JPH03188308A

JPH03188308A - スルーホール充填状態検査装置

Info

Publication number: JPH03188308A
Application number: JP32924289A
Authority: JP
Inventors: Koji Oka; 浩司岡; Moritoshi Ando; 護俊安藤
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1989-12-19
Filing date: 1989-12-19
Publication date: 1991-08-16

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（概数）プリント基板のスルーホール内部に充填された導通材料
の充填状態を検査するスルーホール充填状態検査ｇｔ胃
に関し、充填不足の深さが規格以内のスルーホールの過剰検出を
防止することを目的とし、充填材が充填された被検査物にＪ３ける所定数のスルー
ホールにビームを照射し、該スルーホールの表面及び斜
方向の反射光により表面状態検知信号及び充填状態検知
イ六号を得、該表面状態検知信号を第１の多値化回路に
より多値化信号として表面状態検査回路により欠陥を検
査すると共に、該充填状態検知信号を第２の多値化回路
により多値化信号として充填状態検査回路により欠陥を
検査するスルーホール充填状態検査装置において、前記
充填状態検査回路は、前記第１の多値化回路からの多値
化（を号におけるスルーホール領域に対応する前記第２
の多値化回路の多値化信号を抽出し、該抽出した多値化
信号における両糸の光強度のデータ値の総和を算出して
前記スルーホールの欠陥の有無を判定するように構成す
る。２〔産業上の利用分野〕本発明は、プリント基板のスルーホール内部に充填され
た導通材料の充填状態を検査するスルーホール充填状態
検査ｖｔｅに関する。

近年、プリント基板の＾密度化、＾連化に伴い、プリン
ト基板を多層化する傾向にある。特にセラミック基板の
場合、各プリント基板に層間の電気的接続を得るために
スルーホールを設けて導通材料を充填し、これらを積層
している。従って、積層されたプリント基板同志が人々
のスルーホールの導通材料によって完全に導通されるこ
とが要求されている。このため、スルーホールの充填状
態を１確に検査し、内部欠陥を有するプリント基板を排
除する必要がある。

〔従来の技術〕

従来のプリント基板は、熱伝導率がＱ好なセラミック系
素材が用いられている。このようなプリント基板は、例
えば、多層基板の各層を積層する前に、−枚毎に孔（バ
イア）を穿設し、この内部に導通材料（例えば、モリブ
デン、タングステン、銅等の金属粒子と溶剤の混合物）
を充填して最後に各層を重ね合わＩた侵、焼結して全体
を完成させている。

第１３図に従来のスルーホール充填状態検査装置の構成
図を示す。第１３図において、レーザ光源１０からのレ
ーザ光をビームエクスパンダ１１により拡大し、ミラー
１２で反射させてビームスプリッタ１３を通過させる。

ビームスプリッタ１３を通過したレーザ光を、回転多面
鏡１４により走査を行う。回転多面鏡１４に反射したレ
ーザ光は、走査レンズ１５によりスポット状に集光され
、ミラー１６を介してテーブル１７に載置された検査対
宋であるプリント基板１８上で走査（第４図矢印）され
る。プリント基板１８からの反射光は、入射光と同一の
杼路で９還し、ビームスプリッタ１３により反射光成分
が分離される。この反射光は、再結像用レンズ１９によ
り再結像され、再結像面上に配置された空間ノイルター
２０を通過して、第１の光電子増倍管２１にて検知され
る。

第１の光電子増倍管２１による検知信号は、プリント基
板１８を上面から観測した場合に相当する信号（表面状
態検知信号）である。一方、プリント基板１８からの反
射光は、レーザー光入射方向に対して斜方向（角度θ）
からも、第２の光電子増倍管２２にて検知される。第２
の充電ｆ増倍管２２で検知される信号は、プリント基板
１８のスルーホール充填状態に対応した信号（充填状態
検知信号）であり、スルーホール充填不足等の欠陥（ｔ
ｌ述する）が存在する場合に陰影として検知される。第
１の光電子増倍管２１で検知された信号は、第１の二値
化回路２３で可変抵抗２４のスライスレベル八と比較さ
れ、表面状ｊ＆検査回路２５により欠陥のｈＷ、を判断
し、その結果の情報を情報部２６に出力される。また、
第２の光電ｆ増倍管２２で検知された信号は、第２の二
値化回路２７で可変抵抗２８のスライスレベルＢと比較
され、充填状態検査回路２９にＪ：り欠陥の４無を判断
し、ぞの結果の情報が情報部２６に出力される。

