Further, in the above embodiment, the thin film layer 3a and the lower magnetic core tip 2a were formed at the same time, but even if the thin film layer 3a is formed after the lower magnetic core tip is formed, the alignment accuracy is better than in the past. Become.

[発明の効果コ 以上説明したように、本発明によれば、トラック幅寸法
に形成された下部コア突起とコイル絶縁層に設けたスル
ーホールとの位置ずれが全く生じない、すなわち下部コ
アと上部コアのトラックずれかない磁気ヘッドを安定し
て作ることができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, there is no misalignment between the lower core protrusion formed in the track width dimension and the through hole provided in the coil insulating layer. It is possible to stably produce a magnetic head with no core track deviation.

また、コイル絶縁膜として従来要求されていた選択エツ
チング可能なこと、という制限はなくなり、任意の材料
を使うことができるため、前記従来技術の欠点を除いて
、信頼性が高く、偏摩耗の生じない薄膜磁気ヘッドを提
供できる。
In addition, the restriction that the coil insulating film can be selectively etched, which was previously required, is eliminated, and any material can be used. It is possible to provide a thin-film magnetic head that does not require a thin-film magnetic head.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を説明する製造工程図、第2
図は第1図の工程の要部を説明するための摺動相当部の
断面図、第3図は本発明により吸収しつる平面内位置ず
れ量と薄膜層との関係を示すグラフ、第4図は従来技術
により製造したヘッド摺動面の一例の説明図である。 1・・・非磁性基板   2・・・下部コア2a・・・
下部磁気コアフロント部突起3a・・・フロント部薄膜
パターン 4、41.42・・・コイル絶縁層 6a・・・フロントコア部スルーホール8・・・上部磁
気コア。 〒 図(テの12 5!1ii2図 fL 門5図 を工 (ンχmン 閉4図 ′を 乙
FIG. 1 is a manufacturing process diagram explaining one embodiment of the present invention, and FIG.
The figure is a cross-sectional view of the sliding part for explaining the main part of the process in Figure 1, Figure 3 is a graph showing the relationship between the amount of in-plane positional deviation absorbed by the present invention and the thin film layer, The figure is an explanatory view of an example of a head sliding surface manufactured by a conventional technique. 1... Non-magnetic substrate 2... Lower core 2a...
Lower magnetic core front part protrusion 3a...Front part thin film pattern 4, 41, 42...Coil insulating layer 6a...Front core part through hole 8...Upper magnetic core. 〒Fig.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、非磁性基板1上に下部磁気コア2、ギャップ材7、
コイル導体5、コイル絶縁膜4および上部磁気コア8等
を積層してなる薄膜磁気ヘッドであって、上記下部磁気
コア先端部2aがトラック幅寸法に加工され、該下部磁
気コア先端部2aと位置合わせして形成した上記コイル
絶縁膜4に設けたスルーホール6aとでトラック幅を規
制する構造を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法において
、 上記スルーホール6a形成工程が、 上記下部磁気コア先端部2a上にトラック幅寸法の薄膜
層3aを設ける工程と、 コイル導体5を形成する工程と、 コイル絶縁部4を形成する工程と、 上記薄膜層3a上の該コイル絶縁膜部にイオンエッチン
グでスルーホール6aを形成し、薄膜層3aが所定厚さ
になるまでエッチングする工程と、 該薄膜層3aの残りを反応性イオンエッチングでエッチ
ングし除去する工程と、 から成ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 2、請求項1において、前記薄膜層3を前記下部磁気コ
ア先端部2aと同時に形成することを特徴とする薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
[Claims] 1. On a non-magnetic substrate 1, a lower magnetic core 2, a gap material 7,
A thin film magnetic head formed by laminating a coil conductor 5, a coil insulating film 4, an upper magnetic core 8, etc., in which the lower magnetic core tip 2a is processed to have a track width dimension, and the lower magnetic core tip 2a is aligned with the lower magnetic core tip 2a. In a method for manufacturing a thin film magnetic head having a structure in which the track width is regulated by a through hole 6a provided in the coil insulating film 4 formed together, the step of forming the through hole 6a includes the step of forming the lower magnetic core tip 2a. A step of providing a thin film layer 3a having a track width dimension thereon, a step of forming a coil conductor 5, a step of forming a coil insulating portion 4, and a step of forming a through hole in the coil insulating film portion on the thin film layer 3a by ion etching. 6a and etching the thin film layer 3a until it reaches a predetermined thickness; and etching and removing the remainder of the thin film layer 3a by reactive ion etching. Production method. 2. The method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 1, wherein the thin film layer 3 is formed at the same time as the lower magnetic core tip 2a.
JP1900390A 1990-01-31 1990-01-31 Manufacturing method of thin film magnetic head Pending JPH03225611A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1900390A JPH03225611A (en) 1990-01-31 1990-01-31 Manufacturing method of thin film magnetic head

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1900390A JPH03225611A (en) 1990-01-31 1990-01-31 Manufacturing method of thin film magnetic head

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03225611A true JPH03225611A (en) 1991-10-04

Family

ID=11987353

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1900390A Pending JPH03225611A (en) 1990-01-31 1990-01-31 Manufacturing method of thin film magnetic head

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03225611A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8953426B2 (en) 2012-10-05 2015-02-10 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Information reproducing apparatus and information reproducing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8953426B2 (en) 2012-10-05 2015-02-10 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Information reproducing apparatus and information reproducing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5831801A (en) Thin film magnetic head with special pole configuration
KR100338205B1 (en) Top surface imaging technique for top pole tip width control in magnetoresistive read/write head processing
JP2000113412A (en) Thin film magnetic head and manufacture thereof
JP2005317188A (en) Flat type perpendicular recording head
US7181827B2 (en) Method of forming magnetic layer pattern
JP3499458B2 (en) Thin film magnetic head, method of manufacturing the same, and method of forming thin film coil
JP2000149219A (en) Thin film magnetic head and its manufacture
US6901651B2 (en) Method of manufacturing thin-film magnetic head
JP3484332B2 (en) Method for manufacturing thin-film magnetic head
KR100263805B1 (en) Thin film magnetic head and process for its production
JPH03225611A (en) Manufacturing method of thin film magnetic head
JP3250720B2 (en) Mask alignment method for wafer for thin film magnetic head
JP2001167408A (en) Thin-film magnetic head and method for manufacturing the same
JP2001155309A (en) Thin film magnetic head and its manufacturing method
US6731459B2 (en) Thin film magnetic head
JP2005085453A (en) Manufacturing method of thin film magnetic head
JP2001093113A (en) Thin film magnetic head and its manufacturing method
JP4490579B2 (en) Inductive thin film magnetic head and manufacturing method thereof
JP2796998B2 (en) Method for manufacturing thin-film magnetic head
JPH03205607A (en) Thin-film magnetic head and production thereof
JPH04205705A (en) Thin film magnetic head and magnetic disk device
JPH0289208A (en) Manufacturing method of thin film magnetic head
JP2595013B2 (en) Thin film magnetic head
JP3936085B2 (en) Manufacturing method of magnetic head
JPH01133212A (en) Thin film magnetic head and its manufacturing method