JPH03194744A - Overwritable magneto-optical recording medium - Google Patents

Overwritable magneto-optical recording medium

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Publication number
JPH03194744A
JPH03194744A JP33274589A JP33274589A JPH03194744A JP H03194744 A JPH03194744 A JP H03194744A JP 33274589 A JP33274589 A JP 33274589A JP 33274589 A JP33274589 A JP 33274589A JP H03194744 A JPH03194744 A JP H03194744A
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JP
Japan
Prior art keywords
magnetic layer
magnetization
recording medium
optical recording
magneto
Prior art date
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Pending
Application number
JP33274589A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Jiichi Miyamoto
治一 宮本
Toshio Niihara
敏夫 新原
Norio Ota
憲雄 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Maxell Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Maxell Ltd
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Publication date
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Priority to US07/607,870 priority patent/US6200673B1/en
Priority to DE69032931T priority patent/DE69032931T2/en
Priority to EP90121683A priority patent/EP0428128B1/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain a large Kerr rotation angle by setting the Curie temp. of a first magnetic layer higher than the Curie temp. of a second magnetic layer. CONSTITUTION:The Curie temp. of the first magnetic layer 3 is made higher than the Curie temp. of the second magnetic layer 4. Since the magneto-optical effect, namely the Kerr effect, becomes large as the higher Curie temp. of the first magnetic layer 3 is higher, the direction of the magnetic field for recording is set opposite to the direction for which the directions of magnetization in the first magnetic layer 3 are made uniform when the layer 3 is irradiated with laser beam of low intensity. Thereby, a large Kerr rotation angle can be obtained without decreasing the recording sensitivity.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、単一ビームでオーバライトを行うことのでき
る光磁気記録媒体に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a magneto-optical recording medium that can be overwritten with a single beam.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来の交換結合光磁気2層膜媒体の断面構造は例えば第
3図に示したような構造であった。トラッキングのため
の案内溝を設けたガラス等の透明基板1上に、窒化珪素
等の誘電体層2を約90nm、TbFaCo等の第1磁
性層3を約1100n、TbDyFeCo等の第2磁性
層4を約150nm、窒化珪素等の保護層5を約200
nm順に積層しである。誘電体層2は基板1側から入射
したレーザ光をその内部で多重反射させ、第1磁性層3
で生じる偏光面の回転(カー回転)を増大させる働きが
ある。第1磁性層3は光が透過しないように約1100
nの膜厚としである。
The cross-sectional structure of a conventional exchange-coupled magneto-optical two-layer film medium is as shown in FIG. 3, for example. On a transparent substrate 1 made of glass or the like provided with a guide groove for tracking, a dielectric layer 2 made of silicon nitride or the like is about 90 nm thick, a first magnetic layer 3 made of TbFaCo or the like is about 1100 nm long, and a second magnetic layer 4 made of TbDyFeCo or the like is formed. about 150 nm, and the protective layer 5 made of silicon nitride etc. about 200 nm.
The layers are stacked in nm order. The dielectric layer 2 multiple-reflects the laser beam incident from the substrate 1 side, and the first magnetic layer 3
It has the function of increasing the rotation of the plane of polarization (Kerr rotation) that occurs in The first magnetic layer 3 has a thickness of about 1100 to prevent light from passing through.
The film thickness is n.

このため光は第2磁性層4には到達せず、第1磁性層3
の磁化状態のみを反映して偏光面の回転を受ける。保護
層5は第1磁性層3及び第2磁性層4を酸化等の腐食か
ら保護する働きがある。第2磁性層4は第1磁性N43
と磁気的に交換結合しており、次のようにして単一ビー
ムオーバライトを行うために用いられている。
Therefore, the light does not reach the second magnetic layer 4, and the light does not reach the first magnetic layer 3.
The plane of polarization is rotated by reflecting only the magnetization state of . The protective layer 5 has the function of protecting the first magnetic layer 3 and the second magnetic layer 4 from corrosion such as oxidation. The second magnetic layer 4 is the first magnetic N43
It is magnetically exchange-coupled with the beam and is used to perform single-beam overwriting as follows.

第1磁性層3のキュリー温度(TCx)は第2磁性層4
のキュリー温度(Tcz)よりも低く、また室温では、
第2磁性層4の保磁力は第1磁性層3の保磁力よりも小
さくしである。このため、永久磁石などにより初期化磁
界を印加するだけで、第2磁性膜4のみの磁化を1方向
に揃えることができる(図8 (a)、(b))、この
ような記録媒体に比較的小さな強度のレーザ光を照射す
ると第1磁性層3の温度がキュリー点を越えるため(図
8 (c) ) 、その後冷却時に第1磁性層3の磁化
は第2磁性層4の磁化の向きと揃う(図8 (e))。
The Curie temperature (TCx) of the first magnetic layer 3 is the same as that of the second magnetic layer 4.
lower than the Curie temperature (Tcz) of, and at room temperature,
The coercive force of the second magnetic layer 4 is smaller than the coercive force of the first magnetic layer 3. Therefore, the magnetization of only the second magnetic film 4 can be aligned in one direction by simply applying an initializing magnetic field using a permanent magnet or the like (FIGS. 8(a) and 8(b)). When irradiated with a laser beam of relatively low intensity, the temperature of the first magnetic layer 3 exceeds the Curie point (Fig. 8 (c)), so that the magnetization of the first magnetic layer 3 is equal to that of the second magnetic layer 4 during subsequent cooling. The direction is aligned (Fig. 8 (e)).

また、比較的強度の大きなレーザ光を照射すると第2磁
性層4の温度がキュリー温度を越えるため(図8(d)
)、その後の冷却時に、第2磁性層4の磁化の向きは永
久磁石などの手段により外部から印加した記録磁界の向
きと揃い(図8(f))、さらに冷却が進むと第1磁性
層3の磁化が第2磁性M4の磁化の向きと揃う(図8 
(g) ) 、従って、レーザ光の強度を変調すれば、
第2磁性層4の磁化の向きを自由に反転させることがで
き、単一ビームオーバライトが可能となる。この方法に
ついては、例えば、特開昭62−175948等に記述
がある。
Furthermore, when irradiated with a relatively strong laser beam, the temperature of the second magnetic layer 4 exceeds the Curie temperature (Fig. 8(d)).
), during subsequent cooling, the direction of magnetization of the second magnetic layer 4 aligns with the direction of the recording magnetic field applied externally by means such as a permanent magnet (FIG. 8(f)), and as the cooling progresses further, the direction of magnetization of the second magnetic layer 4 aligns with the direction of the recording magnetic field applied from the outside by means such as a permanent magnet. The magnetization of M3 is aligned with the direction of magnetization of the second magnetic M4 (Figure 8
(g) ), Therefore, if the intensity of the laser beam is modulated,
The direction of magnetization of the second magnetic layer 4 can be freely reversed, making single beam overwriting possible. This method is described in, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 62-175948.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかし、上記従来例においては、第1磁性層3のキュリ
ー温度を第2磁性層4のキュリー温度よりも低くする必
要があったため、第1磁性層に光を照射した時に生じる
カー回転角を大きくできず、十分なC/N比が小さくな
るという問題があった。
However, in the above conventional example, since it was necessary to make the Curie temperature of the first magnetic layer 3 lower than the Curie temperature of the second magnetic layer 4, the Kerr rotation angle that occurs when the first magnetic layer is irradiated with light is increased. However, there was a problem in that the sufficient C/N ratio became small.

