JPH0318331B2 - - Google Patents
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- JPH0318331B2 JPH0318331B2 JP55142729A JP14272980A JPH0318331B2 JP H0318331 B2 JPH0318331 B2 JP H0318331B2 JP 55142729 A JP55142729 A JP 55142729A JP 14272980 A JP14272980 A JP 14272980A JP H0318331 B2 JPH0318331 B2 JP H0318331B2
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- JP
- Japan
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- electron
- emission rate
- deviation
- laser mirror
- electron beam
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ビーム辺とレーザミラー方向との
平行度のずれθを検出する機能を備えた電子ビー
ム露光装置に関する。
平行度のずれθを検出する機能を備えた電子ビー
ム露光装置に関する。
半導体素子やマスク基板等の微細加工を行うも
のとして各種の電子ビーム露光装置が用いられて
いるが、近年２個のアパーチヤマスク間にビーム
整形用の偏向系を配設し電子ビーム寸法および形
状を可変制御することによつて、より効果的な描
画露光を行い得る装置が開発されている。
のとして各種の電子ビーム露光装置が用いられて
いるが、近年２個のアパーチヤマスク間にビーム
整形用の偏向系を配設し電子ビーム寸法および形
状を可変制御することによつて、より効果的な描
画露光を行い得る装置が開発されている。
ところで、このような電子ビーム露光装置にあ
つては、電子ビームの寸法および形状を高精度に
定めるためにビーム辺とレーザミラー方向との平
行度を合わせる必要がある。従来、上記平行度を
測定するには次のようにしていた。すなわち、電
子ビームでナイフエツジやワイヤ等に直交する方
向に走査を行い、その時得られる反射電子信号を
微分して反射電子の強度分布を測定し、この強度
分布の立ち上がりからビームの傾きを検出してい
る。しかしながら、このような手法ではナイフエ
ツジやワイヤ等の辺方向の情報が失われるため、
誤動作を生じることが多い。つまり、ビーム分解
能が悪い場合或いはビームコーナ曲率が大きい場
合等に、ビームが傾いているのと同じ波形が得ら
れるので、ビームの傾きを高精度に測定すること
はできなかつた。
つては、電子ビームの寸法および形状を高精度に
定めるためにビーム辺とレーザミラー方向との平
行度を合わせる必要がある。従来、上記平行度を
測定するには次のようにしていた。すなわち、電
子ビームでナイフエツジやワイヤ等に直交する方
向に走査を行い、その時得られる反射電子信号を
微分して反射電子の強度分布を測定し、この強度
分布の立ち上がりからビームの傾きを検出してい
る。しかしながら、このような手法ではナイフエ
ツジやワイヤ等の辺方向の情報が失われるため、
誤動作を生じることが多い。つまり、ビーム分解
能が悪い場合或いはビームコーナ曲率が大きい場
合等に、ビームが傾いているのと同じ波形が得ら
れるので、ビームの傾きを高精度に測定すること
はできなかつた。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、
その目的とするところは、ビーム分解能が悪い場
合、或いはビームコーナ曲率が大きい場合にあつ
ても、ビーム辺とレーザミラー方向との平行度の
ずれθを簡易に、かつ高精度に測定することので
きる電子ビーム露光装置を提供することにある。
その目的とするところは、ビーム分解能が悪い場
合、或いはビームコーナ曲率が大きい場合にあつ
ても、ビーム辺とレーザミラー方向との平行度の
ずれθを簡易に、かつ高精度に測定することので
きる電子ビーム露光装置を提供することにある。
以下、この発明の詳細を図示の実施例によつて
説明する。
説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示す概略構成図
