JPH03169692A - Electronic component and attaching method for memory card which uses said component - Google Patents
Electronic component and attaching method for memory card which uses said componentInfo
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、端子を構或する少なくとも一つの導電性バ
ンプを備えている電子部品をカード中に取付けてそれら
を相互接続する方法に関するものであり、前記電子部品
を前記カードの穴中に取付け、前記導電性バンプと前記
カードの導電性部分とを相互接続する方法に関するもの
である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for mounting and interconnecting electronic components in a card, which are provided with at least one conductive bump constituting a terminal. The present invention relates to a method for mounting the electronic component in a hole in the card and interconnecting the conductive bump and the conductive portion of the card.
〔従来の技術]
この様な方法はクレジットカードの製造に適用されるこ
とができ、すでに文献に記載されている(2nd I
E E E International Ele
ctronicsManufacturing Tec
hnology Symposium. 1986年
9月15〜{7日、サンフランシスコ、30〜33頁)
。印刷配線接続(PWC)およびワイヤボンド法および
テープオートメート接続法(TAB)のようなさらに普
通の方法もこの文献に記載されている。[Prior Art] Such a method can be applied to the production of credit cards and has already been described in the literature (2nd I
E E E International Ele
ctronicsManufacturing Tec
hnology Symposium. September 15, 1986-{7th, San Francisco, pp. 30-33)
. More common methods such as printed wire connections (PWC) and wire bonding and tape automated connections (TAB) are also described in this document.
ワイヤボンド法は高い接続部の柔軟性を与えるが、2回
の接続動作を必要とする。すなわち、第1に線の一端を
導電性バンプに接続し、次に線の他端をカードの導電性
部分に接続する。この線および接続部は望ましくない導
電抵抗を形戊する。Wire bonding provides high connection flexibility, but requires two connection operations. That is, first one end of the wire is connected to a conductive bump, and then the other end of the wire is connected to a conductive portion of the card. These lines and connections create undesirable conductive resistance.
さらに比較的平坦な接続部を実現し、国際標準機構(I
SO)の規格にしたがった1クレジット”型、すなわち
非常に高さが低いプラスチックメモリカードを得ること
は容易ではない。Furthermore, a relatively flat connection was realized, and the International Standards Organization (I)
It is not easy to obtain plastic memory cards of the 1-credit type, ie, very low in height, according to the SO standard.
テープオートメート接続法(TAB)は平坦で低い導電
抵抗を有する相互接続部を可能にする。Tape Automated Bonding (TAB) allows for interconnects that are flat and have low conductive resistance.
しかしながら、この接続を行うには穴の付近のカード上
に比較的広い面積が必要であるという欠点を有する。However, it has the disadvantage that a relatively large area is required on the card in the vicinity of the hole to make this connection.
印刷配線接続(pwc)法は電子部品、特に大規模集積
回路(LSI)チップを連続的に穴の中に取付け、チッ
プを穴の中に埋設し、マスクを通してカード上に導電性
ボリマーペーストのパターンをスクリーン印刷すること
によって相互接続を形成している。この方法は、形成さ
れた相互接続が高さが低く低導電抵抗を有する利点を有
しているが、その欠点として穴中のチップの位置、さら
に詳しく言えばその各導電性バンプの位置が正確に知ら
れていないためにスクリーン印刷のためのマスクを正確
に位置させることに問題がある。The printed wiring connection (PWC) method involves mounting electronic components, particularly large-scale integrated circuit (LSI) chips, into holes in series, embedding the chips in the holes, and applying a conductive polymer paste onto the card through a mask. Interconnects are formed by screen printing patterns. This method has the advantage that the formed interconnects have a low height and low conductive resistance, but the disadvantage is that the position of the chip in the hole, and more specifically the position of each of its conductive bumps, is not accurate. There are problems in accurately positioning masks for screen printing because of the unknown
[発明の解決すべき第1の課題]
この発明の目的は、上記最後に示したスクリーン印刷の
ためのマスクを正確に位置させることができるように穴
中に導電性バンプを正確に位置されることのできる方法
を提供することである。[First Problem to be Solved by the Invention] An object of the present invention is to accurately position conductive bumps in the holes so that the mask for screen printing mentioned above can be accurately positioned. The aim is to provide a method that can be used.
