JPH03181118A - Developing device for semiconductor wafer - Google Patents

Developing device for semiconductor wafer

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JPH03181118A
JPH03181118A JP31897589A JP31897589A JPH03181118A JP H03181118 A JPH03181118 A JP H03181118A JP 31897589 A JP31897589 A JP 31897589A JP 31897589 A JP31897589 A JP 31897589A JP H03181118 A JPH03181118 A JP H03181118A
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JP
Japan
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semiconductor wafer
control body
developer
supply nozzle
chuck
Prior art date
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Application number
JP31897589A
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Japanese (ja)
Inventor
Hisashi Nishigaki
寿 西垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH03181118A publication Critical patent/JPH03181118A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent developer or rinse liquid from adhering to the upside of a wafer or liquid from dropping irregularly from a supply nozzle by holding the semiconductor wafer with the face to be treated down in the developing treatment. CONSTITUTION:A chuck 36 sucks and holds horizontally a semiconductor 37 with the treatment face 37a down, and is driven to move vertically or rotate by driving mechanisms 31 and 34. A control body 23 is arranged in opposition under chuck 36, and a developer supply nozzle 26 and rinse liquid supply nozzle 27 are provided to pierce the control body and come out on the surface, and the developer is controlled properly by the temperature regulated water in space 23. The wafer 37 is driven to the specified interval to the upside of the control body 23, and is developed by the developer and the rinse liquid, but since the treatment face of the wafer 37 is downward, the liquid never turns behind the upside, and also the liquid can be prevented from dropping carelessly to the treatment face from the nozzle.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は半導体ウェハの回路パターンを現像するため
の現像装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) This invention relates to a developing device for developing a circuit pattern on a semiconductor wafer.

(従来の技術) 半導体ウェハに回路パターンを形成する手段としてはフ
ォトエツチングが知られている。このフォトエツチング
は、半導体ウェハの所定部分にフォトレジストを塗布し
たのち、それをフォトマスクを介して焼付け、現像処理
することで上記回路パターンを形成するようになってい
る。
(Prior Art) Photoetching is known as a means for forming circuit patterns on semiconductor wafers. In this photoetching, a photoresist is applied to a predetermined portion of a semiconductor wafer, and then the photoresist is printed through a photomask and developed to form the circuit pattern.

従来、このようなフォトエツチングに用いられる現像装
置は第4図に示すように構成されていた。
Conventionally, a developing device used for such photoetching has been constructed as shown in FIG.

すなわち、同図中1は上面が開口し底部に一対の廃液ダ
クト1aが接続されたカップである。このカップ1の底
部下方にはガイド体2が上下方向に沿って設けられてい
る。このガイド体2にはスライダ3がスライド自在に設
けられ、このスライダ3は上記ガイド体2の一端に設け
られた第1のモータ4によって駆動されるようになって
いる。
That is, numeral 1 in the figure is a cup having an open top and a pair of waste liquid ducts 1a connected to the bottom. A guide body 2 is provided below the bottom of the cup 1 along the vertical direction. A slider 3 is slidably provided on the guide body 2, and the slider 3 is driven by a first motor 4 provided at one end of the guide body 2.

上記スライダ3にはL字状のブラケット5の一辺が固着
されている。このブラケット5の水平となった他辺には
第2のモータ6が取着されている。
One side of an L-shaped bracket 5 is fixed to the slider 3. A second motor 6 is attached to the other horizontal side of the bracket 5.

この第2のモータ6の回転軸7は上記カップ1の底部に
穿設された通孔8から内部へ突出し、その突出端にはチ
ャック9が上面を水平にして取付けられている。このチ
ャック9の上面には現像処理される半導体ウェハ11が
水平に吸着保持されるようになっている。
A rotating shaft 7 of the second motor 6 projects inward from a through hole 8 formed in the bottom of the cup 1, and a chuck 9 is attached to the projecting end with the top surface horizontal. A semiconductor wafer 11 to be developed is horizontally attracted and held on the upper surface of this chuck 9.

上記チャック9の上面と対向するカップ1の上方には現
像液供給ノズル12とリンス液供給ノズル13とが先端
開口を対向させて配置されている。
Above the cup 1 facing the upper surface of the chuck 9, a developer supply nozzle 12 and a rinse solution supply nozzle 13 are arranged with their tip openings facing each other.

