JPH0321063Y2 - - Google Patents

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JPH0321063Y2
JPH0321063Y2 JP1984001290U JP129084U JPH0321063Y2 JP H0321063 Y2 JPH0321063 Y2 JP H0321063Y2 JP 1984001290 U JP1984001290 U JP 1984001290U JP 129084 U JP129084 U JP 129084U JP H0321063 Y2 JPH0321063 Y2 JP H0321063Y2
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JP
Japan
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field effect
effect transistor
source
voltage
drain
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、FM受信機等におけるミユート回
路の改良に関するものである。
[Detailed description of the invention] This invention relates to an improvement of the mute circuit in FM receivers and the like.

従来のミユート回路について第1図により説明
する。信号の入力端子1は、コンデンサ2を介し
て電界効果トランジスタ3のドレンに接続され
る。出力端子4は、コンデンサ5を介して電界効
果トランジスタ3のソースに接続される。これら
ドレンとソースは、各々バイアス抵抗6,7によ
り電源8へ、またバイアス抵抗9,10によりア
ースへ接続され、ドレンとソースはバイアス電圧
を供給される。ミユート端子11は、抵抗12を
介して電界効果トランジスタ3のゲートに接続さ
れる。さらにゲートは、抵抗13、コンデンサ1
4を並列に接続しアースされる。
A conventional mute circuit will be explained with reference to FIG. A signal input terminal 1 is connected to the drain of a field effect transistor 3 via a capacitor 2 . Output terminal 4 is connected to the source of field effect transistor 3 via capacitor 5 . These drains and sources are connected to a power supply 8 by bias resistors 6 and 7 and to ground by bias resistors 9 and 10, respectively, and are supplied with a bias voltage. The miute terminal 11 is connected to the gate of the field effect transistor 3 via a resistor 12. Furthermore, the gate has a resistor 13 and a capacitor 1
4 are connected in parallel and grounded.

この回路の動作は以下のとおりである。すなわ
ち、バイアス抵抗6,7,9,10によるソー
ス、ドレンのバイアス電圧を電界効果トランジス
タ3のピンチオフ電圧以上とする。これにより電
界効果トランジスタ3は、ミユート端子11に電
圧が印加しないときにオフとなる(すなわち、出
力端子4に信号が出ない)。抵抗12,13はミ
ユート端子11に電圧を印加したときにゲートの
電圧をソース、ドレンのバイアス電圧とほぼ同一
とする。これにより、電界効果トランジスタ3
は、ミユート端子11に電圧を印加したときにオ
ンとなる(すなわち出力端子4に信号が出る)。
The operation of this circuit is as follows. That is, the source and drain bias voltages by the bias resistors 6, 7, 9, and 10 are set to be equal to or higher than the pinch-off voltage of the field effect transistor 3. As a result, the field effect transistor 3 is turned off when no voltage is applied to the mute terminal 11 (that is, no signal is output to the output terminal 4). The resistors 12 and 13 make the gate voltage almost the same as the source and drain bias voltages when a voltage is applied to the mute terminal 11. As a result, the field effect transistor 3
turns on when a voltage is applied to the mute terminal 11 (that is, a signal is output to the output terminal 4).

この回路において、抵抗6,7,9,10にバ
ラツキがなければ、電界効果トランジスタ3のソ
ース、ドレンのバイアス電圧は同一となるが、一
般にバラツキがあるためバイアス電圧に差を生ず
る。この電圧差は、トランジスタ3のオン、オフ
時に出力端子4に伝達され最終的には、この回路
の後段に接続された電力増幅部を介し、スピーカ
から異音(ポツプ音)として出力される。
In this circuit, if there are no variations in the resistors 6, 7, 9, and 10, the bias voltages at the source and drain of the field effect transistor 3 will be the same, but since there are variations in general, a difference occurs in the bias voltages. This voltage difference is transmitted to the output terminal 4 when the transistor 3 is turned on and off, and is finally outputted as an abnormal sound (pop sound) from the speaker via a power amplification section connected at a later stage of this circuit.

この考案は、この欠点を除去するため改良した
ものである。
This invention is an improvement to eliminate this drawback.

以下この考案の実施例を第2図により説明す
る。信号の入力端子1はコンデンサ2を介し電界
効果トランジスタ3のドレンに接続される。出力
端子4は、コンデンサ5を介して電界効果トラン
ジスタ3のソースに接続される。ソースは、バイ
アス抵抗7と抵抗10により、バイアスされる。
またドレンは、抵抗15,16によりソースのバ
イアスと同一電圧でバイアスされる。コンデンサ
17は、電界効果トランジスタ3がオフ時に、信
号が抵抗15,16を介して出力端子4へ出るの
を防ぐ。ミユート端子11は、抵抗12を介し電
界効果トランジスタ3のゲートに接続される。さ
らにゲートは抵抗13、コンデンサ14を並列に
接続しアースされる。
An embodiment of this invention will be described below with reference to FIG. A signal input terminal 1 is connected to the drain of a field effect transistor 3 via a capacitor 2. Output terminal 4 is connected to the source of field effect transistor 3 via capacitor 5 . The source is biased by bias resistor 7 and resistor 10.
Further, the drain is biased by resistors 15 and 16 with the same voltage as the source bias. Capacitor 17 prevents a signal from going out to output terminal 4 via resistors 15 and 16 when field effect transistor 3 is off. The miute terminal 11 is connected to the gate of the field effect transistor 3 via a resistor 12. Furthermore, the gate is grounded by connecting a resistor 13 and a capacitor 14 in parallel.

