JPH0319048A - Processor capable of extension of memory - Google Patents

Processor capable of extension of memory

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Publication number
JPH0319048A
JPH0319048A JP15486289A JP15486289A JPH0319048A JP H0319048 A JPH0319048 A JP H0319048A JP 15486289 A JP15486289 A JP 15486289A JP 15486289 A JP15486289 A JP 15486289A JP H0319048 A JPH0319048 A JP H0319048A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
memories
connectors
connector
line
Prior art date
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Pending
Application number
JP15486289A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yutaka Asai
豊 浅井
Takashi Aramaki
荒巻 隆志
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP15486289A priority Critical patent/JPH0319048A/en
Publication of JPH0319048A publication Critical patent/JPH0319048A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To accurately designate addresses for prevention of misoperation and at the same time to eliminate the operating complicacy by detecting the connectors connected with memories and selecting the extended memories to successively designate the addresses to these memories. CONSTITUTION:The memories M1 - M3 to be extended are connected to the optional one of connectors CN1 - CN3. The detection means a1, a2 and a3 detect the connectors CN1 - CN3 to which the memories M1 - M3 are extended. Thus a processing means 12 selects the extended memories M1 - M3 to successively designate the addresses to these memories. Then the means 12 performs at least a reading or writing operation to the memories M1 - M3 to give accesses to them and carries out the processing operations. Therefore an address is accurately designated to each memory when the memories M1 - M3 are connected to the optional one of connectors CN1 - CN3. As a result, an accurate address is automatically designated and no malfunction is produced at all.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、メモリを増設することができるようにした処
理装置に関し、もっと詳しくは、たとえば技術者向はコ
ンピュータ(Engneering WorkStat
ion、略称EWS )およびオフィスオートメーショ
ン(略′#OA)プロセッサなどにおいて、ユーザが使
用する用途によってメモリ容量を増やすことができるよ
うにした処理装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a processing device with an expandable memory.
The present invention relates to a processing device in which the memory capacity can be increased depending on the purpose used by the user, such as in ion (abbreviated as EWS) and office automation (abbreviated as OA) processors.

従来の技術 典型的な先行技術は、第4図に示されている。Conventional technology A typical prior art is shown in FIG.

処理装置本体1には処理回路2が備えられ、メモリ制御
回路3にライン4を介してアドレス信号を導出する。こ
のメモリ制御回路3には、ライン5を介して基本メモリ
MIOが接続されている。この処理装置1にはまた、複
数のコネクタCN 11−CN13が接続され、メモリ
制御回路3にはライン6.7.8を介してアドレス指定
信号が導出される。コネクタCN11〜CN13には、
増設されるべきメモリMll〜M13が選択的に着脱可
能にして接続される。メモリMIO〜M 13は同一の
構成を有する。コネ・フタCN 11〜CNl3には、
順番を付けて、若い番号から順にメモリMll〜M 1
3を設置する。メモリM 10〜M13のメモリ容量を
たとえば4メガバイトとするとき、メモリMll〜M1
3を増設することによって、最大16メガバイトまで容
量を増加することができる。処理回路2から第1表に示
されるアドレス0〜4A−1が導出されるとき、ライン
5〜8には、4メガバイト分ずつのアドレスが与えられ
る。このとき、A=4メガバイトである。
The processing device main body 1 is equipped with a processing circuit 2, which outputs an address signal to a memory control circuit 3 via a line 4. A basic memory MIO is connected to this memory control circuit 3 via a line 5. A plurality of connectors CN 11-CN13 are also connected to the processing device 1, and addressing signals are led to the memory control circuit 3 via lines 6.7.8. Connectors CN11 to CN13 have
The memories Mll to M13 to be added are selectively removably connected. Memories MIO to M13 have the same configuration. For the connector/lid CN11 to CNl3,
Memory Mll to M1 in order starting from the lowest number
Install 3. When the memory capacity of the memories M10 to M13 is, for example, 4 megabytes, the memories Mll to M1
By adding 3, the capacity can be increased to a maximum of 16 megabytes. When addresses 0 to 4A-1 shown in Table 1 are derived from processing circuit 2, lines 5 to 8 are given addresses of 4 megabytes each. At this time, A=4 megabytes.

