JPH0320714A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0320714A JPH0320714A JP3875890A JP3875890A JPH0320714A JP H0320714 A JPH0320714 A JP H0320714A JP 3875890 A JP3875890 A JP 3875890A JP 3875890 A JP3875890 A JP 3875890A JP H0320714 A JPH0320714 A JP H0320714A
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- display device
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- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 claims abstract description 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 abstract description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
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- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はスーパーツイステッドネマチック型液晶表示装
實に関する。
實に関する。
従来、液晶表示装置において液晶セルを時分割駆動する
場合、デューティ比１／Ｎでは、バイアス比は１／（Ｊ
”？’３“＋１）が最適であるとされてきた。しかしな
がら、その最適である理由は、コントラストが最も良く
なるという点にだけ注目したものであり、駆動電圧を考
慮したものではなかった。
場合、デューティ比１／Ｎでは、バイアス比は１／（Ｊ
”？’３“＋１）が最適であるとされてきた。しかしな
がら、その最適である理由は、コントラストが最も良く
なるという点にだけ注目したものであり、駆動電圧を考
慮したものではなかった。
しかし、デューティ比が小さくなると、駆動印加電圧は
高くなり、高耐圧ｔＣが必要となる駆動電圧は２Ｊ７ｒ
Ｖ以下が望まれる。しかし！Ｃには耐圧に限度があり、
最適バイアス比で駆動するためには液晶セルのしきい値
電圧を低下させることが要求される。
高くなり、高耐圧ｔＣが必要となる駆動電圧は２Ｊ７ｒ
Ｖ以下が望まれる。しかし！Ｃには耐圧に限度があり、
最適バイアス比で駆動するためには液晶セルのしきい値
電圧を低下させることが要求される。
スーパーツイステッド型液晶表示装置では液晶セルのし
きい値電圧を下げると大幅に表示特性が低下し、最適バ
イアス比１ ／ （ｖ’Ｔ＋ １ ）で使用することは
逆にコントラストの低下を生むことを見出した。更に応
答スピードも遅くなることを見出した。
きい値電圧を下げると大幅に表示特性が低下し、最適バ
イアス比１ ／ （ｖ’Ｔ＋ １ ）で使用することは
逆にコントラストの低下を生むことを見出した。更に応
答スピードも遅くなることを見出した。
そこで本発明は、デューティ比１／Ｎ（Ｎ≧３００）駆
動電圧２Ｊ’ＷＶ以下において、コントラストが良くな
るばかりでなく応答スピードまでも速くすることが可能
な液晶表示装置を提供することを目的とする。
動電圧２Ｊ’ＷＶ以下において、コントラストが良くな
るばかりでなく応答スピードまでも速くすることが可能
な液晶表示装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の液晶表示装置は以
下の構成としたものである。即ち対向して配置された一
対の電極基板間に１８０度から３６０度の範囲でねじれ
配向したネマチック液品を挟持してなる液晶セルと、該
液晶セルを挟んで両側に配置された一対の偏光板を備え
、前記液晶セルをデューティ比１／Ｎ（ただしＮｋ３０