これは、C/N比とキュリー温度の間に第7図のような
関係があることによる。このことについては、例えば、
「第12回日本応用磁気学会学術講演概要集144頁」
で述べられている。
This is because there is a relationship between the C/N ratio and the Curie temperature as shown in FIG. Regarding this, for example,
"The 12th Japanese Society of Applied Magnetics Academic Lecture Summary Collection, page 144"
It is stated in

一方、第1磁性層3のキュリー温度を高くするためには
同時に第2磁性層4のキュリー温度を上げる必要がある
が、第2磁性層4のキュリー温度を高くしすぎると記録
感度が低下してしまう問題があった。
On the other hand, in order to raise the Curie temperature of the first magnetic layer 3, it is necessary to simultaneously raise the Curie temperature of the second magnetic layer 4, but if the Curie temperature of the second magnetic layer 4 is made too high, the recording sensitivity will decrease. There was a problem.

本発明の目的は、記録感度を低下させることなく、大き
なカー回転角を得ることのできる高C/N光磁気記録媒
体を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a high C/N magneto-optical recording medium that can obtain a large Kerr rotation angle without reducing recording sensitivity.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記目的を達成するために1本発明では次の手段を用い
た。
In order to achieve the above object, the present invention uses the following means.

1、室温で相対的に大きな保磁力を持つ第1磁性層3と
該第1磁性層3よりも室温で相対的に小さな保磁力を持
つ第2磁性層4とを基板1上に少なくとも備えたオーバ
ライト可能な光磁気記録媒体において、前記第1a性M
3のキュリー温度(Tax)が前記第2磁性層4のキュ
リー温度(Tcz)よりも高くなるようにした。すなわ
ち、Tax>Teaとなるようにした。
1. At least a first magnetic layer 3 having a relatively large coercive force at room temperature and a second magnetic layer 4 having a relatively smaller coercive force at room temperature than the first magnetic layer 3 are provided on the substrate 1. In the overwritable magneto-optical recording medium, the 1a property M
The Curie temperature (Tax) of No. 3 was set higher than the Curie temperature (Tcz) of the second magnetic layer 4. That is, it was made so that Tax>Tea.

これにより、前記第1磁性屑3のカー回転角が大きくな
るため記録した情報を再生する際の信号出力が向上し、
良好な記録再生性能を持ったオーバライト可能な光磁気
記録媒体を得ることができる。
As a result, the Kerr rotation angle of the first magnetic scrap 3 increases, so the signal output when reproducing recorded information is improved.
An overwritable magneto-optical recording medium with good recording and reproducing performance can be obtained.

2、情報のオーバライトに先立ち前記第2磁性層4の磁
化の方向を上向きあるいは下向きの一方向に揃えておく
こととした。
2. Prior to overwriting information, the direction of magnetization of the second magnetic layer 4 is aligned in one direction, either upward or downward.

これにより、以前に記録された磁化の方向に関係なく新
たな磁化情報を第2磁性層4に持たせることが可能とな
るため、オーバライトが可能となる。
This makes it possible to provide new magnetization information to the second magnetic layer 4 regardless of the direction of previously recorded magnetization, thus making overwriting possible.

3、前記光磁気記録媒体に対し小さな強度のレーザ光を
照射したときには前記第1磁性層3の磁化と前記第2磁
性W4の磁化が強く交換結合することによって前記第1
磁性層3の磁化の向きが、情報のオーバライトに先立ち
予め一方向に磁化された前記第2磁性層4の磁化と同じ
向きかあるいは逆向きの一方向に揃えられるようにした
。即ち、前記光磁気記録媒体に対し小さな強度のレーザ
光を照射したときには前記第1磁性y!93の磁化の方
向を以前に記録されていた情報とは関係なく一方向に揃
えることが可能になり、情報の消去が行われる。
3. When the magneto-optical recording medium is irradiated with a laser beam of low intensity, the magnetization of the first magnetic layer 3 and the magnetization of the second magnetic layer W4 are strongly exchange coupled, so that the first
The direction of magnetization of the magnetic layer 3 is aligned in one direction, which is the same or opposite to the magnetization of the second magnetic layer 4, which has been magnetized in one direction in advance before overwriting information. That is, when the magneto-optical recording medium is irradiated with a laser beam of low intensity, the first magnetic property y! It becomes possible to align the direction of magnetization of 93 in one direction regardless of previously recorded information, and information is erased.

4、前記光磁気記録媒体に対し大きな強度のレーザ光を
照射したときには前記第1磁性層3の磁化が外から印加
した記録磁界の方向と同じ向きかあるい逆向きでかつ前
記の小さな強度のレーザ光を照射したときに前記第1磁
性層3の磁化が揃えられる向きとは逆の向きに揃えられ
るようにした。
4. When the magneto-optical recording medium is irradiated with a high-intensity laser beam, the magnetization of the first magnetic layer 3 is in the same direction as or opposite to the direction of the externally applied recording magnetic field, and the low-intensity laser beam is The magnetization of the first magnetic layer 3 is aligned in the opposite direction to the direction in which the magnetization of the first magnetic layer 3 is aligned when laser light is irradiated.

このためには、記録磁界の方向を上向きあるいは下向き
のいずれか適当な向きに設定すれば良い。
For this purpose, the direction of the recording magnetic field may be set upward or downward as appropriate.

5、前記第1磁性層3にレーザ光を照射し、該レーザ光
の反射光の偏光状態が磁気光学効果によって変化するこ
とを利用して再生を行うこととした。この、磁気光学効
果とはカー効果、あるいはファラデー効果である。この
磁気光学効果の大きさは、前記第1磁性層3のキュリー
温度(Tc1)が高いほど大きくなるため、前記第1項
の手段を講じることにより磁気光学効果が大きくなり、
結果として、信号出力が増大する。
5. The first magnetic layer 3 is irradiated with a laser beam, and reproduction is performed by utilizing the fact that the polarization state of the reflected light of the laser beam changes due to the magneto-optic effect. This magneto-optical effect is the Kerr effect or the Faraday effect. Since the magnitude of this magneto-optic effect increases as the Curie temperature (Tc1) of the first magnetic layer 3 increases, the magneto-optic effect becomes larger by taking the above-mentioned means in item 1.
As a result, the signal power is increased.

