JPH03177054A - Semiconductor device and its manufacture - Google Patents
Semiconductor device and its manufactureInfo
- Publication number
- JPH03177054A JPH03177054A JP31432989A JP31432989A JPH03177054A JP H03177054 A JPH03177054 A JP H03177054A JP 31432989 A JP31432989 A JP 31432989A JP 31432989 A JP31432989 A JP 31432989A JP H03177054 A JPH03177054 A JP H03177054A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package case
- frame
- lead
- space
- leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 21
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、IC,LSI、光電素子、水晶振動子等を搭
載した半導体装置に関し、特に半導体装置のパッケージ
構造及びその製造方法の改良に関するものである。Detailed Description of the Invention (Industrial Application Field) The present invention relates to a semiconductor device equipped with an IC, an LSI, a photoelectric element, a crystal resonator, etc., and particularly relates to an improvement in the package structure of a semiconductor device and its manufacturing method. It is.
(従来の技術)
従来の半導体装置として、例えば第4図に示すものが知
られている。これは、セラミクス製の基板1の上に、半
導体素子Cを搭載するアイランド2及びインナーリード
3を載せ、さらにその上にセラミクス製のリング4を載
せ、これらを低融点ガラス5にて接着することにより一
体化したものである。(Prior Art) As a conventional semiconductor device, one shown in FIG. 4, for example, is known. This involves placing an island 2 on which a semiconductor element C is mounted and an inner lead 3 on a ceramic substrate 1, placing a ceramic ring 4 on top of the island, and bonding these together with a low-melting glass 5. It has been integrated by
(発明が解決しようとする課題)
上記のような従来の半導体装置においては、セラミクス
製の基板1やリング4が比較的高価であり、これが製品
価格の比較的大きなウェイトを占めている。また、これ
らセラミクス製の部品は切削、研磨等の加工を経てきて
いるため、粉塵が付着していることがあり、これが半導
体の電気的特性に悪影響を及ぼすことがあるという問題
点がある。(Problems to be Solved by the Invention) In the conventional semiconductor device as described above, the ceramic substrate 1 and ring 4 are relatively expensive and account for a relatively large portion of the product price. Further, since these ceramic parts have undergone processing such as cutting and polishing, dust may adhere thereto, which poses a problem in that this may adversely affect the electrical characteristics of the semiconductor.
従って、本発明は、セラミクス製の部品を用いない、信
頼性の高い低価格の半導体装置及びその製造方法を提供
することを課題としている。Therefore, it is an object of the present invention to provide a highly reliable, low-cost semiconductor device that does not use ceramic parts, and a method for manufacturing the same.
(![Wiを解決するための手段)
本発明においては、半導体素子Cを収容する凹所13a
と、この凹所13aを囲む稜部1’3bとを有するパッ
ケージケース13を粉末ガラスの溶融成型体で構威しこ
このパッケージケース13の稜部13bを貫通してケー
ス13の内外に導電性のリード12を延ばし、このリー
ド12の一端側のインナーリード12aは、パッケージ
ケース13の凹所13aの表面から上面を露出させて半
導体素子Cに接続できるようにし、他端側のアウターリ
ード12bはパッケージケース13の外側へ延出させて
半導体装置を構成した。(! [Means for solving Wi) In the present invention, the recess 13a for accommodating the semiconductor element C
A package case 13 having a ridge 1'3b surrounding this recess 13a is made of a molten molded powder glass, and conductive material penetrates through the ridge 13b of the package case 13 to the inside and outside of the case 13. The inner lead 12a at one end of the lead 12 has its upper surface exposed from the surface of the recess 13a of the package case 13 so that it can be connected to the semiconductor element C, and the outer lead 12b at the other end is extended. A semiconductor device was constructed by extending to the outside of the package case 13.
(作 用)
本発明においては、比較的高価で、しかも粉塵が付着す
る可能性の高いセラミクス製部品を用いることなく、粉
末ガラスの溶融成型体のみによってパッケージケース1
3を一体に構成し、これによってリード12を支持した
ので、製品コストが低減され、しかも製品の信頼性は、
セラミクス製部品を用いるものと同等あるいはそれ以上
のものとなる。(Function) In the present invention, the package case 1 is manufactured using only a melt-molded powder glass body, without using ceramic parts that are relatively expensive and highly likely to attract dust.