これらノズル12.13はそれぞれ図示しない現像液の
供給源とリンス液の供給源とに接続されていて、それら
の液を上記半導体ウェハ11の上面に適宜に供給するこ
とができるようになっている。
These nozzles 12 and 13 are connected to a developing solution supply source and a rinsing solution supply source (not shown), respectively, so that these solutions can be appropriately supplied to the upper surface of the semiconductor wafer 11. .

このような構成の現像装置において、半導体ウェハ11
に現像処理を行うには、まず半導体ウェハ11をチャッ
ク9に吸着保持したならば、この半導体ウェハ11上に
現像液供給ノズル12から現像液を供給して現像処理を
所定時間行う。つぎに、第2のモータ6を作動させてチ
ャック9を回転駆動するとともに、リンス供給ノズル1
3からリンス液を供給して半導体ウェハ11の上面を洗
浄する。
In the developing device having such a configuration, the semiconductor wafer 11
To perform the development process, first, the semiconductor wafer 11 is suctioned and held on the chuck 9, and then a developer is supplied onto the semiconductor wafer 11 from the developer supply nozzle 12, and the development process is performed for a predetermined period of time. Next, the second motor 6 is operated to rotate the chuck 9, and the rinse supply nozzle 1 is rotated.
A rinsing liquid is supplied from step 3 to clean the upper surface of the semiconductor wafer 11.

リンス液による洗浄を所定時間行ったならば、リンス液
の供給を停止した状態でチャック9を回転し、それによ
って半導体ウェハ11の乾燥を行う。
After cleaning with the rinsing liquid for a predetermined period of time, the chuck 9 is rotated while the supply of the rinsing liquid is stopped, thereby drying the semiconductor wafer 11.

ところで、このような現像処理においては、現像液やリ
ンス液を半導体ウェハ11の上面に供給するため、どう
してもそれらの液が半導体ウェハ11の下面側へ回り込
み、その下面を汚すということがあった。また、現像液
供給ノズル12やリンス液供給ノズル13がチャック9
の上方に配置されているから、これらノズル12.13
から現像液やリンス液がたとえば乾燥処理中の半導体ウ
ェハ11の上面に不用意に滴下するということがある。
By the way, in such a development process, since the developing solution and the rinsing solution are supplied to the upper surface of the semiconductor wafer 11, these solutions inevitably flow to the lower surface of the semiconductor wafer 11 and stain the lower surface. Further, the developer supply nozzle 12 and the rinse solution supply nozzle 13 are connected to the chuck 9.
These nozzles 12.13
For example, a developing solution or a rinsing solution may inadvertently drip onto the upper surface of the semiconductor wafer 11 during the drying process.

さらに、リンス後の乾燥時に周囲に飛散したリンス液が
カップ1の内面に衝突して半導体ウェハ11の上面には
ね返り易いので、その乾燥処理が良好に行えないという
こともある。
Furthermore, the rinsing liquid scattered around during drying after rinsing collides with the inner surface of the cup 1 and tends to bounce onto the upper surface of the semiconductor wafer 11, so that the drying process may not be carried out well.

(課題を解決するための手段及び作用)このように、従
来の現像装置は、半導体ウェハをその現像処理される被
処理面が上になるようチャックに吸着保持していたので
、その下面側に現像液やリンス液が回り込むということ
があるばかりか、チャック上方に配置された現像液供給
ノズルやリンス液供給ノズルから液が乾燥処理中の半導
体ウェハの上面に滴下するということがあり、さらには
乾燥時にリンス液が半導体ウエノ1の上面にはね返るな
どのことがあった。
(Means and effects for solving the problem) As described above, in the conventional developing device, the semiconductor wafer was held by suction on the chuck so that the surface to be developed was facing upward, but the lower surface of the semiconductor wafer was Not only can the developer and rinse solution get passed around, but the solution can also drip onto the top surface of the semiconductor wafer being dried from the developer supply nozzle and rinse solution supply nozzle placed above the chuck. During drying, the rinsing liquid sometimes splashed onto the top surface of the semiconductor wafer 1.

