JPH03188674A - Resonance tunneling semiconductor device - Google Patents
Resonance tunneling semiconductor deviceInfo
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- 230000005641 tunneling Effects 0.000 title claims abstract description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 53
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241000837181 Andina Species 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000002674 ointment Substances 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（概要〕
共鳴トンネリング・ホット・エレクトロン・トランジス
タ又は共鳴トンネリング・ヘテロ・ジャンクション・バ
イポーラ・トランジスタなど共鳴トンネリング半導体装
置の改良に関し、エミッタとベースとの間に介挿される
共鳴トンネリング・バリヤの構成材料を適切に選択する
ことで、ベース層側のバリヤ・ハイドを高く維持できる
ようにし、Ｐ／Ｖの低下がないようにすることを目的と
し、
Ｉ ｎＣｒａＡｓからなるエミッタ層とＩｎＡｓからな
るベース層との間に介在してエミッタ層側はＩ ｎＡｊ
！ＡＳからなる薄膜で、且つ、ベース層側はＡ／２Ｓｂ
からなる薄膜で構成されてなる共鳴トンネリング・バリ
ヤを備えてなるか、或いは、前記ベース層側はＡｆｆｉ
Ａｓ Ｓ ｂからなる薄膜で構成されてなる共鳴トンネ
リング・バリヤを備えてなるよう構成する。[Detailed Description of the Invention] (Summary) Resonant tunneling interposed between an emitter and a base, regarding the improvement of a resonant tunneling semiconductor device such as a resonant tunneling hot electron transistor or a resonant tunneling heterojunction bipolar transistor.・By appropriately selecting the material for the barrier, the barrier hide on the base layer side can be maintained high and the P/V will not decrease. The emitter layer side is interposed between the base layer consisting of I nAj
! A thin film made of AS, and the base layer side is A/2Sb
or the base layer side is provided with a resonant tunneling barrier made of a thin film made of
A resonant tunneling barrier made of a thin film made of AsSb is provided.
本発明は、共鳴トンネリング・ホット・エレクトロン・
トランジスタ（ｒｅｓｏｎａｎｔ ｔｕｎｎｅｌｉｎ
ｇ ｈｏｔ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓ １
ｓｔｏｒ ：ＲＨＥＴ）又は共鳴トンネＪング・ペテロ
・ジャンクション・バイポーラ・トランジスタ（ｒｅｓ
ｏｎａｎｔ ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ ｈｅｔｅｒｏｊ
ｕｎｃｔｉｏｎ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒａｎｓｉｓ
ｔｏｒ：ＲＨＢＴ）など共鳴トンネリング半導体装置の
改良に関する。The present invention provides resonant tunneling hot electron
transistor
g hot electron trans 1
stor : RHET) or resonant tunnel junction bipolar transistor (res
onant tunneling heteroj
unction bipolar
This invention relates to improvements in resonant tunneling semiconductor devices such as tor (RHBT).
一般に、ＲＨＥＴ或いはＲＨＢＴなどには、コレクタ電
流（エミッタ電流）に負の伝達コンダクタンス特性が現
れることから、新しい機能を発揮できるデバイスとして
注目されている。In general, RHETs, RHBTs, and the like exhibit negative transfer conductance characteristics in their collector currents (emitter currents), and are therefore attracting attention as devices that can exhibit new functions.
現在、Ｉ ｎＧａＡｓ／１ ｎＡｆｆｉＡｓからなるペ
テロ接合を用いたＲＨＥＴなどは、Ｉ ｎＧａＡｓに於
ける電子の移動度がＧａＡｓに於けるそれと比較して大
きいこと、また、Ｉ ｎＧａＡｓとＩｎＡｆｆｉＡｓと
のエネルギ・バンド・ギャップの差が大きく、電流利得
を上昇させることができるなど多くの利点をもっている
が、今後、それ等の利点を更に大きなものとしなければ
ならない。Currently, RHETs using petrojunctions made of InGaAs/1 nAffiAs are based on the fact that the electron mobility in InGaAs is larger than that in GaAs, and that the energy band between InGaAs and InAffiAs is・It has many advantages such as a large gap difference and the ability to increase current gain, but these advantages must be made even greater in the future.
