JPH03183988A - 低温核融合反応方法および装置 - Google Patents
低温核融合反応方法および装置Info
- Publication number
- JPH03183988A JPH03183988A JP1322663A JP32266389A JPH03183988A JP H03183988 A JPH03183988 A JP H03183988A JP 1322663 A JP1322663 A JP 1322663A JP 32266389 A JP32266389 A JP 32266389A JP H03183988 A JPH03183988 A JP H03183988A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- sample
- deuterium
- fusion reaction
- low
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000004927 fusion Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 56
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 20
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 150000001975 deuterium Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 125000004431 deuterium atom Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 7
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 abstract description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
- 230000036647 reaction Effects 0.000 abstract 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N Heavy water Chemical compound [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910016978 MnOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、核融合反応法およびその装置に関し、特に１
０００℃以下の低温において、固体金属中における重水
素の核融合反応を高効率に生ぜしめる低温核融合反応方
法およびその装置に関するものである。
０００℃以下の低温において、固体金属中における重水
素の核融合反応を高効率に生ぜしめる低温核融合反応方
法およびその装置に関するものである。
〔従来の技術］
１０００℃以下の低温において、固体金属中で重水素（
ＤＪの核融合反応を行わせ得る方法としては、次のよう
なものがある。一つは、重水（Ｄ２０）の電気分解によ
り発生した重水素（Ｄ２）をＰｄもしくはＴ、中に吸蔵
させ、重水素の濃度を上げることにより核融合反応に至
らしめるという方法である。
ＤＪの核融合反応を行わせ得る方法としては、次のよう
なものがある。一つは、重水（Ｄ２０）の電気分解によ
り発生した重水素（Ｄ２）をＰｄもしくはＴ、中に吸蔵
させ、重水素の濃度を上げることにより核融合反応に至
らしめるという方法である。
この核融合反応方法を詳しく説明すると、室温において
、０２０を主体として構成される電解液中に、Ｐｄもし
くはＴＩからなる陰電極と、Ａｕもしくはｐｔからなる
陽電極とを挿入し、画電極に１〜１００Ｖの電圧を印加
して重水を電気分解し、電気分解によって発生した重水
素を陰電極に蓄積させ、核融合反応（Ｄ−Ｄ反応）に至
らしめるという方法である。
、０２０を主体として構成される電解液中に、Ｐｄもし
くはＴＩからなる陰電極と、Ａｕもしくはｐｔからなる
陽電極とを挿入し、画電極に１〜１００Ｖの電圧を印加
して重水を電気分解し、電気分解によって発生した重水
素を陰電極に蓄積させ、核融合反応（Ｄ−Ｄ反応）に至
らしめるという方法である。
もう一つは、ＰｄもしくはＴ、をｌＯ気圧以上の重水素
ガス中に置き、重水素ガスの温度を液体窒素温度から室
温まで上げていくことにより核融合反応な生ぜしめると
いう方法である。
ガス中に置き、重水素ガスの温度を液体窒素温度から室
温まで上げていくことにより核融合反応な生ぜしめると
いう方法である。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、前者の核融合反応方法は再現性が乏しく
、また多数の実施例において、核融合反応の確率は重水
素１対あたり１秒間に１０−２４回以下という低い値が
得られている。後者の核融合反応方法もまた再現性が乏
しく、中性子検出器による測定において、 １００μ秒
のサンプリング時間に４０〜５０個の中性子が発生した
のを２回観測したという報告例があるのみであり、中性
子発生の頻度も小さいという問題点があ□った。
、また多数の実施例において、核融合反応の確率は重水