3 is integrally configured to support the lead 12, the product cost is reduced, and the reliability of the product is improved.
It is equivalent to or better than those using ceramic parts.
(実施例)
本発明の実施例を第1図乃至第3図に示す。第1図は半
導体装置の斜視図、第2図は半導体装置の断面図、第3
図は製造過程を示す半導体装置の断面図である。(Example) Examples of the present invention are shown in FIGS. 1 to 3. Figure 1 is a perspective view of the semiconductor device, Figure 2 is a sectional view of the semiconductor device, and Figure 3 is a cross-sectional view of the semiconductor device.
The figure is a cross-sectional view of a semiconductor device showing the manufacturing process.
第1図乃至第3図において、11は導電性のアイランド
、12は同じく導電性のリード、13はアイランド11
及びリード12を封止するパッケージケースである。1 to 3, 11 is a conductive island, 12 is a conductive lead, and 13 is an island 11.
and a package case for sealing the leads 12.
パッケージケース13は、粉末ガラスの溶融成型体から
威り、ICチップ、光電素子、水晶振動子等の半導体素
子Cを収容するための凹所13aを中央部に有すると共
に、この凹所13aを囲む稜部13bを備えている。The package case 13 is made of a molten molded product of powdered glass, has a recess 13a in the center for accommodating a semiconductor element C such as an IC chip, a photoelectric element, a crystal resonator, etc., and surrounds the recess 13a. It includes a ridge portion 13b.
リード12は、パッケージケース13の稜部13bを貫
通してケース13の内外に延びている。The lead 12 penetrates the ridge 13b of the package case 13 and extends in and out of the case 13.
パッケージケース13の凹所13a内に位置するインナ
ーリード12aは、半導体素子Cに接続できるように、
凹所13aの表面から上面を露出させている。また、リ
ード12の他端側のアウターリード12bはパッケージ
ケース13の外側へ延出している。The inner lead 12a located in the recess 13a of the package case 13 is connected to the semiconductor element C.
The upper surface is exposed from the surface of the recess 13a. Further, the outer lead 12b on the other end side of the lead 12 extends to the outside of the package case 13.
第2図に示すように、パッケージケース13の凹所13
a内において、アイランド11の上面に半導体素子Cが
搭載され、インナーリード12aとワイヤ14により接
続される。As shown in FIG. 2, the recess 13 of the package case 13
In a, a semiconductor element C is mounted on the upper surface of the island 11 and connected to the inner lead 12a by a wire 14.
この半導体装置の製造過程を第3図に示す、なお、この
過程でリード12は屈折されておらず、真っ直に延びて
いる。第3図において、パッケージケース13は、第1
及び第2の枠体21,22、第1及び第2のプランジャ
23.24の4つの型により形成される成型空間C1,
C2内において。The manufacturing process of this semiconductor device is shown in FIG. 3. In this process, the leads 12 are not bent but extend straight. In FIG. 3, the package case 13 is
and a molding space C1 formed by four molds: the second frames 21 and 22, and the first and second plungers 23 and 24;
Within C2.
ガラスで一体に溶融成型される。Molded and molded as one piece of glass.
即ち、第1の枠体21はリング状で、パッケージケース
13のインナーリード12aより下部の側面を限定する
ための空間を備えている。That is, the first frame 21 is ring-shaped and has a space for defining the side surface of the package case 13 below the inner lead 12a.
第2の枠体22は同じくリング状で、第1の枠体21と
の間にアウターリード12bを挾んで互いに接合される
。枠体22は、パッケージケース13のインナーリード
12aより上部の側面を限定するための空間を備えてい
る。The second frame 22 is also ring-shaped and is joined to the first frame 21 with the outer lead 12b sandwiched between them. The frame body 22 has a space for defining a side surface above the inner leads 12a of the package case 13.