０）駆動電圧２ψＴＶ以下で時分割駆動する液晶表示装
置において、駆動バイアス比が］．／ ＣＪＮ−Ｎ／２
００）以上かつ１／ （ｖｆｆ−Ｎ／５０）以下である
ことを特徴とする。
下の構成としたものである。即ち対向して配置された一
対の電極基板間に１８０度から３６０度の範囲でねじれ
配向したネマチック液品を挟持してなる液晶セルと、該
液晶セルを挟んで両側に配置された一対の偏光板を備え
、前記液晶セルをデューティ比１／Ｎ（ただしＮｋ３０
０）駆動電圧２ψＴＶ以下で時分割駆動する液晶表示装
置において、駆動バイアス比が］．／ ＣＪＮ−Ｎ／２
００）以上かつ１／ （ｖｆｆ−Ｎ／５０）以下である
ことを特徴とする。
本発明の液晶表示装置の代表例は第１図に示されるよう
な構造である。時分割駆動回路１は液晶セル２に時分割
信号を印加し、液晶セル２を駆動する。液晶セル２は上
電極基板３と下電極基板４がスペーサ−５により所定の
間隔て隔てられ、両基板３、４の間には液晶６が挟みこ
まれている。
な構造である。時分割駆動回路１は液晶セル２に時分割
信号を印加し、液晶セル２を駆動する。液晶セル２は上
電極基板３と下電極基板４がスペーサ−５により所定の
間隔て隔てられ、両基板３、４の間には液晶６が挟みこ
まれている。
液晶セル２は上偏光板８と下偏光板９により挟みこまれ
ている。上偏光板８と上電極基板３の間に光学異方体を
挟みこんでもよい。
ている。上偏光板８と上電極基板３の間に光学異方体を
挟みこんでもよい。
本発明の液晶表示装置の時分割駆動回路１により液晶セ
ル２に印加される代表的な駆動波形を第２図に示す。デ
ューティ比１／Ｎ１バイアス比１／Ｍの時の波形である
。
ル２に印加される代表的な駆動波形を第２図に示す。デ
ューティ比１／Ｎ１バイアス比１／Ｍの時の波形である
。
第３図は、スーパーツイステッド型波品表示装置の鉛直
方向の電圧に対する輝度特性を示したものである。同図
において輝度が１０％になる電圧をＶ，。、９０％にな
る電圧をＶｇ（，とするとき、時分割駆動特性を表わす
量βを β一Ｖ，。／Ｖ９Ｑ と定義する。モしてβは１以上の値を示し、１に近づく
程時分割駆動特性が良いことを表わしている。
方向の電圧に対する輝度特性を示したものである。同図
において輝度が１０％になる電圧をＶ，。、９０％にな
る電圧をＶｇ（，とするとき、時分割駆動特性を表わす
量βを β一Ｖ，。／Ｖ９Ｑ と定義する。モしてβは１以上の値を示し、１に近づく
程時分割駆動特性が良いことを表わしている。
また、液晶セルの容量のしきい値電圧ｖｔｈとは、液晶
セルに実効電圧０．１ｖおよび５ｖ印加時の容量をそれ
ぞれＣ。１およびＣ，とした時、容量ｃｔｈが Ｃ ｔ ｈ＝ｃｏ，１ ＋ （Ｃ％ −Ｃｏ．＋ ）
／ １ ０となる電圧をいう。
セルに実効電圧０．１ｖおよび５ｖ印加時の容量をそれ
ぞれＣ。１およびＣ，とした時、容量ｃｔｈが Ｃ ｔ ｈ＝ｃｏ，１ ＋ （Ｃ％ −Ｃｏ．＋ ）
／ １ ０となる電圧をいう。
液晶のねじれ角を２４０度とした時の液晶セルの容量の
しきい値電圧ｖｔｈを変化させたときのβ値について調
べ、第４図に示した。第４図より明らかなように、ｖｔ
ｈが低くなるとβ値が大きくなり時分割特性が悪くなる
。更にｖｔｈが１．８ｖ以下になると急激にβ値が大き
くなり、時分割特性が急激に悪くなる。すなわち、液晶
組或が同じでも組成比が変化することにより、時分割特
性に大きな変化をあたえることを見い出したのである。
しきい値電圧ｖｔｈを変化させたときのβ値について調
べ、第４図に示した。第４図より明らかなように、ｖｔ
ｈが低くなるとβ値が大きくなり時分割特性が悪くなる
。更にｖｔｈが１．８ｖ以下になると急激にβ値が大き
くなり、時分割特性が急激に悪くなる。すなわち、液晶
組或が同じでも組成比が変化することにより、時分割特
性に大きな変化をあたえることを見い出したのである。
〔具体例１〕
表１に示すように同表の化合物について組成比を変化さ
せ所定のｖｔｈを得た。
せ所定のｖｔｈを得た。
表 １
ただしＲ，〜Ｒ８は炭素数１〜９の直鎖のアルキル基を
示す。
示す。
次に、デューティ比１ ／４ ０ ０において、バイア
