JPH03183149A - 異物検査装置の感度校正用の試料 - Google Patents
異物検査装置の感度校正用の試料Info
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- JPH03183149A JPH03183149A JP32239589A JP32239589A JPH03183149A JP H03183149 A JPH03183149 A JP H03183149A JP 32239589 A JP32239589 A JP 32239589A JP 32239589 A JP32239589 A JP 32239589A JP H03183149 A JPH03183149 A JP H03183149A
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、異物検査装置の感度校IE用の試料に関し
、詐しくは、半導体ウェハやマスク等の異物を検査する
マツプ表示できる異物検査装置においてlli ltに
装置の感度校正ができるような校正用ウェハ等の試料に
関する。
、詐しくは、半導体ウェハやマスク等の異物を検査する
マツプ表示できる異物検査装置においてlli ltに
装置の感度校正ができるような校正用ウェハ等の試料に
関する。
[従来の技術]
ウェハ専の異物を検査する一般的な方法としては、光源
からウェハ等に光を照射してその散乱光を受光素子等で
受光し、その出力レベルを検出することで行われる。そ
のため、異物検査装置は、通常、照明用の光源、投光光
学系、受光光学系、充電変換部、アンプ等から構成され
、最近では、大きさの異なる異物の分布状態やその数量
などを検出する機能が設けられている。しかし、光源の
劣化や受光素子の特性の変化、アンプの劣化などにより
装置の感度に変化が生じると、特に大きさの異なる異物
について正確な異物検出ができなくなる。このようなこ
とから定期的に検査装置の感度を校正すること(絶対感
度校正)が行われている。
からウェハ等に光を照射してその散乱光を受光素子等で
受光し、その出力レベルを検出することで行われる。そ
のため、異物検査装置は、通常、照明用の光源、投光光
学系、受光光学系、充電変換部、アンプ等から構成され
、最近では、大きさの異なる異物の分布状態やその数量
などを検出する機能が設けられている。しかし、光源の
劣化や受光素子の特性の変化、アンプの劣化などにより
装置の感度に変化が生じると、特に大きさの異なる異物
について正確な異物検出ができなくなる。このようなこ
とから定期的に検査装置の感度を校正すること(絶対感
度校正)が行われている。
[解決しようとする課題]
従来の感度校正としては、ビーズ状ラテックス標準粒子
を特定の異物の代わりにウェハ上に塗布してそれを検出
することで行われる。また、実際に検出する異物の大き
さも標準粒子に置き換えて標嘔粒子何μmの異物という
形で検出される。
を特定の異物の代わりにウェハ上に塗布してそれを検出
することで行われる。また、実際に検出する異物の大き
さも標準粒子に置き換えて標嘔粒子何μmの異物という
形で検出される。
したがって、大きさの異なる異物の分布状態やその数量
などを検出する場合に特定の粒径について校+Eした検
査装置で他の大きさの異物の粒径について検出レベルの
相違で判定しても正確な大きさ検出はできない欠点があ
る。このようなことを回避するには粒径に対応した校正
用ウェハで校i[しながらそれに対応する大きさの異物
を検出すればよいが、それでは検査に手間がかかり、か
つ、校正ミスも生じやすい。
などを検出する場合に特定の粒径について校+Eした検
査装置で他の大きさの異物の粒径について検出レベルの
相違で判定しても正確な大きさ検出はできない欠点があ
る。このようなことを回避するには粒径に対応した校正
用ウェハで校i[しながらそれに対応する大きさの異物
を検出すればよいが、それでは検査に手間がかかり、か
つ、校正ミスも生じやすい。
この発明は、このような従来技術の問題点を齢決するも
のであって、校iE zスを防11−.でき、感度校正
が容易な異物検査装置の感度校正用の試料を提供するこ
とを目的とする。
のであって、校iE zスを防11−.でき、感度校正
が容易な異物検査装置の感度校正用の試料を提供するこ
とを目的とする。
[課題を解決するための手段]
このような「目的を達成するためのこの発明の感度校正
用の試料の特徴は、検出異物をマツプ表示できる異物検