即ち、信号品質が向上する。That is, signal quality is improved.

6、前記の、小さな強度のレーザ光を照射したときに前
記第1磁性層3及び前記第2磁性層4が到達する温度を
前記第1磁性層3のキュリー温度(Tcz)及び前記第
2磁性層4のキュリー温度(Tcz)よりも低くした。
6. The temperature that the first magnetic layer 3 and the second magnetic layer 4 reach when irradiated with the laser beam of low intensity is the Curie temperature (Tcz) of the first magnetic layer 3 and the second magnetic layer 3. The Curie temperature (Tcz) of layer 4 was lower than that of layer 4.

これにより、前記の、小さな強度のレーザ光を照射した
ときに前記第2磁性層4は該第2磁性層4のキュリー温
度(Tax)を越えないため、該第2磁性層4の磁化の
向きは前記の情報のオーバライトに先立ち前記第2磁性
層4の磁化の方向を揃えておいた向きのまま保たれる。
As a result, when the second magnetic layer 4 is irradiated with the laser beam of low intensity, the Curie temperature (Tax) of the second magnetic layer 4 is not exceeded, so that the direction of magnetization of the second magnetic layer 4 is changed. The directions of magnetization of the second magnetic layer 4 are maintained in the same direction before the information is overwritten.

従って、前記第1磁性層3の磁化が前記第2磁性層4の
磁化と強く交換結合することによって揃えられる前記第
1磁性層3の磁化の向きは、情報のオーバライトに先立
ち上向きあるいは下向きの一方向に揃えておいた前記第
2111性層4の磁化の向きと同じか逆向きかのいずれ
か1方向に揃えられる。従って、前記の小さな強度のレ
ーザ光の照射により、第1磁性層3の磁化の向きは、以
前に第1磁性層3に記録されていた情報と関係なく、上
向きあるいは下向きのいずれか1方向に揃えられる。
Therefore, the direction of the magnetization of the first magnetic layer 3, which is aligned by strong exchange coupling between the magnetization of the first magnetic layer 3 and the magnetization of the second magnetic layer 4, may be upward or downward prior to overwriting information. The magnetization is aligned in one direction, either the same or opposite to the magnetization direction of the 2111-th magnetic layer 4, which is aligned in one direction. Therefore, by irradiating the laser beam with a low intensity, the direction of magnetization of the first magnetic layer 3 is changed to either upward or downward, regardless of the information previously recorded in the first magnetic layer 3. It can be arranged.

7、前記の、大きな強度のレーザ光を照射したときに、
前記第1磁性層3及び前記第2磁性層4の到達する温度
を前記第2磁性層4のキュリー温度(T(!4)よりも
高くした。
7. When irradiated with the above-mentioned high-intensity laser light,
The temperatures reached by the first magnetic layer 3 and the second magnetic layer 4 were set higher than the Curie temperature (T(!4)) of the second magnetic layer 4.

これにより、大きな強度のレーザ光を照射したときには
、第2磁性層4の到達する温度は該第2磁性層4のキュ
リー温度(Tax)よりも高くなるため、前記第2磁性
層4は磁化を失い、前記第1磁性層3のみが記録磁界の
影響を受けることになる。従って、大きな強度のレーザ
光の照射により前記第1磁性層3の磁化を以前の磁化の
向きには関係なく上向きあるいは下向きのいずれかに設
定することができる。
As a result, when a high intensity laser beam is irradiated, the temperature reached by the second magnetic layer 4 becomes higher than the Curie temperature (Tax) of the second magnetic layer 4, so the second magnetic layer 4 loses its magnetization. Therefore, only the first magnetic layer 3 is affected by the recording magnetic field. Therefore, by irradiating the laser beam with high intensity, the magnetization of the first magnetic layer 3 can be set either upward or downward, regardless of the previous magnetization direction.

そこで、大きな強度のレーザ光を照射したときに第1磁
性層3が揃えられる磁化の向きと、小さな強度のレーザ
光を照射したときに第1磁性層3が揃えられる磁化の向
きが逆向きになるように記録磁界の向きを予め設定して
おくことにより前項の構成の光磁気記録媒体において、
オーバライトが可能になる。
Therefore, the direction of magnetization in which the first magnetic layer 3 is aligned when irradiated with a laser beam of high intensity is opposite to the direction of magnetization in which the first magnetic layer 3 is aligned when irradiated with a laser beam of low intensity. By setting the direction of the recording magnetic field in advance so that
Overwriting is possible.

8、前記の、大きな強度のレーザ光を照射した後、前記
第1磁性Jw3及び前記第2磁性層4の温度が下降する
際に前記第2磁性層4の磁化は前記第1磁性層3との交
換結合によって、前記第1磁性層3の磁化の向きと同じ
向きかあるい逆向きでかつ前記の情報のオーバライトに
先立ち前記第2磁性層4の磁化の方向を揃えておく向き
とは逆の向きに揃えられることとした。
8. After irradiating the laser beam with high intensity, the magnetization of the second magnetic layer 4 changes from that of the first magnetic layer 3 when the temperature of the first magnetic Jw 3 and the second magnetic layer 4 decreases. The direction in which the direction of magnetization of the second magnetic layer 4 is aligned in the same direction or opposite to the direction of magnetization of the first magnetic layer 3 and prior to overwriting the information by exchange coupling is I decided to align it in the opposite direction.

これにより、大きな強度のレーザ光を照射したときに記
録磁界の影響を受けて揃えられた前記第1磁性層3の磁
化の向きは、前記第1磁性層3及び前記第2磁性層4の
温度が下降して小さな強度のレーザ光を照射したときに
前記第1磁性層3及び前記第2磁性層4が到達する温度
になっても、前記第1磁性層3の磁化の向きは、小さな
強度のレーザ光を照射したときに揃えられる前記第1磁
性層3の磁化の向きとは逆向きのまま保たれる。
As a result, the direction of magnetization of the first magnetic layer 3, which is aligned under the influence of the recording magnetic field when irradiated with a laser beam of high intensity, is determined by the temperature of the first magnetic layer 3 and the second magnetic layer 4. Even if the temperature reaches the temperature that the first magnetic layer 3 and the second magnetic layer 4 reach when irradiated with a laser beam of low intensity as The direction of magnetization of the first magnetic layer 3, which is aligned when irradiated with laser light, is maintained in the opposite direction.

