JPH03188659A - Lead frame for semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路用リードフレームの改良に関す
る。特に、リードフレームの導電率を増〔従来の技術〕
半導体集積回路用リードフレームとは、金属の板状体よ
りなり、半導体装置の製造工程に使用される中間部材で
ある。このリードフレームは、半導体集積回路チップを
載置する支持台と、この支持台を支持する支持バーと、
将来は半導体装置のピンとなる接続導体と、上記の支持
バーと上記の接続導体とを保持する枠状の保持バーとか
ら構成されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to improvements in lead frames for semiconductor integrated circuits. In particular, increasing the electrical conductivity of the lead frame [Prior Art] A lead frame for a semiconductor integrated circuit is an intermediate member made of a metal plate and used in the manufacturing process of a semiconductor device. This lead frame includes a support base on which a semiconductor integrated circuit chip is placed, a support bar that supports this support base,
It consists of a connecting conductor that will become a pin of a semiconductor device in the future, and a frame-shaped holding bar that holds the support bar and the connecting conductor.
この半導体集積回路用リードフレームの材料に求められ
る要請は、機械的強度が大きく、導電率が高く、熱膨張
率が使用される半導体装置の主材料たる半導体のそれと
同等に小さいと云うことである。そして、この要請をお
〜むね満足する材料として、従来技術においては、鉄・
ニッケル合金例えば４２ニッケル合金が使用されている
ことが一般である。The requirements for materials for lead frames for semiconductor integrated circuits are that they have high mechanical strength, high electrical conductivity, and a coefficient of thermal expansion as low as that of semiconductors, which are the main materials of semiconductor devices used. . In the conventional technology, iron and
Nickel alloys, such as 42 nickel alloys, are commonly used.
従来技術に係る半導体集積回路用リードフレームの材料
の１例としての鉄・ニッケル４２合金について、上記の
緒特性を下記の第１表に表記する。Regarding iron-nickel 42 alloy as an example of a material for a lead frame for a semiconductor integrated circuit according to the prior art, the above-mentioned characteristics are shown in Table 1 below.
２己り表
強度（引張り強さ） ７０Ｋｇ／旧２導電率
３％ ｌＡＣ３熱膨張率
５． ５ Ｘ １０−’／’Ｃ〔発明が解決しようと
する課題〕
最近、半導体装置の高速化が益り要求されるにともない
、鉄・ニッケル合金を使用した従来技術に係る半導体集
積回路用リードフレームは、電気抵抗が間く、高速半導
体集積回路用リードフレームとして使用されるには必ず
しも適しないと云う欠点が明らかになってきた。ちなみ
に、現今の高速半導体装置用のリードフレームに対する
上記特性の要請値は、下記の第２表に表記された程度と
理解されている。2 surface strength (tensile strength) 70Kg/former 2 conductivity
3% lAC3 thermal expansion coefficient
5. 5 X 10-'/'C [Problem to be Solved by the Invention] Recently, with the increasing demand for higher speed semiconductor devices, a lead frame for a semiconductor integrated circuit according to the prior art using an iron-nickel alloy has been developed. It has become clear that these materials have low electrical resistance and are not necessarily suitable for use as lead frames for high-speed semiconductor integrated circuits. Incidentally, it is understood that the required values of the above characteristics for current lead frames for high-speed semiconductor devices are as shown in Table 2 below.
望Ｕ
強度（引張り強さ） ６０Ｋｇ、／ｗ＋”導電
率 ８０％ ｌＡＣ３熱膨張率
３． ＯＸ １０−’／’Ｃすなわち、従来技術
に係る半導体集積回路用リードフレームの材料である鉄
・ニッケル合金の特性は、上記の要請値に比べ、強度お
よび熱膨張率は、お＼むね満足できるが、導電率が圧倒
的に小さい、そのため、特に、高速スイッチング素子用
リードフレーム材としては必ずしも満足し得ないと云う
欠点がある。Desired strength (tensile strength) 60Kg, /w+” Conductivity 80% lAC3 coefficient of thermal expansion
3. OX 10-'/'C In other words, the properties of the iron-nickel alloy, which is the material of the lead frame for semiconductor integrated circuits according to the prior art, are generally satisfactory in terms of strength and coefficient of thermal expansion compared to the above required values. However, it has the disadvantage that it has an extremely low electrical conductivity, which makes it unsatisfactory especially as a lead frame material for high-speed switching elements.
