JPH03221188A - 水中のケイ酸を活性化する方法ならびに装置 - Google Patents

水中のケイ酸を活性化する方法ならびに装置

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JPH03221188A JP31672890A JP31672890A JPH03221188A JP H03221188 A JPH03221188 A JP H03221188A JP 31672890 A JP31672890 A JP 31672890A JP 31672890 A JP31672890 A JP 31672890A JP H03221188 A JPH03221188 A JP H03221188A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技  術  沖  野 本発明は水中力ゲイ酸を活性1ヒする方法なあびに水R
埋装置に関する乙のである、 従  来  技  術 水力濃縮を併なう循環水路系、例えは冷却塔からの冷却
水をポンプ送って゛熱交換器に送り、さらに冷却塔へ循
環する諸環水路、軟水器から給水タンクそ経てポンプ送
りてf気ホイラーに給水するボイラー系統ライン、ある
いは水の濃縮を併なわない非循環水路系、例えば単に受
水漕から高置貯水漕に水をポンプ送りし、各階へ洪水す
る高層ヒlし等て゛の飲料水給水ライン等て゛は、水を
送るライン内、又は熱交換器、ホrラー、冷却塔、給水
管等の内部での錆および またはスゲールの発生か常に
問題とされ、従来これを防止するため各種の防錆剤、ス
ゲール分散刊、清缶剤等が提供されてきたが、その使用
管理か難して、ランニンクコストち大きく、また飲料水
セとては医健上の理由からも問題かあり、未f薬刊使明
以外の有効な補、スケールの防止法か見出されていない
、本発明者は、近時+C!!!L埋用に開発されてき/
′、:會階力Fii場7電子場装置か効果に疑問が、b
ること4二鑑み、研究を続けた結東、有効l水処理方性
と(て、処理水中のシリカ濃度の制御0・重要て゛ある
こと、即ち水の濃度を併をわない非循環水路系て゛C;
該水路・\力洪給水あるいは貯水清水のシリカセ遷度を
20〜50mg Qに制御315、また水のia縮そ併
そう水路(上記ボイラー力場合)、またに循環水路系て
′は循環水のシリカ濃度そ50m gQ以上に制御した
う乙で、前記水路内あるいは虎環水路内に磁場、電子場
装置を位置させ、水に健場、電子場の作用そ及ぼせば、
確実に錆、スチールの発生を防止できることを見出し、
特許出願したく特願昭63−255498号) 本発明は前記発明をさらに進展せヒめたちの=あっ、ま
た冷却水等のイ虚縮管理状態そ別の視点てとらえ、より
良好な水質管理のための新規処理方法な4ひに処理装置
を提供しようとする乙のて′ある 発明が解決りようとする点 そこで、循環水あるいは水路供給水のシリカ濃度の制御
を行わずともより簡単な・方法で、水中のゲイ酸を活性
(ヒし確実往っ有効にjilfjりるいはスケールの発
生を防止しつる方法そらびに装置を提供することが本発
明目的の一つである。また飲料水のみならず、食品工業
、清涼飲料水その池各種分野て゛使用せられるに適した
良好で利用@値の高い水質の水を容易に且つ有効に得る
二とのできる方性、装置を提供することも発明目的の一
つて゛ある。
問題点を解決するための手段 本発明に従えば、上記目的か、150−450’VI 
H2の高周波電源に接続された1、 1..2hるいは
1.、’4波長の線状アンテナにより発生せしめられる
振動磁界電界堝水路内を、02〜200m・時の流量で
水を通過せしめることを特徴とする水中のグイ酸を活性
fヒする方法、および水の出入口のもらけ毛れた鋼管、
該鋼管内部に収容されているI、l、2Rるいは1/4
波長線状アンテナおよび前記貞管、7′)%部(こ位置
せしめられ且つ線状アンテナに接続せられる1 51)
 −4う0.好まl−<は300 M Hz高周波電源
からなる水中のティ酸そ活性(ヒする為に使用せられる
水処理装置により遠吠せられる、 デイ酸ζ;天然水中で単量体(モノマー)にもそるか、
