JPH03208563A - Inner peripheral type thin plate blade for cutting - Google Patents

Inner peripheral type thin plate blade for cutting

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JPH03208563A
JPH03208563A JP28241790A JP28241790A JPH03208563A JP H03208563 A JPH03208563 A JP H03208563A JP 28241790 A JP28241790 A JP 28241790A JP 28241790 A JP28241790 A JP 28241790A JP H03208563 A JPH03208563 A JP H03208563A
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JP
Japan
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cutting
blade
diamond
thin plate
inner peripheral
Prior art date
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Pending
Application number
JP28241790A
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Japanese (ja)
Inventor
Keiichiro Tanabe
田辺 敬一郎
Naoharu Fujimori
直治 藤森
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To perform a highly accurate cutting slice work over a long time without a partial wear nor defect, by using the polycrystal film of a diamond formed by a vapor phase composition on a blade and forming the thickness of the whole body in 20 - 300mum. CONSTITUTION:The polycrystal film of a diamond formed by a vapor phase composition is used for an inner peripheral type thin plate blade for cutting and the thickness of the whole body is determined to 20 - 300mum. Consequently, the performances of a cutting accuracy, wear resistance, defect resistance, cost reduction, etc., can be improved, because of various binders, etc., being not included.

Description

【発明の詳細な説明】 皇皇±凶剋貝公亙 この発明は大径のインゴットを切断するに使用する内周
型薄板ブレードとその製造方法に関するものであり、特
に単結晶半導体インゴットの切断に有用なブレードを提
供するものである。
[Detailed Description of the Invention] This invention relates to an inner circumferential thin plate blade used for cutting large-diameter ingots and a method for manufacturing the same, and is particularly useful for cutting single-crystal semiconductor ingots. This provides a blade with a wide range of features.

従来の技術 Si, Ge, GaAs、InP等の半導体材料を用
いてI C?LS Iを製造する場合、合成された単結
晶インゴットからウエハーへ切り出す切断工程は、製品
のコスト、品質、部留を決定する上でも非常に重要な工
程である。
Conventional technology IC? using semiconductor materials such as Si, Ge, GaAs, InP, etc. When manufacturing an LSI, the cutting process of cutting a synthesized single crystal ingot into wafers is a very important process in determining the cost, quality, and yield of the product.

この切断工程は、丸棒状のインゴットを厚さ0.3〜0
.5μmの円盤状ウェハーに切断するものであり、円周
形ダイヤモンド砥石、マルチワイヤ、マルチ帯鋼が用い
られている。
This cutting process cuts a round bar-shaped ingot with a thickness of 0.3 to 0.
.. It cuts into disc-shaped wafers of 5 μm, and uses a circumferential diamond grindstone, multi-wire, and multi-strip steel.

従来、スライシング能率、切断コスト、切断しるの点か
ら内周型砥石によるスライシングが最も多く用いられて
いる。そして、一般的に砥石部は粒径50μm前後のダ
イヤモンド砥粒をニッケル電着したものが使用されてい
る。
Conventionally, slicing using an internal grindstone has been most commonly used in terms of slicing efficiency, cutting cost, and cutting performance. Generally, the grinding wheel portion is made of diamond abrasive grains with a grain size of about 50 μm electrodeposited with nickel.

発明が解決しようとする課題 前記のように、従来は刃先部にニッケル電着したダイヤ
モンド砥粒を用いている為に、電着による刃先の板厚コ
ントロールが難しく、板厚分布、切断しろ、部分的な摩
耗、脱落等、精度、寿命の点からも問題があった・ 発明の構成 本発明者等は上記に鑑みて検討の結果、単結晶半導体イ
ンゴット切断用の内周型薄板ブレードに、純粋にダイヤ
モンドのみよりなる気相合成ダイヤモンド単体膜を用い
るならば、種々の結合材等を含まない為に、切断精度、
耐摩耗性、耐欠損性、コスト低下等の性能の向上を図る
ことができることを見出し、この発明に至ったのである
Problems to be Solved by the Invention As mentioned above, conventionally, diamond abrasive grains electrodeposited with nickel are used on the cutting edge, making it difficult to control the thickness of the cutting edge by electrodeposition. There were also problems in terms of accuracy and life, such as wear and falling off. Structure of the Invention The inventors of the present invention have studied in light of the above, and have developed a pure internal thin plate blade for cutting single-crystal semiconductor ingots. If a vapor-phase synthesized diamond film made only of diamond is used for cutting, cutting accuracy and
They discovered that it is possible to improve performance such as wear resistance, chipping resistance, and cost reduction, leading to the present invention.