第1のプランジャ23は、第1の枠体21の空間内に摺
動自在に挿入され、第1の枠体21の空間内において、
第1の枠体21と協働してパッケージケース13のイン
ナーリード12aより下の部分を形成するための第1の
成型空間C1を形成する。The first plunger 23 is slidably inserted into the space of the first frame 21, and within the space of the first frame 21,
A first molding space C1 is formed in cooperation with the first frame 21 to form a portion of the package case 13 below the inner leads 12a.
第2のプランジャ24は、第2の枠体22の空間内に挿
入され、第2の枠体22の空間内において、第2の枠体
22と協働してパッケージケース13のリード12より
上の部分、即ち稜部13bを成型するための第2の成型
空間C2を形成する。The second plunger 24 is inserted into the space of the second frame 22 and works in cooperation with the second frame 22 to move above the lead 12 of the package case 13. , that is, a second molding space C2 for molding the ridge portion 13b.
しかして、第3図Aに示すように、第1の枠体21と第
2の枠体22との間にアウターリード12bを挾み、第
2のプランジャ24の上↓こアイランド11とインナー
リード12aとを載せた状態で、第1の成型空間C1内
に粉末ガラスの仮焼結体13’ を挿入し、炉内におい
て加熱する。そして、第3図Bに示すように、粉末ガラ
スの仮焼結体13′を溶融させ、第1の成型空間C1内
のプランジャ23を所定位置まで下降させる。すると。As shown in FIG. 3A, the outer lead 12b is sandwiched between the first frame 21 and the second frame 22, and the island 11 and the inner lead are placed above the second plunger 24. 12a, the temporarily sintered powder glass body 13' is inserted into the first molding space C1 and heated in a furnace. Then, as shown in FIG. 3B, the temporarily sintered body 13' of powdered glass is melted, and the plunger 23 in the first molding space C1 is lowered to a predetermined position. Then.
インナーリード12aの相互間隙を通して溶融ガラスが
第2の成型空間内へ押し出され、第1及び第2の成型空
間C1,C2が溶融ガラス13’で満たされる。そして
、第1及び第2の成型空間C1、C2内で溶融ガラス1
3′を冷却固化してパッケージケース13を形成する。The molten glass is pushed out into the second molding space through the mutual gap between the inner leads 12a, and the first and second molding spaces C1 and C2 are filled with the molten glass 13'. Then, the molten glass 1 is placed in the first and second molding spaces C1 and C2.
3' is cooled and solidified to form a package case 13.
こうすると、パッケージケース13によって。In this way, by the package case 13.
アイランド11とリードと12が一体的に支持され、し
かもアイランド11の上面及びインナーリード12aが
パッケージケース13の凹所13a内で露出する。The island 11 and the leads 12 are integrally supported, and the upper surface of the island 11 and the inner leads 12a are exposed within the recess 13a of the package case 13.
なお、必要に応じ、鉄、コバール等の金属リング15を
第2のプランジャ24の上に載せて同時に熱処理し、こ
れをパッケージケース13の稜部13bの上面に一体的
に取付けることができる。Note that, if necessary, a metal ring 15 made of iron, Kovar, or the like can be placed on the second plunger 24 and heat-treated at the same time, and this can be integrally attached to the upper surface of the ridge 13b of the package case 13.
この場合には、第2図に示すように、後で金属リング1
5の上面に金属製カバー16を溶着することができる。In this case, as shown in FIG.
A metal cover 16 can be welded to the top surface of 5.
また、金属リング15を用いずに、カバー16を低融点
ガラスによって接着することもできる。この場合、カバ
ー16は金属製に限らない。Furthermore, the cover 16 can be bonded with low melting point glass without using the metal ring 15. In this case, the cover 16 is not limited to metal.
図示の実施例では、第1の成型空間C1内に粉末ガラス
の仮焼結体13′を挿入して、第1のプランジャ23を
移動させたが、第2の成型空間C2内に粉末ガラスの仮
焼結体13’ を挿入して、第2のプランジャ24を移
動させるようにしてもよい。In the illustrated embodiment, the temporarily sintered body 13' of powder glass is inserted into the first molding space C1 and the first plunger 23 is moved, but the powder glass is inserted into the second molding space C2. The second plunger 24 may be moved by inserting the temporary sintered body 13'.
