JPH0318047A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0318047A JPH0318047A JP15256589A JP15256589A JPH0318047A JP H0318047 A JPH0318047 A JP H0318047A JP 15256589 A JP15256589 A JP 15256589A JP 15256589 A JP15256589 A JP 15256589A JP H0318047 A JPH0318047 A JP H0318047A
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- resin
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、底板および側壁よりなる容器の底板上に半導
体素体が支持され、その半導体素体を覆って容器内に樹
脂が充填される半導体装置に関する． 〔従来の技術〕 半導体素体を容器内に収容し、容器内に充填される樹脂
によって半導体素体を外気から遮断する半導体装置は、
特に複数の半導体素子を一つの容器に収容する、例えば
ダイオードモジュール，トランジスタモジュール等のモ
ジュール装置に多く適用されている． 〔発明が解決しようとするｉｌ題〕 上記のような半導体装置の注型樹脂として多く用いられ
るエボキシ樹脂は６０ Ｘ １０−” ／ ℃の熱膨脹
係数を有する。この熱膨脹係数は、例えばシリコンでは
２．４ ｘ １０−” ／ ’ｃである半導体の熱膨脹
係数に比して著しく大きいため、温度変動の際の樹脂の
収縮によって半導体素体にストレスが生ずるという問題
がある．樹脂の熱膨脹係数は樹脂中のフィラーを増加す
ることにより低下させることができるが、それに伴い注
型時の樹脂粘度が大きくなってしまい、作業性が大幅に
低下するので、樹脂の熱膨脹係数低減によるストレス緩
和には限界がある．別の方策として、半導体素体を、例
えばゲル状のシリコーンゴムのようなバックァ剤で被覆
する方法がある．しかし、このようなバ，ファ剤は一般
に熱膨脹係数が１０−’ ／ ℃台であって非常に大き
く、逆に半導体素体およびその周辺部にストレスを与え
てしまう場合がある。
体素体が支持され、その半導体素体を覆って容器内に樹
脂が充填される半導体装置に関する． 〔従来の技術〕 半導体素体を容器内に収容し、容器内に充填される樹脂
によって半導体素体を外気から遮断する半導体装置は、
特に複数の半導体素子を一つの容器に収容する、例えば
ダイオードモジュール，トランジスタモジュール等のモ
ジュール装置に多く適用されている． 〔発明が解決しようとするｉｌ題〕 上記のような半導体装置の注型樹脂として多く用いられ
るエボキシ樹脂は６０ Ｘ １０−” ／ ℃の熱膨脹
係数を有する。この熱膨脹係数は、例えばシリコンでは
２．４ ｘ １０−” ／ ’ｃである半導体の熱膨脹
係数に比して著しく大きいため、温度変動の際の樹脂の
収縮によって半導体素体にストレスが生ずるという問題
がある．樹脂の熱膨脹係数は樹脂中のフィラーを増加す
ることにより低下させることができるが、それに伴い注
型時の樹脂粘度が大きくなってしまい、作業性が大幅に
低下するので、樹脂の熱膨脹係数低減によるストレス緩
和には限界がある．別の方策として、半導体素体を、例
えばゲル状のシリコーンゴムのようなバックァ剤で被覆
する方法がある．しかし、このようなバ，ファ剤は一般
に熱膨脹係数が１０−’ ／ ℃台であって非常に大き
く、逆に半導体素体およびその周辺部にストレスを与え
てしまう場合がある。
本発明の目的は、温度変動時に半導体素体を外気から遮
断するための樹脂から半導体素体に温度サイクルの際に
ストレスが与えられないような半導体装置を提供するこ
とにある． 〔課題を解決するた−めの手段〕 上記の目的を達威するために、本発明は、底仮および側
壁からなる容器の底板上に半導体素体が支持され、その
半導体素体を覆って容器内に樹脂が充填される半導体装
置において、半導体素体と容器側壁の間の半導体素体近
傍に隔壁が設けられたものとする． 〔作用〕 半導体近傍にある隔壁により、隔壁の半導体素体側にあ
る樹脂の伸縮は、隔壁の外側にある樹脂の伸縮より切り
離されるため、半導体素体にストレスを与える樹脂の量
は少なくなり、ストレスが小さくなる． 〔実施例〕 第１図（４）， （ｂｌおよび第２図は本発明の一実施
例を示す．図において、６個の半導体素体１、例えばダ
イオードチップはそれぞれその下面電極が絶縁Ｎ３を介
して容器底板２の上に固定された帯状接続導体４の上に
はんだ５によって固着されている．接続導体４は一方の
側で立ち上げられ、外部接続端子４１とされている。見
やすくするために図示しないが、各半導体素体１の上面
電極は他の外部接Ｖｔ端子と連結された接続導体と導線
により接続されている．ここまでは従来の半導体装置と
同しである．しかし、本発明により各接続導体４のそれ
らを囲む容器側壁６に対向する側辺には高さ３〜５１ｌ
程度の金属隔壁７が取り付けられている．金属隔壁７は
接続導体４，外部接続端子４１と一体に金属板、例えば
厚さ１ｌ璽の銅板から作威され、外部接続端子と共に直
角に折り曲げて形成される．第２図はそのような接続導
体の一つの斜視図である．底板２および側壁６からなる
容器の中には樹脂８が充填されている．金属隔壁７に図
のように直径ｌ〜３ｆｉの穴７１を明けておくと、樹脂
８がその穴に入り込むので、樹脂を固定し、押さえる作
用が生じ、底板２から樹脂が剥離するのを防止する効果
が現れる． なお、コストの上昇を招くが、各半導体素体をそれぞれ
隔壁で囲む方がストレス緩和の効果が上がることはもち
ろんである．また、隔壁を接続導体と別個に作成し、接
続導体あるいは基板にろう付け１接着等で結合してもよ
い．その場合は、隔壁の材料としては金属以外のものを
用いることができる．ただし、その材料の熱膨脹係数は
注型樹脂のそれより小さいことが必要である．〔発明の
効果〕 本発明によれば、半導体素体の近傍に容器側壁に対する
隔壁を設けることにより、温度変動時に容器内に充填さ
れる樹脂から半導体素体に与えられるストレスが緩和さ
れるので、温度サイクルによる半導体素子の劣化が大幅
に減少し、半導体装置の寿命を伸ばすことができる．ま
た、組立作業中においても、半導体素体に他の部品等が
接触して欠けや亀裂の発生によって不良となる危険性が
減少するため、良品率が向上するという効果も生ずる．
断するための樹脂から半導体素体に温度サイクルの際に
ストレスが与えられないような半導体装置を提供するこ