（従来の技術）
第３図は従来のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｆｆｉＡｓ系ＲＨ
ＥＴのエネルギ・ハンド・ダイヤグラムを表している。(Prior art) Figure 3 shows a conventional InGaAs/InAffiAs system RH.
It represents the energy hand diagram of ET.
図に於いて、
１はｎ型１ ｎ Ｏ，Ｓ３Ｇ ａ ｏ、 ４７Ａ Ｓコ
レクタ層、２はｉ型１ ｎｏ、ｓｚ （Ａ Ｉ！、ｏ、
、Ｇ ａ Ｏ，５） ０．４１１Ａ Ｓコレクタ・バリ
ヤ層、
３はｎ型１ ｎ Ｏ，Ｓ：ＩＧ ａ ｏ、 ４？Ａ Ｓ
ベース層、４はｉ型１ ｎ ｏ、 ｓｚＡ １０．４１
１Ａ Ｓ エミッタ・バリヤ層、
５はｉ型ｒ ｎＧａＡｓウェル層、
６はｉ型１ ｎ ｏ、 ｓｚＡ １０．４８Ａ Ｓエミ
ッタ・バリヤ層、
７はｎ゛型１ｎ Ｏ，Ｓ３Ｇ ａ ｏ、 ａｑＡ Ｓエ
ミッタ層をそれぞれ示している。尚、ＥＣは伝導帯の底
を指示している。In the figure, 1 is the n-type 1 n O, S3G a o, 47A S collector layer, and 2 is the i-type 1 no, sz (A I!, o,
, Ga O, 5) 0.411A S collector/barrier layer, 3 is n-type 1 n O, S:IG a o, 4? A.S.
Base layer, 4 is i type 1 no, szA 10.41
1A S emitter/barrier layer, 5 is i-type r nGaAs well layer, 6 is i-type 1no, szA 10.48A S emitter/barrier layer, 7 is n゛-type 1nO, S3Gao, aqA S emitter layer are shown respectively. Note that EC indicates the bottom of the conduction band.
これ等各年導体層についての主要なデータを例示すると
次の通りである。Examples of the main data on conductor layers for each year are as follows.
■ コレクタ層１について
厚さ：２０００（人〕
不純物濃度： Ｉ Ｘ １０１８（ｃｍ−″）■ コレ
クタ・バリヤ層２について
厚さ：２０００ （入〕
コレクタ・バリヤ・ハイド：０．２７ （ｅＶ）■ ベ
ース層３について
厚さ：３００（入］
不純物濃度： Ｉ Ｘ １０ ” （ｃｍ−’）■ エ
ミ・ン夕・バリヤ層４について
厚さ：３２．２Ｃ人］
エミッタ・バリヤ・ハイド：０．５３ （ｅＶ）（ベー
ス側）
■ ウェル層５について
厚さ：３２．２Ｃ人〕
■ エミッタ・バリヤ層６について
厚さ：３２．２Ｃ人〕
■ エミッタ層７について
厚さ：２０００（人〕
不純物濃度： Ｉ Ｘ １０ ′８（ｃｍ−”）図示例
のように、ベース層３をＩｎＧａＡｓにした場合、Ｇａ
Ａｓのものと比較し、「谷−Ｌ谷間のセパレーション・
エネルギが約０． ５５ （ｅ■〕と大きく、電流利得
は、ベースＮ３の厚さを３０（ｎｍ）とした場合、約１
０が得られ、そして、図からも明らかなようにエミッタ
・バリヤ層６、ウェル層５、エミッタ・バリヤ層４から
なるＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ共鳴トンネリング・バ
リヤは、その伝導帯の不連続値が０． ５３ （ｅ■〕
と大きい為、負性特性のピーク電流対バレー電流の比、
即ち、Ｐ／Ｖを大きくとることができるなど、優れた特
性をもっている。■ Thickness of collector layer 1: 2000 (person) Impurity concentration: I x 1018 (cm-'') ■ Thickness of collector/barrier layer 2: 2000 (in) Collector barrier hide: 0.27 (eV) ■ Thickness for base layer 3: 300 (in) Impurity concentration: I x 10''(cm-') Thickness for emitter barrier layer 4: 32.2C emitter barrier hide: 0.53 (eV) (Base side) ■Thickness of well layer 5: 32.2C people] ■Thickness of emitter/barrier layer 6: 32.2C people] ■Thickness of emitter layer 7: 2000 (people) Impurity concentration: I
Compared to that of As, the separation between the valley and L valley
Energy is about 0. 55 (e■), and the current gain is approximately 1 when the thickness of base N3 is 30 (nm).