ス比を変化させたときの表示特性について調べた。駆動
電圧２５ｖ（≦２Ｘ■π▼Ｖ）においてバイアス比を変
化させた時の最適な液晶を表１の液晶Ａ−Ｅの中より選
択した。このときの表示特性を表２に示す。
ス比を変化させたときの表示特性について調べた。駆動
電圧２５ｖ（≦２Ｘ■π▼Ｖ）においてバイアス比を変
化させた時の最適な液晶を表１の液晶Ａ−Ｅの中より選
択した。このときの表示特性を表２に示す。
表２
〔具体例２〕
具体例１において、駆動電圧４０Ｖ （−２Ｘ■ＴｆＴ
ｆ Ｖ ）においてバイアス比を変化させた時の最適な
液晶Ａ−Ｈの中より選択した。このときの表示特性を表
３に示す。
ｆ Ｖ ）においてバイアス比を変化させた時の最適な
液晶Ａ−Ｈの中より選択した。このときの表示特性を表
３に示す。
表３
表２より明らかなように、従来最適バイアス比とされた
ｌ．／２１ （＝１．／Ｊτｌπ＋１）においてコント
ラスト比ばかりでなく応答スピードまでもバイアス比１
／１７、１／１５、１／１２よりも劣っている。つまり
バイアス比が１／（，／Ｔ−Ｎ／２ ０ ０）から１／
（，／Ｔ−Ｎ／５０）までの範囲でコントラストおよ
び応答スピードの優れた液晶表示装置を得ることが出来
た。更にバイアス比が１／ （■−Ｎ／１５０）から１
７（Ｊ−Ｎ″一Ｎ／７５）の範囲で、より優れた特性が
得られる。
ｌ．／２１ （＝１．／Ｊτｌπ＋１）においてコント
ラスト比ばかりでなく応答スピードまでもバイアス比１
／１７、１／１５、１／１２よりも劣っている。つまり
バイアス比が１／（，／Ｔ−Ｎ／２ ０ ０）から１／
（，／Ｔ−Ｎ／５０）までの範囲でコントラストおよ
び応答スピードの優れた液晶表示装置を得ることが出来
た。更にバイアス比が１／ （■−Ｎ／１５０）から１
７（Ｊ−Ｎ″一Ｎ／７５）の範囲で、より優れた特性が
得られる。
表３より明らかなように、従来最適バイアス比とサレタ
１ ／ ２ １ （− １ ／■ＴＩＴｆ＋ １ ）
ニオイてコントラスト比ばかりでなく応答スピードまで
もバイアス比１／１７、１／１５、１／１２よりも劣っ
ている。つまりバイアス比が１／（■−Ｎ／２００）か
ら１ ／ （ｖ’Ｔ−Ｎ／５ ０）までの範囲でコント
ラストおよび応答スピードの優れた液晶表示装置を得る
ことが出来た。
１ ／ ２ １ （− １ ／■ＴＩＴｆ＋ １ ）
ニオイてコントラスト比ばかりでなく応答スピードまで
もバイアス比１／１７、１／１５、１／１２よりも劣っ
ている。つまりバイアス比が１／（■−Ｎ／２００）か
ら１ ／ （ｖ’Ｔ−Ｎ／５ ０）までの範囲でコント
ラストおよび応答スピードの優れた液晶表示装置を得る
ことが出来た。
〔具体例３〕
更に表４に示すように同表の化合物について組成比を変
化させ所定のｖｔｈを得た。ただし液晶のねじれ角を２
７０度にした。
化させ所定のｖｔｈを得た。ただし液晶のねじれ角を２
７０度にした。
表 ４
てバイアス比を変化させた時の最適な液晶を表５の液晶
Ｉ−Ｍの中より選択した。このときの表示特性を表５に
示す。
Ｉ−Ｍの中より選択した。このときの表示特性を表５に
示す。
表５
ただし、Ｒ，。〜Ｒｌ７は炭素数１〜９の直鎖のアルキ
ル基を示す。
ル基を示す。
次に、デューティ比１／５００において、バイアス比を
変化させたときの表示特性について調べた。駆動電圧２
５Ｖ（５２ＸＪＭ汀Ｖ）におい表５より明らかなように
、従来最適バイアス比とされた１／２ ３． ４ （
− １／Ｊ−５一〇一〇一＋１）においてコントラスト
比ばかりでなく応答スピードまでもバイアス比１／１９
、１／１７、１／１４よりも劣っている。つまり、バイ
アス比が１／（ｖ’Ｔ−Ｎ／２００）から１／ （ｖ’
Ｔ−Ｎ／５０）までの範囲でコントラストおよび応答ス
ピードの優れた液晶表示装置を得ることが出来た。
変化させたときの表示特性について調べた。駆動電圧２
５Ｖ（５２ＸＪＭ汀Ｖ）におい表５より明らかなように
、従来最適バイアス比とされた１／２ ３． ４ （
− １／Ｊ−５一〇一〇一＋１）においてコントラスト
比ばかりでなく応答スピードまでもバイアス比１／１９
、１／１７、１／１４よりも劣っている。つまり、バイ