時には重合ヒて二車体以上の多量体(ポリマー)と−4
,r)、重き度が大となるに従いコロイド状fヒ仁、二
カ辷き水分子や、各種、y′)無機、有機イオンと結き
あるいはこれ占を包みこみ可イ容性錯塩とそることか知
られている1本発明て゛使用せるケイ酸の活性1ヒなる
語は、水中のモノマーのゲイ酸をこの様f、:作用力あ
るポリマーにすることを意味するも力て′ある。
従来から冷却水力濃縮管理には導電率計が使用されてい
る、これは導電率の値が冷却水の濃縮の度きそ示す指標
の−ってあっ7′−η)らである、また塩素イオンの値
ら同様(こ濃縮の指標と1−て使用されていた、しかし
ζ−から実際の冷M1ネの濃縮パターン6;非常に複雑
で冷却水中の各種のイオン塩wI*、7)溶質か有する
性質、相互作用、pH,温度等力影響下で理論的には解
明し尽されてそい微妙:P、:挙動を示す。二の様な場
合に最も合理的な科学的アプローチ拉統計7些理による
究明である、本発明者は永年の経験によりpH,a離炭
酸、飽和指数の変fヒをみながら、補給水あるいは冷却
水の導電率、塩素イオン、硫酸イオン、■アルカリ度、
全硬度、グイ酸イオシ、蒸発残留物のfヒ学分析で得ら
れるデータを冷却水データ・補給水データの濃縮倍数デ
ータに転換し、この濃縮倍数データを統計処理すること
により冷却水と循環冷却水系の管理状態が最も良好且つ
現実にそくした形でとらえ得ることを見出した。即ち上
記試験7項目の夫々の濃m@数そ求め、その平均濃縮倍
数を(X)としたとき、−1えば硫酸イオンの濃縮倍数
が(X)より高く、Mアルカリ度の倍数が(X>より低
い堝き、冷却塔を通じてSO2系の排カスの影響が考え
られ、また、夫りの倍数の時系列的又1ヒかi) Ca
 So 4  L硫酸カルシ巾ム)系又はCa5i02
(ティ酸カルンウム)系スチールの生成の可能性か示さ
れることとなり、これは単なる化字汁折データカ比較だ
けよりも定量的には把握り易い また各試験項目の濃縮倍数をそれぞれ導電率\1 、塩
素イオノ−X2.硫酸イオンーX31Mアルカリ度−I
4.全硬度−I5.ゲイ酸イオシーX6.%発残留拘−
X7とし、下式により標準漏差(S)そ電力 1旦 −i=1.  2.  3.  4.  3. 
 6.  7まfS(S X)  100により変動(
糸数((−” ”o l’を求めると錆、スケールの発
生についてより的確を情報把握か可能とそる、 即ち一定の水質の水の濃縮を進めてゆくと、ある、虚縮
培数に達するまでは標準屑差値は小さいか、その濃縮倍
数をこえると急激に標準隔差直か大となり冷却水の管理
状態は@(ヒし、スゲール、腐食、スライム障害そ招く
二ととなる2これは、例えは全硬度、ゲイ酸イオンの濃
縮倍数がXより大きよ落ち二み、その落ちこん7′l:
分たけCaや5i02か冷却水から析出し、スチールを
形成したこととなる、そして、これは実際に熱交換器や
ボイラー(蒸気ボイラー)を開封した場合のスケール、
#X食の所見とよく整合している。
本発明者は多く実験例から、S′マく100で表される
変動係数(CV ?6 )か10″36以下のとき冷却
水の管理はベストの状態にあり、スケール。
41スライムの発生かないこと、2096以内であれば
許容されうろことを見出し、水質管理上の有力な基準に
なりうろことを見出した。尚通常のスチール抑制剤を用
いても、濃縮倍数が5をこえてくると、水質にもよるが
、(:、 V%を20%以内に抑えこむことは極めて困
難であることも見出されている。
さて錆、スチールの発生に関し、水中のゲイ酸か重要な
かかわl)を有することに関しては既に特願昭b 3−
255498号(こ述へた通りである。即ちそカメカニ
スムは未た充汁解明されているわけて゛はむいか、天、
然水中に溶けているンリカの状態はH2S l 03と
考えら?Lイオシ1ヒ()(S I (’) 3’rp
でいるか I’iiTらI))力手段により太き全エネ
ルギーを得てこれかfヒ学的に活性(ヒされモノマー〃
)ポリマー化すると、その過程で水中の池の金属・イオ
ンと可溶性の錯塩を作り、解膠作用二安定ζ゛悲濁液を
作り、さらに金属表面に被膜を形成ヒ、結果として錆、