(発明の効果)
以上のように、本発明においては、半導体素子Cを収容
する凹所13aと、この凹所13aを囲む稜部13bと
を有するパッケージケース13を粉末ガラス成型体で構
成し、このパッケージケース13の稜部13bを貫通し
てケース13の内外に導電性のリード12を延ばし、こ
のリード12の一端側のインナーリード12aは、パッ
ケージケース13の凹所13aの表面から上面を露出さ
せて半導体素子Cに接続できるようにし、他端側のアウ
ターリード12bはパッケージケース13の外側へ延出
させて半導体装置を構成したため、セラミクス製の部品
を用いず、しかも製造過程において粉末ガラスを溶融さ
せた上凝固させるので、粉塵の付着を大幅に減少させ、
半導体装置の品質を向上させることができ、しかも低価
格の半導体装置を提供することができるという効果を奏
する。(Effects of the Invention) As described above, in the present invention, the package case 13 having the recess 13a for accommodating the semiconductor element C and the ridge 13b surrounding the recess 13a is made of a powder glass molded body, The conductive lead 12 extends inside and outside the case 13 by penetrating the ridge 13b of the package case 13, and the inner lead 12a at one end of the lead 12 has its upper surface exposed from the surface of the recess 13a of the package case 13. Since the semiconductor device is constructed by extending the outer lead 12b at the other end to the outside of the package case 13, no ceramic parts are used, and powdered glass is not used in the manufacturing process. Since it is melted and then solidified, the adhesion of dust is greatly reduced.
This has the effect that the quality of the semiconductor device can be improved and, moreover, the semiconductor device can be provided at a low price.
第1図乃至第3図は本発明の実施例を示すもので、第1
図は半導体装置の斜視図、第2図は半導体装置の断面図
、第3図は半導体装置の製造過程を示す断面図であり、
第4図は従来の半導体装置の断面図である。
11・・・アイランド、12・・・リード、12a・・
・インナーリード、12b・・・アウターリード、13
・・・パッケージケース、13′・・粉末ガラス仮焼結
体、13a・・・凹所、13b・・・稜部、14・・・
ワイヤ、15・・・金属製リング、16・・・カバー、
21・・・第1の枠体、22・・・第2の枠体、23・
・・第1のプランジャ、24・・・第2のプランジャ、
C1・・・第1の成型空間、C2・・・第2の成型空間
、C・・・半導体素子。
第4図
C・ ・
・半導体素子
第1図
第2図
15.
13)−
2−
+2b−1 to 3 show embodiments of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view of the semiconductor device, FIG. 2 is a cross-sectional view of the semiconductor device, and FIG. 3 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the semiconductor device.
FIG. 4 is a sectional view of a conventional semiconductor device. 11...Island, 12...Lead, 12a...
・Inner lead, 12b...Outer lead, 13
...Package case, 13'...Powder glass pre-sintered body, 13a...Recess, 13b...Ridge, 14...
Wire, 15... Metal ring, 16... Cover,
21... first frame body, 22... second frame body, 23.
...first plunger, 24...second plunger,
C1...first molding space, C2...second molding space, C...semiconductor element. Figure 4 C... Semiconductor element Figure 1 Figure 2 15. 13)- 2- +2b-
Claims (2)
部とを有する粉末ガラスの溶融成型体から成るパッケー
ジケースと、 このパッケージケースの稜部を貫通してケースの内外に
延びる導電性のリードを具備し、 このリードは、一端側が前記パッケージケースの凹所内
にあって、半導体素子に接続するために凹所の表面から
上面を露出させていることを特徴とする半導体装置。(1) A package case made of a molten molded powdered glass having a recess for accommodating a semiconductor element and a ridge surrounding the recess, and a conductor that penetrates the ridge of the package case and extends into and out of the case. 1. A semiconductor device, characterized in that the lead has one end located within a recess of the package case, and the upper surface of the lead is exposed from the surface of the recess for connection to a semiconductor element.