第  1  表 このような第4図に示される先行技術では、処理回路2
からライン5.6,7.8に導出されるアドレスは、第
1表のように固定的である。したがってたとえばメモリ
を1枚だけ増設するには、そのメモリM 11をコネク
タCNIIに挿入して接続しなければならず、また2枚
目のメモリM12を用いるときにはコネクタCN12に
接続しなければならず、以下同様にして、コネクタCN
11〜CN13にこの順序でメモリMll〜M13を順
次的に挿入して接続して増設する必要がある。
Table 1 In the prior art shown in FIG. 4, the processing circuit 2
The addresses derived from lines 5.6 and 7.8 are fixed as shown in Table 1. Therefore, for example, to add just one memory, the memory M11 must be inserted and connected to the connector CNII, and when using the second memory M12, it must be connected to the connector CN12. Similarly, connector CN
It is necessary to expand the memories by sequentially inserting and connecting the memories Mll to M13 to CN11 to CN13 in this order.

したがってこのような第4図に示される先行技術では、
増設すべきメモリM 11〜M13をコネクタCNll
−CN13に正しい順序で挿入して接続しなければなら
ないので、出荷時や補修サービス時に誤りを生じやすい
Therefore, in the prior art shown in FIG. 4,
Connect the memory M11 to M13 to connector CNll to be expanded.
- Since they must be inserted and connected to the CN13 in the correct order, errors are likely to occur during shipping or repair service.

他の先行技術は第5(21に示されており、対応する部
分には同一の参照符を付す、この先行技術では、コネク
タCN11〜CN13に増設すべきメモリMll〜M1
3を挿入して接続する順番は、任意でよいけれども、処
理回路2からライン4を介して導出されるアドレス信号
が増設されたメモリMll〜M13に与えられてアクセ
スが行われるようにするために、メモリ制御回路3とコ
ネクタCN11〜CN13との間にスイッチ回路9を介
在して各スイッチ9a、9b、9cの接続状弓を変えな
ければならない。
Another prior art is shown in No. 5 (21), and corresponding parts are given the same reference numerals. In this prior art, memories Mll to M1 to be added to connectors CN11 to CN13
3 may be inserted and connected in any order, but in order to ensure that the address signal derived from the processing circuit 2 via the line 4 is given to the additional memories Mll to M13 and access is performed. , a switch circuit 9 must be interposed between the memory control circuit 3 and the connectors CN11 to CN13 to change the connections of the switches 9a, 9b, and 9c.

発明が解決すべき課題 このような第5図に示されている先行技術では、メモリ
Mll、M12のき計2枚のメモリを増設する際には、
スイッチ回路9のスイッチ9a、9bのスイッチング状
態を設定して、それらの増設されたメモリMl 1.M
12が正確にアドレス指定されるように操作しなければ
ならない、したがってそのスイッチ回路9の操作が必要
であり、その操作を誤るおそれが生じる。
Problems to be Solved by the Invention In the prior art shown in FIG. 5, when adding a total of two memories, Mll and M12,
1. Set the switching states of the switches 9a and 9b of the switch circuit 9, and set the added memory Ml. M
12 must be operated in such a way that it is addressed correctly, therefore, the switch circuit 9 must be operated, and there is a risk of erroneous operation.

本発明の目的は、メモリが増設される際に、アドレス指
定を正確に行うことができるようにして、その増設され
たメモリを正確にアクセスすることができるようにした
メモリを増設可能な処理装置を提供することである。
An object of the present invention is to provide a processing device capable of expanding memory, which enables accurate address specification when memory is expanded, and enables accurate access to the expanded memory. The goal is to provide the following.

課題を解決するための手段 本発明は、複数のコネクタと、 各コネクタにメモリが接続されて増設されたことを検出
する検出手段と、 検出手段の出力に応答して、増設されたメモリを選択し
て順次的にアドレス指定して読出し/書込みを行なって
処理動作をする手段とを含むことを特徴とするメモリを
増設可能な処理装置である。
Means for Solving the Problems The present invention includes a plurality of connectors, a detecting means for detecting that memory is connected to each connector and added, and selecting the added memory in response to the output of the detecting means. This is a processing device capable of adding a memory, characterized in that it includes means for performing processing operations by sequentially specifying addresses and performing read/write operations.