錆二ふ、スチールの発生を防止する効果を示すものと考
えられる。
′t′尾明者は、水中のケイ酸を活性fヒする古注につ
き種7検討を進め、極めて驚くへきことに、処理水カシ
リカJ度を予め制御しておいてlia場電子場装置によ
り処理する方策によらず辷も、ある特定の高周波電源に
接続された線状アンテナにより与えられる振動磁界電界
場を4通せしめるだけて、ケイ酸の活性1ヒか有効(5
行な・われ、前述のCvooを有効に2010以内に制
御することがて゛き、錆、スケールの発生防止か達成さ
れ、また水質改善目的の達成せられることを見出し、本
発明を完成させたものである。
即ち本発明においては、披7些理水を、150450M
)I2の高周波電源に接続された1、1/2波長あるい
はl /’ 4波長線状アンテナにより発生せしめられ
るシリカの固有振動数に合わせた振動磁界電界湯水路内
を通過せしめることを特徴とするものである。かかる振
動磁界電界場は、望ましくは ステンレス又は銅導線て
゛所定の長さ、即ち230叩あるいは500叩及び10
00關の線状アンテナ(11を、鋼管内(2)に収納し
、これに約300MH,(波長的1m)の高周波電#(
3)を接続し、電源の出力電力を0.5〜IWとし、線
状アンテナ 電流を約10mAとすることにより与えら
れる 。被処理水は前記鋼管(′2Jにらうけられた出
入口 141(4’)を通じ一方向へ流される。
尚、水の誘電率(80)や防水絶縁コート(例えばポリ
エチレン〉の誘電率(2,3>により波長短縮率が与え
られ、実際のアンテナの長さは短くなる。
(添 1寸図第 1 図参照 ) 彼処理水の導入流量は0.2〜200rti・時の範囲
内に選択せられる5尚鋼管の直径は水の処理量、流量に
よるか通常5〜20cm程度である、かくすることによ
り、線状アンテナから3mの距離に於て500μV、m
以下の電界強度が与えられ、有効な水処理が可能であり
、且つ電波法に抵触する二とのない最適な振動磁界電界
場か与えられる。
本発明方法は、水中のティ酸を活性1ヒし、既に述べた
如く、導電率、塩素イオン、硫酸イオン対アルカ9度、
全硬度、ケイ酸イオン、蒸発残留物の平均4縮倍数1標
4@差から導かれる変動品数CV%を20%以下に有効
にfi制御することができ、各種水路系での錆、スケー
ル発生防止に極めて有効であり、飲料水、酒類、ショウ
ユその池各種食品工業の於ける用水においてら、ゲイ酸
に溶質として用水中に存在する各種の無機、有機イオン
を結合させることか出来、最適水質の水を与えることが
できる。
本発明方法を実施する為に好iL <W困せられる装置
は第1図に関連し上述せる通っであるか、かかる装置は
例えは、循環冷却水系統ラインて゛は第2図に示される
如く、補給水か循環冷却水と共に冷却塔底部(5)かあ
ポンプ(6)により熱交換器(7)を経て冷却塔上部i
81へと送られ、散水せられる間に水の濃縮か行なわれ
、循環水濃度か順次高められていくので、本発明装置(
9)をこの水路のどこに設置しても良いか、好ましくは
冷却部(5)と熱交換器(7)との間に設置することに
より、熱交換器部及び水路内の錆、スチールの発生か有
効に防止せられろ。
蒸気ボイラーの場合、第3図に示される如く軟水器αα
を通じ給水タンク(11)へと供給された水が、同タン
ク(11)からポンプ(12)によりボイラー(13)
へと送られる系において、給水タンク(11)内の水を
処理するためポンプ(14)により本発明装置(15〉
を通り再びタンク(11〉に戻るようにする二とにより
、給水管、ボイラー内のスr−ル、MI発生が有効に防
止せられる、本発明装置(15)は給水タンク(11)
とボイラー(13>a間に置ζ二とら可能である。
また高層ヒルの飲料水給水ラインにあっては、第4図に
示される如く受水漕(16)からポンプ(17)送りて
゛屋上など高位置に設置せられる貯水溝(18)に供給
された水漕内の水を処理するため、ポンプ(20)で同
水漕内の水か本発明装置(19〉内を通り再び同水漕(
18)へと戻されるようにし、このように処理された水
か各階の給水蛇口(21)へと送られ、給水管内の錆、
スケールの発生防止をすることが実用的であり好ましい