素１対あたり１秒間に１０−２４回以下という低い値が
得られている。後者の核融合反応方法もまた再現性が乏
しく、中性子検出器による測定において、 １００μ秒
のサンプリング時間に４０〜５０個の中性子が発生した
のを２回観測したという報告例があるのみであり、中性
子発生の頻度も小さいという問題点があ□った。
本発明の目的は、上述の問題点を解決し、固体金属中に
おける重水素原子の拡散を制御することにより重水素原
子同士の遭遇確率、すなわち核融合反応効率を高めた低
温核融合反応方法およびその装置を提供することにある
。
おける重水素原子の拡散を制御することにより重水素原
子同士の遭遇確率、すなわち核融合反応効率を高めた低
温核融合反応方法およびその装置を提供することにある
。
［課題を解決するための手段］
このような目的を達成するために、本発明の低温核融合
反応方法は、重水素を吸蔵させ、一方の表面が重水素原
子拡散係数が小さい第１の薄膜で覆われ、もう一方の表
面が前記薄膜と同等かもしくはより高いがパラジウムあ
るいはチタンよりも小さい重水素原子拡散係数を有する
第２の薄膜で覆われたパラジウム板あるいはチタン板の
形態の試料を容器に収納し、この容器内を減圧すること
によって、前記試料と前記第１の薄膜との界面における
重水素濃度を高めるように制御することを特徴とする。
反応方法は、重水素を吸蔵させ、一方の表面が重水素原
子拡散係数が小さい第１の薄膜で覆われ、もう一方の表
面が前記薄膜と同等かもしくはより高いがパラジウムあ
るいはチタンよりも小さい重水素原子拡散係数を有する
第２の薄膜で覆われたパラジウム板あるいはチタン板の
形態の試料を容器に収納し、この容器内を減圧すること
によって、前記試料と前記第１の薄膜との界面における
重水素濃度を高めるように制御することを特徴とする。
また、本発明の低温核融合反応装置は、重水素を吸蔵さ
せ、一方の表面が重水素原子拡散係数が小さい第１の薄
膜で覆われ、もう一方の表面が前記薄膜と同等かもしく
はより高いがパラジウムあるいはチタンよりも小さい重
水素原子拡散係数を有する第２の薄膜で覆われたパラジ
ウム板あるいはチタンの板の形態の試料と、この試料を
収納する容器と、この容器を減圧する減圧手段とを備え
たことを特徴とする。
せ、一方の表面が重水素原子拡散係数が小さい第１の薄
膜で覆われ、もう一方の表面が前記薄膜と同等かもしく
はより高いがパラジウムあるいはチタンよりも小さい重
水素原子拡散係数を有する第２の薄膜で覆われたパラジ
ウム板あるいはチタンの板の形態の試料と、この試料を
収納する容器と、この容器を減圧する減圧手段とを備え
たことを特徴とする。
さらに、本発明の低温核融合反応装置は、さらに前記試
料に応力を印化する応力印加手段を備えたことを特徴と
する。
料に応力を印化する応力印加手段を備えたことを特徴と
する。
本発明においては、ＰｄもしくはＴ、中に吸蔵されてい
る重水素原子が外界へ拡散しようとするのを、Ｐｄもし
くはＴ、の表面を覆う薄膜により抑制する。さらに、温
度勾配または応力勾配または電位勾配を印加して、重水
素原子が特定の方向へ拡散するのを制御する。
る重水素原子が外界へ拡散しようとするのを、Ｐｄもし
くはＴ、の表面を覆う薄膜により抑制する。さらに、温
度勾配または応力勾配または電位勾配を印加して、重水
素原子が特定の方向へ拡散するのを制御する。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
実１０運上
第１図は本発明の第１の実施例を説明する図である。こ
こで、ｌは真空チャンバーである。２は冷却装置である
。３はＡｕ、 Ｓｉｎ、 （０，４≦Ｘ≦２）、ＭｎＯ
，（０，４≦Ｘ≦２）もしくはｐｂからなる薄膜（厚さ
１００〜１０００入）である。４はＤ２ガス雰囲気中に
おいてＤ２を吸蔵させたＰｄ板もしくはＴＩ板の形態の
試料である。試料４へのＤ２ガスの吸蔵はＤ２ガスを約
３００℃で数分間加熱しその後放置することによって行
なう。５はＡｕ薄膜（厚さ１０００〜２０００人）であ
る。６はヒーターである。７はターボ分子ポンプである
。
こで、ｌは真空チャンバーである。２は冷却装置である
。３はＡｕ、 Ｓｉｎ、 （０，４≦Ｘ≦２）、ＭｎＯ
，（０，４≦Ｘ≦２）もしくはｐｂからなる薄膜（厚さ
１００〜１０００入）である。４はＤ２ガス雰囲気中に
おいてＤ２を吸蔵させたＰｄ板もしくはＴＩ板の形態の
試料である。試料４へのＤ２ガスの吸蔵はＤ２ガスを約
３００℃で数分間加熱しその後放置することによって行
なう。５はＡｕ薄膜（厚さ１０００〜２０００人）であ
る。６はヒーターである。７はターボ分子ポンプである
。
ここで、試料４に薄膜３および５を形成すること試料４
にＤ２ガスを吸蔵させることの順序は２通りある。一つ
は試料４にＤ２ガスを吸蔵させた後に薄膜３および５を
蒸着する方法である。もう一つは試料４の一表面に薄膜
３あるいは５を蒸着した後に試料４にＤ２ガスを吸蔵さ
せ、その後試料４のもう一つの表面に薄膜３および５の
うちの残りの薄膜を蒸着させる方法である。前者よりも
後者の方が吸蔵された重水素が抜けにくい。
にＤ２ガスを吸蔵させることの順序は２通りある。一つ
は試料４にＤ２ガスを吸蔵させた後に薄膜３および５を
蒸着する方法である。もう一つは試料４の一表面に薄膜
３あるいは５を蒸着した後に試料４にＤ２ガスを吸蔵さ
せ、その後試料４のもう一つの表面に薄膜３および５の