とにある． 〔課題を解決するた−めの手段〕 上記の目的を達威するために、本発明は、底仮および側
壁からなる容器の底板上に半導体素体が支持され、その
半導体素体を覆って容器内に樹脂が充填される半導体装
置において、半導体素体と容器側壁の間の半導体素体近
傍に隔壁が設けられたものとする． 〔作用〕 半導体近傍にある隔壁により、隔壁の半導体素体側にあ
る樹脂の伸縮は、隔壁の外側にある樹脂の伸縮より切り
離されるため、半導体素体にストレスを与える樹脂の量
は少なくなり、ストレスが小さくなる． 〔実施例〕 第１図（４）， （ｂｌおよび第２図は本発明の一実施
例を示す．図において、６個の半導体素体１、例えばダ
イオードチップはそれぞれその下面電極が絶縁Ｎ３を介
して容器底板２の上に固定された帯状接続導体４の上に
はんだ５によって固着されている．接続導体４は一方の
側で立ち上げられ、外部接続端子４１とされている。見
やすくするために図示しないが、各半導体素体１の上面
電極は他の外部接Ｖｔ端子と連結された接続導体と導線
により接続されている．ここまでは従来の半導体装置と
同しである．しかし、本発明により各接続導体４のそれ
らを囲む容器側壁６に対向する側辺には高さ３〜５１ｌ
程度の金属隔壁７が取り付けられている．金属隔壁７は
接続導体４，外部接続端子４１と一体に金属板、例えば
厚さ１ｌ璽の銅板から作威され、外部接続端子と共に直
角に折り曲げて形成される．第２図はそのような接続導
体の一つの斜視図である．底板２および側壁６からなる
容器の中には樹脂８が充填されている．金属隔壁７に図
のように直径ｌ〜３ｆｉの穴７１を明けておくと、樹脂
８がその穴に入り込むので、樹脂を固定し、押さえる作
用が生じ、底板２から樹脂が剥離するのを防止する効果
が現れる． なお、コストの上昇を招くが、各半導体素体をそれぞれ
隔壁で囲む方がストレス緩和の効果が上がることはもち
ろんである．また、隔壁を接続導体と別個に作成し、接
続導体あるいは基板にろう付け１接着等で結合してもよ
い．その場合は、隔壁の材料としては金属以外のものを
用いることができる．ただし、その材料の熱膨脹係数は
注型樹脂のそれより小さいことが必要である．〔発明の
効果〕 本発明によれば、半導体素体の近傍に容器側壁に対する
隔壁を設けることにより、温度変動時に容器内に充填さ
れる樹脂から半導体素体に与えられるストレスが緩和さ
れるので、温度サイクルによる半導体素子の劣化が大幅
に減少し、半導体装置の寿命を伸ばすことができる．ま
た、組立作業中においても、半導体素体に他の部品等が
接触して欠けや亀裂の発生によって不良となる危険性が
減少するため、良品率が向上するという効果も生ずる．
第ｌ図ｆａｔ，（ｂｌは本発明の一実施例を示し、（５
）は平面透視図．（ｂ）は破砕断面図、第２図は第１図
に用いられた接続導体の斜視図である． １：半導体素体、２：容器底板、４：接続導体、６：容
器側壁、７８金属隔壁、８：樹脂．！ ４ノ ！ ４／ ノ ４ｌ ６ ３ ４１ ４１ １′（ １Ｉ 第１ 図 第２図
）は平面透視図．（ｂ）は破砕断面図、第２図は第１図
に用いられた接続導体の斜視図である． １：半導体素体、２：容器底板、４：接続導体、６：容
器側壁、７８金属隔壁、８：樹脂．！ ４ノ ！ ４／ ノ ４ｌ ６ ３ ４１ ４１ １′（ １Ｉ 第１ 図 第２図
Claims (1)
- １）底板および側壁からなる容器の底板上に半導体素体
が支持され、その半導体素体を覆って容器内に樹脂が充
填されるものにおいて、半導体素体と容器側壁の間の半
導体素体近傍に隔壁が設けられたことを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1152565A JP2580779B2 (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1152565A JP2580779B2 (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0318047A true JPH0318047A (ja) | 1991-01-25 |
| JP2580779B2 JP2580779B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=15543263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1152565A Expired - Lifetime JP2580779B2 (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2580779B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5539253A (en) * | 1993-09-21 | 1996-07-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Resin-sealed semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6087070A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-16 | Seikosha Co Ltd | 印字ヘツドの支持装置 |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP1152565A patent/JP2580779B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6087070A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-16 | Seikosha Co Ltd | 印字ヘツドの支持装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5539253A (en) * | 1993-09-21 | 1996-07-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Resin-sealed semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2580779B2 (ja) | 1997-02-12 |
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