JPH03190193A - Circuit device shielding structure and formation of shield - Google Patents
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Classifications
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、回路基板に複数の電子部品が実装される混
成集積回路等に用いられる回路装置のシールド構造及び
シールド形成方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a shield structure and a shield forming method for a circuit device used in a hybrid integrated circuit or the like in which a plurality of electronic components are mounted on a circuit board.
従来、混成集積回路等の回路装置では、実装される回路
に応じてシールドが必要となるが、そのシールドには、
シールドケース等が用いられ、例えば、金属ケースに回
路装置を収容して外部回路と静電的又は磁気的に遮断す
る方法が取られている。Conventionally, circuit devices such as hybrid integrated circuits require shielding depending on the circuit to be mounted.
A shield case or the like is used, and for example, a method is adopted in which a circuit device is housed in a metal case to electrostatically or magnetically isolate it from an external circuit.
ところで、金属ケースでは、金属板で内蔵すべき回路装
置に対応する形状や容積等を持つ形態に金型等を用いて
成形加工するため、製造コストが高くなる。また、金属
ケースを用いた場合には、内蔵される回路装置の部品と
の絶縁間隔が必要となるので、その体積が大きくなり、
装置全体の小型化を妨げる。そして、金属ケースを回路
基板に取り付ＬＪる場合には、金属ケースに形成した接
続爪を回路ノ、（板に貫通させた後、回路基板上の導体
パターンに半田何げして固定する等の手数があった。By the way, in the case of a metal case, manufacturing costs are high because a metal plate is molded using a mold or the like into a form having a shape, volume, etc. corresponding to the circuit device to be housed. In addition, when a metal case is used, an insulating gap is required between the built-in circuit device components, which increases the volume.
This prevents miniaturization of the entire device. When attaching the metal case to the circuit board, connect the connecting claws formed on the metal case to the circuit board (after passing through the board, fix by soldering to the conductor pattern on the circuit board, etc.) There was a lot of trouble.
そこで、この発明は、回路装置と絶縁皮膜層とを一体化
するごとにより、シールドケースを除い−（構造の簡略
化を実現した回路装置のシールド構造の提供を第１の目
的とする。Accordingly, a first object of the present invention is to provide a shield structure for a circuit device that realizes a simplified structure by eliminating the shield case by integrating the circuit device and the insulating film layer.
また、この発明は、回路装置のシールド構造を極めて容
易に実現できる回路装置のシールド形成〕ｊ法を第２の
１″１的とする。Further, the present invention uses a method for forming a shield for a circuit device, which can extremely easily realize a shield structure for a circuit device, as a second method.
〔課題を解決するための手段］
（請求項１）
即ら、この発明の回路装置のシールド構造は、第１の［
１的を達成するため、回路基板（４）に１Ｍ数の電Ｙ部
品（８１，８２，８３・・・８Ｎ）を実装するとともに
◇ゼ１子り−１、（１０）を設置した回１“ＩδＷ置（
２）の周面にこの端子リートを露出させて設置した絶縁
被覆層（１６）と、この絶縁被覆層の周面に前記端子リ
ードを除いて無電解メッキ処理によって形成された金属
層からなる導電性皮膜（１８）とを備えたものである。[Means for Solving the Problems] (Claim 1) That is, the shield structure of a circuit device of the present invention has the following features:
In order to achieve goal 1, 1M electrical components (81, 82, 83...8N) were mounted on the circuit board (4), and ◇Ze 1 child 1, (10) was installed. “IδW (
2) an insulating coating layer (16) installed with the terminal lead exposed on the circumferential surface of the insulating coating layer (16), and a metal layer formed by electroless plating on the circumferential surface of this insulating coating layer except for the terminal lead. It is equipped with a sex film (18).
（請求項２）
また、この発明の回路装置のシールド形成方法は、第２
の目的を達成するため、回路基板（４）に複数の電子部
品（８１，８２，８３・・・８Ｎ）を実装するとともに
端子リード（１０）を取り付けた後、この端子リードを
選択的に露出させて前記回路基板及び前記電子部品を覆
う絶縁被覆層（１６）を形成する工程と、前記端子り−
１・を除いて前記絶縁被覆層の表面に触媒（２４）を付
着させた後、無電解メンキ処理によって導電性皮膜（Ｉ
８）を形成する工程とからなることを特徴とするもので
ある。(Claim 2) Further, the method for forming a shield for a circuit device according to the present invention is provided in a second aspect of the present invention.