すなわち、この発明は切断用内周型薄板ブレードとして
、該ブレードに気相合成にて形成したダイヤモンドの多
結晶膜を使用し、全体の厚さを20〜300μmとした
ことを特徴とする切断用内周型薄板ブレードを新規に提
供するものであり、特に当該切断ブレードが単結晶イン
ゴット切断用として有用なものである。
That is, the present invention provides a thin inner peripheral thin plate blade for cutting, which is characterized by using a polycrystalline diamond film formed by vapor phase synthesis on the blade, and having a total thickness of 20 to 300 μm. This invention provides a new inner circumferential thin plate blade, and the cutting blade is particularly useful for cutting single crystal ingots.

また、この発明は、切断用ブレードにおいて、該ブレー
ド内周側刃先部のみに気相合成にて形成した同心円状ダ
イヤモンドの多結晶単体板か設置されており、全体のブ
レード厚さを20〜300μmとしたことを特徴とする
切断用内周型薄板ブレードを提供するものである。
In addition, in the cutting blade of the present invention, a concentric polycrystalline diamond plate formed by vapor phase synthesis is installed only at the cutting edge on the inner peripheral side of the blade, and the overall blade thickness is 20 to 300 μm. The present invention provides an inner peripheral type thin plate blade for cutting, which is characterized by the following.

さらに、この発明は、前記切断用内周型薄板ブレードを
製造する方法として、気相合成法により、基材上にダイ
ヤモンド膜を形成し、該ダイヤモンド膜の前記基材を溶
解除去してダイヤモンド単体膜を得、該ダイヤモンド単
体膜を、同心円状台金ブレードの内周側に設置する工程
よりなる切断用内周型薄板ブレードの製造方法を新規に
提案するものである。
Furthermore, the present invention provides a method for manufacturing the inner circumferential thin plate blade for cutting, in which a diamond film is formed on a base material by a vapor phase synthesis method, and the base material of the diamond film is dissolved and removed to form a single diamond. The present invention proposes a new method for manufacturing an inner circumferential thin plate blade for cutting, which comprises the steps of obtaining a diamond membrane and installing the single diamond membrane on the inner circumferential side of a concentric base metal blade.

友峯鯉 以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。Tomomine carp Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は従来型の内周型切断ブレードの概略図、第2図
はその外観図であって、lは台金、2はダイヤモンド砥
粒4とニッケル電着層5を刃先に設けた刃先部である。
Fig. 1 is a schematic diagram of a conventional inner circumferential cutting blade, and Fig. 2 is an external view thereof, where l is a base metal, and 2 is a cutting edge with diamond abrasive grains 4 and a nickel electrodeposited layer 5 on the cutting edge. Department.

第2図は第l図の刃先部断面を拡大したものであるが、
従来技術として説明したように、砥粒郎の欠落、電着層
の摩耗、膜厚の不均一性等が問題点となる。
Figure 2 is an enlarged cross-section of the cutting edge in Figure 1.
As described in the prior art, problems include missing abrasive grains, wear of the electrodeposited layer, non-uniformity of film thickness, etc.

第3図は本発明の第1実施例としての内周型切断ブレー
ドの概略図であり、同心円状の台金3の内周側に、同心
円状の気相合成ダイヤモンド膜4を設置したものである
FIG. 3 is a schematic diagram of an inner peripheral cutting blade as a first embodiment of the present invention, in which a concentric vapor-phase synthetic diamond film 4 is installed on the inner peripheral side of a concentric base metal 3. be.