[第1の課題の解決のための手段コ
この発明によれば、この目的は、電子部品を穴の中に取
付ける前に穴の一方の端部および前記穴を囲む前記カー
ドの少なくとも一部が導電層によって覆われ、その後前
記導電性バンプが取付け工程中に前記層と接触されるこ
とによって達威される。[Means for Solving the First Problem] According to the invention, it is an object of the present invention that, before installing an electronic component into the hole, one end of the hole and at least a part of the card surrounding the hole are This is achieved by being covered with a conductive layer, after which the conductive bumps are brought into contact with said layer during the attachment process.
この発明の方法の別の特徴は、導電層と接触された後で
導電性バンプが導電層か、電子部品か、またはそれら両
者を加熱することにより導電層にハンダ付けされること
である。Another feature of the method of the invention is that after being contacted with the conductive layer, the conductive bumps are soldered to the conductive layer by heating the conductive layer, the electronic component, or both.
この発明の方法のさらに別の特徴は、前記電子部品およ
び導電層が前記ハンダ付け処理中互いに押付けられるこ
とである。Yet another feature of the method of the invention is that the electronic component and the conductive layer are pressed together during the soldering process.
このようにして凸面のバンプまたは突出部が電子部品の
導電性バンプに対応した位置で導電層の外部表面に生成
され、そのためこのバンプの位置は正確に知ることがで
き、したがって後続するスクリーン印刷動作を容易に行
うことができる。In this way, convex bumps or protrusions are generated on the external surface of the conductive layer at positions corresponding to the conductive bumps of the electronic component, so that the position of this bump can be known precisely and therefore for subsequent screen printing operations. can be easily done.
この発明の方法のさらに別の特徴は、前記接続工程中に
前記導電層からその一部分が除去されることである。Yet another feature of the method of the invention is that a portion of the conductive layer is removed during the connection step.
好ましい実施例においてはこれらの部分は印刷回路板を
形成するのに使用されているのと類似したエッチング技
術により前記導電層から除去される。In a preferred embodiment, these portions are removed from the conductive layer by etching techniques similar to those used to form printed circuit boards.
その結果形成された接続部はカードの厚さが増加せず、
接続部により生じる導電抵抗は非常に小さい。The resulting connections do not increase the thickness of the card and
The conductive resistance caused by the connections is very small.
[発明の解決すべき第2の課題]
この発明はまたパッシベイシゴン層によって被覆された
集積回路電子部品の端子パッド上に導電性バンプを形或
する処理に関する。SECOND PROBLEM TO BE SOLVED BY THE INVENTION The present invention also relates to a process for forming conductive bumps on terminal pads of integrated circuit electronic components covered by a passivation layer.
現在利用できるLSIチップのような電子部品では端子
パッドはパッシベイション層の凹部に配置され、そのた
め上記方法により、或いは印刷配線接続(PWC)によ
り上記カードと接続することが可能になる。In currently available electronic components such as LSI chips, the terminal pads are arranged in recesses in the passivation layer, so that they can be connected to the card by the methods described above or by printed wiring connections (PWC).
この発明の別の目的は、パッシベイション層から突出し
た導電性バンプを形威する処理方法を提供し、それによ
って前記のこの発明の方法が電子部品とカードの相互接
続に使用できるようにすることである。Another object of the present invention is to provide a processing method for shaping conductive bumps protruding from a passivation layer, thereby enabling the method of the invention as described above to be used for interconnection of electronic components and cards. That's true.
[第2の課題解決のための手段]
この発明によれば、この目的は、パッシベイション層を
導電性保護層によって被覆し、端子パッドに対応する位
置に穴を有するマスクで前記導電性保護層を被覆し、前
記穴中に金属を付着し、前記マスクを除去し、前記導電
性保護層の前記パッンベイション層を覆っている部分を
除去するように前記導電性保護層をエッチングする工程
を含む方法によって達成される。[Second Means for Solving the Problem] According to the present invention, the object is to cover the passivation layer with a conductive protective layer, and cover the conductive protective layer with a mask having holes at positions corresponding to the terminal pads. depositing metal in the hole, removing the mask, and etching the conductive protective layer to remove a portion of the conductive protective layer overlying the panvation layer. This is achieved by a method including.