作  用 本発明に従えば、複数のコネクタの任意のコネク゛りに
、増設すべきメモリを接続する。検出手段はメモリが増
設されたコネクタを検出し、これによって処理手段は、
増設されたメモリを選択して順次的にアドレス指定し、
その増設されたメモリの読出しおよび書込みの少なくと
もいずれか一方を行なってアクセスを行い、処理動ft
Eを行う、したがってメモリを任意のコネクタに接続す
れば、各メモリが正確にアドレス指定されて使用される
ので、正確なアドレス指定が自動的に可能である。
Function According to the present invention, the memory to be added is connected to any one of the plurality of connectors. The detection means detects the connector with additional memory, and the processing means thereby
Select the added memory and address it sequentially,
The expanded memory is accessed by reading and/or writing, and processing operations are performed.
Correct addressing is automatically possible since each memory is correctly addressed and used when E is done, thus connecting the memory to any connector.

これによって誤動作を生じることがなく、たとえば出荷
時および補集サービス時などにおける誤動作を生じるお
それがない。
This prevents malfunctions, and there is no risk of malfunctions occurring, for example, during shipping or collection service.

実ItA例 第1図は、本発明の一実施例のブロック図である。たと
えばEWSおよびOAプロセッサなどの処理装置11に
は、マイクロコンピュータなどによって実現される処理
回路12が備えられ、ここでライン13を介してアドレ
ス指定信号が導出される。この処理装置11には、コネ
クタCNI〜CN3が設けられており、各コネクタCN
I〜CN3には増設すべきメモリM1〜M3が接続され
る、各メモリM1〜M3は必要な数だけ、任意のコネク
タCNI〜CN3に挿入して接続し、このとき接続され
て増設されたメモリM1〜M3が正確にアドレス指定さ
れてアクセスされ、読出しまたは書込みのいずれか少な
くとも一方が行われて処理動作が達成される。メモリM
1〜M3は、半導体集積回路などによって実現されるメ
モリ素子15 16 17を有している。メモリM1で
はメモリ素子15にはラインb11を介してアドレス指
定信号が与えられ、ラインdll、ellを介して電力
が供給され、また接地されたラインa11を有する。残
余の、メモリM2.M3に関しても同様な構成となって
おり、対応する添字を有する参照符を付して第1図に示
されている。
Practical ItA Example FIG. 1 is a block diagram of one embodiment of the present invention. A processing device 11, for example an EWS and an OA processor, is equipped with a processing circuit 12 realized by a microcomputer or the like, from which addressing signals are derived via a line 13. This processing device 11 is provided with connectors CNI to CN3, and each connector CN
Memories M1 to M3 to be expanded are connected to I to CN3. Each memory M1 to M3 is connected by inserting the required number into any connector CNI to CN3, and the memory that is connected and expanded at this time is connected. M1-M3 are precisely addressed and accessed to perform reads and/or writes to accomplish processing operations. Memory M
1 to M3 have memory elements 15 16 17 realized by semiconductor integrated circuits or the like. In the memory M1, the memory element 15 is provided with an addressing signal via a line b11, is supplied with power via lines dll and ell, and has a grounded line a11. The remaining memory M2. M3 has a similar configuration and is shown in FIG. 1 with reference numerals having corresponding suffixes.