である。電子銃１から発射された電子は第１のア
パーチヤマスク２に照射され、同マスク２のアパ
ーチヤ２ａを介して方形に整形され、さらにビー
ム整形用の第１の偏向系３により偏向されて第２
のアパーチヤマスク４に照射されている。第１の
アパーチヤマスク２は回転自在に設けられたもの
で、ピエゾ素子等の圧電素子５に接続されてい
る。圧電素子５はCPU６からの印加電圧で伸縮
するもので、この伸縮によつて前記第１のアパー
チヤマスク２は回動せられるものとなつている。
同様に第２のアパーチヤマスク４もCPU６から
の印加電圧に応じて伸縮する圧電素子７により回
動せられるものとなつている。また、偏向系３に
はCPU６からの指令により作動する偏向電圧制
御回路８により偏向電圧が印加されている。
である。電子銃１から発射された電子は第１のア
パーチヤマスク２に照射され、同マスク２のアパ
ーチヤ２ａを介して方形に整形され、さらにビー
ム整形用の第１の偏向系３により偏向されて第２
のアパーチヤマスク４に照射されている。第１の
アパーチヤマスク２は回転自在に設けられたもの
で、ピエゾ素子等の圧電素子５に接続されてい
る。圧電素子５はCPU６からの印加電圧で伸縮
するもので、この伸縮によつて前記第１のアパー
チヤマスク２は回動せられるものとなつている。
同様に第２のアパーチヤマスク４もCPU６から
の印加電圧に応じて伸縮する圧電素子７により回
動せられるものとなつている。また、偏向系３に
はCPU６からの指令により作動する偏向電圧制
御回路８により偏向電圧が印加されている。
さて、前記第２のアパーチヤマスク４に照射さ
れた電子ビームは、同マスク４のアパーチヤ４ａ
を介して導出され、その寸法および形状を定めら
れる。そして、アパーチヤ４ａを介した電子ビー
ムは、CPU６からの指令により作動する偏向電
圧走査回路９により偏向電圧を印加されるフイー
ルド走査用の第２の偏向系１０にて走査偏向制御
され、さらに図示しない対物レンズ等を介してタ
ーゲツト１１に照射される。ターゲツト１１は
Be等の反射電子放出率の小さな基板１１ａ上に
Au等の反射電子放出率の大きな微粒子１１ｂを
付着して形成されたものである。
れた電子ビームは、同マスク４のアパーチヤ４ａ
を介して導出され、その寸法および形状を定めら
れる。そして、アパーチヤ４ａを介した電子ビー
ムは、CPU６からの指令により作動する偏向電
圧走査回路９により偏向電圧を印加されるフイー
ルド走査用の第２の偏向系１０にて走査偏向制御
され、さらに図示しない対物レンズ等を介してタ
ーゲツト１１に照射される。ターゲツト１１は
Be等の反射電子放出率の小さな基板１１ａ上に
Au等の反射電子放出率の大きな微粒子１１ｂを
付着して形成されたものである。
一方、前記第２の偏向系１０の下方部には電子
検出器１２が配設されている。この電子検出器１
２は電子ビームでターゲツト１１上を走査して得
られる反射電子を検出するもので、その検出信号
は増幅器１３を介してウエーブメモリ１４に送出
されている。ウエーブメモリ１４は上記検出信号
を一定のサンプリング時間毎に取り込み、前記反
射電子の分布を記憶する。また、ウエーブメモリ
１４のデータ取り込みは前記偏向電圧走査回路９
による偏向電圧走査と同期して行われるものとな
つている。
検出器１２が配設されている。この電子検出器１
２は電子ビームでターゲツト１１上を走査して得
られる反射電子を検出するもので、その検出信号
は増幅器１３を介してウエーブメモリ１４に送出
されている。ウエーブメモリ１４は上記検出信号
を一定のサンプリング時間毎に取り込み、前記反
射電子の分布を記憶する。また、ウエーブメモリ
１４のデータ取り込みは前記偏向電圧走査回路９
による偏向電圧走査と同期して行われるものとな
つている。
このように構成された本装置の作用を説明す
る。
る。
本装置は、ビーム辺とレーザミラー方向との平
行度のずれθを求める機能を備えた電子ビーム露
光装置であるが、ずれθを求める方式として次の
２つを取り得る。最初に、本発明とは直接関係し
ないが、ずれθを求めるための第１の方式を参考
のために説明する。
行度のずれθを求める機能を備えた電子ビーム露
光装置であるが、ずれθを求める方式として次の
２つを取り得る。最初に、本発明とは直接関係し
ないが、ずれθを求めるための第１の方式を参考
のために説明する。
まず、第１の偏向系３の偏向電圧を適当な値に
設定すると、各アパーチヤマスク２，４および偏
向系３により整形される電子ビームの寸法および