このようにして導電性バンプが電子部品の端子パッドの
位置に形或されてパッシベイション層から突出する。In this way, conductive bumps are formed at the terminal pads of the electronic component and protrude from the passivation layer.
この発明の上述の、およびその他の目的および特徴は添
付図面を参照にした以下の実施例の説明により当業者に
は明白であろう。The above-mentioned and other objects and features of the invention will be apparent to those skilled in the art from the following description of the embodiments, taken in conjunction with the accompanying drawings.
[実施例コ
以下説明する方法は、可変データを蓄積することができ
る場合には一般にメモリカードと呼ばれ、マイクロプロ
セッサを含む場合にはインテリジェント(スマート)カ
ード呼ばれているクレジット、デビット、または料金タ
イプの集積回路(IC)カードを形成するために使用さ
れることができる。[Examples] The method described below is applicable to credit, debit, or charge cards, which are commonly referred to as memory cards when they are capable of storing variable data, and are referred to as intelligent (smart) cards when they contain a microprocessor. can be used to form various types of integrated circuit (IC) cards.
最後に述べたインテリジェントカードの場合(図示せず
)には、カードの印刷回路の端子に接続された電池、ラ
ンダムアクセスメモリ(RAM)読取り専用メモリ(R
OM)および、またはその他の大規模集積回路(LSI
)チップのような多数の電子部品を収容している。In the case of the last-mentioned intelligent card (not shown), a battery connected to the terminals of the card's printed circuit, a random access memory (RAM), a read-only memory (R
OM) and/or other large-scale integrated circuits (LSI)
) houses numerous electronic components such as chips.
以下まずチップl上の導電性バンプ2,3.4を形成す
る方法を説明する。これに関連して場合によってはこれ
らのバンプは例えばハンダによってカード5にチップ1
を固定することを確実にするために熱伝導性が必要であ
ることを注意しなければならない。First, a method for forming the conductive bumps 2, 3.4 on the chip l will be described below. In this connection, in some cases these bumps may be attached to the card 5 by soldering, for example.
It must be noted that thermal conductivity is necessary to ensure that the
第1図は、チップiの上面を覆っているパッシベイショ
ン層9の大中に位置している端子パッド8,7.8を有
するLSIチップ1を示している。FIG. 1 shows an LSI chip 1 having terminal pads 8, 7.8 located in the middle of a passivation layer 9 covering the top surface of the chip i.
パッシベイション層9は例えば窒化シリコン層であり、
その目的は衝突その他の障害に対してチップを保護する
ことである。The passivation layer 9 is, for example, a silicon nitride layer,
Its purpose is to protect the chip against collisions and other damage.
第2図に示す第1の工程で端子層IOがパッシベイショ
ン層9上に付着される。この層lOはチタニウム、タン
グステンおよび金から構成される。パッシベイション層
9上にこのような端子層lOを形成する方法は文献に記
載されている(例えば1978年4月3〜7日’Int
ernational Conf’erence on
Metal!urg1cal Coatings ,
195 〜205頁)。この端子層10は約2000
人の厚さを有する。In a first step, shown in FIG. 2, a terminal layer IO is deposited on the passivation layer 9. This layer IO is composed of titanium, tungsten and gold. Methods for forming such a terminal layer lO on the passivation layer 9 are described in the literature (for example, 'Int.
National Conf'erence on
Metal! urg1cal Coatings,
195-205). This terminal layer 10 has a thickness of about 2000
Has the thickness of a person.
第3図は第2の工程を示し、フォトリソグラフマスク1
lで端子層lOを被覆する。このフォトリソグラフマス
ク11は端子パッド6,7.8の位置にそれぞれ対応し
て穴12, 13. 14を通して端子層10に到達で
きるようにする。FIG. 3 shows the second step, in which the photolithographic mask 1
The terminal layer IO is coated with l. This photolithographic mask 11 has holes 12, 13., corresponding to the positions of the terminal pads 6, 7.8, respectively. 14 to reach the terminal layer 10.