コネクタCNIには、アドレス指定信号が与えられるラ
インb1が設けられ、また電源供給のためのラインdi
、elが設けられ、さらにまたコネクタCNIにメモリ
M1が接続されたかどうかを検出するためのラインa1
が設けられる。これらのラインbl、di、el、rt
lはメモリM1のラインbll、dll、ell、al
lに接続されることができる。残余のコネクタCN2.
CN3もまた同様な構成となっており、対応する添字を
付して口承されている。ラインa 1は直流電R19の
正端子20に抵抗R1を介して接続され、また同様にラ
インa2 、 il 3は抵抗R2,R3を介して接続
される。この正端子20はラインd1d2.d3にそれ
ぞれ接続される。直流電源19の負端子21は接地され
る。たとえば第1コオ、フタCNIにメモリM1が接続
されて増設されたときには、ラインa1が接地電位とな
り、メモリ制御回路23はこのことによってコネクタC
NIにメモリMlが接続されたことを検出する。コネ・
フタCN2にメモリM2が接続されていないときには、
ラインa2は抵抗R2の働きによってハイレベルとなっ
ている。またコネ・フタCN3にメモリM3が接続され
るとラインa3は接地電位であるローレベルとなる。こ
うしてメモリ〃制御回路23はラインal、a2.a3
のレベルを弁別して、前述のようにコネクタCNI  
CN3にメモリM1、M3が接続されていることを検出
する。メモリ制御回路23はこれらのラインa1〜a3
の出力に応答して、ライン13を介して処理回路12か
ら与えられるアドレス指定信号を、それらのコネクタC
NI〜CN3に接続されているメモリM1〜M3のため
にラインl:+1.b2.b3を介してそれぞれ与える
The connector CNI is provided with a line b1 to which an addressing signal is applied, and a line di for power supply.
, el, and a line a1 for detecting whether the memory M1 is connected to the connector CNI.
is provided. These lines bl, di, el, rt
l is the line bll, dll, ell, al of memory M1
can be connected to l. Remaining connector CN2.
CN3 also has a similar structure and has been orally handed down with a corresponding subscript. Line a1 is connected to the positive terminal 20 of DC current R19 via resistor R1, and similarly lines a2 and il3 are connected via resistors R2 and R3. This positive terminal 20 is connected to the line d1d2. d3 respectively. A negative terminal 21 of the DC power supply 19 is grounded. For example, when the memory M1 is connected to the first core and lid CNI and expanded, the line a1 becomes the ground potential, and the memory control circuit 23
Detects that memory Ml is connected to NI. Connection
When memory M2 is not connected to lid CN2,
Line a2 is at a high level due to the action of resistor R2. Further, when the memory M3 is connected to the connector/lid CN3, the line a3 becomes a low level which is the ground potential. In this way, the memory control circuit 23 operates on lines al, a2 . a3
Connector CNI as described above.
It is detected that memories M1 and M3 are connected to CN3. The memory control circuit 23 controls these lines a1 to a3.
in response to the outputs of their connectors C
For the memories M1-M3 connected to NI-CN3 the line l: +1. b2. b3 respectively.

処理回路11にはまた、基本となるメモリMOが設けら
れており、このメモリMOは前述のメモリM1〜M3と
同様な構成を有し、メモリ素子24を有し、これはライ
ンbOを介してアドレス指定されて、制御され、また電
源19によって電力付勢される。
The processing circuit 11 is also provided with a basic memory MO, which has a similar configuration to the memories M1 to M3 described above and has a memory element 24, which is connected via the line bO. Addressed, controlled and powered by power supply 19.

第2図は、メモリ制御回路23の動作を説明するための
簡略化したブロック図である。たとえばこの実施例では
、コネクタCNI、CN3にメモリMl、M3が接続さ
れて増設されており、したがって第2[2ffの斜線を
施して示す論理値rloIJが選択される。したがって
処理回路12からライン13を介して与えられるアドレ
ス指定信号に関して、メモリMO〜M3の各メモリ容量
をたとえばAメガバイトとするとき、アドレス指定信号
が0〜A−1であるときには、メモリ制御回路23は、
メモリMOにそのアドレス指定信号が与え、また同様に
してライン13からのアドレス指定信号A〜2A−1で
あるときにはコネクタCNIに接続されているメモリM
1のアドレス指定を行いライン13のアドレス指定信号
が2A〜3A−1であるときコオ・フタCN3に接続さ
れているメモリM3のアドレス指定が行われる。なおコ
ネクタCN2にメモリM2が接続されているときには、
ライン13にアドレス指定信号2A〜3A−1が与えら
れると、メモリM2がアドレス指定され、ライン13に
アドレス指定信号3A〜4 A −1h’与えられると
、メモリM3のアドレス指定が行われる。
FIG. 2 is a simplified block diagram for explaining the operation of the memory control circuit 23. For example, in this embodiment, the memories M1 and M3 are connected to the connectors CNI and CN3 for expansion, and therefore the logical value rloIJ indicated by the second [2ff diagonal line] is selected. Therefore, regarding the addressing signal applied from the processing circuit 12 via the line 13, when the memory capacity of each of the memories MO to M3 is, for example, A megabyte, when the addressing signal is 0 to A-1, the memory control circuit 23 teeth,
When the addressing signal is applied to the memory MO, and likewise the addressing signal A~2A-1 from line 13, the memory M connected to the connector CNI
1 is specified and the addressing signal on line 13 is 2A to 3A-1, the memory M3 connected to the core/lid CN3 is addressed. Note that when memory M2 is connected to connector CN2,
When addressing signals 2A-3A-1 are applied to line 13, memory M2 is addressed, and when addressing signals 3A-4A-1h' are applied to line 13, memory M3 is addressed.

