JPH03183149A - 異物検査装置の感度校正用の試料 - Google Patents

異物検査装置の感度校正用の試料

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JPH03183149A
JPH03183149A JP32239589A JP32239589A JPH03183149A JP H03183149 A JPH03183149 A JP H03183149A JP 32239589 A JP32239589 A JP 32239589A JP 32239589 A JP32239589 A JP 32239589A JP H03183149 A JPH03183149 A JP H03183149A
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JP
Japan
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foreign
particle
level
bead
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Pending
Application number
JP32239589A
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English (en)
Inventor
Toshiaki Yanai
谷内 俊明
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Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Publication date
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  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、異物検査装置の感度校IE用の試料に関し
、詐しくは、半導体ウェハやマスク等の異物を検査する
マツプ表示できる異物検査装置においてlli ltに
装置の感度校正ができるような校正用ウェハ等の試料に
関する。
[従来の技術] ウェハ専の異物を検査する一般的な方法としては、光源
からウェハ等に光を照射してその散乱光を受光素子等で
受光し、その出力レベルを検出することで行われる。そ
のため、異物検査装置は、通常、照明用の光源、投光光
学系、受光光学系、充電変換部、アンプ等から構成され
、最近では、大きさの異なる異物の分布状態やその数量
などを検出する機能が設けられている。しかし、光源の
劣化や受光素子の特性の変化、アンプの劣化などにより
装置の感度に変化が生じると、特に大きさの異なる異物
について正確な異物検出ができなくなる。このようなこ
とから定期的に検査装置の感度を校正すること(絶対感
度校正)が行われている。
[解決しようとする課題] 従来の感度校正としては、ビーズ状ラテックス標準粒子
を特定の異物の代わりにウェハ上に塗布してそれを検出
することで行われる。また、実際に検出する異物の大き
さも標準粒子に置き換えて標嘔粒子何μmの異物という
形で検出される。
したがって、大きさの異なる異物の分布状態やその数量
などを検出する場合に特定の粒径について校+Eした検
査装置で他の大きさの異物の粒径について検出レベルの
相違で判定しても正確な大きさ検出はできない欠点があ
る。このようなことを回避するには粒径に対応した校正
用ウェハで校i[しながらそれに対応する大きさの異物
を検出すればよいが、それでは検査に手間がかかり、か
つ、校正ミスも生じやすい。
この発明は、このような従来技術の問題点を齢決するも
のであって、校iE zスを防11−.でき、感度校正
が容易な異物検査装置の感度校正用の試料を提供するこ
とを目的とする。
[課題を解決するための手段] このような「目的を達成するためのこの発明の感度校正
用の試料の特徴は、検出異物をマツプ表示できる異物検
査装置の感度校屯に使用されるものであって、その表面
を領域分けして分けられた領域のうちから選択された領
域のそれぞれに異なる粒径の標準粒子を付?fさせるも
のである。
[作用] このように、1つの試料の表面に異なる粒僅を領域分け
して付着させることにより、この試料を使用してマツプ
表示できる異物検査装置により試料の異物検出をすれば
、装置の検出感度に応じて表示される領域が変化する。
そこで、異物の検出状態がどの粒径のレベルに設定され
ているかが表示された領域で東線に判定できる。
その結果、校正ミスがなくなり、異なる大きさの異物を
検出する際に、装置をそれに対応した感度に設定するの
が容易になり、正確な異物検出ができる。
[実施例] 以F1この発明の・実施例について図面を用いて詐細に
説明する。
第1図は、この発明の異物検査装置の感度校正用の試料
を適用した校正用ウェハの−・実施例の説明図であり、
第2図は、その検出状態の表示画像の説明図、第3図は
、検出閾値レベルと検出粒子との関係の説明図、第4図
は、他の一実施例の校正用ウェハの説明図である。
第1図において、10は、校正用シリコンウェハ(以下
ウェハ)であって、数字“1”、′2”“3”4”で示
される形状で粒子付着領域がウェハ10において領域分
割され、配置されている。数字“1”の粒子付青領域1
では、0.5μmのビーズ状うテックス標中粒子が数字
“1”の形状に従って付着されている。また、数字“2
″の粒子付着領域2では、0.7μmのビーズ状ラテッ
クス標準粒子が数字“2”の形状で付着されている。数
字“3”の粒子付着領域3では、1゜0μmのビーズ状
ラテックス標準粒子が数字“3”の形状で付着されてい