この発明は上記事情にもとずきなされたもので、その目
的とするところは、半導体ウエノ\の被処理面と反対側
の面に現像液やリンス液が回り込むことがなく、しかも
その被処理面に現像液やリンス液の供給ノズルから液が
不用意に滴下することがなく、さらには乾燥処理時には
ね返るリンス液が半導体ウェハの被処理面に付着するこ
とがないようにした現像処理装置を提供することにある
This invention was made based on the above-mentioned circumstances, and its purpose is to prevent the developer and rinsing liquid from flowing around to the surface of the semiconductor wafer opposite to the surface to be processed. A developing processing device that prevents liquid from accidentally dripping from the supply nozzle of the developing solution or rinsing liquid onto the surface of the semiconductor wafer, and also prevents the rinsing liquid that splashes during the drying process from adhering to the processing surface of the semiconductor wafer. It is about providing.

[発明の構成] (課題を解決するための手段及び作用)上記課題を解決
するためにこの発明は、半導体ウェハの被処理面を下方
に向けてこの半導体ウェハを水平に吸着保持する回転可
能なチャックと、このチャックを上下駆動および旋回駆
動する駆動機構と、上記チャックの下方に対向して配置
された制御体と、この制御体の上面に連通して設けられ
た現像液供給ノズルおよびリンス液供給ノズルと、上記
制御体に設けられ上記現像液供給ノズルから供給される
現像液の温度を制御する制御手段とを具備する。
[Structure of the Invention] (Means and Effects for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the present invention provides a rotatable device that horizontally attracts and holds a semiconductor wafer with the surface to be processed of the semiconductor wafer facing downward. A chuck, a drive mechanism for vertically driving and rotating the chuck, a control body disposed facing below the chuck, and a developer supply nozzle and a rinsing liquid provided in communication with the upper surface of the control body. A supply nozzle, and a control means provided on the control body to control the temperature of the developer supplied from the developer supply nozzle.

このような構成とすることで、半導体ウェハの被処理面
が下向きとなった状態でその被処理面の現像処理が行わ
れるから、その被処理面と反対側の面に現像液やリンス
液が回り込むことがなく、しかもその被処理面に各ノズ
ルから液が不用意に滴下したり、乾燥時のリンス液がは
ね返ることもない。
With this configuration, development processing is performed on the processing surface of the semiconductor wafer with the processing surface facing downward, so that the developer and rinse solution are not applied to the surface opposite to the processing surface. There is no looping around, and there is no possibility that the liquid will accidentally drip from each nozzle onto the surface to be treated, and the rinsing liquid will not splash back during drying.

(実施例) 以下、この発明の一実施例を第1図と第2図を参照して
説明する。第1図に示す現像処理装置はカップ21を備
えている。このカップ21は上面に開口部21aが形成
された有底状をなしていて、底部には一対の廃液ダクト
22が接続されている。また、カップ21の周壁土部は
内方に向かって傾斜した傾斜壁部22bに形成されてい
る。
(Embodiment) An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2. The developing processing apparatus shown in FIG. 1 includes a cup 21. The developing processing apparatus shown in FIG. This cup 21 has a bottomed shape with an opening 21a formed in the upper surface, and a pair of waste liquid ducts 22 are connected to the bottom. Further, the peripheral wall portion of the cup 21 is formed into an inclined wall portion 22b that slopes inward.

上記カップ21の内底部には制御体23が設けられてい
る。この制御体23は下面が開放した円柱状をなし、そ
の開放した下面が上記カップ21の内底面によって閉塞
されている。それによって、制御体23の内部空間23
aは密閉されている。
A control body 23 is provided at the inner bottom of the cup 21 . The control body 23 has a cylindrical shape with an open lower surface, and the open lower surface is closed by the inner bottom surface of the cup 21. Thereby, the internal space 23 of the control body 23
a is sealed.

上記制御体23の内部空間23aには、上記カップ21
の底部を貫通して設けられた排出管24と供給管25と
が連通している。この供給管25は図示しない温調水の
供給源に接続され、この供給源3で所定温度に制御され
た温調水が上記制御体23の内部空間23aに上記供給
管25から供給される。それによって上記内部空間23
aには温調水が常に充満した状態にある。また、温調水
は45℃以下〜15℃までの範囲に設定されている。
The cup 21 is provided in the internal space 23a of the control body 23.
A discharge pipe 24 and a supply pipe 25, which are provided through the bottom of the pipe, communicate with each other. This supply pipe 25 is connected to a supply source of temperature-controlled water (not shown), and temperature-controlled water whose temperature is controlled to a predetermined temperature by the supply source 3 is supplied from the supply pipe 25 to the internal space 23a of the control body 23. Thereby, the internal space 23
A is always filled with temperature-controlled water. Further, the temperature of the temperature-controlled water is set within a range of 45°C or lower to 15°C.