ここで、プリンｌ−Ｌ＜板１８の構成図を第１４図に示
す。第１４図にお１ノるプリント基板１８は、所定数の
スルーホール１８　ａ・・・が穿設され、このスルーホ
ール１８ａ内部に導通４４利１８ｂ・・・が充填された
ものである。

また、第１５図に該プリント基板１８のスルーホール１
８ａの充填状態の部分断面図を示す。第１５図（Ａ）は
スルーホール１８ａに導通材料１８ｂが正常に充填され
た場合を示している。

方、第１５図（Ｂ）ヘー（Ｆ）は欠陥の場合であり、第
１５図（Ｂ）は充填不足、第１５図（Ｃ）は貫通、第１
５図（Ｄ）は未充填、第１５図（Ｅ）はにじみ、第１５
図（Ｆ）は未充填（ボイド）の状態である。

次に、第１３図における第１及び第２の光電子増倍管２
１，２２のその信号処理を第１６図により説明する。ま
ｆ１スルーホール１８ａにおける導通材料１８ｂの光反
射率はプリン１〜基板１８表面の光反射率よりも小さい
ことから、−殻内にはスルーホール１８ａ、導通材料１
８ｂが暗く検知される。第１６図（Ａ＞のようなプリン
ト基板１８の充填状態における第１の光電子増倍管２１
の出力恒１表面状態位号、第１６図（Ｂ））を、第１の
二値化回路２３において所定のスライスレベル八で二値
化し、二値化された表面状態検知信号Ｏｆｉ：ｍる（第
１６図（Ｃ））。この表面状態検知信号Ｏを表面状態検
査回路２５内の画像バッファ（図示せず）によりパター
ン化し、表面状態検知パターン（第１６図（Ｆ））とす
る。この検知パターンは、表面状態検査回路２５内で、
例えばラジアルマツヂング検査論理（特開昭６２−２６
３４０４号）と称されるパターン形状による良否判断に
より、第１５図（Ｆ）（第１６図（Ａ）ｄ）のにじみ等
の欠陥を検出する。

一方、第２の光電子増倍管２２の出力Ｏ（充填状態検知
信号、第１６図（Ｄ））を第２の二値化回路２７におい
て陰影部のみを抽出する所定のスライスレベルＢで二値
化し、二値化された充填状態検知信号０を得る（第１６
図（Ｅ））。この充填状態検知信号０を充填状態検査回
路２９内の画像バッファ（図示１！ず）によりパターン
化し、充填状態検知パターン（第１６図（Ｇ））とする
。

この検知パターンｔよ、充填状態検査回路２９で陰影パ
ターンの大小等を検査され、第１５図（Ｂ）〜（Ｄ）の
充填不足、ｆ１通の欠陥を検出する。例えば、第１６図
（Ａ＞に示すように、陰影パターンが１画素１０μｍの
ドツトマトリクス内に１画素（斜線部ＳＡ）以上に存在
すれば欠陥と判定することもでき、又は、第１７図（Ｂ
）に示すように、検知パターン（第１１１（Ｇ））の面
ＶＡＳｓ（画素数）が規定鎮Ｓｓ以上か、未満かで判断
し、未満であれば正常と判定する。

ところで、第１８図（Ａ）に、各スルーホール充填状態
及びその充填状態検知信号す示す。第１８図（Ａ＞にお
いて、導通材料１８ｂの充填状態がプリント基板１８の
表面より深さｄＬ以上であれば正常状態とした場合、ス
ルーボールａ、ｂ。