形状は、第２図に示す如くアパーチヤ２ａとアパ
ーチヤ４ａとの重なりで図中斜線部のようにな
る。そして、この状態で電子ビームを−Ｘ方向に
走査すると、電子検出器１２では上記電子ビーム
の照射部内にターゲツト１１の微粒子１１ｂが位
置するときのみ多量の反射電子が検出されること
になる。また、電子ビームを−Ｘ方向に走査する
ことはターゲツト１１をＸ方向に移動させるのと
同じことである。したがつて、電子ビームを−Ｘ
方向に走査したときの電子検出器１２の検出信号
は第３図に示す如くなり、この検出信号波形がウ
エーブメモリ１４に記憶される。このため、ウエ
ーブメモリ１４の記憶情報からＸ方向のビーム幅
LXとビームの位置が測定されることになる。ま
た、前記ターゲツト１１上を１回走査して得られ
る信号のＳ／Ｎ比が悪い場合、10〜100回ビーム
走査を繰り返し、ウエーブメモリ１４内で平均処
理することによつて、必要なＳ／Ｎ比を得てい
る。
設定すると、各アパーチヤマスク２，４および偏
向系３により整形される電子ビームの寸法および
形状は、第２図に示す如くアパーチヤ２ａとアパ
ーチヤ４ａとの重なりで図中斜線部のようにな
る。そして、この状態で電子ビームを−Ｘ方向に
走査すると、電子検出器１２では上記電子ビーム
の照射部内にターゲツト１１の微粒子１１ｂが位
置するときのみ多量の反射電子が検出されること
になる。また、電子ビームを−Ｘ方向に走査する
ことはターゲツト１１をＸ方向に移動させるのと
同じことである。したがつて、電子ビームを−Ｘ
方向に走査したときの電子検出器１２の検出信号
は第３図に示す如くなり、この検出信号波形がウ
エーブメモリ１４に記憶される。このため、ウエ
ーブメモリ１４の記憶情報からＸ方向のビーム幅
LXとビームの位置が測定されることになる。ま
た、前記ターゲツト１１上を１回走査して得られ
る信号のＳ／Ｎ比が悪い場合、10〜100回ビーム
走査を繰り返し、ウエーブメモリ１４内で平均処
理することによつて、必要なＳ／Ｎ比を得てい
る。
さて、次に前記第２の偏向系１０によりＹ方向
の偏向電圧を異なる値にそれぞれ設定し、各電子
ビームを−Ｘ方向に走査して前述した如く反射電
子の分布を測定する。このとき、ビーム辺とレー
ザミラー方向とが平行であれば、各検出信号は略
同じとなるが、平行度がずれていると各検出信号
に第４図に示す如く位相差αが生じる。平行度の
ずれをθ、偏向電圧の違いによる偏向位置間の距
離をｌとすると θ＝tan-1α／ｌ≒α／ｌ …(1) で求められる。そして、このずれθがCPU６に
て演算処理され、同ずれθに基づく電圧として圧
電素子５，７にそれぞれ印加される。これによ
り、第１および第２のアパーチヤマスク２，４が
回動され、ずれθが補正されることになる。
の偏向電圧を異なる値にそれぞれ設定し、各電子
ビームを−Ｘ方向に走査して前述した如く反射電
子の分布を測定する。このとき、ビーム辺とレー
ザミラー方向とが平行であれば、各検出信号は略
同じとなるが、平行度がずれていると各検出信号
に第４図に示す如く位相差αが生じる。平行度の
ずれをθ、偏向電圧の違いによる偏向位置間の距
離をｌとすると θ＝tan-1α／ｌ≒α／ｌ …(1) で求められる。そして、このずれθがCPU６に
て演算処理され、同ずれθに基づく電圧として圧
電素子５，７にそれぞれ印加される。これによ
り、第１および第２のアパーチヤマスク２，４が
回動され、ずれθが補正されることになる。
なお、上述した例では第２のアパーチヤマスク
４とレーザミラー方向との平行度のずれθの測定
および補正について説明したが、第１のアパーチ
ヤマスク２とレーザミラー方向との平行度のずれ
θ′についても同様にして行われるのは勿論であ
る。
４とレーザミラー方向との平行度のずれθの測定
および補正について説明したが、第１のアパーチ
ヤマスク２とレーザミラー方向との平行度のずれ
θ′についても同様にして行われるのは勿論であ
る。
次に、本発明に係わるずれθを求めるための第
２の方式について説明する。この例は電子ビーム
の端部で前記ターゲツト１１の微粒子１１ｂを走
査することによつて、ビーム辺とレーザミラー方
向との平行度のずれθを測定するようにしたもの
である。
２の方式について説明する。この例は電子ビーム
の端部で前記ターゲツト１１の微粒子１１ｂを走
査することによつて、ビーム辺とレーザミラー方
向との平行度のずれθを測定するようにしたもの
である。
まず、ターゲツト１１を移動させて微粒子１１