第3の工程では、第4図に示すように穴12, 13.
14中に金属材料をスパッタリングする。その材料は例
えば金または銅である。これにより導電性バンプ2,3
.4がそれぞれチップlの端子パッド8,7.8の位置
に形成される。これらの導電性バンプ2,3.4は約2
5乃至30ミクロンの高さを有する。In the third step, holes 12, 13. are formed as shown in FIG.
A metal material is sputtered during step 14. The material is for example gold or copper. This makes the conductive bumps 2, 3
.. 4 are formed at the positions of terminal pads 8 and 7.8 of chip l, respectively. These conductive bumps 2, 3.4 are approximately 2
It has a height of 5 to 30 microns.
第4の工程では、第5図に示すようにまずフォトリソグ
ラフマスク11がチップlから除去され、端子層lOの
パッシベイション層9を覆っている部分を除去するよう
にチップ1はエッチングされる。In the fourth step, as shown in FIG. 5, the photolithographic mask 11 is first removed from the chip 1, and the chip 1 is etched to remove the portion of the terminal layer 10 that covers the passivation layer 9. .
端子層10の厚さは導電性バンプ2,3.4の高さより
もずっと低いので導電性バンプ2,3.4はこの金属エ
ッチングによってほんの僅かの影響を受けるに過ぎない
。Since the thickness of the terminal layer 10 is much lower than the height of the conductive bumps 2, 3.4, the conductive bumps 2, 3.4 are only slightly affected by this metal etching.
このようにして得られたLSIチップをカード5に取付
けてそれらに接続する方法について以下説明する。A method for attaching the thus obtained LSI chip to the card 5 and connecting it thereto will be described below.
まず第6図に示す第1の工程では、カード5に1以上の
穴i5が形成される。この穴15はそこに取付けられる
LSIチップlと同じ形状、例えば方形であり、それよ
り少し大きい。First, in the first step shown in FIG. 6, one or more holes i5 are formed in the card 5. This hole 15 has the same shape as the LSI chip l to be installed therein, for example, rectangular, and is slightly larger.
第2の工程では、穴l5を備えたカード5全体は導電材
料の層工6で覆われ、その材料は銅または青銅等の金属
合金のような金属である。In a second step, the entire card 5 with the holes l5 is covered with a layer 6 of conductive material, which material is a metal, such as copper or a metal alloy such as bronze.
次に第7図に示す第3の工程では、チップ1は穴l5内
に配置され、その導電性バンプ2,3.4は穴l5を覆
っている導電層i6と接触する。それ故チップ1は最初
にそれを穴l5内に移送する支持体に取付けられ、或い
は好ましい実施例では(図示せず)カード5は反転され
、チップ1はそれを穴l5中へ配置するための吸引手段
によって処理される。Then, in a third step shown in FIG. 7, the chip 1 is placed in the hole l5 and its conductive bumps 2, 3.4 are in contact with the conductive layer i6 covering the hole l5. Therefore, the chip 1 is first mounted on a support which transports it into the hole l5, or in a preferred embodiment (not shown) the card 5 is inverted and the chip 1 is mounted on a support for placing it into the hole l5. treated by suction means.
第4の工程(図示せず)では、導電層l6に対してチッ
プlを加圧することによって導電性バンプ2,3.4と
導電層16との間の電気接触を確実にし、コンタクトの
ハンダ付けを行うようにチップ1または導電層l6、或
いはそれら両者を加熱する。In a fourth step (not shown), the electrical contact between the conductive bumps 2, 3.4 and the conductive layer 16 is ensured by pressing the chip l against the conductive layer l6, and the contacts are soldered. The chip 1 or the conductive layer 16, or both, are heated to perform the following steps.