うちの残りの薄膜を蒸着させる方法である。前者よりも
後者の方が吸蔵された重水素が抜けにくい。
これらを動作させるには、まず、ターボ分子ポンプ７に
より、真空チャンバーｌ内部を圧力１Ｏ−４Ｔｏｒｒ以
下に減圧した後、冷却装置２に例えば液体窒素あるいは
水等を入れる。冷却装置２に入れる冷却溶媒により冷却
温度を可変にすることができる。一方ヒーター６により
肋薄膜５の表面を１００〜２００℃に昇温する。
より、真空チャンバーｌ内部を圧力１Ｏ−４Ｔｏｒｒ以
下に減圧した後、冷却装置２に例えば液体窒素あるいは
水等を入れる。冷却装置２に入れる冷却溶媒により冷却
温度を可変にすることができる。一方ヒーター６により
肋薄膜５の表面を１００〜２００℃に昇温する。
この結果、試料４の内部では、温度勾配（試料４の下面
に向かって高くなっていく）が発生し、試料４の下面は
、Ｄ原子拡散係数が極めて小さい（１０−’〜１０−”
Ｃｍ／５）Ａｕ薄膜５で覆われているので、Ｄ原子は、
試料４のＡｕ薄膜５側から薄膜３側に向かって拡散する
。
に向かって高くなっていく）が発生し、試料４の下面は
、Ｄ原子拡散係数が極めて小さい（１０−’〜１０−”
Ｃｍ／５）Ａｕ薄膜５で覆われているので、Ｄ原子は、
試料４のＡｕ薄膜５側から薄膜３側に向かって拡散する
。
しかるに試料４の上面は、薄膜３で覆われておりかつ温
度も低いため拡散係数もより小さくなって、Ｄ原子は、
薄膜３と試料４との界面近傍に高密度に蓄積される。従
って核融合反応確率が増大する。温度勾配の印加は重水
素拡散の方向性を助長させる。
度も低いため拡散係数もより小さくなって、Ｄ原子は、
薄膜３と試料４との界面近傍に高密度に蓄積される。従
って核融合反応確率が増大する。温度勾配の印加は重水
素拡散の方向性を助長させる。
温度勾配を印加せず、単に真空チャンバ−１内部の圧力
１０−’Ｔｏｒｒ以下に減圧する場合も、 Ｄ原子は等
方的に外界に向かって試料４中を拡散し、薄膜３と試料
４との界面および試料４とＡｕ薄膜５との界面近傍に蓄
積されて同様の効果を生ずる。
１０−’Ｔｏｒｒ以下に減圧する場合も、 Ｄ原子は等
方的に外界に向かって試料４中を拡散し、薄膜３と試料
４との界面および試料４とＡｕ薄膜５との界面近傍に蓄
積されて同様の効果を生ずる。
実験は試料４として、縦および横が３ｃｍ、厚さが１ｍ
ｍのＰｄ板を用い、薄膜３として、厚さが２０〜１００
人のＭｎ□＋を用いた。Ａｕ薄膜５は厚さが１０００人
のものを用いた。薄膜３を試料４に蒸着した後に試料４
にＤ２ガスを吸蔵させ、その後薄膜５を蒸着した。
ｍのＰｄ板を用い、薄膜３として、厚さが２０〜１００
人のＭｎ□＋を用いた。Ａｕ薄膜５は厚さが１０００人
のものを用いた。薄膜３を試料４に蒸着した後に試料４
にＤ２ガスを吸蔵させ、その後薄膜５を蒸着した。
実験の結果、温度勾配を印加しないとき、２×１０’ｎ
／ｓの中性子の１〜３秒にわたる発生を確認した。この
測定はレムカウンタを用い、レム（ｒｅｍ）単位で得ら
れた測定値を、１秒間に発生する中性子の個数（ｎ／ｓ
）に換算したものである。従来の低温核融合反応方法に
比べて１０４倍以上の核融合反応率である。
／ｓの中性子の１〜３秒にわたる発生を確認した。この
測定はレムカウンタを用い、レム（ｒｅｍ）単位で得ら
れた測定値を、１秒間に発生する中性子の個数（ｎ／ｓ
）に換算したものである。従来の低温核融合反応方法に
比べて１０４倍以上の核融合反応率である。
丈施明ス
第２図は本発明の第２の実施例を説明する図である。第
２図において第１図と同様の箇所には同一の符号を付す
。８は試料をおさえるための治具である。９は応力印加
治具である。ｌＯは直流電圧源である。
２図において第１図と同様の箇所には同一の符号を付す
。８は試料をおさえるための治具である。９は応力印加
治具である。ｌＯは直流電圧源である。
これらを動作させるには、ターボ分子ポンプ７により、
真空チャンバ−１内部を圧力１０−’Ｔｏｒｒ以下に減
圧させた後、応力印加治具９を上方に移動させて、薄膜
３．試料４およびＡｕ薄膜５に応力を印加する。
真空チャンバ−１内部を圧力１０−’Ｔｏｒｒ以下に減
圧させた後、応力印加治具９を上方に移動させて、薄膜
３．試料４およびＡｕ薄膜５に応力を印加する。
印加された応力により、試料３は弾性変形をおこし、試
料４に吸蔵されていたＤ原子は、Ａｕ薄膜５側から薄膜
３側に拡散する。直流電圧源１０により直流電圧１〜１
００■を印加するとＤ原子の拡散が助長される。このよ
うにして、Ｄ原子は薄膜３と試料４との界面近傍に高密
度に蓄積されて、核融合反応確率が増大する。
料４に吸蔵されていたＤ原子は、Ａｕ薄膜５側から薄膜
３側に拡散する。直流電圧源１０により直流電圧１〜１
００■を印加するとＤ原子の拡散が助長される。このよ
うにして、Ｄ原子は薄膜３と試料４との界面近傍に高密
度に蓄積されて、核融合反応確率が増大する。
実験は試料４として、縦および横が３ｃｍ、厚さが１ｍ
ｍのＰｄ板を用い、薄膜３として、厚さが２０〜１００
人のＭｎＯｘおよびＳｎｏｗを用いた。Ａｕ薄膜５は厚
さが１０００入のものを用いた。薄膜３を試料４に蒸着
した後に試料４にＤ２ガスを吸蔵させ、その後薄膜５を
蒸着した。
ｍのＰｄ板を用い、薄膜３として、厚さが２０〜１００
人のＭｎＯｘおよびＳｎｏｗを用いた。Ａｕ薄膜５は厚
さが１０００入のものを用いた。薄膜３を試料４に蒸着
した後に試料４にＤ２ガスを吸蔵させ、その後薄膜５を