In order to achieve this purpose, after mounting a plurality of electronic components (81, 82, 83...8N) on the circuit board (4) and attaching the terminal leads (10), the terminal leads are selectively exposed. forming an insulating coating layer (16) covering the circuit board and the electronic components;
After attaching the catalyst (24) to the surface of the insulating coating layer except for 1., the conductive coating (I
8).
（請求項１）
回路装置には、複数の電子部品が実装されているととも
に端子リートが取り付けられ、その円面に絶縁被覆層が
設置されており、その絶縁被覆層から０：ン了リートが
引き出されている。そして、絶縁被覆層の表面に前記端
子リートを除いて無電解メ、・・１−処理によって形成
された金属層からなる導電性皮膜が形成され、この導電
性皮膜が回路装置に対してシールドを構成する。また、
回路装置の表面が絶縁被覆層で覆われているので、回路
装置に実装されている電子部品と導電性皮膜との間の電
気的な絶縁性が確保される。(Claim 1) The circuit device has a plurality of electronic components mounted thereon, a terminal lead is attached, and an insulating coating layer is provided on the circular surface of the circuit device. It's being pulled out. Then, on the surface of the insulating coating layer, except for the terminal lead, a conductive film consisting of a metal layer formed by electroless treatment is formed, and this conductive film provides a shield to the circuit device. Configure. Also,
Since the surface of the circuit device is covered with the insulating coating layer, electrical insulation between the electronic components mounted on the circuit device and the conductive film is ensured.
（請求項２）
回路装置は、回路基板に必要な複数の電子部品が実装さ
れるとともに、端子り−１・の取付けによゲτ形成され
る。この回路装置の外周面に絶縁波：Ｗ層を被覆すれば
、この絶縁被覆層で回路装置に外装が施されろ。(Claim 2) In the circuit device, a plurality of necessary electronic components are mounted on a circuit board, and a gate τ is formed by attaching a terminal 1-1. If the outer peripheral surface of this circuit device is coated with an insulating wave (W) layer, the circuit device will be covered with this insulating coating layer.
ぞして、この回路装置を覆う絶縁被覆層の表面乙こ、端
子リー［゛を除いて選択的に触媒を付着させて無電解メ
ノー）・処理を行うので、その無電解メ・ツキ処理で触
媒の付着している部分に導電性皮膜が形成され、その導
電性皮膜で回路装置が覆われ、回路装置にシールドが施
される。Then, the surface of the insulating coating layer covering this circuit device is treated with a catalyst (electroless agate by selectively attaching a catalyst except for terminals), so the electroless metal coating process A conductive film is formed on the portion to which the catalyst is attached, and the circuit device is covered with the conductive film, thereby providing a shield to the circuit device.
このように無電解メッキ処理により導電性皮膜を形成す
る場合には、絶縁被覆層上の触媒の付着範囲を調整する
ことにより導電性皮膜の形成領域を制御でき、回路装置
のシールドすべき部分、特に、絶縁すべき部分を除いて
必要な範囲に導電性皮膜を形成することができる。When forming a conductive film by electroless plating in this way, the formation area of the conductive film can be controlled by adjusting the adhesion range of the catalyst on the insulating coating layer. In particular, a conductive film can be formed in a necessary range except for the parts to be insulated.
以下、この発明を図面に示した実施例を参照して詳細に
説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments shown in the drawings.
第１図は、この発明の回路装置のシールド構造の一実施
例を示す。FIG. 1 shows an embodiment of a shield structure for a circuit device according to the present invention.