上記制御体23の上面23bには、その内部空間23a
を液密に貫通して設けられた現像液供給ノズル26と、
リンス液供給ノズル27との一端が開口している。これ
らノズル26.27の他端は図示しない現像液の供給源
とリンス液の供給源とにそれぞれ接続されている。した
がって、各ノズル26.27から制御体23の上面23
bに現像液あるいはリンス液を供給することができるよ
うになっている。これらノズル26.27の制御体23
の内部空間23aを貫通した部分はその内部空間23a
に充填された温調水とほぼ同じ温度に制御されるととも
に、制御体23の上面23bも温調水とほぼ同じ温度に
制御される。それによって、現像液供給ノズル26から
制御体23の上面23bに供給される現像液は上記温調
水とほぼ同し温度に制御されることになる。つまり、温
調水が供給される制御体23の内部空間23aは現像液
の温度を制御する制御手段となっている。
The upper surface 23b of the control body 23 has an internal space 23a therein.
a developer supply nozzle 26 provided to liquid-tightly penetrate the
One end of the rinsing liquid supply nozzle 27 is open. The other ends of these nozzles 26 and 27 are respectively connected to a developer supply source and a rinse solution supply source (not shown). Therefore, from each nozzle 26,27 the upper surface 23 of the control body 23
A developing solution or a rinsing solution can be supplied to b. Control body 23 of these nozzles 26,27
The part that penetrates the internal space 23a of
The upper surface 23b of the control body 23 is also controlled to approximately the same temperature as the temperature-controlled water. As a result, the temperature of the developer supplied from the developer supply nozzle 26 to the upper surface 23b of the control body 23 is controlled to be approximately the same as that of the temperature-controlled water. In other words, the internal space 23a of the control body 23 to which temperature-adjusted water is supplied serves as a control means for controlling the temperature of the developer.

上記カップ21の開口部21aの上方には軸線C1を水
平にして第1の回転軸28が配設されている。この第1
の回転軸28の一端は図示しない第1のモータに連結さ
れ、それによって第1の回転軸28は軸線C1を中心に
して回転駆動されるようになっている。この第1の回転
軸28の他端には上記軸線C1と直交する方向に沿って
ガイド体29が取着されている。このガイド体2つには
スライダ31がスライド自在に設けられ、このスライダ
31は上記ガイド体29の一端に設けられた第2のモー
タ32によって第1図に矢印で示す方向である軸線CI
と直交する上下方向に駆動されるようになっている。
A first rotating shaft 28 is disposed above the opening 21a of the cup 21, with the axis C1 being horizontal. This first
One end of the rotating shaft 28 is connected to a first motor (not shown), so that the first rotating shaft 28 is driven to rotate about the axis C1. A guide body 29 is attached to the other end of the first rotating shaft 28 along a direction perpendicular to the axis C1. A slider 31 is slidably provided on the two guide bodies, and the slider 31 is moved along the axis CI in the direction shown by the arrow in FIG.
It is designed to be driven in the vertical direction orthogonal to the vertical direction.

上記スライダ31にはL字状のブラケット33の一端が
取着されている。このブラケット33の第1図における
状態で水平となった他辺には第3のモータ34がその第
2の回転軸35の軸線C2を垂直にして設けられている
。この第2の回転軸35には円盤状のチャック36がそ
の吸着面36aを上記軸線C2と直交させて取着されて
いる。このチャック36の吸着面36Hには図示しない
複数の吸着孔が開口されている。これら吸着孔は真空源
(図示せず)に連通され、それによって上記吸着孔には
吸引力が発生し、その吸引力で半導体ウェハ37をチャ
ック36の吸着面36aに吸着保持できるようになって
いる。
One end of an L-shaped bracket 33 is attached to the slider 31. A third motor 34 is provided on the other side of the bracket 33, which is horizontal in the state shown in FIG. 1, with the axis C2 of its second rotating shaft 35 being vertical. A disc-shaped chuck 36 is attached to the second rotating shaft 35 with its suction surface 36a orthogonal to the axis C2. A plurality of suction holes (not shown) are opened in the suction surface 36H of the chuck 36. These suction holes are communicated with a vacuum source (not shown), thereby generating a suction force in the suction holes, which allows the semiconductor wafer 37 to be suctioned and held on the suction surface 36a of the chuck 36. There is.

