JPH03186775A - 耐圧特性測定法 - Google Patents
耐圧特性測定法Info
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- JPH03186775A JPH03186775A JP32638089A JP32638089A JPH03186775A JP H03186775 A JPH03186775 A JP H03186775A JP 32638089 A JP32638089 A JP 32638089A JP 32638089 A JP32638089 A JP 32638089A JP H03186775 A JPH03186775 A JP H03186775A
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
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- TVZRAEYQIKYCPH-UHFFFAOYSA-N 3-(trimethylsilyl)propane-1-sulfonic acid Chemical compound C[Si](C)(C)CCCS(O)(=O)=O TVZRAEYQIKYCPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は、高電力用ＭＯ３ＦＥＴや高電力用トランジス
タ等のスイッチング素子の耐圧特性測定法に関するもの
である。
タ等のスイッチング素子の耐圧特性測定法に関するもの
である。
〔従来の技術」
従来、高電力ＭＯ３ＦＥＴや高電力トランジスタ等のス
イッチング素子の耐圧特性（接合温度に対する耐圧特性
）の測定は、仮想の熱抵抗をもとに周囲温度から換算し
て接合温度を求め、耐圧測定は周囲温度に影響がないよ
うに電力損失を極力抑えるように瞬時測定していた。
イッチング素子の耐圧特性（接合温度に対する耐圧特性
）の測定は、仮想の熱抵抗をもとに周囲温度から換算し
て接合温度を求め、耐圧測定は周囲温度に影響がないよ
うに電力損失を極力抑えるように瞬時測定していた。
［発明が解決しようとする課題１
ところが、上述の従来の測定法で高電力用ＭＯＳＦＥＴ
等の高温耐圧特性を求めると、接合温度と耐圧との相関
の信頼性が低下する問題があった。
等の高温耐圧特性を求めると、接合温度と耐圧との相関
の信頼性が低下する問題があった。
つまり、高電力用ＭＯＳＦＥＴ等の耐圧を瞬時特定した
としても、その測定の際の電力損失は無視できず、接合
部分の発熱による接合温度の上昇により、高温になるに
従って周囲温度から求める接合温度と実際の接合温度と
の開にずれを生じるからである。
としても、その測定の際の電力損失は無視できず、接合
部分の発熱による接合温度の上昇により、高温になるに
従って周囲温度から求める接合温度と実際の接合温度と
の開にずれを生じるからである。
本発明は上述の点に鑑みて為されたものであり、その目
的とするところは、接合温度と耐圧との相関の信頼性が
高い耐圧特性測定法を提供することにある。
的とするところは、接合温度と耐圧との相関の信頼性が
高い耐圧特性測定法を提供することにある。
［課題を解決するための手Ｐｉ］
上記目的を達成するために、本発明はＭＯＳＦＥＴのソ
ース・ドレイン間電圧降下の温度特性を測定する第１の
測定により接合温度とソース・ドレイン間電圧降下との
相関を求めると共に、順方向のドレイン電流を流して接
合温度を上昇させ、その接合温度の上昇過程でドレイン
耐圧及びソース・ドレイン間電圧降下を同時測定する第
２の測定によりドレイン耐圧とソース・ドレイン間電圧
降下との相関を求め、両測定で求めた相関から接合温度
とドレイン耐圧との相関を求めている。
ース・ドレイン間電圧降下の温度特性を測定する第１の
測定により接合温度とソース・ドレイン間電圧降下との
相関を求めると共に、順方向のドレイン電流を流して接
合温度を上昇させ、その接合温度の上昇過程でドレイン