As is clear from the figure, the InAlAs/InGaAs resonant tunneling barrier consisting of the emitter barrier layer 6, well layer 5, and emitter barrier layer 4 has a conduction band discontinuity value of 0.0. 53 (e■)
Since it is large, the ratio of peak current to valley current of negative characteristic,
That is, it has excellent characteristics such as a large P/V.
第３図に見られるＲＨＥＴに於いては、前記したように
、優れた特性をもっているのであるが、集積化する場合
に於いては、電流利得として３０以上、電流のＰ／Ｖ比
として２０程度が必要と思われる。The RHET shown in Figure 3 has excellent characteristics as described above, but when integrated, the current gain is 30 or more and the current P/V ratio is about 20. seems to be necessary.
この理由は、ＲＨＥＴが多段に接続され、ファン・イン
及びファン・アウトが３程度と多くなると、次段を駆動
するには前記したような電流利得が必要となり、また、
同様に、Ｐ／Ｖも多段になると、１段の場合と比較して
ノイズ・マージンを大きくとる必要があることに依る。The reason for this is that when RHETs are connected in multiple stages and the fan-in and fan-out increases to about 3, the above-mentioned current gain is required to drive the next stage.
Similarly, when the P/V has multiple stages, it is necessary to have a larger noise margin than when there is only one stage.
そこで、更に電流利得を向上する手段として、ベース層
にＩｎＡｓを用いることが考えられている。Therefore, as a means to further improve the current gain, it has been considered to use InAs for the base layer.
ＩｎＡｓに関スる「谷−Ｌ谷間のセパレーション・エネ
ルギは約１ （ｅＶ）であり、また、電流利得は３０以
上が得られる。然しなから、Ｐ／Ｖを考えると、ベース
層のＩｎＡｓに対し、エミッタ例の共鳴トンネリング・
バリヤが１ｎＡ／！Ａｓ或いはＡ／！Ａｓとなると、歪
みの影響に依って、薄いＩ ｎＡｆｆｉＡＳ或いはＡｆ
ｆＡｓからなるエミッタ・バリヤの実効的バリヤ・ハイ
ドが低くなってしまい、Ｐ／Ｖを維持できない状態にな
る。Regarding InAs, the separation energy between the valley and the L valley is about 1 (eV), and a current gain of 30 or more can be obtained.However, considering the P/V, In contrast, the resonant tunneling of the emitter example
Barrier is 1nA/! As or A/! When it comes to As, thin InAffiAS or Af
The effective barrier hide of the emitter barrier made of fAs becomes low, and P/V cannot be maintained.
因みに、歪みがない場合、Ｉ ｎＧａＡｓに対して、Ｉ
ｎＡＩ！、Ａｓは０．５５ （ｅＶ）、そして、Ａｆ
ｆｉＡｓは１．３ （ｅＶ）であるが、歪みがある場合
、同じく、Ｉ ｎＧａＡｓに対して、特に、ベース層側
のエミッタ・バリヤ層４に於けるバリヤー ／’ｔイト
はＩ ｎＡｆＡｓで０．３ （ｅＶ：ｌ、そして、Ａｌ
Ａｓで０．７ （ｅＶ）に低下してしまう。Incidentally, when there is no strain, I
nAI! , As is 0.55 (eV), and Af
fiAs is 1.3 (eV), but in the case of strain, the barrier value for InGaAs, especially in the emitter barrier layer 4 on the base layer side, is 0. 3 (eV:l, and Al
With As, it decreases to 0.7 (eV).
本発明は、エミッタとベースとの間に介挿される共鳴ト
ンネリング・バリヤの構成材料を適切に選択することで
、ベース層側のバリヤ・ハイドを高く維持できるように
し、Ｐ／Ｖの低下がないようにする。The present invention makes it possible to maintain a high barrier hide on the base layer side without reducing P/V by appropriately selecting the constituent material of the resonant tunneling barrier interposed between the emitter and the base. Do it like this.