回路装置２には、任意の電子部品８１．８２．８３・・
・８Ｎを実装する実装媒体としての回路基板４が設置さ
れ、この回路基板４の表面には特定の回路を構成するた
めの導体パターン６が形成され、その導体パターン６上
にコンデンサやＩＣ等の複数の電子部品８１．８２．８
３・・・８Ｎが固着されているとともに、各電極との電
気的な接続が行われ、また、回路基板４の端部の導体パ
ターン６上には、複数の端子リード１０が取り付けられ
、半田１２によって電気的に接続されている。なお、１
４はソルダーレジストである。The circuit device 2 includes arbitrary electronic components 81, 82, 83...
- A circuit board 4 is installed as a mounting medium for mounting 8N, and a conductor pattern 6 for configuring a specific circuit is formed on the surface of this circuit board 4, and capacitors, ICs, etc. are placed on the conductor pattern 6. Multiple electronic components 81.82.8
3...8N are fixed and electrically connected to each electrode, and a plurality of terminal leads 10 are attached to the conductor pattern 6 at the end of the circuit board 4 and soldered. They are electrically connected by 12. In addition, 1
4 is a solder resist.
この回路装置２の表面には、端子リード１０を選択的に
露出させて絶縁被覆層１６が形成され、この絶縁被覆層
１６の表面部には、無電解メッキ処理によって形成され
る金属層からなる導電性皮膜１８が端子リード１０を避
けて設置されている。An insulating coating layer 16 is formed on the surface of the circuit device 2 by selectively exposing the terminal leads 10, and a metal layer formed by electroless plating is formed on the surface of the insulating coating layer 16. A conductive film 18 is placed avoiding the terminal leads 10.
このような構成とすれば、回路装置２の表面が絶縁被覆
層１６で電気的な絶縁が施されるとともに導電性皮膜１
８で被覆され、この導電性皮膜１８を以てシールドが実
現できる。そこで、導電性皮膜１８を基準電位や接地点
に接続することにより、回路装置２の周面を導電性皮膜
１８を通して等電位面で包囲することができ、静電的、
磁気的に隣接する外部回路との間を遮蔽することができ
る。With such a configuration, the surface of the circuit device 2 is electrically insulated by the insulating coating layer 16 and the conductive coating 1
8, and a shield can be realized using this conductive film 18. Therefore, by connecting the conductive film 18 to a reference potential or a ground point, the peripheral surface of the circuit device 2 can be surrounded by an equipotential surface through the conductive film 18, and the electrostatic
It is possible to shield magnetically adjacent external circuits.
そして、このようなシールド構造では、回路装置２に一
体的に絶縁被覆層１６が設置され、その表面に無電解メ
ッキ処理によって形成される金属層からなる導電性皮膜
１８が形成されるので、従来の金属ケースを用いた場合
のような金属板の成形による形態的な無駄がなく、最適
なシールド構造が実現できる。また、導電性皮膜１８に
よってシールドが構成されるため、金属ケースの場合の
成形作業や金型が不要になり、回路基板に実装する場合
にも、金属ケースに予め接続爪を形成してそれを接続す
る等の手数が不要となるので、製造コストの低減をも図
ることができる。In such a shield structure, the insulating coating layer 16 is integrally installed on the circuit device 2, and the conductive coating 18 made of a metal layer formed by electroless plating is formed on the surface of the insulating coating layer 16. An optimal shield structure can be realized without any waste in terms of shape due to the molding of metal plates, which is the case when using a metal case. In addition, since the shield is formed by the conductive film 18, there is no need for molding work or molds required for metal cases, and when mounting on a circuit board, connecting claws are formed in advance on the metal case. Since there is no need to make connections, etc., manufacturing costs can also be reduced.
次に、第２図及び第３図は、この発明の回路装置のシー
ルド形成方法の一実施例を示す。Next, FIGS. 2 and 3 show an embodiment of a method for forming a shield for a circuit device according to the present invention.
第２図の（Ａ）に示すように、回路基板４の表面に形成
されている導体パターン６における所定の実装位置に電
子部品８１．８２．８３・・・８Ｎを実装するとともに
、端子リード１０を取り付け、半田１２で固定すること
によって回路装置２を形成する。なお、半田１２のデイ
ツプ処理にあたっては、回路基板４の導体パターン６に
選択的にソルダーレジスト１４を印刷し、適正な半田デ
イツプ部分を特定する。As shown in FIG. 2A, electronic components 81, 82, 83...8N are mounted at predetermined mounting positions on the conductor pattern 6 formed on the surface of the circuit board 4, and terminal leads 10 The circuit device 2 is formed by attaching and fixing with solder 12. In addition, in processing the solder 12 for dips, a solder resist 14 is selectively printed on the conductor pattern 6 of the circuit board 4, and a proper solder dip portion is specified.