アス比が１／（ｖ’Ｔ−Ｎ／２００）から１／ （ｖ’
Ｔ−Ｎ／５０）までの範囲でコントラストおよび応答ス
ピードの優れた液晶表示装置を得ることが出来た。
〔具体例４〕
更に表６に示すように同表の化合物について組成比を変
化させ、所定のｖｔｈを得た。ただし液晶のねじれ角を
３００度にした。
化させ、所定のｖｔｈを得た。ただし液晶のねじれ角を
３００度にした。
表 ６
た。駆動電圧２５Ｖ（≦２ ｘ Ｊ”５’ＴｆＨＶ ）
においてバイアス比を変化させた時の最適な液晶を表６
の液晶Ｎ−Ｒの中より選択した。このときの表示特性を
表７に示す。
においてバイアス比を変化させた時の最適な液晶を表６
の液晶Ｎ−Ｒの中より選択した。このときの表示特性を
表７に示す。
表７
ただし、Ｒ ２ｏ” Ｒ ，．は炭素数１〜９の直鎖の
アルキル基を示す。
アルキル基を示す。
次に、デューティ比１／５００において、バイアス比を
変化させたときの表示特性について調べ表７より明らか
なように、従来最適バイアス比とされた１／２３． ４
（−１／ｖ”ｌ；π廿＋１）においてコントラスト比
はバイアス比１／１９、１／１７、１／１４よりも劣っ
ている。つまり、バイアス比が１／ （■−Ｎ／２００
）から１／ＣＪＮ−Ｎ／５０）までの範囲でコントラス
トおよび応答スピードの優れた液晶表示装置を得ること
が出来た。
変化させたときの表示特性について調べ表７より明らか
なように、従来最適バイアス比とされた１／２３． ４
（−１／ｖ”ｌ；π廿＋１）においてコントラスト比
はバイアス比１／１９、１／１７、１／１４よりも劣っ
ている。つまり、バイアス比が１／ （■−Ｎ／２００
）から１／ＣＪＮ−Ｎ／５０）までの範囲でコントラス
トおよび応答スピードの優れた液晶表示装置を得ること
が出来た。
〔具体例５〕
更に表８に示すように同表の化合物について組成比を変
化させ、所定のｖｔｈを得た。ただし液晶のねじれ角は
２４０度とした。
化させ、所定のｖｔｈを得た。ただし液晶のねじれ角は
２４０度とした。
表 ８
の液晶Ｓ−Ｗの中より選択した。この時の表示特性を表
９に示す。
９に示す。
表９
ただし、Ｒ３、〜Ｒ３８は炭素数１〜９の直鎖のアルキ
ル基を示す。
ル基を示す。
次に、デューティ比１ ／４ ８ ０において、バイア
ス比を変化させたときの表示特性について調べた。駆動
電圧３５ｖ（≦２ ｘ ＪＭ７Ｊ；７ｆ Ｖ ）におい
てバイアス比を変化させた時の最適な液晶を表８表９よ
り明らかなように、従来最適バイアス比とされた１／２
２．９ （−１／ＶＴ丁π＋１）においてコントラスト
比はバイアス比１／１８、１／１６、１／１４よりも劣
っている。つまり、バイアス比１／ （■一Ｎ／２００
）から１７（ｖｆｆ−Ｎ／５０）までの範囲でコントラ
ストおよび応答スピードの優れた液晶表示装置を得るこ
とが出来た。
ス比を変化させたときの表示特性について調べた。駆動
電圧３５ｖ（≦２ ｘ ＪＭ７Ｊ；７ｆ Ｖ ）におい
てバイアス比を変化させた時の最適な液晶を表８表９よ
り明らかなように、従来最適バイアス比とされた１／２
２．９ （−１／ＶＴ丁π＋１）においてコントラスト
比はバイアス比１／１８、１／１６、１／１４よりも劣
っている。つまり、バイアス比１／ （■一Ｎ／２００
）から１７（ｖｆｆ−Ｎ／５０）までの範囲でコントラ
ストおよび応答スピードの優れた液晶表示装置を得るこ
とが出来た。
更に、表示画面中に、走査電極ラインおよび、信号電極
ラインとなって、非選択部のコントラストが異なるむら
（以下糸引きと呼ぶ）について調べた。糸引きの程度を
調べるために、表示画面上に第５図、第６図および第７
図のような表示をおこなう。そこで最もコントラストの
良い駆動電圧時での、各図ａ点とｂ点の透過率の差ΔＴ
（％）を調べる。つまりΔＴの値が大きい程糸引きが見
やすいことになる。第５図のような表示画面での△Ｔ（
以下ΔＴ，と呼ぶ）、第６図のような表示画面での△Ｔ
（以下△Ｔ２と呼ぶ）、第７図のような表示画面での△
Ｔ（△Ｔ３と呼ぶ）を表１０に示す。
ラインとなって、非選択部のコントラストが異なるむら
（以下糸引きと呼ぶ）について調べた。糸引きの程度を
調べるために、表示画面上に第５図、第６図および第７