しかしなから、本発明はこれら好ましい実施態様例に限
定せられることなく、各種食品工業、あるいは工業用水
の処理に使用可能であり、水質のそれぞれの用途に対し
て理、霊的な管理状態を現出せしめる二とが可能て゛あ
る。
以下実施例により本発明を説明する。
実施例1及び比較f!Al 添1寸図の第1図CB>に図示されている振動磁界電界
P4発生装置(第3図の13)(直径10cm+の鋼管
(21内に、直径的3 mm 、長さ約500 mm 
、ステンレス線の17・2波長線アンテナ(1)か収容
され、鋼管中央外側部に設けられた約300 M HZ
高周波電源(31に接続され、鋼管(21の両端!41
(4°)か水の出入口となったもの)を、第3図に図示
されているようなボイラー給水系て゛軟水器(1す)を
通じ給水タンク(11)’\と供給された水か、ボイラ
ー(13〉に給水せられる前に処理されるよう、給水タ
ンク(11)に並置し、同タンク(11)内力水をポン
プ送りでこの装置内を通過せしめた7供給水としては下
記組成の軟水を用い、また振動磁界電界場発生装置には
IWの電力を出力せしめ、線状アンテナの電流を10m
Aとし、同装置内の処理水の流量を15rri/時とし
た。
当初150μS 、′Cmて゛あった軟水の導電率が1
960μs・cmとそるまて゛ボイラー給水運転を続け
、その時点で給水タンク内の水をサンプリングし分析し
た結果を第1表に示した。
尚比較例として、実施例1と同様、阻し、振動磁界電界
場発生装置(15)そ用いず、かわりに市販清五刑を用
い、4電率1710μS (〜mまでホイラー給水運転
=Jけ、サンプリングI−た水の分析結果を同して第1
表に示した (以  下  余  白〉 H 供給軟水 7.1/20℃ 導電率 塩素イオン 硫酸イオン Mアルカリ度 Naイオン ティ酸イオン 蒸発残留物 μ S  、’  ell ■7′1 mg/1 111gzll I1g/l ■2.・  名 l1g1’1 50 8.5 9 00 3 4 10 平均濃縮培数尺 標準偏差 S 変動係数 CV% 1表 実施f!I41 振動磁界電界場装置 12゜0./24 ’C (濃縮倍数〉 196013.1) 11012.9) 32111)) 122012.2> 63011.9) 89012.0> 273013.0) 比較例1 清缶剤 11.9.=’20℃ (濃縮倍数) 1710(11,4> 150(17,7) 2.9(1,0) 1140(11,4) 470(8,9> 730(9,9) 2110(10,0) 12.18 1)、76 10.1)4 4.9 49.0 導電率を目安としてボイラー運転を続け、6ケ月後ボイ
ラー、配管内の錆、スチールの発生状態を調へたところ
、実施例(の場訃には殆と認むべき錆、スチールの発生
かなく、比較例1の堝きにはかなりの鋳およびスチール
か認力らh fS尚上記各パラメータ測定は、JISK
OIOIに4処し、pHはガラス電極法、塩素イオンは
イオン電極法、硫酸イオン′はクロム酸7)り巾ム広M
アルカリ度は酸消費量法(13,1)、Naイオンはイ
オン電極法、ケイ酸イオンは全シリカ(44,3>、蒸
発残留物は重量法て′測定りた。
実施例2および比較例2 実施例1で用いられたちのと同し線状アシテナによる振
動磁界電界場発生装置(出力電力IW線状アンテナ電流
10mA、約300 M H)を第2図の循環冷却水系
統ラインで(9)の位置、即ち熱交換器(7)と冷却塔
下部(5)の間に位置せしめた1M給水として下記組成
の工業用水を用い、導電率を目安に運転を行なった。尚
本発明装置(9)内の流量は50rtiy時に設定され
た。fm方比較の為に、本免明装置を用いず、同様の運
転を並行的に実施りな、水の導電率が約830μs 7
 Cm程度に達した段階で両者の循環水をサシプリン7