つぎに、上記構成の現像装置によって半導体ウェハ37
を現像処理する工程を第2図(A)〜(1)を参照して
説明する。まず、第2図(A)は待機状態を示し、チャ
ック36は吸着面36aを上に向け、スライダ31はガ
イド体29の下端部に位置している。この状態で半導体
ウェハ37が現像処理される被処理面37aを上方に向
けた状態でフォーク38によってチャック36の上方に
供給されると、第2図(B)に示すようにスライダ31
が上方向に駆動され、チャック36が半導体ウェハ37
の一方の面を吸着する。
Next, the semiconductor wafer 37 is
The process of developing the film will be explained with reference to FIGS. 2(A) to (1). First, FIG. 2(A) shows a standby state, in which the chuck 36 has its suction surface 36a facing upward, and the slider 31 is located at the lower end of the guide body 29. In this state, when the semiconductor wafer 37 is fed above the chuck 36 by the fork 38 with the surface 37a to be developed facing upward, the slider 31 is moved as shown in FIG. 2(B).
is driven upward, and the chuck 36 holds the semiconductor wafer 37.
Adsorb one side of the.

つぎに、第2図(C)に示すようにスライダ31が下降
方向に駆動されたのち、第2図(D)に示すように第1
の回転軸28が軸線C1を中心にして180度回転駆動
される。それによって、チャック36に吸着された半導
体ウェハ37の他方の面である現像処理する被処理面3
7aが制御体23の上面23bに水平な状態で平行に離
間対向する。
Next, after the slider 31 is driven in the downward direction as shown in FIG. 2(C), the slider 31 is driven in the downward direction as shown in FIG.
The rotating shaft 28 of is rotated 180 degrees around the axis C1. As a result, the other side of the semiconductor wafer 37 that is attracted to the chuck 36, which is the surface to be processed 3, is
7a is spaced apart and faces the upper surface 23b of the control body 23 in a horizontal state.

ついで、上記スライダ31は、第2図(E)に示すよう
に半導体ウェハ37の被処理面37aと制御体23の上
面23aとの隙間が0.2〜2 sm程度となるまで下
降方向に駆動されたのち、その隙間に現像液供給ノズル
26から供給された現像液L1が満たされて上記被処理
面37aが現像処理されることになる。この際、制御体
23の上面23bに供給される現像液L1は制御体23
の内部空間23aに供給される温調水によって現像に適
した温度に制御されている。たとえば、半導体ウェハ3
7の被処理面37aを低温現像することができるから、
解像度の向上が計れるばかりか、現像時間が長くなるこ
とによって現像状態のばらつきが少なくなる。
Next, the slider 31 is driven in the downward direction until the gap between the processed surface 37a of the semiconductor wafer 37 and the upper surface 23a of the control body 23 is approximately 0.2 to 2 sm, as shown in FIG. 2(E). After that, the gap is filled with the developer L1 supplied from the developer supply nozzle 26, and the surface to be processed 37a is developed. At this time, the developer L1 supplied to the upper surface 23b of the control body 23
The temperature is controlled to a temperature suitable for development by temperature-controlled water supplied to the internal space 23a of the image forming apparatus. For example, semiconductor wafer 3
Since the processed surface 37a of No. 7 can be developed at a low temperature,
Not only can the resolution be improved, but the longer development time reduces variations in the development state.