第4図は第3図のダイヤモンド膜4を設けた刃先部の断
面を拡大したものである。
FIG. 4 is an enlarged cross-section of the cutting edge portion provided with the diamond film 4 shown in FIG.

第5図は本発明による第2実施例としての内周型切断ブ
レード5の概略図であり、切断ブレード全体を気相合成
で形成したダイヤモンドで製造したものである。
FIG. 5 is a schematic diagram of an inner circumferential cutting blade 5 as a second embodiment of the present invention, in which the entire cutting blade is made of diamond formed by vapor phase synthesis.

第6図は第5図のダイヤモンドの刃先部の断面を拡大し
たものである。
FIG. 6 is an enlarged cross-section of the cutting edge of the diamond shown in FIG.

内周型形ダイヤモンド砥石は剛性を高める為に台金の外
周から引っ張り応力を加えて張り上げるが、内周側と外
周側では単位体積当りの引っ張り応力が異なり、内周側
に大きな引っ張り応力が加わる。この為うねりが生じ易
く、ウェハーの加工変質層も大きくなる。このうねりを
減少させる為には砥石部を強く張り上げることが必要で
ある。
In order to increase the rigidity of an internal diamond grinding wheel, tensile stress is applied from the outer periphery of the base metal to tension it, but the tensile stress per unit volume is different between the inner and outer periphery, and a large tensile stress is applied to the inner periphery. . For this reason, waviness is likely to occur, and the process-affected layer of the wafer becomes large. In order to reduce this waviness, it is necessary to strongly tension the grindstone section.

この発明のように気相合成ダイヤモンド膜を用いた内周
型切断ブレードは、気相合成で形成したダイヤモンド膜
で内周型切断ブレードの全てを形成することにより、引
っ張りの強さの限界も高く、より強く張ることができ、
この為ウェハーの切断精度の向上、長時間のスライシン
グも可能となるのである。
The internal cutting blade using a vapor-phase synthetic diamond film as in this invention has a high tensile strength limit because the entire internal cutting blade is made of a diamond film formed by vapor-phase synthesis. , can be stretched more strongly,
This makes it possible to improve the cutting accuracy of wafers and to perform slicing for a long time.

つまり、気相合成によって形成したダイヤモンド膜を内
周形切断ブレードに使用することにより、従来のダイヤ
モンド砥粒−ニッケル電着層を形成した切断ブレードに
比べ次のような特徴を有するものである。即ち、 ■外周部をより強く張ることが出来るから内周側のうね
りが減少しウェハーの切断精度が向上する。
In other words, by using a diamond film formed by vapor phase synthesis on an inner circumferential cutting blade, the cutting blade has the following characteristics compared to a conventional cutting blade in which a diamond abrasive grain-nickel electrodeposition layer is formed. That is, (1) since the outer circumferential portion can be stretched more strongly, the waviness on the inner circumferential side is reduced and the cutting precision of the wafer is improved.

■バインダー(il着層)を含まないので摩耗量が少な
く、長時間のスラインング作業が可能となる。この為、
張り替え回数を減少させることか可能となり、大幅なコ
スト低減を図ることが出来る。
■Since it does not contain a binder (IL adhering layer), there is less wear and long slining work is possible. For this reason,
It becomes possible to reduce the number of times of relining, and it is possible to achieve a significant cost reduction.

■基材上に形成したダイヤモンドの当該基材を溶解除去
した基材面側のダイヤモンドの刃先側とする場合には、
面粗度をRMAX:  0.05μm程度の刃先とする
ことが可能となる。この為、切断後の被削材の仕上げ状
態を格段に良くすることが可能となり、荒仕上げ、精密
仕上げの従来の何段階もの工程を踏まず、一度に最終仕
上げ状態に切断でき、併せて切断しるの減少、切断精度
の向上を図ることも可能となる。
■If the base material of the diamond formed on the base material is to be the cutting edge side of the diamond on the base material side that has been dissolved and removed,
It is possible to achieve a cutting edge with a surface roughness of RMAX: approximately 0.05 μm. For this reason, it is possible to significantly improve the finished state of the workpiece after cutting, and it is possible to cut to the final finished state at once without going through the conventional multiple steps of rough finishing and precision finishing. It is also possible to reduce marks and improve cutting accuracy.