査装置の感度校屯に使用されるものであって、その表面
を領域分けして分けられた領域のうちから選択された領
域のそれぞれに異なる粒径の標準粒子を付?fさせるも
のである。
用の試料の特徴は、検出異物をマツプ表示できる異物検
査装置の感度校屯に使用されるものであって、その表面
を領域分けして分けられた領域のうちから選択された領
域のそれぞれに異なる粒径の標準粒子を付?fさせるも
のである。
[作用]
このように、1つの試料の表面に異なる粒僅を領域分け
して付着させることにより、この試料を使用してマツプ
表示できる異物検査装置により試料の異物検出をすれば
、装置の検出感度に応じて表示される領域が変化する。
して付着させることにより、この試料を使用してマツプ
表示できる異物検査装置により試料の異物検出をすれば
、装置の検出感度に応じて表示される領域が変化する。
そこで、異物の検出状態がどの粒径のレベルに設定され
ているかが表示された領域で東線に判定できる。
ているかが表示された領域で東線に判定できる。
その結果、校正ミスがなくなり、異なる大きさの異物を
検出する際に、装置をそれに対応した感度に設定するの
が容易になり、正確な異物検出ができる。
検出する際に、装置をそれに対応した感度に設定するの
が容易になり、正確な異物検出ができる。
[実施例]
以F1この発明の・実施例について図面を用いて詐細に
説明する。
説明する。
第1図は、この発明の異物検査装置の感度校正用の試料
を適用した校正用ウェハの−・実施例の説明図であり、
第2図は、その検出状態の表示画像の説明図、第3図は
、検出閾値レベルと検出粒子との関係の説明図、第4図
は、他の一実施例の校正用ウェハの説明図である。
を適用した校正用ウェハの−・実施例の説明図であり、
第2図は、その検出状態の表示画像の説明図、第3図は
、検出閾値レベルと検出粒子との関係の説明図、第4図
は、他の一実施例の校正用ウェハの説明図である。
第1図において、10は、校正用シリコンウェハ(以下
ウェハ)であって、数字“1”、′2”“3”4”で示
される形状で粒子付着領域がウェハ10において領域分
割され、配置されている。数字“1”の粒子付青領域1
では、0.5μmのビーズ状うテックス標中粒子が数字
“1”の形状に従って付着されている。また、数字“2
″の粒子付着領域2では、0.7μmのビーズ状ラテッ
クス標準粒子が数字“2”の形状で付着されている。数
字“3”の粒子付着領域3では、1゜0μmのビーズ状
ラテックス標準粒子が数字“3”の形状で付着されてい
る。そして、数字“4″のRF付着領域4では、2.0
μmのビーズ状うテックス標準粒子が数字“4”の形状
で付着されている。
ウェハ)であって、数字“1”、′2”“3”4”で示
される形状で粒子付着領域がウェハ10において領域分
割され、配置されている。数字“1”の粒子付青領域1
では、0.5μmのビーズ状うテックス標中粒子が数字
“1”の形状に従って付着されている。また、数字“2
″の粒子付着領域2では、0.7μmのビーズ状ラテッ
クス標準粒子が数字“2”の形状で付着されている。数
字“3”の粒子付着領域3では、1゜0μmのビーズ状
ラテックス標準粒子が数字“3”の形状で付着されてい
る。そして、数字“4″のRF付着領域4では、2.0
μmのビーズ状うテックス標準粒子が数字“4”の形状
で付着されている。
この数字と、装置の検出閾値レベルと検出粒子・との関
係を后すのが第3図であって、縦軸が設定される閾値型
SFであり、横軸にそれぞれの粒径の粒子が割゛当てら
れた数字を示す。そして、6棒グラフは、そのウェハ1
0の数′?形状の粒子付?? Grt域が検出可能な閾
値電圧の範囲を示している。第3図に示すように、0.
5μmの標準粒子以上の大きさの検出状態を装置の閾値
検出レベルVl(最も感度が高い状態、感度の検出と閾
値とは逆の関係にある)に対応させ、0.7μmの標準
粒子以りの大きさの検出状態を装置の閾値検出レベルv
2に対応させ、ll−0Itの標準粒子以りの大きさの
検出状態を装置の閾値検出レベルV3に対応させ、そし
て、2.0μmの標準粒子以上の人きさの検出状態を装
置の閾値検出レベルv4に対応させるものとする。
係を后すのが第3図であって、縦軸が設定される閾値型
SFであり、横軸にそれぞれの粒径の粒子が割゛当てら
れた数字を示す。そして、6棒グラフは、そのウェハ1
0の数′?形状の粒子付?? Grt域が検出可能な閾
値電圧の範囲を示している。第3図に示すように、0.