従って、大きな強度のレーザ光の照射により前記第1磁
性層3の磁化を以前の磁化の向きには関係なく上向きあ
るいは下向きのいずれかに設定することができ、オーバ
ライトが可能になる。
Therefore, by irradiating the laser beam with high intensity, the magnetization of the first magnetic layer 3 can be set either upward or downward, regardless of the previous magnetization direction, and overwriting becomes possible.

〔作用〕[Effect]

室温で高い保磁力(Hat)を有する第1磁性屑3と、
該第1磁性層3と磁気的に交換結合し室温で相対的に低
い保磁力(Hcz)を有する第2磁性層4を基板上に積
層してなる光磁気記録媒体を用い、情報の記録に先立ち
前記第2磁性層4の磁化の向きを上向きあるいは下向き
の一方向に予め揃えておき、前記光磁気記録媒体に対し
上向きあるいは下向きの記録磁界(Hw )を印加しつ
つ強度の高いレーザ光(PH)を照射した時に第1磁性
層3に上向きあるいは下向きの磁化を有するマークを形
成し、強度の低いレーザ光(PL)を照射したときには
他方の向きの磁化を有するマークを形成させることによ
ってオーバライト記録を行い、オーバライト記録された
情報を再生する際には前記第1磁性層3の側からレーザ
光を照射し、前記第1磁性層3の磁化のよって前記レー
ザ光が磁気光学効果を受は前記レーザ光の反射光の偏光
状態が変わることを利用する方法において、前記第1磁
性層3のキュリー温度(Tel>を前記第2磁性層4の
キュリー温度(T C1)よりも高くした。これにより
、前記第1磁性層3のキュリー温度を高くすることがで
きる。一方、キュリー温度が高いほどカー回転角は大き
くなる傾向にあるため、その結果として、信号出力(反
射光の偏光面の回転角)が増大し、第7図の実線で示し
たように高いCZN比のオーバライト可能な光磁気記録
方式及び光磁気記録媒体を得ることができる。
a first magnetic scrap 3 having a high coercive force (Hat) at room temperature;
A magneto-optical recording medium in which a second magnetic layer 4 which is magnetically exchange-coupled with the first magnetic layer 3 and has a relatively low coercive force (Hcz) at room temperature is laminated on a substrate is used to record information. First, the magnetization direction of the second magnetic layer 4 is aligned in one direction upward or downward, and a high intensity laser beam (Hw) is applied to the magneto-optical recording medium while applying an upward or downward recording magnetic field (Hw). By forming marks with upward or downward magnetization on the first magnetic layer 3 when irradiated with laser light (PH), and forming marks with magnetization in the other direction when irradiated with low-intensity laser light (PL), overlapping can be achieved. When performing write recording and reproducing overwritten information, a laser beam is irradiated from the first magnetic layer 3 side, and the laser beam produces a magneto-optic effect due to the magnetization of the first magnetic layer 3. Uke is a method that utilizes the change in the polarization state of reflected light of the laser beam, in which the Curie temperature (Tel) of the first magnetic layer 3 is made higher than the Curie temperature (TC1) of the second magnetic layer 4. This makes it possible to increase the Curie temperature of the first magnetic layer 3. On the other hand, since the higher the Curie temperature, the larger the Kerr rotation angle tends to be, as a result, the signal output (polarization plane of reflected light rotation angle) increases, and it is possible to obtain an overwritable magneto-optical recording system and magneto-optical recording medium with a high CZN ratio as shown by the solid line in FIG.

さらに、室温(T R)では、前記の磁気的な交換結合
は、前記第1a性層3と前記第2磁性層4が独立に磁化
される程度に比較的弱いものとし、かつ、前記の強度の
低いレーザ光(PL)を照射したときに前記第1磁性層
3と前記第2磁性層4が熱せられる温度(T t、)に
おいては、前記の磁気的な交換結合は、前記第1磁性層
3の磁化の向きが前記第2磁性層4の磁化の向きと揃え
られる程度に大きく、かつ、前記の強度の低いレーザ光
(P))を照射したときに前記第1磁性層3と前記第2
磁性層4が熱せられる湿度(To)は、前記第2磁性層
4のキュリー温度よりも高くなるようにすることにより
、前記光磁気記録媒体に対し室温で適当な大きさの初期
化磁界(HINI)を印加して第2磁性層4の磁化の向
きのみを一方向に揃えることができる、また、前記の強
度の低いレーザ光(PL)を照射したときに、前記第1
磁性屑3の磁化の向きを前記第2磁性層4の磁化の向き
と同じかあるいは逆向きに揃えることができる。さらに
、前記の強度の高いレーザ光(Po)を照射したときに
は、前記第一2磁性層4の温度(TH)がキュリー温度
(Tax)よりも高いため磁化が消失しており、このた
め、前記第1磁性層3の磁化の方向が記録磁界(Hw 
)の方向と揃えられる。従って、該記録磁界の向きを、
前記の強度の低いレーザ光(PL)を照射した際に前記
第1磁性層3の磁化が揃えられる向きと反対方向に設定
しておくことにより、強度の高いレーザ光(PH)を照
射した時に第1磁性層3に上向きあるいは下向きの磁化
を有するマークを形成し、強度の低いレーザ光(PL)
を照射したときには他方の向きの磁化を有するマークを
形成させることができる。即ちオーバライトが実現され
る。
Further, at room temperature (TR), the magnetic exchange coupling is relatively weak to the extent that the 1a magnetic layer 3 and the second magnetic layer 4 are independently magnetized, and At the temperature (T t,) at which the first magnetic layer 3 and the second magnetic layer 4 are heated when irradiated with a low laser beam (PL), the magnetic exchange coupling occurs between the first magnetic layer 3 and the second magnetic layer 4. The direction of magnetization of the layer 3 is large enough to be aligned with the direction of magnetization of the second magnetic layer 4, and when irradiated with the low-intensity laser light (P), the first magnetic layer 3 and the Second
By setting the humidity (To) at which the magnetic layer 4 is heated to be higher than the Curie temperature of the second magnetic layer 4, an initialization magnetic field (HINI) of an appropriate magnitude is applied to the magneto-optical recording medium at room temperature. ) can be applied to align only the direction of magnetization of the second magnetic layer 4 in one direction, and when irradiated with the low-intensity laser light (PL), the first
The direction of magnetization of the magnetic debris 3 can be aligned to be the same as or opposite to the direction of magnetization of the second magnetic layer 4. Further, when the high-intensity laser beam (Po) is irradiated, the temperature (TH) of the second magnetic layer 4 is higher than the Curie temperature (Tax), so the magnetization disappears. The direction of magnetization of the first magnetic layer 3 is determined by the recording magnetic field (Hw
) direction. Therefore, the direction of the recording magnetic field is
By setting the direction opposite to the direction in which the magnetization of the first magnetic layer 3 is aligned when irradiated with the low-intensity laser light (PL), when irradiated with the high-intensity laser light (PH), Marks having upward or downward magnetization are formed on the first magnetic layer 3, and low intensity laser light (PL) is applied to the first magnetic layer 3.
When irradiated with , it is possible to form a mark having magnetization in the other direction. That is, overwriting is realized.