蒸着した。
実験の結果、応力印加後２４時間以内に、サンプリング
時間１０ｍｓで１００カウント以上という中性子バース
トが２回観測された。
時間１０ｍｓで１００カウント以上という中性子バース
トが２回観測された。
なお、実施例１および２において、薄膜３として薄膜５
と同じＡｕを用いた場合も、薄膜５の方が厚いので、重
水素原子拡散率は薄膜５の方が小さい。従って、 Ｄ原
子は薄膜３の方向に拡散するので同様の効果が得られる
。
と同じＡｕを用いた場合も、薄膜５の方が厚いので、重
水素原子拡散率は薄膜５の方が小さい。従って、 Ｄ原
子は薄膜３の方向に拡散するので同様の効果が得られる
。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明においては、Ｐｄもしくは
Ｔ、中におけるＤ原子の拡散を制御し、Ｄ原子同士の遭
遇確率を高めるようにしたので、高効率で安定性の高い
核融合反応を得ることができるという利点がある。
Ｔ、中におけるＤ原子の拡散を制御し、Ｄ原子同士の遭
遇確率を高めるようにしたので、高効率で安定性の高い
核融合反応を得ることができるという利点がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示す図、第２図は本発
明の第２の実施例を示す図である。 １・・・真空チャンバー ２・・・冷却装置、 ３・・・薄膜、 ４・・・試料、 ５・・・Ａｕ薄膜、 ６・・・ヒーター ７・・・ターボ分子ポンプ。 ８・・・治具、 ９・・・応力印加治具、 ＩＯ・・・直流電圧源。
明の第２の実施例を示す図である。 １・・・真空チャンバー ２・・・冷却装置、 ３・・・薄膜、 ４・・・試料、 ５・・・Ａｕ薄膜、 ６・・・ヒーター ７・・・ターボ分子ポンプ。 ８・・・治具、 ９・・・応力印加治具、 ＩＯ・・・直流電圧源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）重水素を吸蔵させ、一方の表面が重水素原子拡散係
数が小さい第１の薄膜で覆われ、もう一方の表面が前記
薄膜と同等かもしくはより高いがパラジウムあるいはチ
タンよりも小さい重水素原子拡散係数を有する第２の薄
膜で覆われたパラジウム板あるいはチタン板の形態の試
料を容器に収納し、この容器内を減圧することによって
、前記試料と前記第１の薄膜との界面における重水素濃
度を高めるように制御することを特徴とする低温核融合
反応方法。 ２）前記試料に対し、温度勾配を印加することを特徴と
する請求項１記載の低温核融合反応方法。 ３）前記試料に応力勾配を印加することを特徴とする請
求項１記載の低温核融合反応方法。 ４）前記試料にその厚さ方向に直流電圧を印加すること
を特徴とする請求項１または３記載の低温核融合反応方
法。 ５）重水素を吸蔵させ、一方の表面が重水素原子拡散係
数が小さい第１の薄膜で覆われ、もう一方の表面が前記
薄膜と同等かもしくはより高いがパラジウムあるいはチ
タンよりも小さい重水素原子拡散係数を有する第２の薄
膜で覆われたパラジウム板あるいはチタンの板の形態の
試料と、この試料を収納する容器と、 この容器を減圧する減圧手段と を備えたことを特徴とする低温核融合反応装置。 ６）請求項５記載の装置において、さらに前記試料に応
力勾配を印化する応力印加手段を備えたことを特徴とす
る低温核融合反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1322663A JPH03183988A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 低温核融合反応方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1322663A JPH03183988A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 低温核融合反応方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183988A true JPH03183988A (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=18146212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1322663A Pending JPH03183988A (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 低温核融合反応方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03183988A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0688887A (ja) * | 1992-04-20 | 1994-03-29 | Univ Nagoya | 常温核融合反応方法 |
| JP2010066114A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 核種変換装置及び核種変換方法 |
-
1989