5μmの標準粒子以上の大きさの検出状態を装置の閾値
検出レベルVl(最も感度が高い状態、感度の検出と閾
値とは逆の関係にある)に対応させ、0.7μmの標準
粒子以りの大きさの検出状態を装置の閾値検出レベルv
2に対応させ、ll−0Itの標準粒子以りの大きさの
検出状態を装置の閾値検出レベルV3に対応させ、そし
て、2.0μmの標準粒子以上の人きさの検出状態を装
置の閾値検出レベルv4に対応させるものとする。
このような校正用ウェハ10をマツプ表示できる異物検
査装置によりその異物検出をした場合には、検出閾値レ
ベルを最も低いレベル、例えば、レベルvl の付近に
感度を設定したときには、第1図に示すウェハの状態が
そのまま異物検査装置の画面tlに表示される。一方、
検出閾値レベルをヒげて(感度をドげて)、例えば、3
番目に低いレベルV3 (第3図参照)の付近に感度
が設定されたときには、第2図に示すように文字“3”
と“4”とが異物検査装置の画面5−Lに表示され、文
字“1”と“2”とは現れない。したがって、画面5上
に表示される数値の最小の数値により現イ[設定されて
いる感度が分かる。
査装置によりその異物検出をした場合には、検出閾値レ
ベルを最も低いレベル、例えば、レベルvl の付近に
感度を設定したときには、第1図に示すウェハの状態が
そのまま異物検査装置の画面tlに表示される。一方、
検出閾値レベルをヒげて(感度をドげて)、例えば、3
番目に低いレベルV3 (第3図参照)の付近に感度
が設定されたときには、第2図に示すように文字“3”
と“4”とが異物検査装置の画面5−Lに表示され、文
字“1”と“2”とは現れない。したがって、画面5上
に表示される数値の最小の数値により現イ[設定されて
いる感度が分かる。
このように、感度がどのレベルにあるかが画面りの表示
状態で容易に分かる。もちろん、感度をLげて検出閾値
レベルを下げ、例えば、2番目に低いレベルV2の付近
に感度が設定されたときには、文?“2”、“3″と“
4”とが画面上に表示され、文字“1”が現れず、それ
が逆に最も高いレベルV4に設定されたときには、文字
“4”のみが表示され、さらに、感度をドげて高い検出
閾値レベルでは表示されるのがウェハの外観だけになる
。
状態で容易に分かる。もちろん、感度をLげて検出閾値
レベルを下げ、例えば、2番目に低いレベルV2の付近
に感度が設定されたときには、文?“2”、“3″と“
4”とが画面上に表示され、文字“1”が現れず、それ
が逆に最も高いレベルV4に設定されたときには、文字
“4”のみが表示され、さらに、感度をドげて高い検出
閾値レベルでは表示されるのがウェハの外観だけになる
。
第4図は、他の校IE用ウェハの実施例であって、これ
は、ウェハの粒子付着領域をストライプ状に設定して左
から0.5μmのビーズ状うテックス標準拉子を、次に
0.7μm1そして、1.0μm、2.0μmw 3.
0μmw 5.08m9 B。
は、ウェハの粒子付着領域をストライプ状に設定して左
から0.5μmのビーズ状うテックス標準拉子を、次に
0.7μm1そして、1.0μm、2.0μmw 3.