る。そして、数字“4″のRF付着領域4では、2.0
μmのビーズ状うテックス標準粒子が数字“4”の形状
で付着されている。
この数字と、装置の検出閾値レベルと検出粒子・との関
係を后すのが第3図であって、縦軸が設定される閾値型
SFであり、横軸にそれぞれの粒径の粒子が割゛当てら
れた数字を示す。そして、6棒グラフは、そのウェハ1
0の数′?形状の粒子付?? Grt域が検出可能な閾
値電圧の範囲を示している。第3図に示すように、0.
5μmの標準粒子以上の大きさの検出状態を装置の閾値
検出レベルVl(最も感度が高い状態、感度の検出と閾
値とは逆の関係にある)に対応させ、0.7μmの標準
粒子以りの大きさの検出状態を装置の閾値検出レベルv
2に対応させ、ll−0Itの標準粒子以りの大きさの
検出状態を装置の閾値検出レベルV3に対応させ、そし
て、2.0μmの標準粒子以上の人きさの検出状態を装
置の閾値検出レベルv4に対応させるものとする。
このような校正用ウェハ10をマツプ表示できる異物検
査装置によりその異物検出をした場合には、検出閾値レ
ベルを最も低いレベル、例えば、レベルvl の付近に
感度を設定したときには、第1図に示すウェハの状態が
そのまま異物検査装置の画面tlに表示される。一方、
検出閾値レベルをヒげて(感度をドげて)、例えば、3
番目に低いレベルV3  (第3図参照)の付近に感度
が設定されたときには、第2図に示すように文字“3”
と“4”とが異物検査装置の画面5−Lに表示され、文
字“1”と“2”とは現れない。したがって、画面5上
に表示される数値の最小の数値により現イ[設定されて
いる感度が分かる。
このように、感度がどのレベルにあるかが画面りの表示
状態で容易に分かる。もちろん、感度をLげて検出閾値
レベルを下げ、例えば、2番目に低いレベルV2の付近
に感度が設定されたときには、文?“2”、“3″と“
4”とが画面上に表示され、文字“1”が現れず、それ
が逆に最も高いレベルV4に設定されたときには、文字
“4”のみが表示され、さらに、感度をドげて高い検出
閾値レベルでは表示されるのがウェハの外観だけになる
第4図は、他の校IE用ウェハの実施例であって、これ
は、ウェハの粒子付着領域をストライプ状に設定して左
から0.5μmのビーズ状うテックス標準拉子を、次に
0.7μm1そして、1.0μm、2.0μmw 3.
0μmw 5.08m9 B。
0μm、10μmのビーズ状うテックス標191粒子と
いうように順次ストライプ状に分けた領域に異なる粒径
の粒子を付着させたものである。
ところで、数字状やストライプの縦の粒子付着領域にビ
ーズ状うテックス標関粒子を付着させる方法としては、
ウェハの付着エリアに対応する形状以外をマスクして、
付着する粒径のポリスチレンの標準粒子を所定の濃度で
純水に解いたラテックスをそれぞれ粒径に応じて作り、
それらを清浄な空気でノズルから霧吹きと同様にして噴
霧することでマスクされていない部分に順次付着させる
ことによる。
以−ヒ説明してきたが、実施例では、ウェハの粒子付着
領域をストライプ状のものと文字形状のものとを例とし
て挙げているが、基盤の目のような形態であってもよく
、また、同心円状に複数のリングとして形成しても、さ
らに、特定の図形パターンとして形成してもよい。
実施例では、試料としてシリコンウェハを例に挙げてい
るが、試料は、ウェハとほぼ同一寸法の金属板や樹脂板
であってもよい。また、異物検査の対象は、ウェハに限
定されるものではなく、ホトマスク等であってもよいの
で、ホトマスク等の場合にはそれに応じた形状の試料と
することができる。
[発明の効果] 以ヒの説明から理解できるように、この発明にあっては
、1つの試料の表面に異なる粒径を、領域分けして付着
させることにより、この試料を使用してマツプ表)l<
できる異物検査装置により試料の異物検出をすれば、装
置の検t口感度に地じて表示される領域が変化する。そ
こで、異物の検出状態がとの粒径のレベルに設定されて
いるかが表示された領域で肥確に判定できる。
その結果、校1[ミスがなくなり、異なる大きさの異物
を検出する際に、装置をそれに対応した感度に設定する
のが容易になり、+L、確な異物検出ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の異物検査装置の感度校正用の試料
を適用した校iE用ウェハの一実施例の説明図、第2図
は、その検出状態の表示画像の説明図、第3図は、検出
閾値と検出粒子との関係の説明図、第4図は、他の一実
施例の校区用ウエノ1の説明図である。 1.2.3.4・・・粒子付着領域、 10・・・校正用シリコンウェハ。 特許出顔人 日立電T工/ジニアリング株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)検出異物をマップ表示できる異物検査装置の感度
    校正に使用されるものであって、その表面を領域分けし
    て分けられた領域のうちから選択された領域のそれぞれ
    に異なる粒径の標準粒子を付着させたことを特徴とする
    異物検査装置の感度校正用の試料。
JP32239589A 1989-12-12 1989-12-12 異物検査装置の感度校正用の試料 Pending JPH03183149A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006125967A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Lasertec Corp 検査装置及び検査方法並びにそれを用いたパターン基板の製造方法

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