- 1989-12-14 JP JP1322663A patent/JPH03183988A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0688887A (ja) * | 1992-04-20 | 1994-03-29 | Univ Nagoya | 常温核融合反応方法 |
| JP2010066114A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 核種変換装置及び核種変換方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Birss et al. | Platinum oxide film formation—reduction: an in-situ mass measurement study | |
| US4584427A (en) | Thin film solar cell with free tin on tin oxide transparent conductor | |
| Flanagan et al. | Hydrogen absorption by palladium in aqueous solution | |
| US5545443A (en) | Method for producing a transparent conductive ZnO film by incorporating a boron or aluminum containing material | |
| Hubbard et al. | Study of platinum electrodes by means of electrochemistry and low-energy electron diffraction: Part II. Comparison of the electrochemical activity of Pt (100) and Pt (111) surfaces | |
| Jewett et al. | Diffusion of hydrogen through palladium and palladium-silver alloys | |
| Tidswell et al. | In situ x-ray-scattering study of the Au (001) reconstruction in alkaline and acidic electrolytes | |
| JPH03183988A (ja) | 低温核融合反応方法および装置 | |
| Conway et al. | Controlled potential studies on the Kolbe reaction and the role of coadsorbed surface oxides. I. Platinum in trifluoroacetate solutions | |
| Bockris et al. | Adsorbed hydrogen on iron in the electrochemical reduction of protons: an FTIR study | |
| JPH02155225A (ja) | 非晶質半導体薄膜の形成方法 | |
| WO2001063979A2 (en) | Cold nuclear fusion under non-equilibrium conditions | |
| Daubresse et al. | Characterisation of energetic heavy ion track in PVDF: Production of PVDF track-etched membrane and application | |
| CN109599580A (zh) | 一种用于纯液体燃料电池的超薄膜电极及其制备方法和应用 | |
| JPH03183987A (ja) | 低温核融合反応方法および装置 | |
| JPH04232250A (ja) | 酸化アルミニウム保護膜の製造方法および製造装置 | |
| JPS588743B2 (ja) | ガス・湿度センサ | |
| JPH0424595A (ja) | 核融合反応方法およびその装置 | |
| CN106702327B (zh) | 一种超薄镍酸镧薄膜电输运性能的优化方法 | |
| CN113957506B (zh) | 一种金红石型二氧化钛板材制备方法 | |
| JP3096058B2 (ja) | 発熱方法 | |
| Gottesfeld et al. | Optical and Electrocatalytic Properties of Oxide Layers | |
| Metikoš-Huković et al. | Kinetics of anodic oxide-film growth on tin: ionic transport across a barrier in the high-field limit | |
| Uchida et al. | Enhancement of the Rate of H2 Absorption by O2 Preadsorptions on LaNi4. 5Al0. 5 | |
| Shamir et al. | Hydrogen–oxygen interrelations on a niobium surface |