ｂを光学系の走査視野の中央に持つてくる。そし
て、第５図ａに示す如く、電子ビームを−Ｘ方向
に走査する。ここで、ビームを−Ｘ方向に走査す
ることは先に説明したようにターゲツト１１をＸ
方向に移動するのと等価であり、第５図ではター
ゲツト１１をＸ方向（X1）に移動した状態を示
している。このとき、ビームの強度分布が一定で
あれば、反射電子信号は第５図ｃ中の曲線Ｑに示
す如くピーク部分がフラツトなものになる。な
お、ビームはＸ方向に長く、Ｘ方向と直交するＹ
方向に短いものとする。
ｂを光学系の走査視野の中央に持つてくる。そし
て、第５図ａに示す如く、電子ビームを−Ｘ方向
に走査する。ここで、ビームを−Ｘ方向に走査す
ることは先に説明したようにターゲツト１１をＸ
方向に移動するのと等価であり、第５図ではター
ゲツト１１をＸ方向（X1）に移動した状態を示
している。このとき、ビームの強度分布が一定で
あれば、反射電子信号は第５図ｃ中の曲線Ｑに示
す如くピーク部分がフラツトなものになる。な
お、ビームはＸ方向に長く、Ｘ方向と直交するＹ
方向に短いものとする。
次いで、ターゲツト１１をビームの短辺方向と
なるべきＹ方向に移動しその反射電子信号強度が
50％になる点で、ターゲツト１１を再びＸ方向
（X2）に移動、つまりビームを−Ｘ方向に走査す
る。このとき、ビーム辺（長辺）がレーザミラー
方向（Ｘ方向）と平行であれば、反射電子信号は
第５図ｃ中実線Q1に示す如く信号Ｑに相似した
ものとなる。なお、反射電子信号強度が50％にな
る点は、微粒子１１ｂがビームの長辺と略一致す
る位置である。
なるべきＹ方向に移動しその反射電子信号強度が
50％になる点で、ターゲツト１１を再びＸ方向
（X2）に移動、つまりビームを−Ｘ方向に走査す
る。このとき、ビーム辺（長辺）がレーザミラー
方向（Ｘ方向）と平行であれば、反射電子信号は
第５図ｃ中実線Q1に示す如く信号Ｑに相似した
ものとなる。なお、反射電子信号強度が50％にな
る点は、微粒子１１ｂがビームの長辺と略一致す
る位置である。
一方、ビーム辺とレーザミラー方向（Ｘ方向）
との平行度がずれていると、例えば第５図ａに１
点鎖線に示す如くずれていると、反射電子信号は
同図ｃ中１点鎖線Q2に示す如く左上がりなもの
となる。また、ビーム辺とレーザミラー方向（Ｘ
方向）との平行度が第５図ｂ中２点鎖線に示す如
くずれていると、反射電子信号は同図ｃ中２点鎖
線Q3に示す如く右上がりなものとなる。そして、
この場合、ビームの走査方向を微小ステツプ毎変
化させ、上記反射電子信号がフラツトになる走査
方向を求める。この時のビーム走査方向とレーザ
ミラー方向との角度、つまり走査方向のＸ方向か
らのずれから前記ずれθが測定される。
との平行度がずれていると、例えば第５図ａに１
点鎖線に示す如くずれていると、反射電子信号は
同図ｃ中１点鎖線Q2に示す如く左上がりなもの
となる。また、ビーム辺とレーザミラー方向（Ｘ
方向）との平行度が第５図ｂ中２点鎖線に示す如
くずれていると、反射電子信号は同図ｃ中２点鎖
線Q3に示す如く右上がりなものとなる。そして、
この場合、ビームの走査方向を微小ステツプ毎変
化させ、上記反射電子信号がフラツトになる走査
方向を求める。この時のビーム走査方向とレーザ
ミラー方向との角度、つまり走査方向のＸ方向か
らのずれから前記ずれθが測定される。
次に、ビームの走査方向を微小ステツプ毎変化
させた場合の反射電子信号の変化を、第６図を参
照して説明する。まず、ビーム辺（長辺）がレー
ザミラー方向（Ｘ方向）に対し傾いており、先に
説明したように、微粒子１１ｂがビームの長辺に
略一致する位置でビーム走査するものとする。ま
た、ビームの走査方向は最初は−Ｘ方向でａ〜ｅ
の順に徐々に傾き角を大きくして−P1〜−P5方
向に走査するものとする。反射電子信号R1〜R5
は、説明の便宜上ターゲツトをP1〜P5方向に移
動したときの検出信号波形を示している。
させた場合の反射電子信号の変化を、第６図を参
照して説明する。まず、ビーム辺（長辺）がレー
ザミラー方向（Ｘ方向）に対し傾いており、先に
説明したように、微粒子１１ｂがビームの長辺に
略一致する位置でビーム走査するものとする。ま
た、ビームの走査方向は最初は−Ｘ方向でａ〜ｅ
の順に徐々に傾き角を大きくして−P1〜−P5方
向に走査するものとする。反射電子信号R1〜R5
は、説明の便宜上ターゲツトをP1〜P5方向に移
動したときの検出信号波形を示している。
第６図ａに示す如くビームをレーザミラー方向