〔実施例〕〔Example〕

以下に本発明の実施例を示しさらに詳細に説明する。 Examples of the present invention will be shown below and explained in more detail.

(実施例1) 第1図は、本発明の一実施例の記録媒体の積層構造を示
したものである。まず、トラッキング用の案内溝を設け
た5、25 インチ透明ガラス基板1を高周波マグネト
ロンスパッタ装置内に装填し、0 、1 m P a以
下に真空排気した後、ArとNzの混合ガスを導入し1
.3 P a のガス圧で、Siをターゲットとして反
応性スパッタを行い、誘電体層2として、SiNxを7
0nm積層する。その後T b F e Co合金ター
ゲットを用い、0.7P aのArガス圧でスパッタを
行い、第1磁性層3として遷移金属リッチのTbzzF
esxcoss非晶質合金薄膜を50nm積層する0次
にT b D y F e C。
(Example 1) FIG. 1 shows a laminated structure of a recording medium according to an example of the present invention. First, a 5.25-inch transparent glass substrate 1 provided with a guide groove for tracking was loaded into a high-frequency magnetron sputtering device, and after evacuation to below 0.1 mPa, a mixed gas of Ar and Nz was introduced. 1
.. Reactive sputtering was performed using Si as a target at a gas pressure of 3 P a to form a dielectric layer 2 of 7
0 nm layered. Thereafter, sputtering was performed using a T b Fe Co alloy target at an Ar gas pressure of 0.7 Pa, and transition metal-rich TbzzF was formed as the first magnetic layer 3.
Zero-order TbDyFeC with 50nm stacked esxcoss amorphous alloy thin films.

合金ターゲットを同じ(Q、7 P a  のArガス
圧でスパッタし、第2磁性層4として希土類リッチのT
bzaDyzaFesoCoa非晶質合金薄膜を110
0n積層する。このようにして積層された第1磁性層3
と第2磁性層4は、互いに磁気的に交換結合している0
次に再び0 、1 m P a 以下に真空排気した後
、ArガスとN2ガスの混合ガスを導入し、1.3Pa
  のガス圧で、Siをターゲットとして反応性スパッ
タを行い、保護層5としてSiNxを1100n積層し
た。
The alloy target was sputtered at the same Ar gas pressure (Q, 7 Pa), and rare earth-rich T was sputtered as the second magnetic layer 4.
bzaDyzaFesoCoa amorphous alloy thin film 110
Laminate 0n. The first magnetic layer 3 laminated in this way
and the second magnetic layer 4 are magnetically exchange coupled to each other.
Next, after evacuation to below 0.1 mPa, a mixed gas of Ar gas and N2 gas was introduced, and the pressure was reduced to 1.3 Pa.
Reactive sputtering was performed using Si as a target at a gas pressure of 1,100 nm to form a protective layer 5 of SiNx.

本実施例においては、第1磁性層3のキュリー温度(T
cx)は300℃であり、第2磁性層4のキュリー温度
(Tcz)は250℃である。また室温では、第2磁性
層4の保磁力(3kOe)は、第1磁性層3の保磁力(
10kOe)よりも小さくしてあり(第4図(、) )
 、また、交換結合力も差はど大きくない、また、本発
明の実施例で用いている第1磁性層3及び第2磁性層4
は希土類遷移金属非晶質合金膜であるため、各層の磁化
の向きは互いに逆向きに結合した希土類のモーメントと
遷移金属のモーメントのどちらが多いかによって、その
向きが変わる。そのため、希土類のモーメントが多いも
のを希土類リッチ、遷移金属が多いものを遷移金属リッ
チと呼んで区別している。
In this embodiment, the Curie temperature (T
cx) is 300°C, and the Curie temperature (Tcz) of the second magnetic layer 4 is 250°C. Furthermore, at room temperature, the coercive force (3 kOe) of the second magnetic layer 4 is equal to the coercive force (3 kOe) of the first magnetic layer 3.
10kOe) (Figure 4 (, ))
Moreover, the difference in exchange coupling force is not very large, and the first magnetic layer 3 and the second magnetic layer 4 used in the embodiment of the present invention
Since is a rare earth transition metal amorphous alloy film, the direction of magnetization of each layer changes depending on whether there is more moment of rare earth or transition metal coupled in opposite directions. Therefore, materials with a large amount of rare earth moments are called rare earth-rich, and materials with a large amount of transition metal are called transition metal-rich.

一般に希土類リッチのものは高温では遷移金属リッチに
変わるものが多い、以下、オーバライトの機構について
第6図を用いて詳細に説明する。
In general, rare earth-rich materials often change to transition metal-rich materials at high temperatures.The overwriting mechanism will be explained in detail below using FIG. 6.

第6図(a)、(b)に示したように室温で永久磁石な
どにより初期化磁界(HILf)を印加するだけで、第
2磁性層4のみの磁化を一方向に揃えることができる。
As shown in FIGS. 6(a) and 6(b), the magnetization of only the second magnetic layer 4 can be aligned in one direction by simply applying an initializing magnetic field (HILf) using a permanent magnet or the like at room temperature.

