JPH03197680A - 光化学蒸着法による多層薄膜の形成装置 - Google Patents

光化学蒸着法による多層薄膜の形成装置

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JPH03197680A
JPH03197680A JP33774389A JP33774389A JPH03197680A JP H03197680 A JPH03197680 A JP H03197680A JP 33774389 A JP33774389 A JP 33774389A JP 33774389 A JP33774389 A JP 33774389A JP H03197680 A JPH03197680 A JP H03197680A
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JP
Japan
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excimer laser
thin film
film
laser beam
vapor deposition
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Application number
JP33774389A
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Yoshihiko Suzuki
美彦 鈴木
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Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、多層薄膜の形成装置に関するものである。
さらに詳しくは、軽元素と重元素を交互に周期的に配し
た多層薄膜の光化学蒸着の為の装置に関するものである
[発明の概要] 本発明は、薄膜形成のエネルギー源であるエキシマレー
ザ光の強度を常に一定にすることにより、精密な多層膜
構造を得ることを可能にしたものである。
[従来の技術] 従来、気体原料なレーザ光で分解し、薄膜を形成せしめ
る光学蒸着法に於いて、重元素及び軽元素を交互周期的
に配した多層薄膜を形成するには、気体原料を導入した
真空容器にエキシマレーザ光を導入し堆積させた多層薄
膜にHe−Neレーザ光等のコヒーレント光を照射し、
その反射光強度変化をモニターし、所定厚みになったと
思われる時にエキシマレーザ光を停止させ膜厚を管理し
ていた。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、これらの従来技術による方法では、He
−Ne等のモニター用レーザ光の多層薄膜からの反射光
強度の最大強度点で成膜を停止させる必要があるのに対
し、実際は最大強度点をご(わずか過ぎて強度が低下し
始めないと認知できないため、必要以上の厚みの薄膜を
成膜してしまうという大きな欠点を有していた。
また、従来の膜厚管理法が必要とされる技術的背景とし
て、薄膜形成のエネルギー源であるエキシマレーザ光強
度が時間に対して、大きく変動する事が大きな理由であ
った。
[課題を解決するための手段] 以上の問題点を解決するために、本発明では、時間に対
して変動するエキシマレーザ光の発振強度を常時モニタ
ーし、任意に設定したパワーを常に保つように、レーザ
パルスレートを変化させるようにしたものである。
[作用1 以下、本発明の作用を述べる。
成膜を行なう真空容器に導入するレーザ光を、合成石英
製等のビームスプリッタにより、一部分反射させ、この
反射光を、サーモパイル等の検知部を有したカロリーメ
ータにより、光エネルギーを電圧に変換する。該電圧値
は、GP−IB等のインターフェースを有するデジタル
ボルトメータに入力し、コンビニーりで読み取る。読み
取った電圧値は、予め真空容器に入射するパワーに対す
る校正を取ることにより、エキシマレーザ光のパワーと
して取り扱うことができる。コンピュータで読み取った
レーザパワーは、その時のエキシマレーザのパルスレー
ト、すなわち発振周波数で除され、1パルス当たりのエ
ネルギーつまり、パルスエネルギーが算出される。ここ
で、予め設定したパワーに対する現在のパワーの大小比
較が行なわれ、設定パワーを保持するために必要なパル
スレートを算出し、GP−I B等のインターフェース
を有するパルスジェネレータを必要な発振レートつまり
パルスレートで発振させ、これをエキシマレーザのトリ
ガーとしエキシマレーザのパルスレートを必要値に変化
させることが可能となる。
これらにより、エキシマレーザ光強度の時間変動が、無
視できるほど小さくなるので、従来の様に成膜体、すな
わち、多層薄膜からの反射光をモニタし膜厚を管理する
必要がなくなると同時に、必要以上の厚みで成膜されて
しまう従来の欠点をなくすことができるという大きな効
果を有している。
当然の事ながら本発明では、薄膜形成のエネルギー源で
あるエキシマレーザ光の強度変動が無くなったので、必
要膜厚を得るには、予め実測した成膜レートより逆算し
た成膜時間になったら成膜を停止させるという極めて簡
単な膜厚管理法がとれるという新たな作用も有している
[実施例1 以下に、本発明の実施例を示し、さらに詳しく説明する
。当然、本発明は、以下の実施例によって限定されるも
のではない。