ｃ、ｄは■常であり、スルーホールｅは欠陥となる。す
なわち、スルーホールａ　Ｇ１理想充填状態であり、ス
ルーホールｂ、ｃ、ｄは名工の未完１ｉｔ部分があるが
、深さが規格（ｄＬ＞以内であるので正常であり、スル
ーホールｅは未充填部分の深さが規格（ｄえ）以上であ
るので欠陥となる。この場合の充填状態検知信号［相］
を第１８図（Ｂ）に示す。なお、第１８図（Ａ）ｄ、ｅ
の網掛部分は検知における陰影部分である。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、第１８図（Ｂ）のように、充填状態検知信号
０を第２の二値化回路２７においてスライスレベルＢで
二値化すると、第１８図（Ｃ）に示すように、スルーホ
ールｂ、ｃ、ｄ、ｅに二値化充填状態検知信号Ｏが表わ
れる。しかし、スル−ホールｅを欠陥と判定されるが、
スルーホールｂ、ｃ、ｄまでが欠陥として検出する。す
なわち、充填不足の深さが規格（ｄｔ　）以内のスルー
小−ルが欠陥として過剰に検出されるという問題があっ
た。

そこで本発明は上記課題に鑑みなされたもので、充填不
足の深さが規格以内のスルーホールの過剰検出を防止す
るスルーホール充填状態検出装置を提供することを目的
とする。

〔課題を解決するための手段〕

第１図乃至第３図に本発明の原理説明図を丞す。

第１図の第１の発明にＪ３けるスルーホール充填状態検
査装置１において、２は第１の多値化回路であり、表面
状態検知信号を多値化信号とする。３は第２の多値化回
路であり、充填状態検知信号を多値化信号とする。ここ
で、表面状態検知信号及び充填状態検知信号は、充填材
（１適材Ｆｌ）が充填された被検査物における所定数の
スルーホールにビームを照射し、スルーホールの表面及
び斜方向の反射光より得るものである。

４は表面状態検査回路であり、表面状態検知信号の多値
化信号によりスルーホールの表面状態の欠陥を検査し、
情報部５に出力する。６は充填状態検査回路であり、第
１の多値化回路２からの多値化信号にお番ノるスルーホ
ール領域に対応する第２の多値化回路３の多値化信号を
抽出し、該抽出した多値化信号における画素の光強痕の
データ値の総和を算出して前記スルーホールの欠陥の有
無を判定する。

また、第２図の第２の発明におけるスルーホール充填状
態検査装置１は、第１図において、第１の多値化回路２
からの多値化信号によりスルーボールの中心位置を検出
し、該中心位置から峙記充填状態検査回路６内で抽出さ
れた多値化信号の画素までの距離を算出し、予め設定さ
れた該距離に対応する重み係数を算出するΦみ付は手段
７を設置ノたものである。そして、充填状態検査回路６
は、この重み係数と、前記抽出された多値化信号の画素
のデータ値とをｖ４尊する重み演算回路８を有する。

さらに、第３図の第３の発明におけるスルーホール充填
状態検査装置１は、第１図又は第２図において、第２の
多植化回路３と充填状態検査回路６との間に、第２の多
値化回路３からの多値化信号の画素の九強頂のデータ値
に対応した重み係数を伺加して前記充填状態検査回路に
出力するデータ変換回路９が設けられる。

〔作用〕

第１図に示すように、各画素の光強疫のデータ値を総和
して基準値の比較でスルーホールの欠陥の有無を判定し
ており、また、第２図に示すように各画素の位置におけ
る重み係数とデータ値でスルーホールの欠陥の有無をよ
り顕著にしており、さらに、第３図に示すように各画素
の面積における重み係数とデータ値でスルーホールの欠
陥の有無をより顕著として判定を行っている。

従って、未充填の深さが規格以内で正常であったスルー
ホールの充填状態を区別することが可能となり、欠陥と
して過剰検出されるのを防止することが可能となる。

〔実施例〕

第４図に第１の発明における一実施例のブロック構成図
を示す。なお、上述における同一部分には同一符号を付
す。第４図におけるスルーホール充填状態検査装置１は
、第１１図における光学系の構成並びに動作及び表面状
態検知信号、充填状態検知信号の検出方法と同様である
。