本発明の目的は、従来技術に比べて他の条件を悪化する
ことなく、導電率が更に高い半導体集積回路用リードフ
レームを提供することにある。An object of the present invention is to provide a lead frame for a semiconductor integrated circuit that has higher conductivity than the prior art without deteriorating other conditions.
上記の目的は、下記いづれの手段によっても達成される
。The above object can be achieved by any of the following means.
第１の手段は、銅を主成分とする金属ｖｉ（２）を、鉄
とニッケルとを主成分とする金属板（１）をもって挟ま
れて圧着されて形成された単一の板が成形して製造する
こと＼されている半導体集積回路用リードフレームによ
って達成される。The first method is to form a single plate formed by sandwiching and crimping a metal vi (2) mainly composed of copper with a metal plate (1) mainly composed of iron and nickel. This is achieved by a lead frame for semiconductor integrated circuits manufactured by
第２の手段は、鉄とニッケルとを生成分とする金属板（
１２）を、銅を主成分とする金属板（１１）をもって挟
まれて圧着されて形成された単一の板が成形して製造す
ること−されている半導体集積回路用リードフレームに
よって達成される。The second means is a metal plate containing iron and nickel (
12) is achieved by a lead frame for a semiconductor integrated circuit, which is manufactured by molding a single plate formed by sandwiching and press-bonding metal plates (11) containing copper as a main component. .
上記のいづれの構成においても、銅を主成分とする金属
には、無酸素銅・リン青銅・ベリリウム銅・コルリン合
金等が好適であるが、それぞれの好ましい組成範囲は、
銅が９５％以上である。In any of the above configurations, oxygen-free copper, phosphor bronze, beryllium copper, corrin alloy, etc. are suitable as the metal containing copper as the main component, but the preferred composition range of each is as follows:
Copper is 95% or more.
また、鉄とニッケルとを主成分とする金属の組成比範囲
は、鉄とニッケルとの比が４０〜７０：６０〜３０であ
る。Further, the composition ratio range of the metal mainly composed of iron and nickel is such that the ratio of iron to nickel is 40 to 70:60 to 30.
さらに、上記のいづれの構成においても、銅を主成分と
する金属板（２）・ （１１）の厚さと鉄とニッケルと
を主成分とする金属板（１）・（１２）との厚さの比は
、６０〜２０：２０〜４０である。Furthermore, in any of the above configurations, the thickness of the metal plates (2) and (11) whose main components are copper and the thickness of the metal plates (1) and (12) whose main components are iron and nickel. The ratio is 60-20:20-40.
［作用］
本発明は、従来技術に係る半導体集積回路用リードフレ
ームの導電率の向上のためには、半導体集積回路用リー
ドフレームの材料として、銅と他の金属との積層体が使
用しうるとの着想のもとになされたものである。半導体
装置用のリードフレームに対する上記特性の要請値は、
銅の場合、下記の第３表に表記するとおりである。[Function] The present invention provides that a laminate of copper and other metals can be used as a material for a lead frame for a semiconductor integrated circuit in order to improve the electrical conductivity of the lead frame for a semiconductor integrated circuit according to the prior art. This was created based on the idea. The required values for the above characteristics for lead frames for semiconductor devices are:
In the case of copper, it is as shown in Table 3 below.