■大径の内周型ブレードにも高精度で対応することがで
きる。
■Can handle large-diameter internal blades with high precision.

■砥粒の欠損等が無いから、耐摩耗性、耐久性に優れる
■Since there is no loss of abrasive grains, it has excellent wear resistance and durability.

■気相合成条件によって、ダイヤモンドの粒径を自由に
コントロールすることができ、ダイヤモンド自信の膜厚
で数lOμm幅でも形成させることができる。このため
、切断しるの減少、切断精度の向上が図れる。
(2) The diamond particle size can be freely controlled by changing the vapor phase synthesis conditions, and a diamond film with a thickness of several 10 μm can be formed. Therefore, the number of cuts can be reduced and cutting accuracy can be improved.

■刃先の内周部の板厚を厚く、外周部にかけて粒径を小
さくすることをダイヤモント膜合成条件のみでコントロ
ールすることができ、品質及び歩留りの向上を図ること
ができる。
■It is possible to increase the thickness of the inner periphery of the cutting edge and reduce the particle size toward the outer periphery by controlling only the diamond film synthesis conditions, improving quality and yield.

この発明の単結晶切断用薄板ブレードは、ダイヤモンド
膜を気相合成により形成し、全体の厚さを20μm以上
300μm以下とすることを特徴とするものである。
The thin plate blade for cutting a single crystal of the present invention is characterized in that a diamond film is formed by vapor phase synthesis, and the total thickness is 20 μm or more and 300 μm or less.

また、この発明のインゴット切断用薄板ブレードは、台
金の少なくとも内周側すなわち刃先側に気相合成により
形成したダイヤモンド膜を設置し、全体の厚みを20μ
m以上300μm以下とすることを特徴とするものであ
る。
In addition, the thin plate blade for cutting ingots of the present invention has a diamond film formed by vapor phase synthesis on at least the inner peripheral side of the base metal, that is, the cutting edge side, and has a total thickness of 20 μm.
It is characterized in that it is not less than m and not more than 300 μm.

これは、全体の厚さが20μm以下では台金及びダイヤ
モンド単体の強度が不足して破損しやすくなり、300
μm以上では切り代が大きくなって部留まりの低下を招
くためである。
This is because if the total thickness is less than 20 μm, the strength of the base metal and the diamond itself will be insufficient and it will easily break.
This is because if the cutting distance is more than μm, the cutting allowance becomes large, leading to a decrease in the retention.

この発明による刃先部のみ気相合成で形成したダイヤモ
ンドを用いる切断用内周型ブレードの製造工程の概略図
を第lO図及び第11図に示す。
FIGS. 10 and 11 show schematic diagrams of the manufacturing process of an inner circumferential blade for cutting using diamond formed only at the cutting edge by vapor phase synthesis according to the present invention.

第10図及び第11図の製造工程は、基本的には、 ■)気相合成により基材6上にダイヤモンド4を形成す
る工程(第10図は、円柱型基材を用いた場合、第11
図は、同心円状基材を用いた場合である。)、 2)前記l)工程により作製したダイヤモンドコーティ
ング基材の当該基材6を酸処理等によって溶解除去して
ダイヤモンド単体膜とする工程、3)ダイヤモンド単体
膜4を台金3に固定する工程、 よりなる。
The manufacturing process shown in FIGS. 10 and 11 basically consists of: (i) forming the diamond 4 on the base material 6 by vapor phase synthesis; 11
The figure shows a case where a concentric base material is used. ), 2) A process of dissolving and removing the diamond-coated base material 6 of the diamond-coated base material produced in the step l) above by acid treatment etc. to obtain a single diamond film, 3) A process of fixing the single diamond film 4 to the base metal 3 , consists of.