このようにして、上記非処理面37aの現像処理を所定
時間行ったならば、第2図(F)に示すように現像液り
、の供給を停止し、リンス液供給ノズル27からリンス
液L2を供給するとともに、第2のモータ34を作動さ
せてチャック36と御粘に半導体ウェハ37を高速回転
させる。それによって、リンス液L2は半導体ウェハ3
7の遠心力で制御体23の上面23bと半導体ウェハ3
7の被処理面37aとの隙間を通って周囲に飛散するか
ら、上記被処理面37aが洗浄されることになる。
In this way, after the development process on the non-processed surface 37a has been carried out for a predetermined period of time, the supply of the developing solution is stopped and the rinsing solution L2 is supplied from the rinsing solution supply nozzle 27 as shown in FIG. At the same time, the second motor 34 is operated to rotate the chuck 36 and the semiconductor wafer 37 at high speed. Thereby, the rinsing liquid L2 is applied to the semiconductor wafer 3.
Due to the centrifugal force of 7, the upper surface 23b of the control body 23 and the semiconductor wafer 3
Since the particles pass through the gap between No. 7 and the surface to be treated 37a and scatter around, the surface to be treated 37a is cleaned.

上記被処理面37aの洗浄を所定時間行ったならば、リ
ンス液の供給を停止するとともに、制御体23の上面2
3bと半導体ウェハ37の被処理面37aとの隙間が約
5■程度になるようチャック37を上昇させる(この状
態は図示しない)。
After the surface to be treated 37a has been cleaned for a predetermined period of time, the supply of the rinsing liquid is stopped, and the upper surface 2 of the control body 23 is
The chuck 37 is raised so that the gap between the surface 3b and the surface 37a to be processed of the semiconductor wafer 37 is about 5 cm (this state is not shown).

それによって、被処理面37aに付着したリンス液L2
が遠心力によって周囲に飛散され、上記被処理面37が
乾燥させられることになる。この際、被処理面37aか
ら周囲に飛散したリンス液L2はカップ21の内周面に
衝突してはね返るが、上記被処理面37aは下向きにな
っているから、カップ21の内周面からはね返ったリン
ス液2が上記被処理面37aに付着するということがほ
とんどない。
As a result, the rinsing liquid L2 attached to the surface to be processed 37a
is scattered around by centrifugal force, and the surface to be treated 37 is dried. At this time, the rinsing liquid L2 scattered from the surface to be treated 37a to the surroundings collides with the inner peripheral surface of the cup 21 and bounces off. However, since the surface to be treated 37a is facing downward, it does not bounce off the inner peripheral surface of the cup 21. The rinsing liquid 2 hardly ever adheres to the surface to be processed 37a.

このように、被処理面37aの洗浄が終了したならば、
第2図(G)に示すようにスライダ31が上昇方向に駆
動されて半導体ウェハ37は制御体23の上面23bか
ら大きく離間する。つぎに、第2図(H)に示すように
第1の回転軸28が軸線C0を中心にして11110度
回転させられ、それによって半導体ウェハ37の被処理
面37aが上方を向く。この状態で第2図(1)に示す
ようにスライダ31が上昇方向に駆動されたのち、フォ
ーク38が前進してきて半導体ウェハ37をチャック3
6をから受取ることで全工程が終了することになる。
In this way, once the cleaning of the surface to be treated 37a is completed,
As shown in FIG. 2(G), the slider 31 is driven in the upward direction, and the semiconductor wafer 37 is largely separated from the upper surface 23b of the control body 23. Next, as shown in FIG. 2(H), the first rotating shaft 28 is rotated by 11110 degrees about the axis C0, so that the processed surface 37a of the semiconductor wafer 37 faces upward. In this state, the slider 31 is driven in the upward direction as shown in FIG.
The entire process will be completed by receiving 6 from.

第3図はこの発明の他の実施例を示す。この実施例は制
御体23の上面23bを中心から周辺に向かって低く傾
斜した円錐状の傾斜面に形成した。
FIG. 3 shows another embodiment of the invention. In this embodiment, the upper surface 23b of the control body 23 is formed into a conical slope that slopes downwardly from the center toward the periphery.

このようにすれば、半導体ウェハ37の被処理面37a
と制御体23の上面23bとの間に供給される現像液に
気泡が発生しずらくなるから、上記被処理面37aの現
像処理を確実に行うことができ、また上記上面23bに
液が残留しずらくなるから、上記被処理面37aの乾燥
を迅速に行うことができる。
In this way, the surface to be processed 37a of the semiconductor wafer 37
Since bubbles are less likely to be generated in the developer supplied between the upper surface 23b of the control body 23 and the upper surface 23b of the control body 23, the development of the surface to be processed 37a can be carried out reliably, and no liquid remains on the upper surface 23b. Since the treated surface 37a becomes dry, the surface to be treated 37a can be dried quickly.