と一致させて−Ｘ方向（−P1）に走査すると、
反射電子信号は右上がりの急峻な曲線となる。次
いで、第６図ｂに示す如くビームを−Ｘ方向から
僅かに傾けた−P2方向に走査すると、反射電子
信号は緩やかな右上がりの曲線R2となる。ここ
で、ビーム走査方向をレーザミラー方向から僅か
に傾けることは、ビームを僅かに回転させるのと
等価である。ビームの走査方向を更に傾け、ビー
ムを−P3方向に走査する。このとき−P3方向の
−Ｘ方向からの傾きθとビーム辺の傾きθとが一
致していると、第６図ｃに示す如く反射電子信号
はフラツトな曲線R3となる。
と一致させて−Ｘ方向（−P1）に走査すると、
反射電子信号は右上がりの急峻な曲線となる。次
いで、第６図ｂに示す如くビームを−Ｘ方向から
僅かに傾けた−P2方向に走査すると、反射電子
信号は緩やかな右上がりの曲線R2となる。ここ
で、ビーム走査方向をレーザミラー方向から僅か
に傾けることは、ビームを僅かに回転させるのと
等価である。ビームの走査方向を更に傾け、ビー
ムを−P3方向に走査する。このとき−P3方向の
−Ｘ方向からの傾きθとビーム辺の傾きθとが一
致していると、第６図ｃに示す如く反射電子信号
はフラツトな曲線R3となる。
また、ビーム走査方向を−P3よりも傾けた−
P4方向にすると、第６図ｄに示す如く反射電子
信号は逆に左上がりの曲線R4となる。ビーム走
査方向を更に傾けた−P5方向にすると、第６図
ｅに示す如く反射電子信号は急峻な左上がり曲線
R5となる。つまり、ビーム走査方向のＸ方向か
らの傾きθがビーム辺の傾きと一致したとき、反
射電子信号はフラツトなものとなり、このときの
ビーム走査方向の傾きθを求めることによりビー
ムの傾きを検出することができる。
P4方向にすると、第６図ｄに示す如く反射電子
信号は逆に左上がりの曲線R4となる。ビーム走
査方向を更に傾けた−P5方向にすると、第６図
ｅに示す如く反射電子信号は急峻な左上がり曲線
R5となる。つまり、ビーム走査方向のＸ方向か
らの傾きθがビーム辺の傾きと一致したとき、反
射電子信号はフラツトなものとなり、このときの
ビーム走査方向の傾きθを求めることによりビー
ムの傾きを検出することができる。
したがつて、このずれθに基づいて先の第１の
方式の場合と同様にアパーチヤマスク２，４を回
動せしめることにより、ビーム辺とレーザミラー
方向との平行度のずれθが補正される。
方式の場合と同様にアパーチヤマスク２，４を回
動せしめることにより、ビーム辺とレーザミラー
方向との平行度のずれθが補正される。
このように本装置では、反射電子放出率の小さ
な基板１１ａ上に反射電子放出率の大きな微粒子
１１ｂを付着してなるターゲツト１１に電子ビー
ムを照射して得られる反射電子を検出する電子検
出器１２を設け、微粒子１１ｂと電子ビームの辺
の一つを略一致させ、該ビーム辺方向と平行とな
るべきレーザミラー方向に電子ビームを走査し、
この走査により得られる電子検出器１２の検出信
号の波形に基づいてアパーチヤマスク２，４とレ
ーザミラー方向との平行度のずれθを求め、この
ずれθに基づく電圧を圧電素子５，７に印加して
各アパーチヤマスク２，４を回動せしめるように
している。したがつて、ビーム辺とレーザミラー
方向との平行度のずれθを補正するのは勿論のこ
と、ずれθを自動的に補正することができる。ま
た、ターゲツト１１として反射電子放出率の小さ
な基板１１ａ上に反射電子放出率の大きな微粒子
１１ｂを付着したものを用いているので、電子ビ
ームの分解能が悪い場合或いはビームコーナ曲率
が大きい場合にあつても上記ずれθを正確に測定
することができる。さらに、10〜100回のビーム
走査で得られる反射信号をウエーブメモリ１４に
て平均処理することにより、Ｓ／Ｎ比の大幅な向
上をはかり得る等の利点もある。
な基板１１ａ上に反射電子放出率の大きな微粒子
１１ｂを付着してなるターゲツト１１に電子ビー
ムを照射して得られる反射電子を検出する電子検
出器１２を設け、微粒子１１ｂと電子ビームの辺
の一つを略一致させ、該ビーム辺方向と平行とな
るべきレーザミラー方向に電子ビームを走査し、
この走査により得られる電子検出器１２の検出信
号の波形に基づいてアパーチヤマスク２，４とレ
ーザミラー方向との平行度のずれθを求め、この
ずれθに基づく電圧を圧電素子５，７に印加して
各アパーチヤマスク２，４を回動せしめるように
している。したがつて、ビーム辺とレーザミラー
方向との平行度のずれθを補正するのは勿論のこ