ダイヤモンド形成用の基材には、第10図(1)に示す
如く、円柱型の基材6を用い、例えば第7図に示すダイ
ヤモンド膜合成用装置を用いてフィラメントCVD装置
によって、円柱基材6の側面にダイヤモンド膜4を形成
する。第7図で、9は装置本体、IOは基材1の冷却支
持台、l1はフィラメント、l2は電極、l3はガス等
入口、l4は冷却水出入口、l5は排気口である。
As a base material for diamond formation, a cylindrical base material 6 is used as shown in FIG. 10 (1). A diamond film 4 is formed on the side surface of 6. In FIG. 7, 9 is the main body of the apparatus, IO is a cooling support for the base material 1, 11 is a filament, 12 is an electrode, 13 is an inlet for gas, etc., 14 is a cooling water inlet/outlet, and 15 is an exhaust port.

また、第11図(1)に示す同心円状円柱型の基材6を
用い、同様に例えば第8図に示すダイヤモンド合成用装
置を用いて、フィラメントCVD装置によって同心円状
円柱基材3の内周側側面にダイヤモンド膜4を形成する
Further, using the concentric cylindrical base material 6 shown in FIG. 11(1), the inner periphery of the concentric cylindrical base material 3 is formed by a filament CVD apparatus using, for example, a diamond synthesis apparatus shown in FIG. A diamond film 4 is formed on the side surfaces.

次に、第lO図(2)又は第11図(2)に示すよう4
こ、基材6を例えば酸処理等により溶解除去し、同心円
状のダイヤモンド単体膜4とする。
Next, as shown in Figure 10 (2) or Figure 11 (2),
Then, the base material 6 is dissolved and removed by, for example, acid treatment to form a concentric diamond single film 4.

この後、第10図(3)又は第11図(3)に示すよう
に、同心内状ダイヤモンド単体膜4を同心円状の台金3
の内周側に接着固定する。
After this, as shown in FIG. 10 (3) or FIG.
Glue and fix to the inner circumferential side.

この場合、ダイヤモンドコーティング用円柱型基材6の
側面の厚みを、所望するダイヤモンド膜の幅Aより大き
いものにしておき、ダイヤモンド膜コーティング後、所
望厚さA幅にレーザー等により、切断加工したものを使
用する事も可能である。 使用する基材6は通常のダイ
ヤモンド形成用の基材を用いればよいが、例えばMoS
w, S i−,T aSN b− C u, A I
1B 1B eN A us P t− P esTi
,C%Siを蒸着したC,SiC.AIN,SiN, 
WC, MoC, BN, BC, NbC, TaC
等が考えられる。
In this case, the thickness of the side surface of the cylindrical base material 6 for diamond coating is made larger than the desired width A of the diamond film, and after the diamond film is coated, the material is cut to the desired thickness A width using a laser or the like. It is also possible to use The base material 6 to be used may be a regular base material for diamond formation, but for example, MoS
w, S i-, T aSN b- Cu, A I
1B 1B eN A us P t- P esTi
, C%Si deposited, SiC. AIN, SiN,
WC, MoC, BN, BC, NbC, TaC
etc. are possible.

台金の材質はSK材、ステンレス鋼材等を通常は用いる
。ダイヤモンド4と台金3の固定は接着材等を用いても
可能ではあるが、耐熱性、耐久性の点からも蝋付けする
方が好ましい。
The material of the base metal is usually SK material, stainless steel material, etc. Although it is possible to fix the diamond 4 and the base metal 3 using an adhesive or the like, it is preferable to use brazing from the viewpoint of heat resistance and durability.

同心円状ダイヤモンド単体膜の製造方法としては、前述
した第lO図又は第11図の二手法があるが、第10図
の場合、ダイヤモンドが基材に析出する時の基材面側が
刃先部、ダイヤモンドの凹凸のある成長面側が接着面と
なる。この場合、基材側面の面処理粗度を向上すること
により刃先部のダイヤモンドの面粗度を向上させること
が可能となる。この為、被削材の被削後の面粗度を向上
させることが可能となり、仕上げ用としても使用できる
There are two methods for producing concentric diamond single-layer films, as shown in Figure 1O and Figure 11. In the case of Figure 10, when diamond is deposited on the base material, the base material surface side is the cutting edge, The uneven growth surface side will be the adhesive surface. In this case, by improving the surface treatment roughness of the side surface of the base material, it is possible to improve the surface roughness of the diamond at the cutting edge. Therefore, it is possible to improve the surface roughness of the work material after cutting, and it can also be used for finishing purposes.