（課題を解決するための手段〕
本発明に依る共鳴トンネリング半導体装置は、Ｉ ｎＧ
ａＡｓからなるエミッタ層（例えばｎ９型Ｉ ｎｏ、ｓ
ｓＧ ａ ｏ、ａ７Ａ Ｓエミッタ層７）とＩｎＡｓか
らなるベース層（例えばｎ型１ｎＡｓベース層１３或い
はｐ゛型ＩｎＡｓベース層１５）との間に介在してエミ
ッタ層側はＩ ｎＡ／２Ａｓからなる薄膜（例えばｉ型
１ ｎ ｏ、 ｓｚＡ Ｉ ０．４８Ａ ｓエミ・７り
・バリヤ層６）で且つベース層側は／ｌｓｂからなる薄
膜（例えばｉ型Ａ／２Ｓｂエミッタ・バリヤ層１４）で
構成された共鳴トンネリング・バリヤを備えるか、或い
は、前記ベース層側はＡｆｆｉＡｓｓｂからなる薄膜で
構成された共鳴トンネリング・バリヤを備える。(Means for Solving the Problems) A resonant tunneling semiconductor device according to the present invention is an InG
Emitter layer made of aAs (e.g. n9 type I no, s
sGao, a7A S emitter layer 7) and a base layer made of InAs (for example, n-type 1nAs base layer 13 or p'-type InAs base layer 15), and the emitter layer side is made of InA/2As. A thin film (e.g., i-type 1 no, szA I 0.48A s emitter/barrier layer 6) and a thin film (e.g., i-type A/2Sb emitter/barrier layer 14) consisting of /lsb on the base layer side. Alternatively, the base layer side includes a resonant tunneling barrier made of a thin film of AffiAssb.
〔作用］
前記手段を採ることに依り、ベース層はＦ谷り谷セパレ
ーション・エネルギは大きいＩｎＡｓで構成されるので
電流利得は向上し、しかも、ベース層側のエミッタ・バ
リヤ層がＡ／２Ｓｂ或いはＡｆｆＡｓ Ｓ ｂで構成さ
れるので歪みは発生せず、共鳴トンネリング・バリヤに
於ける実効的なバリヤ・ハイドが低下することはなくな
ってＰ／Ｖは充分に大きく維持される。[Function] By adopting the above method, the base layer is made of InAs with large F valley separation energy, so the current gain is improved, and moreover, the emitter barrier layer on the base layer side is made of A/2Sb or A/2Sb. Since it is composed of AffAs S b, no distortion occurs, and the effective barrier hide in the resonant tunneling barrier does not decrease, so that P/V is maintained sufficiently large.
第１図は本発明一実施例を説明する為のエネルギ・ハン
ド・ダイヤグラムを表し、第３図に於いて用いた記号と
同記号は同部分を表すか或いは同し意味を持つものとす
る。尚、ここではＲＨＥＴを対象としている。FIG. 1 shows an energy hand diagram for explaining one embodiment of the present invention, and the same symbols as those used in FIG. 3 represent the same parts or have the same meanings. Note that RHET is targeted here.
本実施例に於いては、ベース層１３の構成材料としてｎ
型１ｎＡｓを用い、また、ベース層側エミッタ・バリヤ
Ｎ１４の構成材料としてｉ型Ａｆｓｂを用いている。In this embodiment, n is used as the constituent material of the base layer 13.
Type 1nAs is used, and i-type Afsb is used as the constituent material of the emitter barrier N14 on the base layer side.
本実施例に於いて第３図に見られる従来例と構成を異に
する部分の主要データを例示すると次の通りである。The main data of the parts of this embodiment that are different in configuration from the conventional example shown in FIG. 3 are as follows.
■ ｎ型ＩｎＡｓベース層１３について厚さ：３００（
人〕
不純物濃度： Ｉ Ｘ １０ ” （ｃｍ−３）■ ｉ
型ＡｌＳｂエミッタ・バリヤ層１４について
厚さ：３０ 〔入〕
本実施例に於いては、コレクタ・バリヤ層２とベース層
１３との界面に於けるコレクタ・バリヤ・ハイドは０．
５ （ｅＶＬベース層１３とベース層側エミッタ・バリ
ヤ層１４との界面に於けるエミッタ・バリヤ・ハイドは
１ （ｅＶ）以上になっている。■ Thickness of n-type InAs base layer 13: 300 (
[Human] Impurity concentration: I x 10” (cm-3) ■ i
Thickness of the type AlSb emitter barrier layer 14: 30 [in] In this embodiment, the collector barrier hide at the interface between the collector barrier layer 2 and the base layer 13 is 0.