と、ずれθを自動的に補正することができる。ま
た、ターゲツト１１として反射電子放出率の小さ
な基板１１ａ上に反射電子放出率の大きな微粒子
１１ｂを付着したものを用いているので、電子ビ
ームの分解能が悪い場合或いはビームコーナ曲率
が大きい場合にあつても上記ずれθを正確に測定
することができる。さらに、10〜100回のビーム
走査で得られる反射信号をウエーブメモリ１４に
て平均処理することにより、Ｓ／Ｎ比の大幅な向
上をはかり得る等の利点もある。
なお、この発明は上述した実施例に限定される
ものではない。例えば、前記ターゲツトを構成す
る基板はBeに限らず反射電子放出率の小さなも
のであればよい。さらに、ターゲツトを構成する
微粒子はAuに限らず反射電子放出率の大きなも
のであればよい。また、２次電子放出率の小さな
基板上に２次電子放出率の大きな微粒子を取着し
てターゲツトを形成することもできる。この場
合、前記電子検出器を２次電子を検出するものと
すればよい。さらに、基板の代りには反射電子放
出率或いは２次電子放出率の小さな平面状の領域
を有したものであれば代替使用できる。また、前
記圧電素子はピエゾ素子に限るものではなく、バ
イモルフ素子等の印加電圧によりその長さが可変
するものであればよい。さらに、圧電素子を用い
ることなく前記測定されたずれθを手動で補正す
るようにしてもよい。また、前記電子ビームの偏
向位置間の距離は、仕様に応じて適宜定めればよ
いものである。その他、この発明の要旨を逸脱し
ない範囲で、種々変形して実施することができ
る。
ものではない。例えば、前記ターゲツトを構成す
る基板はBeに限らず反射電子放出率の小さなも
のであればよい。さらに、ターゲツトを構成する
微粒子はAuに限らず反射電子放出率の大きなも
のであればよい。また、２次電子放出率の小さな
基板上に２次電子放出率の大きな微粒子を取着し
てターゲツトを形成することもできる。この場
合、前記電子検出器を２次電子を検出するものと
すればよい。さらに、基板の代りには反射電子放
出率或いは２次電子放出率の小さな平面状の領域
を有したものであれば代替使用できる。また、前
記圧電素子はピエゾ素子に限るものではなく、バ
イモルフ素子等の印加電圧によりその長さが可変
するものであればよい。さらに、圧電素子を用い
ることなく前記測定されたずれθを手動で補正す
るようにしてもよい。また、前記電子ビームの偏
向位置間の距離は、仕様に応じて適宜定めればよ
いものである。その他、この発明の要旨を逸脱し
ない範囲で、種々変形して実施することができ
る。
以上詳述したように本発明によれば、ビーム分
解能が悪い場合やビームコーナ曲率が大きい場合
にあつてもビーム辺とレーザミラー方向との平行
度のずれθを容易に、且つ正確に測定し得る電子
ビーム露光装置を実現することができる。
解能が悪い場合やビームコーナ曲率が大きい場合
にあつてもビーム辺とレーザミラー方向との平行
度のずれθを容易に、且つ正確に測定し得る電子
ビーム露光装置を実現することができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す概略構成
図、第２図乃至第４図はずれθを求めるための第
１の方式を説明するためのもので、第２図は電子
ビームの成形状態を示す模式図、第３図は検出信
号を示す信号波形図、第４図は偏向位置をずらし
た電子ビームに対する各検出信号をそれぞれ示す
信号波形図、第５図および第６図はずれθを求め
るための第２の方式を説明するためのもので、第
５図はビーム辺とレーザミラー方向とのずれと反
射電子信号波形との関係を示す模式図、第６図は
ビーム辺とビーム走査方向との傾きと反射電子信
号波形との関係を示す模式図である。 １……電子銃、２……第１のアパーチヤマス
ク、３……第１の偏向系（ビーム整形用の偏向
系）、４……第２のアパーチヤマスク、５，７…
…圧電素子、６……CPU、１０……第２の偏向
系（フイールド走査用の偏向系）、１１……ター
ゲツト、１１ａ……基板（領域）、１１ｂ……微
粒子、１２……電子検出器、１４……ウエーブメ
モリ。
図、第２図乃至第４図はずれθを求めるための第
１の方式を説明するためのもので、第２図は電子
ビームの成形状態を示す模式図、第３図は検出信
号を示す信号波形図、第４図は偏向位置をずらし
た電子ビームに対する各検出信号をそれぞれ示す
信号波形図、第５図および第６図はずれθを求め
るための第２の方式を説明するためのもので、第