第４図における検知信号を処理する構成及び処理は、ま
ず、第２の光電子増倍管２２により検知された充填状態
検知信号Ｏを第１の多値化回路であるＡＤ変換回路３に
より多値化する。ＡＤ変換の上限は完全な黒レベル（入
射光が全く無い場合の充填状態検知信号電圧に相当）に
設定し、上限は充填状態検知信号ｏｒｔ１の陰影領域の
みを効率的に抽出することができるレベル（例えば、正
常なスルーホールの検知レベル程度）に設定する。次に
、この多値化充填状態検知パターンの信号を、充填状態
検査回路６のデータ抽出回路３１に入力し、第１の多値
化回路である二値化回路２　（２３）からの表面状態検
知パターンを利用して、スルーホール領域内のデータの
みを抽出する。抽出したデータを、データ和算出回路３
２に入力し、各スルーホール領域について、その内部の
データ値の総和を算出する（訂細は後述する）。このデ
ータ値の総和を、判定回路３３に入力し、あらかじめ設
定された判定基準値と比較することにより、そのスルー
ホールの充填状態の正常・欠陥を判別する。判定基’Ｉ
Ｅｌｔｆｆについては、実際のスルーホールの充填状態
と１０られるデータ値の総和とのＩＩＩ係を予め実験等
で求め、最適な値を設定しておけばよい。欠陥と判定さ
れたスルーホールについては、そのスルーホール位置等
の欠陥情報を情報部５〈２６）に出力する。

ここで、充填状態検査回路６の動作を第５図により詳説
する。第５図（Ａ）、（Ｂ）は、第９図（Ａ）ａ、ｂ、
ｅと同様な、検査対象の断面及び充填状態検知信号０を
示している。充填状態検知信号◎の陰影領域を、従来の
単純な二値化の代わりに、ＡＤ変換回路３により多値化
（例えば、８ビツトでＡＤ変換）して、パターン化する
。ＡＤ変換の範囲は、充填状態検知信号の全体でもよい
が、陰影領域、もしくは陰影領域付近（変換レベルＣ）
に限定し、検知精度を向上している。多値化充填状態検
知パターンを第５図（Ｃ）に示すようにスルーホールａ
は、陰影が全く存在しないので、多値化充填状態検知パ
ターンは検知されない（例えば、１６進法でスルーホー
ルａ領域内の光強度のデータ値は、全て、（００）＋６
になる）。

スルーホールしでは、データ抽出回路３１により中央に
５画素（データ値が（００）＋６以外）のパターンが検
知される。スルーホールｅにおいても同様に、中央に５
画素のパターンが検知される。

スルーホールｂとｅでは、検知されたパターンの両糸数
は向−であるが、データ和９出回路３２による各スルー
ホール領域内の光強度のデータ値の総和は、それぞれ異
なる。そこで、この多値化充填状態検知パターンのデー
タ値の総和を用いて、スルーホールｂとｅの充填状態の
相違を判定回路３３により判別する。例えば、第５図（
Ｃ）の場合、データ値の総和は、スルーホールａでは（
００）＋６．ｂでは（１８＋０４Ｘ４）−（２８）＋６
．ｅでは（ａＱ＋２０Ｘ４）　−（１２０）　＋ｓにな
る。ここで、欠陥の判定基準をデータｌ＋ｉ　（８０）
　１６とすると、（８０）＋ｓ未満を正常、（８０）　
１６以上を欠陥とすると、スルーホールａは正常、ｂも
正常、ｅは欠陥と、判定回路３３により正しく判定され
ることになる。判定基１（ａは、スルーホールの充填状
態と、得られるデータ値の総和とを比較することにより
求める。