芽」し支
強度（引張り強さ） ４０にｇ／閣１導電率
１００％ ｌＡＣ３熱膨張率
１７ Ｘ １０−６／”Ｃ上記の数値が示すとおり、銅
のみの場合は、強度と熱膨張率が上記の要請値を満足す
ることができない、そこで、本発明においては、従来技
術においてリードフレーム用材として一般に使用されて
いた鉄・ニッケル合金を、従来ばね材等として一般に使
用されていたリン青銅・ベリリウム銅等をもって補強し
た積層体とすれば、両者の長所のみを選択的に実現しう
る複合材が得られるであろうとの着想を得て、各種組成
の鉄・ニッケル合金と各種組成の銅合金例えば無酸素銅
・リン青銅・ベリリウム銅・コルソン合金等との各種紐
み合わせについておびだ−しい実験を繰り返し、上記の
着想が十分機能しうることを確認して、本発明を完成し
た。実験の結果確認された本発明に係る半導体集積回路
用リードフレーム材の上記の特性を下記の第４表に表記
する。Support strength (tensile strength): 40g/kaku1 Conductivity
100% lAC3 thermal expansion coefficient
17 X 10-6/"C As shown in the above numerical values, in the case of only copper, the strength and coefficient of thermal expansion cannot satisfy the above required values. Therefore, in the present invention, the lead frame is not used in the prior art. If we create a laminate made by reinforcing the iron-nickel alloy, which is commonly used as a spring material, with phosphor bronze, beryllium copper, etc., which are conventionally used as spring materials, we can create a composite that selectively achieves only the advantages of both. With the idea that it would be possible to obtain materials, we explored various combinations of iron-nickel alloys of various compositions and copper alloys of various compositions, such as oxygen-free copper, phosphor bronze, beryllium copper, and Corson alloys. The present invention was completed by repeating new experiments and confirming that the above idea could function satisfactorily.The above characteristics of the lead frame material for semiconductor integrated circuits according to the present invention confirmed as a result of the experiments are described below. It is written in Table 4.
芽」−聚
強度（引張り強さ） ４５〜６５ Ｋｇ／ ｌｆｆ１ｎ
”導電率 １０〜８０％ ｌＡＣ３熱膨張
率 ７．０〜１２ 、ＯＸ １０−６／’Ｃ〔実施例〕
以下、図面を参照して、本発明の二つの実施例に係る半
導体集積回路用リードフレームについて説明する。Bud' - Seed strength (tensile strength) 45-65 Kg/lff1n
"Electrical conductivity 10-80% lAC3 thermal expansion coefficient 7.0-12, OX 10-6/'C [Example] Hereinafter, with reference to the drawings, leads for semiconductor integrated circuits according to two embodiments of the present invention Let's explain about frames.
に
本実施例は、銅を主成分とする金属板を、鉄とニッケル
とを主成分とする金属板をもって挾み、これらを圧着し
て形成した単一の板を成形して製造した半導体集積回路
用リードフレームである。In this example, a semiconductor integrated circuit is manufactured by sandwiching a metal plate mainly composed of copper with a metal plate mainly composed of iron and nickel, and forming a single plate by pressing these together. This is a lead frame for circuits.
第２図参照
図は本発明に係る半導体集積回路用リードフレームに使
用される金属板の断面図である。2 is a sectional view of a metal plate used in a lead frame for a semiconductor integrated circuit according to the present invention.
図において、１はリードフレーム用金属板のライナーを
構成する鉄・ニッケル合金（例えば、鉄ニッケル４２合
金）の仮である。２は上記のライナーを構成する鉄・ニ
ッケル合金の板１の間に挟まれた銅の板または銅合金（
例えば、無酸素銅・リン青銅・ベリリウム銅・コルソン
合金等）の板である。In the figure, 1 is a temporary iron-nickel alloy (for example, iron-nickel 42 alloy) that constitutes the liner of the metal plate for the lead frame. 2 is a copper plate or copper alloy (
For example, it is a plate made of oxygen-free copper, phosphor bronze, beryllium copper, Corson alloy, etc.
本実施例においては、上記のそれぞれの金属板１・２の
厚さは、リードフレームの厚さが一般的な厚さである１
５０μｍの場合に、鉄・ニッケル４２合金の板１の厚さ
は４５μｍ（３０％）であり、銅の板または銅合金（例
えば、無酸素銅・リン青銅・ベリリウム銅・コルソン合
金等）の板２の厚さは６０ＩＩｍ（４０％）である、こ
れら各金属［１・２の厚さの比率は、リードフレーム自
体の厚さによっても異なるが、鉄・ニッケル合金１の厚
さが２０〜４０％であり、銅板または銅合金板２の厚さ
が６０〜２０％であることが現実的である。In this embodiment, the thickness of each of the metal plates 1 and 2 described above is 1, which is the thickness of the lead frame generally.