ここで第2磁性層4は希土類リッチ組成であるため、室
温では磁化の方向と遷移金属モーメントの向きは逆にな
っている。このような記録媒体に対し比較的小さな強度
のレーザ光(PL)を照射したときの温度(T t、)
では交換結合により第1磁性層3の遷移金属のモーメン
トが第2磁性層4の遷移金属モーメントの向きと同じ向
きに揃う(第6図(d))、また、比較的強度の大きな
レーザ光(PH)を照射すると第2磁性層4の温度(T
H)がキュリー温度(Tcz)を越エルため、第1磁性
層4の磁化の向き(遷移金属モーメントの向き)は永久
磁石などにより外部から印加した磁界の向きと揃う(第
6図(f))。その後、冷却過程で、第2磁性M4の磁
化(遷移金属モーメント)の向きは第1磁性層の磁化(
遷移金属モーメント)の向きと揃い(第6図(e))、
さらに温度が下がって比較的小さな強度のレーザ光(P
t、)を照射したときと同じ温度になっても磁化の向き
はそのままである(第6図(C))、従って、レーザ光
の強度を変調することにより、単一のビームでオーバラ
イトを行うことが可能となっている。
Here, since the second magnetic layer 4 has a rare earth-rich composition, the direction of magnetization and the direction of the transition metal moment are opposite at room temperature. The temperature (T t,) when such a recording medium is irradiated with a laser beam (PL) of relatively low intensity
Then, due to exchange coupling, the moment of the transition metal in the first magnetic layer 3 is aligned in the same direction as the moment of the transition metal in the second magnetic layer 4 (Fig. 6(d)). PH), the temperature of the second magnetic layer 4 (T
Since H) exceeds the Curie temperature (Tcz), the direction of magnetization (direction of transition metal moment) of the first magnetic layer 4 is aligned with the direction of the magnetic field applied from the outside by a permanent magnet or the like (Fig. 6(f)). ). Thereafter, during the cooling process, the direction of the magnetization (transition metal moment) of the second magnetic layer M4 changes from the direction of the magnetization (transition metal moment) of the first magnetic layer (
(transition metal moment) and alignment (Fig. 6(e)),
As the temperature further decreases, the laser beam (P
The direction of magnetization remains the same even if the temperature reaches the same temperature as when the laser beam was irradiated (Fig. 6 (C)). Therefore, by modulating the intensity of the laser beam, overwriting can be performed with a single beam. It is possible to do so.

本実施例の光磁気記録媒体を用いて記録再生特性を調べ
たところ、第7図に示したように記録マーク長5pmで
C/N比62dBを得た。
When the recording and reproducing characteristics of the magneto-optical recording medium of this example were investigated, a C/N ratio of 62 dB was obtained at a recording mark length of 5 pm, as shown in FIG.

また、5インチ3600 rpm最外周での記録に必要
なレーザパワーは約14mWであった。
Further, the laser power required for recording at the outermost circumference of a 5 inch 3600 rpm was about 14 mW.

(実施例2) 第1図に示したように、まず、トラッキング用の案内溝
を設けた5、25 インチ透明ガラス基板1を高周波マ
グネトロンスパッタ装置内に装填し、0.1mPa 以
下の高真空まで真空排気した後、ArガスとN2ガスの
混合ガスを導入し、1.3Paのガス圧でSiターゲッ
トを用いて反応性スパッタを行い、誘電体層2として、
SiNxを80nm積層する。その後T b F e 
Co合金ターゲットを用い、0.7Pa  のArガス
圧でスパッタを行い、第1磁性層3としてT bxa 
F e8x、 G o t。
(Example 2) As shown in Fig. 1, first, a 5.25-inch transparent glass substrate 1 provided with a guide groove for tracking was loaded into a high-frequency magnetron sputtering device, and the temperature was increased to a high vacuum of 0.1 mPa or less. After evacuation, a mixed gas of Ar gas and N2 gas was introduced, and reactive sputtering was performed using a Si target at a gas pressure of 1.3 Pa to form the dielectric layer 2.
Layer SiNx to a thickness of 80 nm. Then T b Fe
Sputtering was performed using a Co alloy target at an Ar gas pressure of 0.7 Pa to form the first magnetic layer 3 with T bxa
Fe8x, Got.

非晶質合金薄膜を22nm積層する0次に、T b D
 y F e Co合金ターゲットを、同じ<o、7P
aのArガス圧でスパッタし、第2磁性層4としてTb
z7DyzsFeeocoa非晶質合金薄膜を55nm
積層する。このようにして積層された第1磁性層3と第
2a性層4は、互いに磁気的に交換結合している1次に
、再び0.1mPa 以下に真空排気した後、Arガス
とNxガスの混合ガスを導入し1.3Pa  のガス圧
で、Siをターゲットとして反応性スパッタを行い、保
護層5としてSiNxを1100n積層した。
0-order stacking of 22 nm amorphous alloy thin film, T b D
y F e Co alloy target with the same <o, 7P
Tb is sputtered at an Ar gas pressure of a to form the second magnetic layer 4.
z7DyzsFeeocoa amorphous alloy thin film 55nm
Laminate. The first magnetic layer 3 and the second a-magnetic layer 4 laminated in this way are magnetically exchange-coupled with each other, and after being evacuated to 0.1 mPa or less, Ar gas and Nx gas are removed. A mixed gas was introduced and reactive sputtering was performed using Si as a target at a gas pressure of 1.3 Pa, and 1100 nm of SiNx was deposited as a protective layer 5.

本実施例においても、実施例1と同様に記録媒体7を単
一ビームオーバライト媒体として用いている。
In this embodiment as well, the recording medium 7 is used as a single beam overwrite medium, as in the first embodiment.

本実施例においては、第Xi性層3のキュリー温度(T
c1)は300℃であり、第2磁性層4のキュリー温度
(Tax)は250’Cである。また室温では、第2磁
性層4の保磁力(3kOe)は、第1磁性M43の保磁
力(8kOe)よりも小さくしである。その磁気特性は
第4図(b)に示したように両者共希土類リッチ組成と
した。2層間の交換結合力は差はど大きくない。
In this example, the Curie temperature (T
c1) is 300°C, and the Curie temperature (Tax) of the second magnetic layer 4 is 250'C. Further, at room temperature, the coercive force (3 kOe) of the second magnetic layer 4 is smaller than the coercive force (8 kOe) of the first magnetic M43. As for their magnetic properties, as shown in FIG. 4(b), both had rare earth-rich compositions. The difference in exchange coupling force between the two layers is not very large.

この膜についても実施例1と同様にオーバライトを行う
ことができた。
This film could also be overwritten in the same manner as in Example 1.

C/N比は約60dBと実施例1のものよりも劣るが、
従来のオーバライト可能な光磁気記録媒体CC/N57
dB)と比べると第1磁性層のキュリー温度が高くなっ
た分だけ大きい。
Although the C/N ratio is about 60 dB, which is inferior to that of Example 1,
Conventional overwritable magneto-optical recording medium CC/N57
dB), it is larger due to the higher Curie temperature of the first magnetic layer.

また、全体の記録膜厚を薄くしたため、記録感度は5イ
ンチ3600rpm最外周で8mWと大きく向辷してい
る。
Furthermore, since the overall recording film thickness was made thinner, the recording sensitivity was greatly improved to 8 mW at the outermost circumference at 5 inches and 3600 rpm.