５図はビーム辺とレーザミラー方向とのずれと反
射電子信号波形との関係を示す模式図、第６図は
ビーム辺とビーム走査方向との傾きと反射電子信
号波形との関係を示す模式図である。 １……電子銃、２……第１のアパーチヤマス
ク、３……第１の偏向系（ビーム整形用の偏向
系）、４……第２のアパーチヤマスク、５，７…
…圧電素子、６……CPU、１０……第２の偏向
系（フイールド走査用の偏向系）、１１……ター
ゲツト、１１ａ……基板（領域）、１１ｂ……微
粒子、１２……電子検出器、１４……ウエーブメ
モリ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１および第２のアパーチヤマスク間にビー
ム整形用の偏向系を配設し電子ビームの寸法およ
び形状を可変制御するようにした電子ビーム露光
装置において、 反射電子放出率或いは２次電子放出率の小さな
領域上に反射電子放出率或いは２次電子放出率が
大きく且つビーム断面よりも微小な微粒子を取着
してなるターゲツトに前記電子ビームを照射して
得られる反射電子或いは２次電子を検出する電子
検出器と、上記微粒子と前記電子ビームの辺の一
つを略一致させ、該略一致した点を中心にビーム
の走査方向を微小ステツプ毎に変化させる手段
と、電子検出器の検出信号波形がフラツトになる
ビーム走査方向を求め、このビーム走査方向とレ
ーザミラー方向との角度を求めることにより、ビ
ーム辺とレーザミラー方向との平行度のずれθを
測定する手段とを具備してなることを特徴とする
電子ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55142729A JPS5766634A (en) | 1980-10-13 | 1980-10-13 | Electron beam exposure device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55142729A JPS5766634A (en) | 1980-10-13 | 1980-10-13 | Electron beam exposure device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5766634A JPS5766634A (en) | 1982-04-22 |
| JPH0318331B2 true JPH0318331B2 (ja) | 1991-03-12 |
Family
ID=15322220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55142729A Granted JPS5766634A (en) | 1980-10-13 | 1980-10-13 | Electron beam exposure device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5766634A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59161818A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 矩形荷電ビ−ムの回転検出方法及び矩形荷電ビ−ム露光装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5360178A (en) * | 1976-11-10 | 1978-05-30 | Toshiba Corp | Target for focusing of electron beam |
| JPS5583806A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-24 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Square beam direction detection system |
-
1980
- 1980-10-13 JP JP55142729A patent/JPS5766634A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5766634A (en) | 1982-04-22 |
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