これに対し、第II図の場合は、刃先部と接着部の構成
が第lO図と正反対になり、多少被削材の面粗度が劣化
する為、荒仕上げ用として有用である。
On the other hand, in the case of Fig. II, the structure of the cutting edge portion and the bonding portion is exactly opposite to that of Fig. 1O, and the surface roughness of the workpiece is somewhat deteriorated, so it is useful for rough finishing.

切断用内周型ブレード全体を気相合成ダイヤモンドで製
造する場合も前述した接着型の工程と同様である。この
場合のダイヤモンド合成用装置の一例として第9図にフ
ィラメントCVD装置の概略図を示す。
The process for manufacturing the entire inner circumferential cutting blade using vapor-phase synthetic diamond is similar to the process for the adhesive type described above. As an example of an apparatus for diamond synthesis in this case, FIG. 9 shows a schematic diagram of a filament CVD apparatus.

前述したように、第7図、第8図、第9図は、この発明
の実施例にて、基材上に気相合成ダイヤモンド膜を形成
するのに使用するダイヤモンドコーティング用CVD装
置の一例としてのフィラメントCVD装置の断面図であ
る。これらの装置は真空下で操作するようになっている
。又、このような装置の場合、ガスの活性源であるフィ
ラメント11は数本から数十本設置されており、基材冷
却支持台lOが回転するようになっていることもある。
As mentioned above, FIGS. 7, 8, and 9 show an example of a diamond coating CVD apparatus used to form a vapor-phase synthetic diamond film on a substrate in an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of a filament CVD apparatus. These devices are designed to operate under vacuum. In addition, in the case of such an apparatus, several to several tens of filaments 11, which are gas activation sources, are installed, and the substrate cooling support stand 10 may be rotated.

又、図中符号、Dはフィラメントとダイヤモンドコーテ
ィング用基材間の距離である。
Further, the symbol D in the figure is the distance between the filament and the diamond coating substrate.

(実験例l) この発明を実際に実施した実験例を以下に示す。(Experiment example l) An experimental example in which this invention was actually implemented is shown below.

第7図の装置を用い、ダイヤモンドコーティング基材6
には表1に示す外径1840mn+の円柱盤を用意した
Using the apparatus shown in Fig. 7, the diamond coating base material 6
A cylindrical disk having an outer diameter of 1840 mm+ as shown in Table 1 was prepared.

そして表1に示す合成条件下で円往盤基材6の円柱側面
にダイヤモンド膜4を析出させた。この後、第IO図(
1),(2)に示す製造工程に従ってダイヤモンド単体
膜を得、析出状態を第10図(1)の(A),(B)部
についてみたところ表2の結果を得た。
Then, under the synthesis conditions shown in Table 1, a diamond film 4 was deposited on the cylindrical side surface of the round board base material 6. After this, Figure IO (
A single diamond film was obtained according to the manufacturing steps shown in 1) and (2), and the precipitation state was observed in parts (A) and (B) of FIG. 10 (1), and the results shown in Table 2 were obtained.

尚、表2中の比較例は第2図に示す従来技術によるNi
電着層を形成したものである。
In addition, the comparative example in Table 2 is Ni
An electrodeposited layer is formed.

(以下余白) 表2 かくして得た内周型ブレードを用いて、ブレード周速1
 0 0 0m/win,加工送り速度4 0 am/
lIlinのスライシング条件にて、直径1800mm
のシリコン単結晶インゴットの加エスライステストを行
った。その結果を表3に示した。
(Left below) Table 2 Using the inner circumferential blade thus obtained, the blade circumferential speed 1
0 0 0 m/win, machining feed speed 4 0 am/
Diameter 1800mm under IIlin slicing conditions
A processing and slicing test was conducted on silicon single crystal ingots. The results are shown in Table 3.