次に、第２図の（Ｂ）に示すように、端子り一部１０の
一部を包含して回路装置２の表面部分に絶縁性樹脂によ
って樹脂モールドを施し、絶縁被覆層１６を形成する。Next, as shown in FIG. 2B, a resin mold is applied to the surface portion of the circuit device 2 including a part of the terminal portion 10 using an insulating resin to form an insulating coating layer 16. .
この絶縁被覆層１６を構成するモールド用樹脂には、例
えば、エポキシ変性フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シ
リコーン、ポリビニル、ポリブタジェン等の何れか又は
それらの２以上を組み合わせたものを用いることができ
る。これらの樹脂の、例えば常温で液状を成して適当な
粘性を持ち、加熱等の手段により硬化する特性を利用し
て、回路装置２の周面に信顛性の高い絶縁被覆層１６を
形成することができる。そして、絶縁被覆層１６は、デ
イツプ槽内に液状を成すモールド用樹脂を溜め、その中
に端子リード１０側を上にして回路装置２の本体部分で
ある回路基板４及びその上に実装されている電子部品８
１．８．２．８３・・・８Ｎを浸して形成する。The molding resin constituting the insulating coating layer 16 may be, for example, epoxy-modified phenol resin, epoxy resin, silicone, polyvinyl, polybutadiene, or a combination of two or more thereof. A highly reliable insulating coating layer 16 is formed on the circumferential surface of the circuit device 2 by utilizing the characteristics of these resins, for example, that they are liquid at room temperature, have an appropriate viscosity, and harden by means such as heating. can do. Then, the insulating coating layer 16 is formed by storing liquid molding resin in a dip tank, and mounting the circuit board 4, which is the main body part of the circuit device 2, thereon with the terminal lead 10 side facing up. Electronic parts 8
1.8.2.83...Immerse in 8N to form.
次に、第２図の（Ｃ）に示すように、絶縁被覆層１６か
ら露出している端子リードｌＯに、その絶縁被覆層１６
の近傍部分を覆う被覆手段とじてメンディングテープ２
０を貼り付け、その上からマスキング樹脂２２を塗り付
けて端子リード１０を選択的に覆った後、絶縁被覆層１
６の表面に無電解メッキ処理のための触媒２４を付与す
る。メンディングテープ２０は、例えば、第３図の（Ｃ
＋ ）に示すように、絶縁被覆層１６の一部を含んで各
端子リード１０の付は根部分をその表裏両面から貼り付
ける。次に、第３図の（Ｃ２）に示すように、絶縁被覆
Ｊｉｌ１６の一部及び端子リード１０の付は根部分に貼
り付けられたメンディングテープ２０の上からそのメン
ディングテープ２０を覆うように表裏両面に一体にマス
キング樹脂２２を塗布する。このマスキング樹脂２２に
は、ビニル系ストリップマスク樹脂を用いることができ
、このような樹脂を用いた場合には、その硬化条件とし
て、１３０°Ｃの雰囲気温度を設定し、その中で１０分
間放置すれば、適当な硬化状態が得られる。Next, as shown in FIG. 2C, the terminal lead lO exposed from the insulation coating layer 16 is
The mending tape 2 is used as a covering means to cover the vicinity of the
0 and then apply masking resin 22 on top of it to selectively cover the terminal leads 10, and then insulating coating layer 1.
A catalyst 24 for electroless plating treatment is applied to the surface of 6. The mending tape 20 is, for example, (C
As shown in (+), the root portion of each terminal lead 10, including a portion of the insulating coating layer 16, is attached from both the front and back sides. Next, as shown in FIG. 3 (C2), a part of the insulation coating JIl 16 and the terminal lead 10 are attached so as to cover the mending tape 20 attached to the root part. A masking resin 22 is integrally applied to both the front and back surfaces. A vinyl strip mask resin can be used as the masking resin 22, and when such a resin is used, the curing condition is set at an ambient temperature of 130°C and left in that temperature for 10 minutes. In this way, an appropriate cured state can be obtained.