この回路の動作は以下のとおりである。すなわ
ち、バイアス抵抗7,10によるソースのバイア
ス電圧を電界効果トランジスタ3のピンチオフ電
圧以上とする。ドレンは、抵抗15,16によ
り、ソースに接続されているため、ソースと同一
のバイアス電圧となつている。これにより電界効
果トランジスタ3は、ミユート端子11に電圧が
印加しないときにオフとなる(すなわち出力端子
4に信号が出ない)。12,13は、ミユート端
子11に電圧を印加したときにゲートの電圧をソ
ース、ドレンのバイアス電圧とほぼ同一とする。
これにより電界効果トランジスタ3はミユート端
子11に電圧を印加したときにオンとする(すな
わち出力端子4に信号が出る)。
The operation of this circuit is as follows. That is, the source bias voltage applied by the bias resistors 7 and 10 is set to be equal to or higher than the pinch-off voltage of the field effect transistor 3. Since the drain is connected to the source through resistors 15 and 16, it has the same bias voltage as the source. As a result, the field effect transistor 3 is turned off when no voltage is applied to the mute terminal 11 (that is, no signal is output to the output terminal 4). 12 and 13, when a voltage is applied to the mute terminal 11, the voltage at the gate is made almost the same as the bias voltage at the source and drain.
As a result, the field effect transistor 3 is turned on when a voltage is applied to the mute terminal 11 (that is, a signal is output to the output terminal 4).

この回路においてソース、ドレンのバイアス電
圧は一組のバイアス抵抗7,10により決定され
るため、電圧差は生じない。また、出力端子4側
(この実施例ではソース側)に、バイアス抵抗7,
10があるため、電界効果トランジスタ3のオ
ン、オフ時に、コンデンサ2のもれ電流、充電電
流による電圧変化は、出力端子4側に生じにく
い。このように、異音(ポツプ音)の原因である
電圧変化がなくなり、従来の欠点を除去すること
ができる。この考案によるミユート回路は、異音
(ポツプ音)の発生がなく、ミユートの回数が多
い多周波受信機等に使用できる。
In this circuit, the source and drain bias voltages are determined by a pair of bias resistors 7 and 10, so no voltage difference occurs. In addition, a bias resistor 7 is connected to the output terminal 4 side (source side in this embodiment).
10, voltage changes due to leakage current and charging current of the capacitor 2 are unlikely to occur on the output terminal 4 side when the field effect transistor 3 is turned on and off. In this way, voltage changes that cause abnormal noises (pops) are eliminated, and the drawbacks of the conventional technology can be eliminated. The mute circuit according to this invention does not generate any abnormal noise (pop sound), and can be used in multi-frequency receivers and the like that have a large number of mute sounds.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、従来のミユート回路、第2図は、本
考案の実施例を示す。 1:入力端子、2,5,14,17:コンデン
サ、3:電界効果トランジスタ、4:出力端子、
6,7,9,10,12,13,15,16:抵
抗、8:電源、11:ミユート端子。
FIG. 1 shows a conventional mute circuit, and FIG. 2 shows an embodiment of the present invention. 1: input terminal, 2, 5, 14, 17: capacitor, 3: field effect transistor, 4: output terminal,
6, 7, 9, 10, 12, 13, 15, 16: Resistor, 8: Power supply, 11: Mute terminal.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 信号の入出力間に電界効果トランジスタのドレ
インとソースを直列にそれぞれコンデンサを介し
て接続しソースとドレインの電極を二本の直列抵
抗で接続しその中点をコンデンサを介し接地しか
つソースは抵抗を介し電源に接続する構成とし上
記電界効果トランジスタのゲートにミユート信号
を加えドレインに入力する信号を制御することを
特徴とするミユート回路。
The drain and source of the field effect transistor are connected in series through a capacitor between the input and output of the signal, the source and drain electrodes are connected with two series resistors, and the midpoint is grounded through the capacitor, and the source is a resistor. A mute circuit configured to be connected to a power supply via a mute circuit, and a mute signal is applied to the gate of the field effect transistor to control a signal input to the drain.
JP129084U 1984-01-11 1984-01-11 Mute circuit Granted JPS60114421U (en)

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JP129084U JPS60114421U (en) 1984-01-11 1984-01-11 Mute circuit

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JPS60114421U JPS60114421U (en) 1985-08-02
JPH0321063Y2 true JPH0321063Y2 (en) 1991-05-08

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5136428U (en) * 1974-09-11 1976-03-18

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5114548U (en) * 1974-07-18 1976-02-02
JPS5396918U (en) * 1977-01-10 1978-08-07

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5136428U (en) * 1974-09-11 1976-03-18

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