In the case of 50 μm, the thickness of the iron-nickel 42 alloy plate 1 is 45 μm (30%), and the thickness of the copper plate or copper alloy plate (for example, oxygen-free copper, phosphor bronze, beryllium copper, Corson alloy, etc.) is 45 μm (30%). The thickness of the iron-nickel alloy 1 is 60IIm (40%), and the thickness of each of these metals [the ratio of the thicknesses of 1 and 2 varies depending on the thickness of the lead frame itself, but the thickness of the iron-nickel alloy 1 is 20 to 40mm. %, and it is realistic that the thickness of the copper plate or copper alloy plate 2 is 60 to 20%.
第３図参照
上記の銅の板または銅合金（例えば、無酸素銅・リン青
銅・ベリリウム銅・コルソン合金等）の板２を上記の鉄
・ニッケル合金（例えば、鉄・ニッケル４２合金）の板
１をもって挟持した状態で、約５００°Ｃに加熱し、約
５０ Ｋｇ／＋ｍ＋＋” （Ｄ圧力をもって圧接して接
合して、単一の複合板３を製造する。この複合板３の特
性は、第４表に表記したとおりである。Refer to Figure 3. The above-mentioned copper plate or copper alloy (e.g., oxygen-free copper, phosphor bronze, beryllium copper, Corson alloy, etc.) plate 2 is replaced with the above-mentioned iron-nickel alloy (e.g., iron-nickel 42 alloy) plate 2. A single composite plate 3 is manufactured by heating the composite plate 3 while holding the composite plate 1 to about 500°C and press-welding it with a pressure of about 50 Kg/+m++ (D).The characteristics of this composite plate 3 are as follows. As shown in Table 4.
第１図参照
プレス法またはエツチング法を使用して図示するように
成形して、半導体集積回路用リードフレームを完成する
０図において、５は接続導体であり、保持バー８に支持
されている。６は、半導体チップ（図示せず）がその上
に搭載されるアイランドであり、このアイランド６は支
持バー７を介して保持バー８に一体的に連結されている
。Referring to FIG. 1, a lead frame for a semiconductor integrated circuit is completed by molding as shown using a pressing method or an etching method. In FIG. 0, a connecting conductor 5 is supported by a holding bar 8. Reference numeral 6 denotes an island on which a semiconductor chip (not shown) is mounted, and this island 6 is integrally connected to a holding bar 8 via a support bar 7.
こ＼で、保持バー８は額縁状の形状を有することが一般
である。上記の接続導体５の一端は、上記のアイランド
６の近傍にこれとは絶縁されて配列される。Here, the holding bar 8 generally has a frame-like shape. One end of the connection conductor 5 is arranged near the island 6 and insulated therefrom.
２ ・ ２に
本実施例は、鉄とニッケルとを主成分とする金属板を、
銅を主成分とする金属板をもって挟み、これらを圧着し
て形成した単一の板を成形して製造した半導体集積回路
用リードフレームである。2. In this example, a metal plate whose main components are iron and nickel is
This is a lead frame for a semiconductor integrated circuit manufactured by molding a single plate formed by sandwiching metal plates whose main component is copper and pressing them together.
第４図参照
図は本発明に係る半導体集積回路用リードフレームに使
用される金属板の断面図である。4 is a sectional view of a metal plate used in a lead frame for a semiconductor integrated circuit according to the present invention.
図において、１１はリードフレーム用金属板のライナー
を構成する銅の板または銅合金（例えば、無酸素銅・リ
ン青銅・ベリリウム銅・コルソン合金等）の板である。In the figure, 11 is a copper plate or a copper alloy plate (for example, oxygen-free copper, phosphor bronze, beryllium copper, Corson alloy, etc.) that constitutes the liner of the metal plate for the lead frame.