そして、このようにメンディングテープ２０及びマスキ
ング樹脂２２が設置された回路装置２の絶縁被覆層１６
に無電解メッキ処理の前処理として、脱脂処理を施した
後、エツチング処理、表面の活性化及び洗浄処理を行い
、触媒２４を設置する。即ち、脱脂処理を行った回路装
置２をキシレン中に１分程度浸し、次に、メタノール中
に１分程度浸し、５％程度のＭＣｌ−液中に浸した後、
水で洗浄を行い、１分程度のセンシタイザ−処理を行う
。センシタイザ−には、例えば、
Ｓ ｎ Ｃ（２２・２ Ｈｚ Ｏ： ２０〜４０ｇ／
’１−（ＣＲ： １０〜２０ｍ ｅ ／ρを用いる。Then, the insulation coating layer 16 of the circuit device 2 on which the mending tape 20 and the masking resin 22 are installed
As pre-treatment for electroless plating, a degreasing treatment is performed, followed by an etching treatment, surface activation and cleaning treatment, and a catalyst 24 is installed. That is, the degreased circuit device 2 is immersed in xylene for about 1 minute, then in methanol for about 1 minute, and then in about 5% MCl solution.
Wash with water and perform sensitizer treatment for about 1 minute. For example, the sensitizer contains S n C (22.2 Hz O: 20 to 40 g/
'1-(CR: Use 10 to 20 m e /ρ.
センシタイザ−処理の後、回路装置２の絶縁被覆層１６
を水で洗浄し、次に、１分程度のアクチヘータ処理を行
う。アクチベータには、例えば、ＰｄＣ４２・ ２ Ｆ
（２０：０．１〜０．３ｇ／ＩＩＨＣｊ２ ： ３〜５
ｍｎ／／２
を用いる。After the sensitizer treatment, the insulation coating layer 16 of the circuit device 2
is washed with water, and then subjected to acticheter treatment for about 1 minute. The activator includes, for example, PdC42.2F
(20: 0.1-0.3g/IIHCj2: 3-5
mn//2 is used.
次に、このセンシタイザ−処理を行った絶縁被覆層１６
を水で洗浄した後、第２図の（Ｄ）及び第３図の（Ｄ）
に示すように、メンディングテープ２０を剥がしてメン
ディングテープ２０とともにマスキング樹脂２２を除去
し、無電解メッキ処理を行う。無電解メッキ処理では、
触媒２４が付着している部分のみメッキ反応が進むこと
がら、無電解メッキ処理工程では、メンディングテープ
２０及びマスキング樹脂２２は不要である。そして、無
電解メッキ処理用のメッキ液に回路装置２を漬け、触媒
２４としてのＰｄが付着している部分に無電解メッキ処
理を行って導電性皮膜１８を形成する。導電性皮膜１８
は、例えば、４μｍ／ｈ程度の無電解メッキ処理によっ
て形成され、その無電解メッキ処理には、例えば、Ｃｕ
５Ｏ，：０．０４Ｍ、ＥＤＴＡ−４Ｈ：０．０９Ｍ、Ｈ
ＣＨＯ：０．０６Ｍ、その他部加物からなる組成で、ｐ
Ｈ＝１２．２に設定されたメッキ液を用いてその温度を
７０°Ｃに設定し、その処理の後、回路装置２を水にて
洗浄して第１図に示す回路装置２のシールド構造が実現
される。Next, the insulating coating layer 16 subjected to this sensitizer treatment is
After washing with water, (D) in Figure 2 and (D) in Figure 3
As shown in FIG. 2, the mending tape 20 is peeled off, the masking resin 22 is removed together with the mending tape 20, and an electroless plating process is performed. In electroless plating process,
Since the plating reaction progresses only in the portion to which the catalyst 24 is attached, the mending tape 20 and the masking resin 22 are not necessary in the electroless plating process. Then, the circuit device 2 is immersed in a plating solution for electroless plating, and the portion to which Pd as the catalyst 24 is attached is subjected to electroless plating to form a conductive film 18. Conductive film 18
is formed by, for example, electroless plating at a rate of about 4 μm/h, and the electroless plating includes, for example, Cu.