耐圧及びソース・ドレイン間電圧降下を同時測定する第
２の測定によりドレイン耐圧とソース・ドレイン間電圧
降下との相関を求め、両測定で求めた相関から接合温度
とドレイン耐圧との相関を求めている。
また、トランジスタの場合には、トランジスタのベース
・エミッタ間電圧降下の温度特性を測定する＃１１の測
定により接合温度とベース・エミッタ間電圧降下との相
関を求めると共に、順方向のコレクタ電流を流して接合
温度を上昇させ、その接合温度の上昇過程でコレクタ耐
圧及びベース・エミッタ間電圧降下を同時測定する第２
の測定によりコレクタ耐圧とベース・エミッタ間電圧降
下との相関を求め、両測定で求めた相関から接合温度と
コレクタ耐圧との相関を求めれば良い。
・エミッタ間電圧降下の温度特性を測定する＃１１の測
定により接合温度とベース・エミッタ間電圧降下との相
関を求めると共に、順方向のコレクタ電流を流して接合
温度を上昇させ、その接合温度の上昇過程でコレクタ耐
圧及びベース・エミッタ間電圧降下を同時測定する第２
の測定によりコレクタ耐圧とベース・エミッタ間電圧降
下との相関を求め、両測定で求めた相関から接合温度と
コレクタ耐圧との相関を求めれば良い。
［作用１
本発明は、上述のように＃Ｉ１１の測定により接合温度
とソース・ドレイン間電圧降下との相関を求め、第２の
測定でドレイン耐圧とソース・ドレイン間電圧降下との
相関を求め、両相間から接合温度とドレイン耐圧との相
関を求めることにより、仮想の熱抵抗をもとにして周囲
温度から接合温度を換算して求める場合よりも、実際の
接合温度に極めて近い接合温度を第１の測定結果から求
めることができるようにして、接合温度とドレイン耐圧
とのＭＩｒＲの信頼性が高くなるようにしたものである
。
とソース・ドレイン間電圧降下との相関を求め、第２の
測定でドレイン耐圧とソース・ドレイン間電圧降下との
相関を求め、両相間から接合温度とドレイン耐圧との相
関を求めることにより、仮想の熱抵抗をもとにして周囲
温度から接合温度を換算して求める場合よりも、実際の
接合温度に極めて近い接合温度を第１の測定結果から求
めることができるようにして、接合温度とドレイン耐圧
とのＭＩｒＲの信頼性が高くなるようにしたものである
。
なお、トランジスタの場合にはベース・エミッタ間電圧
降下に基づいて実際の接合温度に極めて近い接合温度を
求めることができ、ＭＯＳＦＥＴの場合と同様の効果が
期待できる。
降下に基づいて実際の接合温度に極めて近い接合温度を
求めることができ、ＭＯＳＦＥＴの場合と同様の効果が
期待できる。
［実施例１
第１図及びｔＩＩＪ２図に本発明の一実施例を示す。
本実施例では高電力ＭＯ８ＦＥＴの耐圧特性を求めるも
のである。
のである。
以下、本実施例の耐圧特性を求める測定方法について説
明する。まず、ＭＯ８ＦＥＴＩのソース・ドレイン間電
圧降下ＪＶ５０を恒温槽内にて測定する（第１の測定）
、この場合には、恒温槽の温度を徐々に上げて行き、代
表点におけるソース・ドレイン間電圧降下ＡＶＳＤを夫
々求める。この測定結果から接合温度Ｔｊとソース・ド
レイン間電圧降下４Ｖ５Ｄとの相関を得る。つまり、ソ
ース・ドレイン間電圧降下１ｊｖｓｏは順方向特性であ
るので、この場合のＭＯ９ＦＥＴＩの電力損失はｊ！！
１ｉ９ＪＪＪできる程小さい。このため、恒温槽内の温
度Ｔａ、ケース表面温度Ｔｃ、及び接合温度Ｔｊとは一
致する（Ｔ ｊ＝ Ｔｃ＝ Ｔ ａ）、従って、接合温
度Ｔｊを恒温槽の温度Ｔａで監視できることになり、接
合温度Ｔｊとソース・ドレイン間電圧降下１！ｊＶｓＤ
との相関が得られるのである。
明する。まず、ＭＯ８ＦＥＴＩのソース・ドレイン間電
圧降下ＪＶ５０を恒温槽内にて測定する（第１の測定）
、この場合には、恒温槽の温度を徐々に上げて行き、代
表点におけるソース・ドレイン間電圧降下ＡＶＳＤを夫
々求める。この測定結果から接合温度Ｔｊとソース・ド
レイン間電圧降下４Ｖ５Ｄとの相関を得る。つまり、ソ
ース・ドレイン間電圧降下１ｊｖｓｏは順方向特性であ
るので、この場合のＭＯ９ＦＥＴＩの電力損失はｊ！！