１２は上記のライナーを構成する銅の板または銅合金（
例えば、無酸素銅・リン青銅・ベリリウム銅・コルリン
合金等）の板１１の間に挟まれた鉄・ニッケル合金（例
えば、鉄・ニッケル４２合金）の板である。12 is a copper plate or copper alloy (
For example, it is a plate of iron-nickel alloy (for example, iron-nickel 42 alloy) sandwiched between plates 11 of oxygen-free copper, phosphor bronze, beryllium copper, corrin alloy, etc.).
本実施例においては、上記のそれぞれの金属板１１・１
２の厚さは、リードフレームの厚さが一般的な厚さであ
る１５０μｍの場合に、鉄・ニッケル４２合金の板１２
の厚さは４５μｍ（３０％）であり、銅の板または銅合
金（例えば、無酸素銅・リン青銅・ベリリウム銅・コル
リン合金等）の板１１の厚さは６０μｍ（４０％）であ
る。これら各金属板１１−１２の厚さの比率は、リード
フレーム自体の厚さによっても異なるが、鉄・ニッケル
合金１２の厚さが２０〜４０％であり、銅板または銅合
金板１１の厚さが６０〜２０％であることが現実的であ
る。In this embodiment, each of the metal plates 11 and 1 described above is
The thickness of the lead frame is 150 μm, which is a common thickness, and the thickness of the iron-nickel 42 alloy plate 12 is
The thickness of the copper plate or copper alloy plate 11 (for example, oxygen-free copper, phosphor bronze, beryllium copper, corrin alloy, etc.) is 60 μm (40%). The ratio of the thickness of each of these metal plates 11-12 varies depending on the thickness of the lead frame itself, but the thickness of the iron-nickel alloy 12 is 20 to 40%, and the thickness of the copper plate or copper alloy plate 11 is 20% to 40%. is realistically 60 to 20%.
第５図参照
上記の鉄・ニッケル台金（例えば、鉄・ニッケル４２合
金〕の板１２を上記の銅の板または銅合金（例えば、無
酸素銅・リン青銅・ベリリウム銅・コルリン合金等）の
板１１をもって挟持した状態で、約５００°Ｃに加熱し
、約５０ Ｋｇ ／ ｍｌ１１”の圧力をもって圧接し
て接合して、単一の複合板１３を製造する。この複合板
１３の特性は、第５表に表記したとおりである。Refer to Figure 5. The plate 12 of the above iron/nickel base metal (for example, iron/nickel 42 alloy) is replaced with the above copper plate or copper alloy (for example, oxygen-free copper, phosphor bronze, beryllium copper, corrin alloy, etc.). A single composite plate 13 is manufactured by holding the plates 11 together, heating them to about 500°C, and pressing and bonding them together with a pressure of about 50 kg/ml11''.The characteristics of this composite plate 13 are as follows. As shown in Table 5.
」α１表
強度（引張り強さ） ５５Ｋｇ／ｍ”導電率
７０％ ｌＡＣ３熱膨張率
７．５Ｘ １０−’／’Ｃ以上の工程をもって製造し
た積層体を、第１実施例の場合と同様、プレス法または
エツチング法を使用して成形して、半導体集積回路用リ
ードフレームを完成する。"α1 table strength (tensile strength) 55Kg/m" electrical conductivity
70% lAC3 thermal expansion coefficient
The laminate produced through a process of 7.5X 10-'/'C or more is molded using the pressing method or etching method as in the first embodiment to complete a lead frame for a semiconductor integrated circuit. .
以上説明せるとおり、本発明に係る半導体集積回路用リ
ードフレームは、銅を主成分とする金属板、または、鉄
とニッケルとを主成分とする金属板を、それぞれ、鉄と
ニッケルとを主成分とする金属板、または、銅を主成分
とする金属板をもって挟んで圧着し、単一の仮とされた
金属板をもって製造されているので、強度が大きく、導
電率が高く、熱膨張率が小さく、高速半導体素子用リー
ドフレームに対する要請をお−むね満足することができ
るから、高速半導体装置用リードフレームとして好適な
半導体装置用リードフレームを提供することが可能であ
る。As explained above, the lead frame for a semiconductor integrated circuit according to the present invention includes a metal plate mainly composed of copper, or a metal plate mainly composed of iron and nickel, respectively. It is manufactured using a single temporary metal plate that is sandwiched and crimped with a metal plate made of copper, or a metal plate whose main component is copper, so it has high strength, high electrical conductivity, and a low coefficient of thermal expansion. Since the present invention generally satisfies the requirements for a small and high-speed lead frame for semiconductor devices, it is possible to provide a lead frame for a semiconductor device suitable as a lead frame for a high-speed semiconductor device.