5O,: 0.04M, EDTA-4H: 0.09M, H
Composition consisting of CHO: 0.06M and other additives, p
Using a plating solution set at H=12.2, the temperature was set at 70°C, and after that treatment, the circuit device 2 was washed with water to obtain the shield structure of the circuit device 2 shown in FIG. is realized.
以上の形成方法によれば、無電解メッキ処理により５〜
２５μｍのＣｕ層を以て導電性皮膜１８が形成され、回
路装置２にシールド効果の高いシールド構造を極めて簡
単に実現される。According to the above formation method, 5 to 5
The conductive film 18 is formed using a 25 μm thick Cu layer, and a shield structure with a high shielding effect can be extremely easily realized in the circuit device 2.
そして、第４図に示すように、導電性皮膜１８の上にニ
ッケル等の他の金属をメッキ処理によって付着させて金
属膜２６を形成してもよい。このようにすれば、導電性
皮膜１８がＣｕで形成されている場合等、その金属膜２
６によって導電性皮膜１８の酸化を防止できる。また、
この金属膜２６に代えて樹脂塗料を塗布する等、絶縁性
樹脂からなる保護膜を形成した場合にも、同様に、導電
性皮膜１８を保護することができる。Then, as shown in FIG. 4, a metal film 26 may be formed by depositing another metal such as nickel on the conductive film 18 by plating. In this way, when the conductive film 18 is made of Cu, the metal film 2
6 can prevent oxidation of the conductive film 18. Also,
The conductive film 18 can be similarly protected even when a protective film made of an insulating resin is formed, such as by applying a resin paint instead of the metal film 26.
また、モールＦ用樹脂にシリコーンを用いることができ
、例えば、第５図に示すように、回路装置２の表面層に
シリコーンでバッファ層２８を形成した後、エポキシ樹
脂によるコーティング処理を施して絶縁被覆層１６を形
成してもよく、このようにすれば、樹脂モールドの耐湿
性をより高めることができる。Furthermore, silicone can be used as the resin for the molding F. For example, as shown in FIG. A covering layer 16 may be formed, and by doing so, the moisture resistance of the resin mold can be further improved.
さらに、絶縁被覆層１６の上面に銅ペースト等の導体ペ
ーストからなる第１の導電性皮膜層を形成した後、その
上に無電解メッキ処理を行って第２の導電性皮膜層を形
成し、導電性皮膜１８を第１及び第２の導電性皮膜層で
形成してもよい。その場合、その上にさらにニッケルメ
ッキ層を設置して第２の導電性皮膜層を保護するように
してもよい。Furthermore, after forming a first conductive film layer made of a conductive paste such as copper paste on the upper surface of the insulating coating layer 16, electroless plating is performed thereon to form a second conductive film layer, The conductive film 18 may be formed of first and second conductive film layers. In that case, a nickel plating layer may be further provided thereon to protect the second conductive film layer.
なお、実施例では、絶縁被覆層１６の表面に選択的に付
着させる触媒としてＰｄを用いた場合を例に取って説明
したが、Ａｇ、Ａｕ、Ｐ ｔ、等を用いてもシールドに
適した金属層、即ち、導電性皮膜を形成することができ
る。In addition, in the embodiment, the case where Pd was used as a catalyst to be selectively attached to the surface of the insulating coating layer 16 was explained as an example, but it is also possible to use Ag, Au, Pt, etc. suitable for shielding. A metal layer, ie a conductive film, can be formed.
以上説明したように、この発明によれば、次のような効
果が得られる。As explained above, according to the present invention, the following effects can be obtained.