次に、第６図に第２の発明の一実施例のブロック構成図
を示す。まず、第２の充電ｆ増倍管２２により検知され
た充填状態検知信号を、ＡＤ変換回路３により多値化す
る。ＡＤ変換の設定は第４図と同様である。このデータ
変換した多値化充填状態検知信号を、充填状態検査回路
６のデータ抽出回路３１に入力し、二値化回路２３から
の表面状態検知パターンを利用して、スルーホール領域
内の画素のみを抽出する。そして、その画素のデータ値
ｄｉを重み演算回路３５に出力すると共に、重み付ｃ）
手段７においてその画素の位置をスルーホール中心から
の距離を算出する距離算出回路３６に出力する。スルー
ホール中心からの距１１粋出回路３６においては、中心
位置検出回路３７で検出されたスルーホール中心位置を
用いて、データ抽出回路３１から出力された画素の中心
からの距１ｉｒｉ（第１１図参照）を算出する。距離ｒ
ｉは、重み係数算出回路３８に入力され、距離ｒｉに対
応した重み係数βｉが算出される。この重み係数βｉと
データ値ｄｉとを充填状態検査回路２９の重み演桿回路
３５に入力し、その積β１−ｄｉを求める。これらの積
の値を、データ和算出回路３２に入力し、各スルーホー
ル領域について、その内部のデータ値の総和を算出する
。このデータ値の総和を、判定回路　３３に入力し、あ
らかじめ設定された判定基準値と比較することにより、
そのスルーホールの充填状態の正常・欠陥を判別する。

判定基準値については、第４図と同様である。

そして、欠陥と判定されたスルーホールについては、そ
のスルーホール位置等の欠陥情報を情報部５に出力する
。

ここで、重み付Ｇ）手段７について第７図及び第８図に
より説明する。第７図（Ａ）、（［３）は第１８図（Ａ
）ａ、ｄ、ｅと同様の検査対象の断面及び充填状態検知
信号０を示している。第７図（Ａ）、（Ｂ）のスルーホ
ールａ、ｄ、ｅにおいて、まヂ、中心位置検出回路３７
により中心を検出する。距１Ｉｌｌｌ詐出回路３６にお
いて、第８図に示すように、中心位置から距１１ｒ　！
　（ｒ＋　、β２゜β３　、　β４　）の４つの領域に
該スルーホールを分割し、それぞれの領域について重み
係数βｉ（β１．β２．β３．β４）を設定している。

−殻内に、重み係数βｉは、スルーホール中心からの距
離が増加するとともに（すなわち、スルーホールの外周
に近くなるほど）、小さくなるように設定する。このよ
うな手段を用いることにより、スルーホール外周付近の
画素については、そのデータ値が総和Ｘに与える影響を
小さくし、また、スルーホール中央付近の画素について
は、そのデータ値が総和Ｘに与える影響を大きくするこ
とが可能となる。従って、データ和算出回路３２におけ
る各スルーホール領域内のデータ値の総和はΣ（β１−
ｄｉ）となる。例えば、第７図（Ｃ）において、β１＝
２．β２＝１とするとスルーホールａは（００）＋６ｒ
あり、スルー　ホー　ルｄ　ハ（（２０）　＋６　＋　
（４０）　＋６　＋　（５０）　＋６−＋（６０）　＋
６−暑＋（４０）　＋６　＋（１０）　１６　＋（１０
）＋ｓ　）＝　（１７０）　＋６となり、スルーボール
ｅは（２Ｘ　（５０）＋６　＋　２Ｘ　（９０）１６　
＋２Ｘ（９０）１６　）−（２ＥＯ）１６となる。欠陥
の基準を（２００）　＋６に設定し、データ値の総和が
（２００）　、６未満で正常、以上で欠陥とすると、ス
ルーホールａ、ｄは共に正常となり、スルーホールｅの
みが欠陥となり正しく判定される。なお、判定回路３３
の判定基準値は実際のスルーホールの充填状態と、得ら
れるデータ値の総和とを比較することにより求める。

このように、充填状態検知パターンの検知された位置及
びての画素のデータ値の大小（スルーホール陰影部の暗
さ）が総和に反映されることになり、より一層の適切な
充填不足欠陥の判定が可能となる。

次に、第９図に第３の発明の一実施例のブロック構成図
を示す。第９図のスルーホール充填状態検査装置１は、
第４図にお【ノるＡＤ変換回路３と充填状態検査装置６
との間に、データ変換回路９を介在させたものである。