第3図を参照して、上述のメモリ制御回路23の動作を
さらに説明する。ステラ7 n 1からステップ口2に
移り、メモリ制御回路23はラインa1〜a3のレベル
を弁別して、たとえばメモリCN1〜CN3にメモリM
1〜M3が接続されていることを検出する。ステップn
3.n5.n7゜n9で示されるようにアドレス指定信
号0〜4A1の各Aメガバイトに応じて、メモリMO〜
M3が選択される。この実施例では、コネクタCN2に
はメモリM2が接続されていないものと想定するとき、
アドレス指定信号3A〜4A−1が処理回路12から導
出されても、アクセス動作は行われない。
The operation of the above-mentioned memory control circuit 23 will be further explained with reference to FIG. Moving from Stella 7 n 1 to step port 2, the memory control circuit 23 discriminates the levels of lines a1 to a3 and sets the memory M to the memories CN1 to CN3, for example.
Detects that 1 to M3 are connected. step n
3. n5. As shown by n7゜n9, the memories MO to 4A1 correspond to each A megabyte of address designation signals 0 to 4A1.
M3 is selected. In this embodiment, when it is assumed that the memory M2 is not connected to the connector CN2,
Even when addressing signals 3A-4A-1 are derived from processing circuit 12, no access operation is performed.

メモリMO−M3は、半導体集積回路によって実現され
るメモリであってもよいけれども、その他の構成を有す
るメモリ、たとえばフロッピディスクなどであってもよ
い。
Although the memory MO-M3 may be a memory realized by a semiconductor integrated circuit, it may also be a memory having another configuration, such as a floppy disk.

発明の効果 以上のように本発明によれば、複数のコネクタのうちの
任意のコネクタにメモリを接続して増設し、そのメモリ
が接続されたコネクタを検出手段によって検出し、増設
されたメモリを選択して順次的にアドレス指定するよう
にしたので、任意のコネクタに増設されたメモリを正確
にアドレス指定することが可能となり、前述の先行技術
に関連して述べた操作誤りを生じることがなく、また操
作の煩わしさが無くなる。
Effects of the Invention As described above, according to the present invention, memory is expanded by connecting it to any one of a plurality of connectors, the connector to which the memory is connected is detected by the detection means, and the expanded memory is expanded. Selective and sequential addressing makes it possible to accurately address memory added to any connector without causing the operational errors mentioned in connection with the prior art mentioned above. Also, the troublesome operation is eliminated.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図はメモ
リ制御回路23の動作を説明するため簡略化したブロッ
ク図、第3図はメモリ制御回路23の動作を説明するた
めのフローチャート、第4図は先行技術のブロック図、
第5図は他の先行技術のブロック図である。 11・・・処理装置、12・・・処理回路、1つ・・・
直流電源、23・・・メモリ制御回路、CNI〜CN3
・・・コネクタ、MO〜M3・・・メモリ
FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a simplified block diagram for explaining the operation of the memory control circuit 23, and FIG. 3 is a flowchart for explaining the operation of the memory control circuit 23. , FIG. 4 is a block diagram of the prior art,
FIG. 5 is a block diagram of another prior art. 11... Processing device, 12... Processing circuit, one...
DC power supply, 23... memory control circuit, CNI to CN3
...Connector, MO~M3...Memory

Claims (1)

【特許請求の範囲】 複数のコネクタと、 各コネクタにメモリが接続されて増設されたことを検出
する検出手段と、 検出手段の出力に応答して、増設されたメモリを選択し
て順次的にアドレス指定して読出し/書込みを行なって
処理動作をする手段とを含むことを特徴とするメモリを
増設可能な処理装置。
[Claims] A plurality of connectors, a detection means for detecting that memory is connected to each connector and added, and in response to an output of the detection means, selecting and sequentially selecting the added memory. 1. A processing device capable of adding memory, characterized in that it includes means for performing processing operations by specifying an address and performing reading/writing.
JP15486289A 1989-06-16 1989-06-16 Processor capable of extension of memory Pending JPH0319048A (en)

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