(実施例3) 第9図は、本発明の一実施例の積層構造を示したもので
ある。まず、トラッキング用の案内溝を設けた5、25
 インチ透明ガラス基板1を高周波マグネトロンスパッ
タ装置内に装填し、0.1mPa以下に真空排気した後
、ArガスとNxガスの混合ガスを導入し、1.3Pa
  のガス圧で、Siをターゲットとして反応性スパッ
タを行い、誘電体層2として、S i N xを70n
m積層する。
(Example 3) FIG. 9 shows a laminated structure of an example of the present invention. First, 5, 25 with a guide groove for tracking
After loading the inch transparent glass substrate 1 into a high-frequency magnetron sputtering device and evacuation to 0.1 mPa or less, a mixed gas of Ar gas and Nx gas was introduced, and the pressure was 1.3 Pa.
Reactive sputtering was performed using Si as a target at a gas pressure of
m layers.

その後T b F e Co合金ターゲットを用い、0
.7PaのArガス圧でスパッタを行い、第1磁性層3
として、TbzzFeIIsCozz非晶質合金薄膜を
20nm積層する0次に、TbDyFeCo合金ターゲ
ットを同じ< 0.7 P a  のArガス圧でスパ
ッタして、第2磁性層4として T bxoD yxxF esac 010非晶質合金
薄膜を35nm積層する。このようにして積層された第
1磁性層3と第2磁性層4は、互いに磁気的に交換結合
している1次に再び0.1mPa 以下に真空排気した
後、ArガスとNzガスの混合ガスを導入し、1.3 
P a  のガス圧で、Siをターゲットとして反応性
スパッタを行い、保護M5としてSiNxを40nm積
層する。さらに、AfiTi合金ターゲットを用いて0
.7Pa  のArガス圧でスパッタを行い、金属層6
としてA Q T i xを60nmMMした。
After that, using a T b Fe Co alloy target, 0
.. Sputtering is performed at an Ar gas pressure of 7 Pa to form the first magnetic layer 3.
As the second magnetic layer 4, a 20 nm thick TbzzFeIIsCozz amorphous alloy thin film is deposited. Next, a TbDyFeCo alloy target is sputtered at the same Ar gas pressure of <0.7 Pa to form a TbxoDyxxF esac 010 amorphous film as the second magnetic layer 4. A 35 nm thick alloy thin film is laminated. The first magnetic layer 3 and the second magnetic layer 4 thus laminated are magnetically exchange-coupled with each other. After the primary layer is again evacuated to 0.1 mPa or less, a mixture of Ar gas and Nz gas is applied. Introduce gas, 1.3
At a gas pressure of P a , reactive sputtering is performed using Si as a target, and SiNx is deposited to a thickness of 40 nm as a protection layer M5. Furthermore, using an AfiTi alloy target, 0
.. Sputtering is performed at an Ar gas pressure of 7 Pa to form a metal layer 6.
AQTix was 60nmMM.

この金属層7は1反射層としてカー回転角を光学的な干
渉効果により増大させる働きと、熱拡散層として記録膜
が極端な高温にさらされるのを防ぎ、書き換え回数を向
上させる働きをあわせ持つ。
This metal layer 7 serves both as a reflective layer to increase the Kerr rotation angle through optical interference effects, and as a heat diffusion layer to prevent the recording film from being exposed to extremely high temperatures and increase the number of rewrites. .

本実施例においては、第1磁性層3のキュリー温度(T
CI)は320℃であり、第2磁性層4のキュリー温度
(TOりは270℃である。また室温では、第2磁性層
4の保磁力(4kOe)は。
In this embodiment, the Curie temperature (T
CI) is 320° C., and the Curie temperature (TO) of the second magnetic layer 4 is 270° C. At room temperature, the coercive force (4 kOe) of the second magnetic layer 4 is.

第1磁性層3の保磁力(12koe)よりも小さくしで
ある。第4図(a)のように第1磁性層3は遷移金属リ
ッチ組成、第2磁性M4は希土類リッチ組成である。
This is smaller than the coercive force (12 koe) of the first magnetic layer 3. As shown in FIG. 4(a), the first magnetic layer 3 has a transition metal-rich composition, and the second magnetic layer M4 has a rare earth-rich composition.

本実施例においても、オーバライトが可能であることは
前記2つの実施例と同様である0本実施例では、記録マ
ーク長5μmでC/N比64dBと実施例1よりもさら
に良好なC/N比が得られている。
In this embodiment, overwriting is possible as well as in the above two embodiments. In this embodiment, the C/N ratio is 64 dB at a recording mark length of 5 μm, which is even better than in the first embodiment. The N ratio has been obtained.

本発明の媒体の構成は以上の例に限られるものではない
6例えば。
The structure of the medium of the present invention is not limited to the above example.

(1)誘電体層2や保護層5として1例えば。(1) For example, 1 as the dielectric layer 2 or the protective layer 5.

SiOx、AJNx、5iAQON、Zn5x。SiOx, AJNx, 5iAQON, Zn5x.

ZrOx等を用いる。ZrOx or the like is used.

(2)第1磁性層3や第2磁性層4として、Gd。(2) Gd as the first magnetic layer 3 and the second magnetic layer 4.

Tb、Nd、、Dy、Pr、Sm等の希土類とFe、G
o、Ni、Cr等の遷移金属との合金を用いる。耐食性
を向上させるために、Nb。
Rare earths such as Tb, Nd, Dy, Pr, Sm and Fe, G
An alloy with a transition metal such as O, Ni, or Cr is used. Nb to improve corrosion resistance.

Ti、Pt、Cr、Ta、Ni等を添加しても良い。Ti, Pt, Cr, Ta, Ni, etc. may be added.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明を用いることにより、記録感度を低下させること
なく大きなカー回転角を得ることのできるオーバライト
可能な高C/N光磁気記録媒体を得ることができる。
By using the present invention, it is possible to obtain an overwritable high C/N magneto-optical recording medium that can obtain a large Kerr rotation angle without reducing recording sensitivity.

記録層並びに再生層である第1磁性層3のキュリー温度
を高くすることができるからである。
This is because the Curie temperature of the first magnetic layer 3, which is a recording layer and a reproduction layer, can be increased.