すなわち、第２の光電子増倍管２２により検知された充
填状態検知信号０を、ＡＤ変換回路３により多値化する
。第４図と同様に、ＡＤ変換の上限は完全な黒レベル（
入射光が全く無い場合の充填状態検知信号電圧に相当）
に設定し、上限【よ充填状態検知信号◎中の陰影領域の
みを効率的に抽出することができるレベル（例えば、正
常なスルーボールの検知レベル程度）に設定する。この
多値化充填状態検知信号を、データ変換回路９に入力し
、各画素の光強度のデータ値ｄｉに対応した重み係数α
ｉとの積αｉ・ｄｉを求める。重み係数αｉはデータ値
ｄｉの関数（ｆ（ｄｉ））であるので、積α１−ｄｉ＝
ｆ（ｄｉ＞・ｄｉ＝ｇ（ｄｉ）であり、データ値ｄｉか
らｉ接、積α１−ｄｉを算出することが可能である。従
って、このデータ変換回路９は、例えばメモリを用いて
簡単に構成できる。メモリ中には、データ値ｄｉに対応
した（メモリのアドレスとして入力される）積α１−ｄ
ｉ＝ｑ（ｄｉ）を格納しておく。次に、このデータ変換
した多値化充填状態検知信号を、充填状態検査回路６の
データ抽出回路３１に入力し、第１の多値化回路である
二値化回路２３からの表面状態検知パターンを利用して
、にじみ領域を含まないスルーホール領域内のデータの
みを抽出する。抽出したデータを、データ和わ出回路３
２に入力し、前述のように、各スルーホール領域につい
て、その内部のデータ値の総和を算出する。このデータ
値の総和を、判定回路３３に入力し、あらかじめ設定さ
れた判定基準値と比較することにより、そのスルーホー
ルの充填状態の正常・欠陥を判別するものである。

判定基準値については、第４図と同様である。そして、
欠陥と判定されたスルーホールについては、そのスルー
ホール位置等の欠陥情報を情報部５に出力する。なお、
データ変換回路（メｔす）９の内容を変更することによ
り、データ１Ｉａｄｉと重み係数αｉの任意の関係を設
定することが可能である。

ここで、データ変換回路９及び充填状態検査回路２９の
動作を第１０図及び第１１図により詳説する。第１０図
（Ａ）、（Ｂ）は、第１８図（Ａ）ａ、ｃ、ｅと同様の
検査対蒙の断面及び充填状態検知信号０を示している。

ＡＤ変換回路３の動０は第４図の場合と同様であり、第
１０図（Ｃ）に示ずような多値化充填状態検知パターン
が得られる。データ変換回路９では、ＡＤ変換回路３か
らの光強度のデータ（／ｉｄｉに重み係数αｉを付加す
るが、重み係数αｉは例えば第１１図のような変換ｊ−
プルが設定される。このようなデータ値の総和を充填状
態検査装置６のデータ和算出回路３２により行うことに
より、データ値ｄｉが人（陰影部の光強度が小）の画素
については、データ値ｄｉが小（陰影部の光強度が人）
の画素よりも総和に与える影響がより大きくなり、陰影
部の光強度の大小が総和に反映されるようになる。例え
ば、第１０図（Ｃ）において、スルーホールａは＜００
）＋６．スルーホールＣは（（３０）１６Ｘｎｘｌ＋（
２０）＋６Ｘ３Ｘ８＋　（１０）１６Ｘ２Ｘ４）＝（４
４０）＋６となり、スルーホールｅは（（９０）＋５Ｘ
１０Ｘ２＋（５０）＋６Ｘ６Ｘ１）＝（ｄ２０）＋６と
なる。欠陥の判定基準を＜　５００）　＋６に設定し、
データ値の総和が（５００）拓未満で正常、（５００）
　＋６以上で欠陥とすると、スルーホールａ、ｂは正常
、スルーホールＣは欠陥となり、判定回路３３において
正しくマり定されることになる。なお、上記判定基準値
は実際のスルーホールの充填状態と、得られるデータ値
の総和とを比較することにより求められる。