１ｉ９ＪＪＪできる程小さい。このため、恒温槽内の温
度Ｔａ、ケース表面温度Ｔｃ、及び接合温度Ｔｊとは一
致する（Ｔ ｊ＝ Ｔｃ＝ Ｔ ａ）、従って、接合温
度Ｔｊを恒温槽の温度Ｔａで監視できることになり、接
合温度Ｔｊとソース・ドレイン間電圧降下１！ｊＶｓＤ
との相関が得られるのである。
次に、第１図に示す試験回路による測定を行う（第２の
測定）。この試験回路では、ＭＯＳＦＥＴ１のデート・
ソース間は短絡してあり、ＭＯ８ＦＥＴＩに順方向のド
レイン電流を流す電力を供給する高圧電源７と、逆方向
のドレイン電流を流す電力を供給する低圧電源８とを備
え、夫々の電源７．８をスイッチ（またはリレーでも良
い。）１１を介してＭＯ３ＦＥＴＩのドレイン・ソース
間に接続し、スイッチ１１の切換により選択的にＭＯ３
ＦＥＴＩに各Ｘ源７，８を接続するようにしである。こ
こで、電源７，８に夫々直列に挿入された抵抗９，１０
は保護抵抗である。また、スイッチ１１とＭＯ５ＦＥＴ
Ｉとの闇に電流計５を接続すると共に、ＭＯ８ＦＥＴＩ
と電流計５との直列回路の両端に電圧計６を接続しであ
る。
測定）。この試験回路では、ＭＯＳＦＥＴ１のデート・
ソース間は短絡してあり、ＭＯ８ＦＥＴＩに順方向のド
レイン電流を流す電力を供給する高圧電源７と、逆方向
のドレイン電流を流す電力を供給する低圧電源８とを備
え、夫々の電源７．８をスイッチ（またはリレーでも良
い。）１１を介してＭＯ３ＦＥＴＩのドレイン・ソース
間に接続し、スイッチ１１の切換により選択的にＭＯ３
ＦＥＴＩに各Ｘ源７，８を接続するようにしである。こ
こで、電源７，８に夫々直列に挿入された抵抗９，１０
は保護抵抗である。また、スイッチ１１とＭＯ５ＦＥＴ
Ｉとの闇に電流計５を接続すると共に、ＭＯ８ＦＥＴＩ
と電流計５との直列回路の両端に電圧計６を接続しであ
る。
この試験においてはＭＯ８ＦＥＴＩのみを恒温槽内に入
れて測定を行う。まず、恒温槽の温度ＴａをＭＯ８ＦＥ
ＴＩが自己発熱現象を起こすのに必要な基底温度に保っ
た状態で、高圧電源７からＭＯ８ＦＥＴＩに電圧を印加
して、第２図（ａ）に示すようにドレイン電流を順方向
（ＰＨ１合では逆方向）に流しておく、シばらくすると
、通電による電力損失の発生によって接合部分が発熱し
、第２図（ｂ）に示すように接合温度Ｔｊが上昇してく
る。このようにして、一定時間が経過した時に、第２図
（ｃ）に示すドレイン耐圧ｆ３ｖｏｓｓを測定し、瞬時
にスイッチ１１を切り換えて低圧電源８をＭＯ８ＦＥＴ
Ｉに接続し、ドレイン電流を逆方向（ＰＮ接合では順方
向）に転流させ（第２図（、）でマイナス１ｉｌ）、そ
のときのソース・ドレイン間電圧降下ＩＪ Ｖ ｓむを
測定する（第２図（ｄ））、ここで、ソース・ドレイン
間電圧降下１４１Ｖ！３Ｄの測定はドレイン耐圧Ｂ Ｖ
Ｄ５ｓ（７）測定後に瞬時に行う（言わば殆ど同時に
測定する）必要がある。このようにソース・ドレイン間
電圧降下７１ＩＶＳＤをドレイン耐圧ＢｖＬ、５Ｓの測
定後に直ぐに行えば、ソース・ドレイン間電圧降下ＡＶ
ＳＤの測定における電力損失は無視できる枚重さいので
、第２図（ｂ）に示す上うにソース・ドレイン間電圧降
下７１Ｉｖｓｒ＋の測定の前後では接合温度Ｔｊは不変
である。従って、一定時間毎に上述の場合と同様にして
ドレイン耐圧Ｂ Ｖ ＤＳＳとソース・ドレイン間電圧
降下ａＶｓｏとを測定することにより、ドレイン耐圧Ｂ
Ｖｔ１５５とソース・ドレイン間電圧降下１！ＩＩＶｓ
Ｄとの相関が得られる。
れて測定を行う。まず、恒温槽の温度ＴａをＭＯ８ＦＥ
ＴＩが自己発熱現象を起こすのに必要な基底温度に保っ
た状態で、高圧電源７からＭＯ８ＦＥＴＩに電圧を印加
して、第２図（ａ）に示すようにドレイン電流を順方向
（ＰＨ１合では逆方向）に流しておく、シばらくすると
、通電による電力損失の発生によって接合部分が発熱し
、第２図（ｂ）に示すように接合温度Ｔｊが上昇してく
る。このようにして、一定時間が経過した時に、第２図
（ｃ）に示すドレイン耐圧ｆ３ｖｏｓｓを測定し、瞬時
にスイッチ１１を切り換えて低圧電源８をＭＯ８ＦＥＴ