般にキュリー温度が高いほどカー回転角は大きくなるこ
とによる。
Generally speaking, the higher the Curie temperature, the larger the Kerr rotation angle.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1v4、第2図及び第9図は本発明の光磁気記録媒体
の断面構造図、第3図は従来の光磁気記録媒体の断面構
造図、第4図は本発明の光磁気記録媒体の第1磁性層及
び第2磁性層の磁気特性を表す図、第5図は従来の光磁
気記録媒体の第1磁性層及び第2磁性層の磁気特性を表
す図、第6図及び第7図は本発明の原理説明図、第8図
は従来のオーバライト方式の原理説明図である。 1・・・基板、2・・・誘電体層、3・・・第1磁性層
、4・・・第2磁性層、5・・・保護層、6・・・遷移
金属モーメントの向き、7・・・金属層、8a、8b・
・・磁化の向き。 9・・・初期化磁界の向き、10・・・記録磁界の向き
。 寓 図 図 菓 3 図 第 図 冨 図 温浸 第 凹 キュソーA五度 鷺 図 篤 ざ 図
1v4, FIG. 2, and FIG. 9 are cross-sectional structural diagrams of the magneto-optical recording medium of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional structural diagram of the conventional magneto-optical recording medium, and FIG. A diagram showing the magnetic properties of the first magnetic layer and the second magnetic layer, FIG. 5 is a diagram showing the magnetic properties of the first magnetic layer and the second magnetic layer of a conventional magneto-optical recording medium, FIGS. 6 and 7 8 is a diagram explaining the principle of the present invention, and FIG. 8 is a diagram explaining the principle of the conventional overwrite method. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Substrate, 2... Dielectric layer, 3... First magnetic layer, 4... Second magnetic layer, 5... Protective layer, 6... Direction of transition metal moment, 7 ... Metal layer, 8a, 8b.
...Direction of magnetization. 9... Direction of initializing magnetic field, 10... Direction of recording magnetic field. Fig. 3 Fig. 3. Fig. 3. Fig. 3. Fig. 3. Fig. 3. Fig. 3. Fig. 3.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、室温で相対的に大きな保磁力を持つ第1磁性層と該
第1磁性層よりも室温で相対的に小さな保磁力を持つ第
2磁性層とを基板上に少なくとも備えたオーバライト可
能な光磁気記録媒体において、前記第1磁性層のキュリ
ー温度が前記第2磁性層のキュリー温度よりも高いこと
を特徴とするオーバライト可能な光磁気記録媒体。 2、情報のオーバライトに先立ち、前記第2磁性層の磁
化の方向を上向きあるいは下向きの一方向に揃えておく
ことを特徴とする請求項1記載のオーバライト可能な光
磁気記録媒体。 3、前記光磁気記録媒体に対し小さな強度のレーザ光を
照射したときには前記第1磁性層の磁化と前記第2磁性
層の磁化が強く交換結合することによって前記第1磁性
層の磁化の向きが前記第2磁性層の磁化と同じ向きかあ
るいは逆向きの一方向に揃えられることを特徴とする請
求項2記載のオーバライト可能な光磁気記録媒体。 4、前記光磁気記録媒体に対し大きな強度のレーザ光を
照射したときには前記第1磁性層の磁化が外から印加し
た記録磁界の方向と同じ向きかあるいは逆向きでかつ前
記の小さな強度のレーザ光を照射したときには前記第1
磁性層の磁化が揃えられる向きとは逆の向きに揃えられ
ることを特徴とする請求項3記載のオーバライト可能な
光磁気記録媒体。 5、前記第1磁性層にレーザ光を照射し、該レーザ光の
反射光の偏光状態が磁気光学効果によって変化すること
を利用して再生を行うことを特徴とする特許請求の範囲
第1項乃至4項に記載のオーバライト可能な光磁気記録
媒体。 6、前記小さな強度のレーザ光を照射したときに前記第
1磁性層及び前記第2磁性層が到達する温度は前記第1
磁性層のキュリー温度及び前記第2磁性層のキュリー温
度よりも低いことを特徴とする請求項1〜5のいずれか
に記載のオーバライト可能な光磁気記録媒体。 7、前記大きな強度のレーザ光を照射したときに、前記
第1磁性層及び前記第2磁性層の到達する温度は前記第
2磁性層のキュリー温度よりも高いことを特徴とする請
求項1〜6のいずれかに記載のオーバライト可能な光磁
気記録媒体。 8、前記大きな強度のレーザ光を照射した後、前記第1
磁性層及び前記第2磁性層の温度が下降する際に前記第
2磁性層の磁化は前記第1磁性層との交換結合によって
、前記第1磁性層の磁化の向きと同じ向きかあるいは逆
向きで、かつ前記の情報のオーバライトに先立ち前記第
2磁性層の磁化の方向を揃えておく向きとは逆の向きに
揃えられることを特徴とする請求項2〜8のいずれかに
記載のオーバライト可能な光磁気記録媒体。
[Claims] 1. At least a first magnetic layer having a relatively large coercive force at room temperature and a second magnetic layer having a relatively smaller coercive force at room temperature than the first magnetic layer are formed on a substrate. An overwritable magneto-optical recording medium comprising: a Curie temperature of the first magnetic layer is higher than a Curie temperature of the second magnetic layer. 2. The overwritable magneto-optical recording medium according to claim 1, characterized in that, prior to overwriting information, the direction of magnetization of the second magnetic layer is aligned in one direction, either upward or downward. 3. When the magneto-optical recording medium is irradiated with a laser beam of low intensity, the magnetization of the first magnetic layer and the magnetization of the second magnetic layer are strongly exchange coupled, so that the direction of the magnetization of the first magnetic layer is changed. 3. The overwritable magneto-optical recording medium according to claim 2, wherein the magnetization of the second magnetic layer is aligned in the same direction as or in the opposite direction. 4. When the magneto-optical recording medium is irradiated with a laser beam of high intensity, the magnetization of the first magnetic layer is in the same direction as or opposite to the direction of the externally applied recording magnetic field, and the laser beam of low intensity is irradiated. When irradiating the first
4. The overwritable magneto-optical recording medium according to claim 3, wherein the magnetization of the magnetic layer is aligned in a direction opposite to the direction in which the magnetization is aligned. 5. Reproduction is performed by irradiating the first magnetic layer with a laser beam and utilizing the fact that the polarization state of the reflected light of the laser beam changes due to a magneto-optical effect. The overwritable magneto-optical recording medium according to items 4 to 4. 6. The temperature that the first magnetic layer and the second magnetic layer reach when irradiated with the low-intensity laser light is
6. The overwritable magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the Curie temperature of the magnetic layer is lower than the Curie temperature of the second magnetic layer. 7. The first magnetic layer and the second magnetic layer reach a temperature higher than the Curie temperature of the second magnetic layer when irradiated with the high-intensity laser light. 6. The overwritable magneto-optical recording medium according to any one of 6. 8. After irradiating the high intensity laser beam, the first
When the temperature of the magnetic layer and the second magnetic layer decreases, the magnetization of the second magnetic layer changes in the same direction as or in the opposite direction to that of the first magnetic layer due to exchange coupling with the first magnetic layer. 9. The overwrite according to claim 2, wherein the magnetization direction of the second magnetic layer is aligned in a direction opposite to the direction in which the magnetization direction of the second magnetic layer is aligned prior to overwriting the information. A writable magneto-optical recording medium.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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