ヒ守折した結果を第2表に示した、 (以 下 余 白) 補給水 pH 導電率 塩素イオン 硫酸イオン Mアルカリ度 全硬度 ゲイ酸イオン 蒸発残留物 μ S  7/” 13 ■/ ( lag /”’ 1 mg/ 々 ffigy# I1g/l l1g/g 7.7/24℃ 20 0 2 1 4 7.6 2 8.1 31 8 20 10 40 6 80 平均濃縮倍数 標準偏差 変動係数 第2表 実施例2 熱  交  換  器  冷 幾」圧azi巴−(濃縮倍数) 比較例2 却  循  環  水 不使用  (J#i賠数) 5 /’ 24 ’C b 96) 8.8) 10 、1) 5.21 7、Ob 6.05 74 8.4.・24°C 25 7 31 5 80 6 59() (6,88 <8.70 (10,9 (4,52 <8.24 (3,42 (9,52 41 1,61 21,8 7,15 2,69 36,2 上記の如く本発明装置を用いることにより変動係数の著
しい改善か認められた5尚本実施例の場き、空気中の排
カスの影響と管、われる硫酸イオン力濃縮培数が異常に
高く、この様セ場合変動f糸数は20 Goより幾升大
て゛あったか、錆、スゲール発生防止に対ヒかなり力効
果が認め毛れた。
同様の試験を、硫酸イオン濃度か平均値に近い通常の環
境下で実施した場合、同しような導電率を示した段階で
、本発明装置を用いた時の平均濃縮倍数は705.標準
@差116.変動1系数は16.4°らで、本発明効果
の著しいことが判明した。
実施例3 第1図(B)と同様装置を同様条件(1〜V10mA、
約300M)I、)で自然水処理ニ使用した。尚同装置
内の流量を5M 時に設定した。
処理水をビンづめにし6ケ月間放置したが、濁り、腐敗
を全く示さなかった。比較の為、非処理水を同じ〈6ケ
月間ヒシづめにし放置した場合、水の腐敗、ヒン壁への
著しい1寸着物、濁りを生L
【図面の簡単な説明】
第1図は1本発明方広の実施に使用せられろ装置の断面
図で、(A)は1,4波長アシテナを用いた装置、(B
)は12波長アンテナを用いた装置(C)は1 波長ア
ンテナを用いた装置第2図は、循環冷却水系統ライノに
本発明装置を使用した場合の水路経路図 第3図はボイラー給水系に本発明装置を使用した場合の
水路経路図。 第4図は高置水槽による飲料水供給系に本発明装置そ使
用した場合の水路経路図。 特許出願代理メ、

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)150−450MHz(メガヘルツ)の高周波電
    源に接続された1、1/2あるいは1/4波長の線状ア
    ンテナにより発生せしめられる振動磁界電界場水路内を
    、0.2〜200m^2/時の流量で水を通過せしめる
    ことを特徴とする水中のケイ酸を活性化する方法
  2. (2)高周波電源の出力電力が0.5〜1Wで、線状ア
    ンテナ電流が約10mAである請求項第1項記載の方法
  3. (3)水の出入口のもうけられた鋼管、該鋼管内部に収
    容されている1、12あるいは14波長線状アンテナお
    よび前記鋼管の外部に位置せしめられ、且つ線状アンテ
    ナに接続せられる150−450MHz高周波電源から
    なる水中のケイ酸を活性化する為に使用せられる水処理
    装置
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5393421A (en) * 1992-02-14 1995-02-28 Nippon Zoki Pharmaceutical Co., Ltd. Apparatus for activating silicic acid in water

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5393421A (en) * 1992-02-14 1995-02-28 Nippon Zoki Pharmaceutical Co., Ltd. Apparatus for activating silicic acid in water
AU673509B2 (en) * 1992-02-14 1996-11-14 Nippon Zoki Pharmaceutical Co., Ltd. Apparatus for activating silicic acid in water

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