また、図示しないが、半導体ウェハの被処理面を下方に
向けた状態でフォークとの間の移載を行えるようにすれ
ば、第1の回転軸によってチャックを上下方向に180
度回転させなくてすむ。
Although not shown, if it is possible to transfer the semiconductor wafer to and from the fork with the surface to be processed facing downward, the chuck can be moved vertically 180 degrees by the first rotating shaft.
No need to rotate it.

また、現像液の温度調節は温調水を制御体の内部空間に
供給する代わりに、この制御体にヒータを設けて行うよ
うにしてもよい。
Further, the temperature of the developer may be adjusted by providing a heater in the control body instead of supplying temperature-adjusted water to the internal space of the control body.

さらに、現像液供給ノズルとリンス液供給ノズルはそれ
ぞれ複数本設けるようにしてもよく、そうすれば液の供
給を迅速に行うことができる。
Furthermore, a plurality of developing solution supply nozzles and a plurality of rinsing solution supply nozzles may be provided, so that the solution can be supplied quickly.

[発明の効果] 以上述べたようにこの発明は、半導体ウェハを、その被
処理面が下方を向く状態で保持して現像処理するように
したから、半導体ウェハの被処理面と反対側の面である
上面に現像液やリンス液が付着するのを防止することが
できる。また、下方を向いた被処理面にはたとえば乾燥
処理中などに現像液供給ノズルやリンス液供給ノズルか
ら不用意に液が滴下するということがないとともに、リ
ンス時のはね返り液が付着するのも防止することができ
る。
[Effects of the Invention] As described above, in this invention, since the semiconductor wafer is developed while being held with the surface to be processed facing downward, the surface of the semiconductor wafer opposite to the surface to be processed is It is possible to prevent the developing solution and the rinsing solution from adhering to the upper surface. In addition, it prevents liquid from accidentally dripping from the developer supply nozzle or rinsing liquid supply nozzle on the surface facing downward, for example during drying, and also prevents liquid splashed during rinsing from adhering to the surface. It can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例を示す現像装置の概略的構
成図、第2図(A)乃至(1)は現像工程を順次量した
説明図、第3図はこの発明の他の実施例を示す制御体の
断面図、第4図は従来の現像装置を示す概略的構成図で
ある。 23・・・制御体、26・・・現像液供給ノズル1.2
7・・・リンス液供給ノズル、36・・・チャック、3
7・・・半導体ウェハ、37a・・・被処理面。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a developing device showing one embodiment of the present invention, FIGS. 2(A) to (1) are explanatory diagrams showing the developing steps in sequence, and FIG. 3 is another embodiment of the present invention. FIG. 4 is a sectional view of a control body showing an example, and a schematic configuration diagram showing a conventional developing device. 23... Control body, 26... Developer supply nozzle 1.2
7... Rinse liquid supply nozzle, 36... Chuck, 3
7... Semiconductor wafer, 37a... Surface to be processed.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 半導体ウェハの被処理面を下方に向けてこの半導体ウェ
ハを水平に吸着保持する回転可能なチャックと、このチ
ャックを上下駆動および旋回駆動する駆動機構と、上記
チャックの下方に対向して配置された制御体と、この制
御体の上面に連通して設けられた現像液供給ノズルおよ
びリンス液供給ノズルと、上記制御体に設けられ上記現
像液供給ノズルから供給される現像液の温度を制御する
制御手段とを具備したことを特徴とする半導体ウェハの
現像装置。
A rotatable chuck that holds the semiconductor wafer horizontally by suction with the surface to be processed of the semiconductor wafer facing downward; a drive mechanism that drives the chuck vertically and rotationally; and a drive mechanism disposed below and facing the chuck. a control body, a developer supply nozzle and a rinsing liquid supply nozzle that are provided in communication with the upper surface of the control body, and a control that is provided on the control body and controls the temperature of the developer supplied from the developer supply nozzle. 1. A semiconductor wafer developing apparatus comprising: means.
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Cited By (4)

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