5 (The emitter barrier hide at the interface between the eVL base layer 13 and the base layer side emitter barrier layer 14 is 1 (eV) or more.
第２図は本発明の他の実施例を説明する為のエネルギ・
バンド・ダイヤグラムを表し、第１図及び第３図に於い
て用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味
を持つものとする。尚、ここではＲＨＢＴを対象として
いる。FIG. 2 shows an energy diagram for explaining another embodiment of the present invention.
This represents a band diagram, and the same symbols as those used in FIGS. 1 and 3 represent the same parts or have the same meaning. Note that RHBT is targeted here.
図に於いて、１５はｐ゛型ＩｎＡｓベース層、Ｅｖは価
電子帯の頂をそれぞれ示している。In the figure, 15 indicates a p'-type InAs base layer, and Ev indicates the top of the valence band.
本実施例に於いて第１図に見られる本発明一実施例と構
成を異にする部分の主要データを例示すると次の通りで
ある。The following is an example of the main data of the parts of this embodiment that differ from the embodiment of the present invention shown in FIG. 1.
■ Ｐ゛型１ｎＡｓベース層１５について厚さ：１００
０［入］
不純物濃度： Ｉ Ｘ １０ ′９（ｃｍ−３）尚、前
記各実施例に於いては、何れもベース層側のエミッタ・
バリヤ層として、Ｉｎ！Ｓｂを用いたものを挙げたが、
これはＡ／！Ａｓ Ｓｂに代替することができ、その場
合も、共鳴トンネリング・バリヤとしての効果には変わ
りがない。■ Thickness of P' type 1nAs base layer 15: 100
0 [In] Impurity concentration: I
As a barrier layer, In! Although I mentioned the one using Sb,
This is A/! It can be replaced with AsSb, and in that case, the effect as a resonant tunneling barrier remains the same.
〔発明の効果］
本発明に依る共鳴トンネリング半導体装置に於いては、
Ｉ −ｎ Ｇ ａ Ａ ｓからなるエミッタ層とＩｎＡ
ｓからなるベース層との間に介在し、エミッタ層側はＩ
ｎＡｆ！Ａｓからなる薄膜で、且つ、へ−ス層側はＡ
ｌＳｂからなる薄膜で構成されてなる共鳴トンネリング
・バリヤを備えてなるか、或いは、前記ベース層側はＡ
Ｐ、ＡＳ Ｓ ｂからなる薄膜で構成されてなる共鳴ト
ンネリング・バリヤを備えてなるよう構成する。[Effect of the invention] In the resonant tunneling semiconductor device according to the present invention,
Emitter layer made of I-nGaAs and InA
The emitter layer side is interposed between the base layer consisting of I
nAf! A thin film made of As, and the heat layer side is A.
A resonant tunneling barrier made of a thin film made of lSb, or the base layer side is made of A.
The resonant tunneling barrier is comprised of a thin film of P, AS S b.
前記構成を採ることに依り、ベース層は「谷り谷セパレ
ーション・エネルギは大きいＩｎＡｓで構成されるので
電流利得は向上し、しかも、ベース層側のエミッタ・バ
リヤ層が／ｌｓｂ或いはＡＩ！、ＡｓＳｂで構成される
ので歪みは発生せず、共鳴トンネリング・バリヤに於け
る実効的なバリヤ・ハイドが低下することはなくなって
Ｐ／Ｖは充分に大きく維持される。By adopting the above structure, the base layer is made of InAs with a large valley separation energy, so the current gain is improved, and the emitter barrier layer on the base layer side is made of /lsb, AI!, AsSb. Since the resonant tunneling barrier is constituted by the above structure, no distortion occurs, and the effective barrier hide in the resonant tunneling barrier does not decrease, so that P/V is maintained sufficiently large.