尚、比較例は第2図に示す従来技術によるNi電着部を
刃先部に形成した内周型ブレードを用いて同様のテスト
を行ったものである。
In a comparative example, a similar test was conducted using an inner peripheral type blade in which a Ni electrodeposited portion was formed on the cutting edge according to the prior art shown in FIG.

(以下余白) 前記表3から刃先部に気相合成ダイヤモンド膜を形成し
たこの発明の切断用内周型薄板ブレードでは切断の精度
を大幅に向上させ、且つ寿命も大幅に改善されることが
認められた。
(The following is a blank space) From Table 3 above, it is recognized that the inner circumferential thin plate cutting blade of the present invention, in which a vapor-phase synthetic diamond film is formed on the cutting edge, greatly improves cutting accuracy and service life. It was done.

(実験例2) 第9図のダイヤモンドコーティング用フィラメントCV
D装置を用い、ダイヤモンドコーティング用基材6には
、第11図(1)に示す多結晶Si材の内径φl840
、外径φ4930,厚さ0.1間を用いダイヤモンドを
析出させた。基材6を溶解除去した後のダイヤモンド単
体ブレード5を用いて、実験例1と同様のスライステス
トを行なったところ、この実験例2では2,000枚の
スライス処理が出来た。
(Experiment Example 2) Diamond coating filament CV shown in Fig. 9
Using the D device, the diamond coating base material 6 was made of polycrystalline Si material with an inner diameter of 840 mm as shown in FIG. 11 (1).
, an outer diameter of 4930 mm and a thickness of 0.1 mm to deposit diamond. When the same slicing test as in Experimental Example 1 was conducted using the single diamond blade 5 after the base material 6 had been melted and removed, 2,000 pieces could be sliced in Experimental Example 2.