第１図は、本発明の第１実施例に係る半導体集積回路用
リードフレームの平面図である。
第２図は、本発明の第１実施例に係る半導体集積回路用
リードフレームの製造工程の説明図である。
第３図は、本発明の第１実施例に係る半導体集積回路用
リードフレームに使用する金属板の断面図である。
第４図は、本発明の第２実施例に係る半導体集積回路用
リードフレームの製造工程の説明図である。
第５図は、本発明の第２実施例に係る半導体集積回路用
リードフレームに使用する金属板の断面図である。
１・１２・・・鉄・ニッケル合金板、
２・１１・・・銅の板または銅合金板、３ ・１３・・
・本発明の実施例に係る半導体集積回路用リードフレー
ムに使用する金属
板、
５・・・接続導体、
６・・・アイランド、
７・・・支持バー
８・・・保持バーFIG. 1 is a plan view of a lead frame for a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is an explanatory diagram of the manufacturing process of a lead frame for a semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a sectional view of a metal plate used in a lead frame for a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention. FIG. 4 is an explanatory diagram of the manufacturing process of a lead frame for a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention. FIG. 5 is a sectional view of a metal plate used in a lead frame for a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention. 1.12... Iron/nickel alloy plate, 2.11... Copper plate or copper alloy plate, 3.13...
・Metal plate used in the semiconductor integrated circuit lead frame according to the embodiment of the present invention, 5... Connection conductor, 6... Island, 7... Support bar 8... Holding bar
Claims (1)
とを主成分とする金属板（１）をもって挟まれて圧着さ
れて形成された単一の板が成形されてなる ことを特徴とする半導体集積回路用リードフレーム。 ［２］鉄とニッケルとを主成分とする金属板（１２）が
、銅を主成分とする金属板（１１）をもって挟まれて圧
着されて形成された単一の板が成形されてなる ことを特徴とする半導体集積回路用リードフレーム。[Claims] [1] A single plate formed by sandwiching and press-bonding a metal plate (2) mainly composed of copper with a metal plate (1) mainly composed of iron and nickel. A lead frame for a semiconductor integrated circuit, characterized by being formed by molding. [2] A single plate is formed by sandwiching and crimping a metal plate (12) mainly composed of iron and nickel with a metal plate (11) mainly composed of copper. A lead frame for semiconductor integrated circuits featuring:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32711889A JPH03188659A (en) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | Lead frame for semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32711889A JPH03188659A (en) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | Lead frame for semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03188659A true JPH03188659A (en) | 1991-08-16 |
Family
ID=18195503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32711889A Pending JPH03188659A (en) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | Lead frame for semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03188659A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629436A (en) * | 1992-07-13 | 1994-02-04 | Hitachi Metals Ltd | Material for lead frame |
| US5367191A (en) * | 1991-09-18 | 1994-11-22 | Fujitsu Limited | Leadframe and resin-sealed semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60242653A (en) * | 1984-05-16 | 1985-12-02 | Daido Steel Co Ltd | Composite material for lead frame |
-
1989
- 1989-12-19 JP JP32711889A patent/JPH03188659A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60242653A (en) * | 1984-05-16 | 1985-12-02 | Daido Steel Co Ltd | Composite material for lead frame |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5367191A (en) * | 1991-09-18 | 1994-11-22 | Fujitsu Limited | Leadframe and resin-sealed semiconductor device |
| US5753535A (en) * | 1991-09-18 | 1998-05-19 | Fujitsu Limited | Leadframe and resin-sealed semiconductor device |
| JPH0629436A (en) * | 1992-07-13 | 1994-02-04 | Hitachi Metals Ltd | Material for lead frame |
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