0μmw 5.08m9 B。
0μm、10μmのビーズ状うテックス標191粒子と
いうように順次ストライプ状に分けた領域に異なる粒径
の粒子を付着させたものである。
いうように順次ストライプ状に分けた領域に異なる粒径
の粒子を付着させたものである。
ところで、数字状やストライプの縦の粒子付着領域にビ
ーズ状うテックス標関粒子を付着させる方法としては、
ウェハの付着エリアに対応する形状以外をマスクして、
付着する粒径のポリスチレンの標準粒子を所定の濃度で
純水に解いたラテックスをそれぞれ粒径に応じて作り、
それらを清浄な空気でノズルから霧吹きと同様にして噴
霧することでマスクされていない部分に順次付着させる
ことによる。
ーズ状うテックス標関粒子を付着させる方法としては、
ウェハの付着エリアに対応する形状以外をマスクして、
付着する粒径のポリスチレンの標準粒子を所定の濃度で
純水に解いたラテックスをそれぞれ粒径に応じて作り、
それらを清浄な空気でノズルから霧吹きと同様にして噴
霧することでマスクされていない部分に順次付着させる
ことによる。
以−ヒ説明してきたが、実施例では、ウェハの粒子付着
領域をストライプ状のものと文字形状のものとを例とし
て挙げているが、基盤の目のような形態であってもよく
、また、同心円状に複数のリングとして形成しても、さ
らに、特定の図形パターンとして形成してもよい。
領域をストライプ状のものと文字形状のものとを例とし
て挙げているが、基盤の目のような形態であってもよく
、また、同心円状に複数のリングとして形成しても、さ
らに、特定の図形パターンとして形成してもよい。
実施例では、試料としてシリコンウェハを例に挙げてい
るが、試料は、ウェハとほぼ同一寸法の金属板や樹脂板
であってもよい。また、異物検査の対象は、ウェハに限
定されるものではなく、ホトマスク等であってもよいの
で、ホトマスク等の場合にはそれに応じた形状の試料と
することができる。
るが、試料は、ウェハとほぼ同一寸法の金属板や樹脂板
であってもよい。また、異物検査の対象は、ウェハに限
定されるものではなく、ホトマスク等であってもよいの
で、ホトマスク等の場合にはそれに応じた形状の試料と
することができる。
[発明の効果]
以ヒの説明から理解できるように、この発明にあっては
、1つの試料の表面に異なる粒径を、領域分けして付着
させることにより、この試料を使用してマツプ表)l<
できる異物検査装置により試料の異物検出をすれば、装
置の検t口感度に地じて表示される領域が変化する。そ
こで、異物の検出状態がとの粒径のレベルに設定されて
いるかが表示された領域で肥確に判定できる。
、1つの試料の表面に異なる粒径を、領域分けして付着
させることにより、この試料を使用してマツプ表)l<
できる異物検査装置により試料の異物検出をすれば、装
置の検t口感度に地じて表示される領域が変化する。そ
こで、異物の検出状態がとの粒径のレベルに設定されて
いるかが表示された領域で肥確に判定できる。
その結果、校1[ミスがなくなり、異なる大きさの異物
を検出する際に、装置をそれに対応した感度に設定する
のが容易になり、+L、確な異物検出ができる。
を検出する際に、装置をそれに対応した感度に設定する
のが容易になり、+L、確な異物検出ができる。
第1図は、この発明の異物検査装置の感度校正用の試料
を適用した校iE用ウェハの一実施例の説明図、第2図
は、その検出状態の表示画像の説明図、第3図は、検出
閾値と検出粒子との関係の説明図、第4図は、他の一実
施例の校区用ウエノ1の説明図である。 1.2.3.4・・・粒子付着領域、 10・・・校正用シリコンウェハ。 特許出顔人 日立電T工/ジニアリング株式会社
を適用した校iE用ウェハの一実施例の説明図、第2図
は、その検出状態の表示画像の説明図、第3図は、検出
閾値と検出粒子との関係の説明図、第4図は、他の一実
施例の校区用ウエノ1の説明図である。 1.2.3.4・・・粒子付着領域、 10・・・校正用シリコンウェハ。 特許出顔人 日立電T工/ジニアリング株式会社
Claims (1)
- (1)検出異物をマップ表示できる異物検査装置の感度
校正に使用されるものであって、その表面を領域分けし
て分けられた領域のうちから選択された領域のそれぞれ
に異なる粒径の標準粒子を付着させたことを特徴とする
異物検査装置の感度校正用の試料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32239589A JPH03183149A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 異物検査装置の感度校正用の試料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32239589A JPH03183149A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 異物検査装置の感度校正用の試料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03183149A true JPH03183149A (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=18143186
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32239589A Pending JPH03183149A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 異物検査装置の感度校正用の試料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03183149A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006125967A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Lasertec Corp | 検査装置及び検査方法並びにそれを用いたパターン基板の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6038827A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-02-28 | Hitachi Ltd | 自動異物検査装置の感度校正方法 |
-
1989
- 1989-12-12 JP JP32239589A patent/JPH03183149A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6038827A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-02-28 | Hitachi Ltd | 自動異物検査装置の感度校正方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006125967A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Lasertec Corp | 検査装置及び検査方法並びにそれを用いたパターン基板の製造方法 |
JP4572280B2 (ja) * | 2004-10-28 | 2010-11-04 | レーザーテック株式会社 | 検査装置及び検査方法並びにそれを用いたパターン基板の製造方法 |
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