x里生無果 以上説明したように、この発明の単結晶切断用薄板ブレ
ードでは刃先部に気相合成によるダイヤモンド膜を形成
し、従来のようなNi,Goなどのバインダーや電着層
がない為に、部分的な摩耗や欠損がなく、長時間にわた
って高精度の切断スライス作業を行うことができるので
ある。この為、ブレード張り替え作業の低減、部留まり
の向上をもたらし、且つコスト低減にも大きく寄与する
のである。
As explained above, the thin plate blade for cutting single crystals of this invention has a diamond film formed by vapor phase synthesis on the cutting edge, and there is no binder such as Ni or Go or an electrodeposited layer as in the past. Therefore, there is no local wear or damage, and high-precision cutting and slicing work can be performed for a long time. For this reason, it reduces the work required to replace the blade, improves the retention of the blade, and greatly contributes to cost reduction.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、従来型の内周型切断ブレードの概略図、第2
図は、従来の内周型切断ブレードの刃先部拡大断面図、
第3図は、本発明による刃先部のみ気相合成ダイヤを用
いた内周型切断用ブレードの概略図、第4図は、本発明
切断ブレード第3図の刃先部拡大断面図、第5図は、本
発明による切断ブレード全体を気相合成ダイヤモンドと
した内周型切断ブレードの概略図、第6図は、第5図に
示す本発明切断ブレードの刃先部拡大断面図、第7図、
第8図及び第9図は本発明に使用するダイヤモンドコス
ト設備の一例であるフィラメントCVD装置の説明図で
ある。第10図(1).(2),(3)及び第11図(
1).(2),(3)は本発明切断ブレードの製造工程
の2つの実施例を示す工程の概略一例図である。 3・・・台金、  4・・・気相合成ダイヤモンド膜、
6・・基材、    10・・・冷却支持台、II・・
・フィラメント、    l2・・・電極。
Figure 1 is a schematic diagram of a conventional internal circumferential cutting blade;
The figure shows an enlarged cross-sectional view of the cutting edge of a conventional internal cutting blade.
FIG. 3 is a schematic diagram of an internal cutting blade using vapor-phase synthetic diamond only at the cutting edge according to the present invention, FIG. 4 is an enlarged sectional view of the cutting edge of the cutting blade according to the present invention in FIG. 3, and FIG. 5 6 is a schematic diagram of an inner peripheral cutting blade according to the present invention in which the entire cutting blade is made of vapor-phase synthetic diamond; FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of the cutting edge of the cutting blade of the present invention shown in FIG. 5; FIG.
FIGS. 8 and 9 are explanatory diagrams of a filament CVD apparatus which is an example of diamond cost equipment used in the present invention. Figure 10 (1). (2), (3) and Figure 11 (
1). (2) and (3) are schematic diagrams showing two embodiments of the manufacturing process of the cutting blade of the present invention. 3... Base metal, 4... Vapor phase synthetic diamond film,
6...Base material, 10...Cooling support stand, II...
・Filament, l2...electrode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、切断用ブレードにおいて、該ブレードに気相合成に
て形成したダイヤモンドの多結晶膜を使用し、全体の厚
さを20〜300μmとしたことを特徴とする切断用内
周型薄板ブレード。 2、前記切断ブレードが単結晶インゴット切断用である
ことを特徴とする請求項1記載の切断用内周型薄板ブレ
ード。 (物の特許:刃先部のみ気相合成ダイヤ使用タイプ) 3、切断用ブレードにおいて、該ブレード内周側刃先部
のみに気相合成にて形成した同心円状ダイヤモンドの多
結晶単体板が設置されており、全体のブレード厚さを2
0〜300μmとしたことを特徴とする切断用内周型薄
板ブレード。 4、前記ダイヤモンドが切断用ブレードに蝋付けにより
設置されていることを特徴とする請求項3記載の切断用
内周型薄板ブレード。 5、前記切断ブレードが単結晶インゴット切断用である
ことを特徴とする請求項3又は4記載の切断用内周型薄
板ブレード。 6、気相合成法により、基材上にダイヤモンド膜を形成
し、該ダイヤモンド膜の前記基材を溶解除去してダイヤ
モンド単体膜を得、該ダイヤモンド単体膜を、同心円状
台金ブレードの内周側に設置することを特徴とする切断
用内周型薄板ブレードの製造方法。 7、前記気相合成のダイヤモンド単体膜と台金ブレード
との設置を蝋付けでしたことを特徴とする請求項6記載
の切断用内周型薄板ブレードの製造方法。
[Claims] 1. A cutting blade characterized in that the blade uses a polycrystalline diamond film formed by vapor phase synthesis, and has a total thickness of 20 to 300 μm. Circumferential thin plate blade. 2. The inner peripheral thin plate blade for cutting according to claim 1, wherein the cutting blade is for cutting a single crystal ingot. (Product patent: Type using vapor-phase synthetic diamond only at the cutting edge) 3. In the cutting blade, a concentric polycrystalline diamond plate formed by vapor-phase synthesis is installed only at the cutting edge on the inner peripheral side of the blade. and the overall blade thickness is 2.
An inner circumferential thin plate blade for cutting, characterized in that the diameter is 0 to 300 μm. 4. The inner peripheral type thin plate cutting blade according to claim 3, wherein the diamond is installed on the cutting blade by brazing. 5. The inner peripheral thin plate blade for cutting according to claim 3 or 4, wherein the cutting blade is for cutting a single crystal ingot. 6. Form a diamond film on a base material by vapor phase synthesis, dissolve and remove the base material of the diamond film to obtain a single diamond film, and apply the single diamond film to the inner periphery of a concentric base metal blade. A method for manufacturing an inner peripheral type thin plate blade for cutting, characterized in that it is installed on the side. 7. The method of manufacturing an inner circumferential thin plate blade for cutting according to claim 6, wherein the vapor-phase synthesized single diamond film and the base metal blade are installed by brazing.
JP28241790A 1989-10-27 1990-10-19 Inner peripheral type thin plate blade for cutting Pending JPH03208563A (en)

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US07/603,442 US5133783A (en) 1989-10-27 1990-10-26 Inner peripheral type thin plate blade and method of producing the same
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6294263A (en) * 1985-10-17 1987-04-30 Showa Denko Kk Cutter blade and manufacture thereof

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6294263A (en) * 1985-10-17 1987-04-30 Showa Denko Kk Cutter blade and manufacture thereof

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