図のような表示をおこなう。そこで最もコントラストの
良い駆動電圧時での、各図ａ点とｂ点の透過率の差ΔＴ
（％）を調べる。つまりΔＴの値が大きい程糸引きが見
やすいことになる。第５図のような表示画面での△Ｔ（
以下ΔＴ，と呼ぶ）、第６図のような表示画面での△Ｔ
（以下△Ｔ２と呼ぶ）、第７図のような表示画面での△
Ｔ（△Ｔ３と呼ぶ）を表１０に示す。
表１０
ない均一な表示画面が得られる。
〔具体例６〕
デューティ比１／３００、駆動電圧３０Ｖ（≦２ Ｘ
Ｊ丁ππＶ ）においても前述した各具体例と同様にバ
イアス比が１／ （ｖ’Ｔ−Ｎ／２００）から１／ （
ｖ’Ｔ−Ｎ／５０）の範囲で、コントラストおよび応答
スピードの優れた液晶表示装置が得られた。
Ｊ丁ππＶ ）においても前述した各具体例と同様にバ
イアス比が１／ （ｖ’Ｔ−Ｎ／２００）から１／ （
ｖ’Ｔ−Ｎ／５０）の範囲で、コントラストおよび応答
スピードの優れた液晶表示装置が得られた。
デューティＬｔｌ／２００について調べる。駆動電圧２
８Ｖ（≦２×■ｒｆＴｆ■）において、ハイアス比を変
化させた時の最適な液晶を表８の液晶Ｓ−Ｗの中より選
択した。この時の表示特性を表１１に示す。
８Ｖ（≦２×■ｒｆＴｆ■）において、ハイアス比を変
化させた時の最適な液晶を表８の液晶Ｓ−Ｗの中より選
択した。この時の表示特性を表１１に示す。
表１１
以上表１０より明らかなように、バイアス比１／ ＣＪ
Ｎ−Ｎ／２００）から１／（■−Ｎ／５０）までの範囲
で、最適バイアス比より糸引きの表１１より、最適バイ
アス比１／１５． １ （−１／■’Ｕ７ｆ＋ １）
とバイアス比１／１３ （１／ＪＨ−Ｎ／２００から１
／ＪＨ−Ｎ／５０の範囲）でコントラスト比はほほ同等
、応答スピードは最適バイアスの方が良い。つまりデュ
ーティ比１／２００では、１／，ｖ’Ｔ−Ｎ／２００か
ら１／，／Ｔ−Ｎ／５０の範囲が最適とは言えない。
Ｎ−Ｎ／２００）から１／（■−Ｎ／５０）までの範囲
で、最適バイアス比より糸引きの表１１より、最適バイ
アス比１／１５． １ （−１／■’Ｕ７ｆ＋ １）
とバイアス比１／１３ （１／ＪＨ−Ｎ／２００から１
／ＪＨ−Ｎ／５０の範囲）でコントラスト比はほほ同等
、応答スピードは最適バイアスの方が良い。つまりデュ
ーティ比１／２００では、１／，ｖ’Ｔ−Ｎ／２００か
ら１／，／Ｔ−Ｎ／５０の範囲が最適とは言えない。
以上より、デューティ比１／３００以上で本発明の効果
が現われる。
が現われる。
以上説明したように本発明によれば、デューティ比１／
Ｎ（ただしＮ≧３００）、駆動電圧２■Ｖ以下の時分割
駆動時にバイアス比を１７（，／Ｔ−Ｎ／２００）以上
１／ ＣＪ”Ｗ−Ｎ／５０）以下の範囲にすることによ
り、コントラスト比および応答スピードの優れたスーパ
ーツイステッド型液品表示装置を得られる。更に、低電
流化に有効である。
Ｎ（ただしＮ≧３００）、駆動電圧２■Ｖ以下の時分割
駆動時にバイアス比を１７（，／Ｔ−Ｎ／２００）以上
１／ ＣＪ”Ｗ−Ｎ／５０）以下の範囲にすることによ
り、コントラスト比および応答スピードの優れたスーパ
ーツイステッド型液品表示装置を得られる。更に、低電
流化に有効である。
第１図は本発明の液晶表示装置の一実施例の模式的断面
図、第２図は時分割駆動波形を示した説明図、第３図は
時分割駆動特性を説明するための電圧に対する輝度特性
を示す曲線図、第４図は本発明の一実施例の液晶セルの
しきい値電圧ｖｔｈに対する時分割特性β値を示した図
、第５図、第６図および第７図は本発明の評価のための
表示画而を示す図である。
図、第２図は時分割駆動波形を示した説明図、第３図は
時分割駆動特性を説明するための電圧に対する輝度特性
を示す曲線図、第４図は本発明の一実施例の液晶セルの
しきい値電圧ｖｔｈに対する時分割特性β値を示した図
、第５図、第６図および第７図は本発明の評価のための
表示画而を示す図である。
１ ・ ・ ・ ・ ◆
２ ・ ・ ・ ・ ・
３、４・ ・ ・
６・ ◆ ・ ・ ●
８、９・ ◆ ●
時分割駆動回路
液晶セル
電極基板
液晶
偏光板
以上
Claims (3)