Ｉに接続し、ドレイン電流を逆方向（ＰＮ接合では順方
向）に転流させ（第２図（、）でマイナス１ｉｌ）、そ
のときのソース・ドレイン間電圧降下ＩＪ Ｖ ｓむを
測定する（第２図（ｄ））、ここで、ソース・ドレイン
間電圧降下１４１Ｖ！３Ｄの測定はドレイン耐圧Ｂ Ｖ
Ｄ５ｓ（７）測定後に瞬時に行う（言わば殆ど同時に
測定する）必要がある。このようにソース・ドレイン間
電圧降下７１ＩＶＳＤをドレイン耐圧ＢｖＬ、５Ｓの測
定後に直ぐに行えば、ソース・ドレイン間電圧降下ＡＶ
ＳＤの測定における電力損失は無視できる枚重さいので
、第２図（ｂ）に示す上うにソース・ドレイン間電圧降
下７１Ｉｖｓｒ＋の測定の前後では接合温度Ｔｊは不変
である。従って、一定時間毎に上述の場合と同様にして
ドレイン耐圧Ｂ Ｖ ＤＳＳとソース・ドレイン間電圧
降下ａＶｓｏとを測定することにより、ドレイン耐圧Ｂ
Ｖｔ１５５とソース・ドレイン間電圧降下１！ＩＩＶｓ
Ｄとの相関が得られる。
ここで、ブース・ドレイン間電圧降下ａｖｓｔ＋は先の
測定により接合温度Ｔｊとの相関が求められるから、接
合温度Ｔｊとドレイン耐圧Ｂ Ｖ ０５５との相関が得
られることになる。なお、測定点以外の任意の接合温度
Ｔｊ１．：′Ｎするドレイン耐圧ＢＶｔ＋ｓｓは数値補
間法を用いれば求まる。このように本実施例では、接合
温度Ｔｊとソース・ドレイン間電圧降下ａＶｓ、、との
相関を求めると共に、ドレイン耐圧Ｂｖｂｓｓとソース
・ドレイン間電圧降下ａＶｓ、。
測定により接合温度Ｔｊとの相関が求められるから、接
合温度Ｔｊとドレイン耐圧Ｂ Ｖ ０５５との相関が得
られることになる。なお、測定点以外の任意の接合温度
Ｔｊ１．：′Ｎするドレイン耐圧ＢＶｔ＋ｓｓは数値補
間法を用いれば求まる。このように本実施例では、接合
温度Ｔｊとソース・ドレイン間電圧降下ａＶｓ、、との
相関を求めると共に、ドレイン耐圧Ｂｖｂｓｓとソース
・ドレイン間電圧降下ａＶｓ、。
との相関を求め、両相間から接合温度Ｔｊとドレイン耐
圧１３ｖｏｓｓとの相関を求めることにより、仮想の熱
抵抗をもとにして周囲温度Ｔａから接合温度Ｔｊを換算
して求める場合よりも、接合温度Ｔｊとソース・ドレイ
ン間電圧降下ＡＶＳＤとの相関を求める測定結果から実
際の接合温度に極めて近い接合温度Ｔｊが得られ、接合
温度Ｔｊとドレイン耐圧！３ｖｏｓｓとの相関の信頼性
が高くなる。なお、この耐圧特性測定法は高温になると
接合温度Ｔｊと周囲温度Ｔａとのずれが大きくなるので
、従来測定法に比べて高温時に特に有効なものとなる。
圧１３ｖｏｓｓとの相関を求めることにより、仮想の熱
抵抗をもとにして周囲温度Ｔａから接合温度Ｔｊを換算
して求める場合よりも、接合温度Ｔｊとソース・ドレイ
ン間電圧降下ＡＶＳＤとの相関を求める測定結果から実
際の接合温度に極めて近い接合温度Ｔｊが得られ、接合
温度Ｔｊとドレイン耐圧！３ｖｏｓｓとの相関の信頼性
が高くなる。なお、この耐圧特性測定法は高温になると
接合温度Ｔｊと周囲温度Ｔａとのずれが大きくなるので
、従来測定法に比べて高温時に特に有効なものとなる。
ところで、上記高温耐圧特性測定法は高電力トランジス
タに関しても略同様にして適用できる。
タに関しても略同様にして適用できる。
まず、ＭＯＳＦＥＴの最初の測定と同様にして、トラン
ジスタのベース・エミッタ間電圧降下と接合温度との相
関を得る。なお、この測定は電力損失を無視し得る微少
電力範囲内で行い、且つ一定電流におけるベース・エミ
ッタ間電圧降下を測定しておく。
ジスタのベース・エミッタ間電圧降下と接合温度との相
関を得る。なお、この測定は電力損失を無視し得る微少
電力範囲内で行い、且つ一定電流におけるベース・エミ
ッタ間電圧降下を測定しておく。
次いで、２番目の測定に相当°する測定を行う。
なお、この際にはベース・エミッタ間電圧降下の測定の
際に一定電流をベース・エミッタ間に流すことができる
ように回路ＮＩＩ威し、且つベース・エミッタ間電圧降
下を測定できるようにしておく。
際に一定電流をベース・エミッタ間に流すことができる