このように、光強度に重み係数を付加することにより、
第１０図（Ａ）Ｃのような幅の広い未充填部分が存在す
る場合であっても、欠陥の過剰検出が防止される。

次に、第１２図に第３の発明における他の実施例のブロ
ック構成図を示す。第１２図は第６図におくＪる八り変
換回ｖ１１３及びデータ抽出回路３１との間に、データ
変換回路９を介在させたものである。このデータ変換回
路９は各画素のデータ値に対応した重み演棹を行うしの
であり、基本的動作は、第９図と同一である。これによ
り、スルーホール陰影部の明さがデータ値の総和により
反映されることになる。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、各画素のデータ値を総和
して基準値の比較でスルーホールの欠陥の有無を判定し
ており、また、各画素の位置における重み係数とデータ
値でスルーホールの欠陥の有無をよりｉｆｉ著にしてお
り、さらに、各画素の面積における重み係数とデータ値
でスルーホールの欠陥の有無をより顕著として判定する
ことにより、深さが規格以内の充填不足を有するスルー
ホールの過剰検出を防止することができ、検査装置の信
頼性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明における第１の発明の原理説明図、第２図は本発明における第２の発明の原理説明図、第３図は本発明における第３の発明の原ｌＩＪ＋説明図
、第４図は第１の発明の一実施例のブロック構成図、第５図は第１の発明の充填状態検査回路を説明するため
の図、第６図は第２の発明の一実施例のブロック構成図、第７図は第２の発明の重み付は手段を説明するための図
、第８図は第２の発明のスルーホールの分割を説明するた
めの図、第９図は第３の発明の一実施例のブロック構成図、第１０図は第３の発明のデータ変換回路を説明するため
の図、第１１図は第３の発明の重み係数の変換ｊ−プルを小し
たグラフ、第１２図は第３の発明の他の実施例のブロック構成図、第１３図は従来のスルーホール充填状態検査装置の構成
図、第１４図は充填されたスルーホールを有するプリント基
板の構成図、第１５図はスルーホール充填状態を示した部分断面図、第１６図は従来の装置におｔノる信号処理を示した説明
図、第１７図は従来の陰影パターンの検査を説明するための
図、第１８図は従来の充填状態を示したパターン図である。図において、１はスルーホール充填状態検査装置、２は第１の多値化回路、３は第２の多値化回路、４は表面状態検査回路、５Ｇよ情報部、６は充填状態検査回路、７は重み付は手段、８は重み演算回路、９はデータ変換回路を示す。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）充填材が充填された被検査物における所定数のス
ルーホールにビームを照射し、該スルーホールの表面及
び斜方向の反射光により表面状態検知信号及び充填状態
検知信号を得、該表面状態検知信号を第１の多値化回路
（２）により多値化信号として表面状態検査回路（４）
により欠陥を検査すると共に、該充填状態検知信号を第
２の多値化回路（３）により多値化信号として充填状態
検査回路（６）により欠陥を検査するスルーホール充填
状態検査装置において、前記充填状態検査回路（６）は、前記第１の多値化回路（２）からの多値化信号における
スルーホール領域に対応する前記第２の多値化回路（３
）の多値化信号を抽出し、該抽出した多値化信号におけ
る画素の光強度のデータ値の総和を算出して前記スルー
ホールの欠陥の有無を判定することを特徴とするスルー
ホール充填状態検査装置。
（２）前記第１の多値化回路（２）からの多値化信号に
よりスルーホールの中心位置を検出し、該中心位置から
前記充填状態検査回路（６）内で抽出された多値化信号
の画素までの距離を算出し、予め設定された該距離に対
応する重み係数を算出する重み付け手段（７）を設ける
と共に、該充填状態検査回路（６）は、該重み係数と、該抽出さ
れた多値化信号の画素のデータ値とを演算する重み演算
回路（８）を有することを特徴とする請求項（１）記載
のスルーホール充填状態検査装置。
（３）前記第２の多値化回路（３）と前記充填状態検査
回路（６）との間に、該第２の多値化回路（３）からの多値化信号の画素の光
強度のデータ値に対応した重み係数を付加して前記充填
状態検査回路（６）に出力するデータ変換回路（９）を
設けることを特徴とする請求項（１）又は（２）記載の
スルーホール充填状態検査装置。