- （１）対向して配置された一対の電極基板間に１８０度
から３６０度の範囲でねじれ配向したネマチック液晶を
挟持してなる液晶セルと、該液晶セルを挟んで両側に配
置された一対の偏光板を備え、前記液晶セルをデューテ
ィ比１／Ｎ（ただしＮ≧３００）駆動電圧２■Ｖ以下で
時分割駆動する液晶表示装置において、駆動バイアス比
が１／（■−Ｎ／２００）以上かつ１／（■−Ｎ／５０
）以下であることを特徴とする液晶表示装置。 - （２）前記駆動バイアス比が１／（■−Ｎ／１５０）以
上かつ１／（■−Ｎ／７５）以下であることを特徴とす
る請求項１記載の液晶表示装置。 - （３）前記液晶セルの容量のしきい値電圧が実効電圧で
１．８Ｖ以上であることを特徴とする請求項１または請
求項２記載の液晶表示装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3875890A JP2903600B2 (ja) | 1989-03-14 | 1990-02-20 | 液晶表示装置 |
| EP90313182A EP0443248A2 (en) | 1990-02-20 | 1990-12-05 | Liquid crystal display device |
| US07/657,732 US5093736A (en) | 1990-02-20 | 1991-02-20 | Time-sharing addressing driving means for a super twisted liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-61950 | 1989-03-14 | ||
| JP6195089 | 1989-03-14 | ||
| JP3875890A JP2903600B2 (ja) | 1989-03-14 | 1990-02-20 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320714A true JPH0320714A (ja) | 1991-01-29 |
| JP2903600B2 JP2903600B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=26378053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3875890A Expired - Lifetime JP2903600B2 (ja) | 1989-03-14 | 1990-02-20 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2903600B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6667732B1 (en) | 1999-03-31 | 2003-12-23 | Seiko Epson Corporation | Method of driving liquid crystal device, liquid crystal device, and electronic instrument |
-
1990
- 1990-02-20 JP JP3875890A patent/JP2903600B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6667732B1 (en) | 1999-03-31 | 2003-12-23 | Seiko Epson Corporation | Method of driving liquid crystal device, liquid crystal device, and electronic instrument |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2903600B2 (ja) | 1999-06-07 |
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