第１図は本発明一実施例を説明する為のエネルギ・バン
ド・ダイヤグラム、第２図は本発明に於ける他の実施例
を説明する為のエネルギ・バンド・ダイヤグラム、第３
図は従来のＩｎＧａＡｓ／Ｉ ｎＡｆｆｉＡｓ系ＲＨＥ
Ｔのエネルギ・バンド・ダイヤグラムをそれぞれ表して
いる。
図に於いて、
ｌはｎ型１ ｎ ｏ、 ｓｚＧ ａ ｏ、 ４７Ａ Ｓ
Ｄ Ｌ／クタ層、２はｉ型１ ｎｏ、ｓｚ （Ａ ｆ
ｆ１ｏ、ｓＧ ａ ０．５） ６．４８Ａ Ｓコレクタ
・バリヤ層、
３はｎ型Ｉ ｎ ｏ、 ｓｚＧ ａ ０．４７Ａ Ｓベ
ース層、４はｉ型１ ｎ ａ、 ｓｚＡ Ｊ２０．４１
１Ａ Ｓエミッタ・バリヤ層、
５はｉ型ＩｎＧａＡｓウェル層、
６はｉ型１ ｎ ｏ、 ｓｚＡ Ｑ Ｇ、 ４１＋Ａ
Ｓエミッタ・バリヤ層、
７はｎ゛型１ｎ ｏ、 ５３Ｇ ａ ０．４７Ａ Ｓエ
ミッタ層、１３はｎ型ＩｎＡｓベース層、
１４はｉ型Ａ／ｌ！Ｓｂエミッタ・バリヤ層１５はｐ゛
型１ｎＡｓベース層、
Ｅｃは伝導帯の底、已、は価電子帯の頂をそれぞれ示し
ている。Figure 1 is an energy band diagram for explaining one embodiment of the present invention, Figure 2 is an energy band diagram for explaining another embodiment of the present invention, and Figure 3 is an energy band diagram for explaining another embodiment of the present invention.
The figure shows a conventional InGaAs/InAffiAs system RHE.
Each represents an energy band diagram of T. In the figure, l is n-type 1 no, szG ao, 47A S
D L/kuta layer, 2 is i type 1 no, sz (A f
f1o, sG a 0.5) 6.48A S collector/barrier layer, 3 is n-type I no, szG a 0.47A S base layer, 4 is i-type 1 na, szA J20.41
1A S emitter barrier layer, 5 is i-type InGaAs well layer, 6 is i-type 1 no, szA Q G, 41+A
S emitter/barrier layer, 7 is n-type 1no, 53Ga 0.47A S emitter layer, 13 is n-type InAs base layer, 14 is i-type A/l! The Sb emitter/barrier layer 15 is a p-type 1nAs base layer, Ec indicates the bottom of the conduction band, and Ec indicates the top of the valence band.
Claims (2)
なるベース層との間に介在して エミッタ層側はＩｎＡｌＡｓからなる薄膜で且つベース
層側はＡｌＳｂからなる薄膜で構成されてなる共鳴トン
ネリング・バリヤ を備えてなることを特徴とする共鳴トンネリング半導体
装置。(1) A resonant tunneling barrier is interposed between an emitter layer made of InGaAs and a base layer made of InAs, and the emitter layer side is a thin film made of InAlAs, and the base layer side is made of a thin film made of AlSb. A resonant tunneling semiconductor device characterized by:
れてなる共鳴トンネリング・バリヤ を備えてなることを特徴とする請求項１記載の共鳴トン
ネリング半導体装置。(2) The resonant tunneling semiconductor device according to claim 1, wherein the base layer side is provided with a resonant tunneling barrier made of a thin film made of AlAsSb.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32605789A JPH03188674A (en) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | Resonance tunneling semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32605789A JPH03188674A (en) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | Resonance tunneling semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03188674A true JPH03188674A (en) | 1991-08-16 |
Family
ID=18183627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32605789A Pending JPH03188674A (en) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | Resonance tunneling semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03188674A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5298763A (en) * | 1992-11-02 | 1994-03-29 | Motorola, Inc. | Intrinsically doped semiconductor structure and method for making |
-
1989
- 1989-12-18 JP JP32605789A patent/JPH03188674A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5298763A (en) * | 1992-11-02 | 1994-03-29 | Motorola, Inc. | Intrinsically doped semiconductor structure and method for making |
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