ように回路ＮＩＩ威し、且つベース・エミッタ間電圧降
下を測定できるようにしておく。
ここで、恒温槽の温度をトランジスタが自己発熱現象を
起こすのに必要な基底温度に保ち、フレフタ電流を順方
向（ＰＮ接今では逆方向）に流し、定時間が経過した時
に、コレクタ耐圧を測定し、瞬時にベース・エミッタ間
電圧降下を測定するという測定を一定時間毎に繰り返し
、コレクタ耐圧とベース・エミッタ間電圧降下との相関
を得る。
起こすのに必要な基底温度に保ち、フレフタ電流を順方
向（ＰＮ接今では逆方向）に流し、定時間が経過した時
に、コレクタ耐圧を測定し、瞬時にベース・エミッタ間
電圧降下を測定するという測定を一定時間毎に繰り返し
、コレクタ耐圧とベース・エミッタ間電圧降下との相関
を得る。
この場合にも、ベース・エミッタ開型圧降下は先の測定
により接合温度との相関が求められるから、接合温度と
コレクタ耐圧との相関が得られる。
により接合温度との相関が求められるから、接合温度と
コレクタ耐圧との相関が得られる。
なお、この高温耐圧特性測定法は静電誘導サイリスタ等
の他のスイッチング素子にも同様にして適用できる。
の他のスイッチング素子にも同様にして適用できる。
［発明の効果］
本発明は上述のように、ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイ
ン間電圧降下の温度特性を測定する第１の測定により接
合温度とソース・ドレイン間電圧降下との相関を求める
と共に、順方向のドレイン電流を流して接合温度を上昇
させ、その接合温度の上昇過程でドレイン耐圧及びソー
ス・ドレイン間電圧降下を同時測定する第２の測定によ
りドレイン耐圧とソース・ドレイン間電圧降下との相関
を求め、両測定で求めた相関から接合温度とドレイン耐
圧との相関を求めているので、仮想の熱抵抗をもとにし
て周囲温度から接合温度を換算して求める場合よりも、
実際の接合温度に極めて近い接合温度を第１の測定結果
から求めることができ、接合温度とドレイン耐圧との相
関の信頼性が高くなる。
ン間電圧降下の温度特性を測定する第１の測定により接
合温度とソース・ドレイン間電圧降下との相関を求める
と共に、順方向のドレイン電流を流して接合温度を上昇
させ、その接合温度の上昇過程でドレイン耐圧及びソー
ス・ドレイン間電圧降下を同時測定する第２の測定によ
りドレイン耐圧とソース・ドレイン間電圧降下との相関
を求め、両測定で求めた相関から接合温度とドレイン耐
圧との相関を求めているので、仮想の熱抵抗をもとにし
て周囲温度から接合温度を換算して求める場合よりも、
実際の接合温度に極めて近い接合温度を第１の測定結果
から求めることができ、接合温度とドレイン耐圧との相
関の信頼性が高くなる。
また、トランジスタの場合には、トランジスタのベース
・エミッタ間電圧降下の温度特性を測定する第１の測定
により接合温度とベース・エミッタ間電圧降下との相関
を求めると共に、順方向のコレクタ電流を流して接合温
度を上昇させ、その接合温度の上昇過程でコレクタ耐圧
及びベース・エミッタ間電圧降下を同時測定する第２の
測定によりコレクタ耐圧とベース・エミッタ間電圧降下
との相関を求め、両測定で求めた相関から接合温度とコ
レクタ耐圧との相関を求めれば、ベース・エミッタ間電
圧降下を基づいて実際の接合温度に極めて近い接合温度
を求めることができ、ＭＯＳＦＥＴの場合と同様の効果
が期待できる。
・エミッタ間電圧降下の温度特性を測定する第１の測定
により接合温度とベース・エミッタ間電圧降下との相関
を求めると共に、順方向のコレクタ電流を流して接合温
度を上昇させ、その接合温度の上昇過程でコレクタ耐圧
及びベース・エミッタ間電圧降下を同時測定する第２の
測定によりコレクタ耐圧とベース・エミッタ間電圧降下
との相関を求め、両測定で求めた相関から接合温度とコ
レクタ耐圧との相関を求めれば、ベース・エミッタ間電
圧降下を基づいて実際の接合温度に極めて近い接合温度
を求めることができ、ＭＯＳＦＥＴの場合と同様の効果
が期待できる。