面を限定するための空間を備えた第1の枠体と、 この第1の枠体との間に前記アウターリードを挾んで互
いに接合され、前記パッケージケースの前記リードより
上部の側面を限定するための空間を備えた第2の枠体と
、 前記第1の枠体の空間内に摺動自在に挿入され、第1の
枠体の空間内において、第1の枠体と協働して前記パッ
ケージケースの前記リードより下の部分を成型するため
の第1の成型空間を形成する第1のプランジャと、 前記第2の枠体の空間内に挿入され、第2の枠体の空間
内において、第2の枠体と協働して前記パッケージケー
スの前記リードより上の部分を形成するための第2の成
型空間を形成する第2のプランジャとを用い、 前記第1の枠体と第2の枠体との間に前記アウターリー
ドを挾んだ状態で、前記第1または第2の何れか一方の
成型空間内に粉末ガラスの仮焼結体を挿入し、加熱炉内
において前記粉末ガラスの仮焼結体を溶融させて、前記
一方の成型空間内のプランジャを所定位置まで移動させ
ることにより、前記リードの相互間隙を通して溶融ガラ
スを他方の成型空間内へ押し出し、前記第1及び第2の
成型空間内で溶融ガラスを冷却固化してパッケージケー
スを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。(2) a first frame provided with a space for defining a side surface below the leads of the package case; and the first frame are joined to each other with the outer leads sandwiched therebetween; a second frame provided with a space for defining a side surface above the leads of the package case; and a second frame that is slidably inserted into the space of the first frame, and that is slidably inserted into the space of the first frame. a first plunger that cooperates with a first frame to form a first molding space for molding a portion of the package case below the leads; a second molding space that is inserted into the second frame and cooperates with the second frame to form a second molding space for forming a portion of the package case above the leads; Using a plunger, with the outer lead sandwiched between the first frame and the second frame, a temporary powder glass is placed in either the first or second molding space. A sintered body is inserted, the temporary sintered body of powdered glass is melted in a heating furnace, and the plunger in the one molding space is moved to a predetermined position, thereby causing the molten glass to pass through the mutual gap between the leads. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising extruding the molten glass into the other molding space and cooling and solidifying the molten glass in the first and second molding spaces to form a package case.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31432989A JPH03177054A (en) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | Semiconductor device and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31432989A JPH03177054A (en) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | Semiconductor device and its manufacture |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03177054A true JPH03177054A (en) | 1991-08-01 |
JPH0459777B2 JPH0459777B2 (en) | 1992-09-24 |
Family
ID=18052022
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31432989A Granted JPH03177054A (en) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | Semiconductor device and its manufacture |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03177054A (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4828830A (en) * | 1971-08-16 | 1973-04-17 |
-
1989
- 1989-12-05 JP JP31432989A patent/JPH03177054A/en active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4828830A (en) * | 1971-08-16 | 1973-04-17 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0459777B2 (en) | 1992-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4622433A (en) | Ceramic package system using low temperature sealing glasses | |
US4339768A (en) | Transistors and manufacture thereof | |
US4025716A (en) | Dual in-line package with window frame | |
JPS5834934A (en) | Semiconductor device | |
US20200294896A1 (en) | Lead Frame Stabilizer for Improved Lead Planarity | |
JPH03177054A (en) | Semiconductor device and its manufacture | |
JPH038113B2 (en) | ||
JPH02211705A (en) | Piezoelectric oscillator | |
JPH0220045A (en) | Semiconductor device and packaging method thereof | |
JPH11354764A (en) | Solid-state imaging device and its manufacture | |
JPH0338053A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
JPH03114247A (en) | Package type semiconductor device | |
US5151118A (en) | Method for producing a package-type semiconductor assembly | |
JPH03230556A (en) | Lead frame for semiconductor device | |
JPH043501Y2 (en) | ||
JPH0249726Y2 (en) | ||
JPH0744024Y2 (en) | Sealing plate with window frame brazing material for semiconductor ceramic package | |
JP2543661Y2 (en) | Microwave transistor | |
JPS6315455A (en) | Lead frame semiconductor device | |
JPH11195724A (en) | Electronic component package and manufacture thereof | |
JPS6329554A (en) | Cap coupling type semiconductor device | |
JPS6317256Y2 (en) | ||
JPS59117238A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPH04303948A (en) | Glass package | |
JPS624857B2 (en) |