（ａ） この発明の回路装置のシールド構造によれば
、回路装置の絶縁被覆層の表面に無電解メッキ処理によ
って得られる金属層からなる導電性皮膜を形成してシー
ルド構造としたので、回路装置の表面に沿って設置され
た導電性皮膜によってシールド効果が高められ、シール
ドケースを除いてシ−ルド構造の簡略化及び小型化とと
もに、低コスト化を図ることができる。(a) According to the shield structure for a circuit device of the present invention, a conductive film made of a metal layer obtained by electroless plating is formed on the surface of the insulating coating layer of the circuit device to obtain a shield structure. The shielding effect is enhanced by the conductive film installed along the surface of the shield, and the shield structure can be simplified and miniaturized by excluding the shield case, and the cost can be reduced.
（ｂ） この発明の回路装置のシールド形成方法によ
れば、シールド効果の高いシールド構造を極めて容易に
しかも低コストで実現でき、特に、無電解メッキ処理に
よるため、触媒の付着領域によって導電性皮膜の形成領
域を容易に制御でき、信軌性の高いシールド構造を実現
できる。(b) According to the method for forming a shield for a circuit device of the present invention, a shield structure with a high shielding effect can be realized extremely easily and at low cost. In particular, since electroless plating is used, a conductive film is formed depending on the area where the catalyst is attached. The formation area can be easily controlled, and a shield structure with high reliability can be realized.
第１図はこの発明の回路装置のシールド構造の一実施例
を示す断面図、
第２図はこの発明の回路装置のシールド形成方法の一実
施例を示す断面図、
第３図はこの発明の回路装置のシールド形成方法の一実
施例を示す部分平面図、
第４図及び第５図はこの発明の回路装置のシールド構造
の他の実施例を示す断面図である。
２・・・回路装置
４・・・回路基板
８１．８２．８３・・・８Ｎ・・・電子部品・端子リー
ド
・絶縁被覆層
・導電性皮膜
・触媒FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a shield structure for a circuit device according to the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a method for forming a shield for a circuit device according to the present invention, and FIG. A partial plan view showing one embodiment of a method for forming a shield for a circuit device, and FIGS. 4 and 5 are cross-sectional views showing other embodiments of the shield structure for a circuit device according to the present invention. 2...Circuit device 4...Circuit board 81.82.83...8N...Electronic component, terminal lead, insulating coating layer, conductive film, catalyst
Claims (2)
リードを設置した回路装置の周面に前記端子リードを露
出させて設置した絶縁被覆層と、この絶縁被覆層の周面
に前記端子リードを除いて無電解メッキ処理によって形
成された金属層からなる導電性皮膜と、 を備えたことを特徴とする回路装置のシールド構造。1. A circuit device in which a plurality of electronic components are mounted on a circuit board and terminal leads are installed; an insulating coating layer installed with the terminal leads exposed on the circumferential surface of the circuit device; A shield structure for a circuit device, comprising: a conductive film made of a metal layer formed by electroless plating;
リードを取り付けた後、この端子リードを選択的に露出
させて前記回路基板及び前記電子部品を覆う絶縁被覆層
を形成する工程と、 前記端子リードを除いて前記絶縁被覆層の表面に触媒を
付着させた後、無電解メッキ処理によって導電性皮膜を
形成する工程と、 からなることを特徴とする回路装置のシールド形成方法
。2. After mounting a plurality of electronic components on a circuit board and attaching terminal leads, selectively exposing the terminal leads to form an insulating coating layer covering the circuit board and the electronic components; A method for forming a shield for a circuit device, comprising the steps of: attaching a catalyst to the surface of the insulating coating layer, and then forming a conductive film by electroless plating.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32888289A JPH03190193A (en) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | Circuit device shielding structure and formation of shield |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32888289A JPH03190193A (en) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | Circuit device shielding structure and formation of shield |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03190193A true JPH03190193A (en) | 1991-08-20 |
Family
ID=18215151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32888289A Pending JPH03190193A (en) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | Circuit device shielding structure and formation of shield |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03190193A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106382951A (en) * | 2016-08-18 | 2017-02-08 | 四川泛华航空仪表电器有限公司 | Capacitive type transducer grounded shielding shell |
-
1989
- 1989-12-19 JP JP32888289A patent/JPH03190193A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106382951A (en) * | 2016-08-18 | 2017-02-08 | 四川泛华航空仪表电器有限公司 | Capacitive type transducer grounded shielding shell |
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