第１図は本発明の一実施例の第２の測定の測定回路、第
２図は同上の測定結果の説明図である。 １はＭＯ８ＦＥＴＳ □ＶＳＤはソース・ドレイン間電
圧降下、Ｂｖｏｓｓはドレイン耐圧、Ｔｊは接合温度で
ある。
２図は同上の測定結果の説明図である。 １はＭＯ８ＦＥＴＳ □ＶＳＤはソース・ドレイン間電
圧降下、Ｂｖｏｓｓはドレイン耐圧、Ｔｊは接合温度で
ある。
Claims (2)
- （１）ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン間電圧降下の温
度特性を測定する第１の測定により接合温度とソース・
ドレイン間電圧降下との相関を求めると共に、順方向の
ドレイン電流を流しで接合温度を上昇させ、その接合温
度の上昇過程でドレイン耐圧及びソース・ドレイン間電
圧降下を同時測定する第２の測定によりドレイン耐圧と
ソース・ドレイン間電圧降下との相関を求め、両測定で
求めた相関から接合温度とドレイン耐圧との相関を求め
て成る耐圧特性測定法。 - （２）トランジスタのベース・エミッタ間電圧降下の温
度特性を測定する第１の測定により接合温度とベース・
エミッタ間電圧降下との相関を求めると共に、順方向の
コレクタ電流を流して接合温度を上昇させ、その接合温
度の上昇過程でコレクタ耐圧及びベース・エミッタ間電
圧降下を同時測定する、第２の測定によりコレクタ耐圧
とベース・エミツタ間電圧降下との相関を求め、両測定
で求めた相関から接合温度とコレクタ耐圧との相関を求
めて成る耐圧特性測定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32638089A JPH03186775A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 耐圧特性測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32638089A JPH03186775A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 耐圧特性測定法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03186775A true JPH03186775A (ja) | 1991-08-14 |
Family
ID=18187157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32638089A Pending JPH03186775A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 耐圧特性測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03186775A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7121721B2 (en) * | 2001-07-04 | 2006-10-17 | Robert Bosch Gmbh | Apparatus and method for measuring operating temperatures of an electrical component |
-
1989
- 1989-12-15 JP JP32638089A patent/JPH03186775A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7121721B2 (en) * | 2001-07-04 | 2006-10-17 | Robert Bosch Gmbh | Apparatus and method for measuring operating temperatures of an electrical component |
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