第1図に、本発明を実施した機器構成図を示す。
成膜に用いたレーザは、AnFエキシマレーザ1とし、
約2Wの設定パワーで駆動する。エキシマレーザ光を一
部反射させるビームスプリッタ2は直径5cmの合成石
英ガラスから成膜、このビームスブリック2で反射レー
ザ光は、カロリーメータ3に入射され、サーモバイルに
より電圧を発生させ、これをデジタルボルトメータ4を
介し、コンピュータ5により読み取り、パワーを2Wに
するために必要なパルスレートな算出させ、必要パルス
数のパルスをパルスエネルーク6により発生し、最終的
にエキシマレーザの発振パルス1ノートを変化させるよ
うにしたものである。
第2図は、本発明を実施しない場合のエキシマレーザの
パルスレート100Hzに於ける、パワーの時間変動を
示した図である。図面から明らかなように、このままで
は、薄膜形成のエネルギー源であるレーザ光パワーが、
時間的に変動してしまうため、一定時間の成膜を繰り返
す方法を取ることができないので、従来法のような膜厚
管理法を取らざるを得ない事は自明である。
これに対し、第3図は、本発明を実施し、エキシマレー
ザパワーを2Wになるように制御した場合のエキシマレ
ーザ光パワーの時間変化を示した図面である。明らかに
、パワーの一定化がなされている事が判る。又、この時
のパワーの変動は±0.1W以下である事が明らかにな
った。
以上の機器構成により、多層薄膜を形成し、従来法で形
成した多層薄膜との比較を実施した。
成膜した多層薄膜の性能の尺度として、設計した周期構
造で得られるべき一次のX線の回折角度で、実際に小角
X線回折装置により実測した多層薄膜の一次の回折角度
を除した値を用いた。この評価値は、1に近づく程、得
たい周期構造が得られている事を示し、lより小さ(な
ると得たい周期構造より周期の大きな多層薄膜である事
を示す。
反応容器中に導入した原料ガスは、タングステン(W)
の原料としてW F eを毎分20ccと、H2を毎分
200cc、Heを毎分300cc導入した。又、炭素
(C)の原料として、CzHxを毎分5cc、H2を毎
分20cc、Heを毎分300cc導入した。この時の
反応容器内の圧力は、133paと一定とし、基板に用
いたSiは200℃に加熱した0作成した多層薄膜の周
期は10mmとし、W及びCをそれぞれの厚みが50m
になる様成膜時間を決定した。
以上の条件で作製した16層のWとCの多層薄膜と、従
来法で作製した同様の多層薄膜を、CuのKa線を入射
する小角X線回折装置で回折パターンを取り、−次の回
折角を読み前述の評価値を算出したところ、従来法0.
83に対し、本発明0.97となり、明らかに従来より
も目標とする周期構造に近い多層薄膜が得られているこ
とが明らかである。
〔考案の効果1 以上の実施例からも明らかなように、本発明に於ては、
必要とする周期構造の多層薄膜を精密に形成でき、さら
には、成膜厚みを時間だけで管理すればよいという簡単
な膜厚管理装置を可能とした発明である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の形成装置の機器構成を例示した説明
図である。 第2図は、本発明を用いない場合の、パルスレート10
0Hzに於けるAr、Fエキシマレーザ−光パワーの時
間変動を示した説明図である。 第3図は、本発明により、パワーを2wになる横制御し
たArFエキシマレーザ光パワーの時間変動を示した説
明図である。 ArFエキシマレーザ ビームスプリッタ カロリーメーター デジタルボルトメータ パーソナルコンピュータ パルスジェネレータ 反応容器 以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  成膜を行なう為のレーザ光発生装置と、前記レーザ光
    の一部を反射させるビームスプリッタと、前記反射光の
    検知部を有し、該反射光を電圧に変換するカロリーメー
    タと、この電圧値を記録するデジタルボルトメータと、
    このデジタルボルトメータに記録された電圧値を読み取
    り反応容器に対するレーザ光の出力を制御するパルスジ
    ェネレータ及びコンピュータとから成る光化学蒸着法に
    よる多層膜の形成装置。
JP33774389A 1989-12-25 1989-12-25 光化学蒸着法による多層薄膜の形成装置 Pending JPH03197680A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005093750A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005093750A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JP4618705B2 (ja) * 2003-09-18 2011-01-26 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
US7935913B2 (en) 2003-09-18 2011-05-03 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus and method for thermal processing of substrate

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