好ましい実施例(図示せず)では、同時に加圧と加熱を
行うために“サーモード( thermode)がチッ
プI上に置かれる。この動作によって導電性バンプ2,
3.4は導電層i6の上面にそれぞれ突出部17. 1
8. 19を生成する。In a preferred embodiment (not shown), a thermode is placed on the chip I for simultaneous pressurization and heating. This action causes the conductive bumps 2,
3.4 are protrusions 17.3 and 3.4 on the upper surface of the conductive layer i6, respectively. 1
8. Generate 19.
チップlを穴l5中に取り付けるに先立って、錫のよう
な材料(図示せず)の層が導電層l6に導電性バンプ2
.3.4をハンダ付けするのを容易にするためにこの穴
を覆う導電層16の下面に被覆されてもよい。Prior to installing the chip l into the hole l5, a layer of material such as tin (not shown) is applied to the conductive bump 2 on the conductive layer l6.
.. 3.4 may be coated on the underside of the conductive layer 16 covering this hole to facilitate soldering.
第5の工程において、チップlはエポキシのような埋設
材料によって充填することにより穴l5中に埋設される
。埋設材料はチップ1と導電層16の間の間隙を充填で
きるような粘度を有する。このようにして以下説明する
ようにエッチングにより導電層l6の部分を除去したと
き、チップ1の上面が埋設材料によって保護される。埋
設材料の膨脹係数は動作しているチップlの熱放散によ
りカード5が機械的に影響を受けないように選択されて
いる。カード5の下面はそれから第8図に示す平坦な構
造になるように積層される。In a fifth step, the chip l is embedded in the hole l5 by filling with an embedding material such as epoxy. The embedding material has a viscosity that allows it to fill the gap between the chip 1 and the conductive layer 16. In this way, when a portion of the conductive layer 16 is removed by etching as described below, the upper surface of the chip 1 is protected by the buried material. The expansion coefficient of the embedding material is selected such that the card 5 is not mechanically influenced by the heat dissipation of the operating chip l. The underside of the card 5 is then stacked into the flat structure shown in FIG.
第9図は導電層l6をエッチングしてカードの上面に所
要の回路パターンを得る第6の、最後の工程を示す。導
電層teの上面の突出部17, 18. 19はチップ
lの導電性バンプ2.3.4の位置を可視状態にするこ
とを可能にするからエッチングマスクの整列を容易にす
る。したがって部分20および2lは高い正確度をもっ
て導電層l6から除去されることができる。FIG. 9 shows the sixth and final step of etching the conductive layer 16 to obtain the desired circuit pattern on the top surface of the card. Projections 17, 18 on the upper surface of the conductive layer te. 19 makes it possible to visualize the positions of the conductive bumps 2.3.4 of the chip l, thus facilitating alignment of the etching mask. Portions 20 and 2l can thus be removed from conductive layer l6 with high accuracy.
この方法を使用することによって、部分20および2l
が除去された後に残る導電層{6の通路の幅およびチッ
プlとカード5を接続する接続体の幅はそこを流れる電
流の値または所要の接続路形式にしたがって選択され、
例えば接地路では広く、信号路ではそれに比較して狭い
。By using this method, parts 20 and 2l
The width of the passages in the conductive layer {6 that remain after removal of the conductive layer {6) and the width of the connections connecting the chip l and the card 5 are selected according to the value of the current flowing therethrough or the type of connection path required;
For example, the ground path is wide, and the signal path is relatively narrow.
このようにして得られたカードはその後に保護および、
または強化材料層で被覆される。The cards thus obtained are then protected and
or coated with a layer of reinforcing material.
この方法を使用することによって導電層l6のチップ1
の上面に関する位置が固定されるから、チップ1の端子
パッド6,7.8はワイヤボンディングの場合のように
その周縁に配置される必要がない。もしもこの場合に端
子パッドが周縁に配置されないならば、接続線がチップ
l上に延在して例えば振動によって変位し、それによっ
て短絡を生じ、或いは少なくともチップとの間に可変キ
ャバシタンスを形成する。By using this method the chip 1 of the conductive layer l6
Since their position with respect to the top surface of the chip 1 is fixed, the terminal pads 6, 7.8 of the chip 1 do not need to be arranged at its periphery as in the case of wire bonding. If in this case the terminal pads are not arranged at the periphery, the connecting lines extend over the chip l and are displaced, for example by vibrations, thereby creating a short circuit or at least a variable capacitance with the chip.
この方法の別の適用はチップlに対する熱放散素子の形
成である。最高の電力消費を有するチップlの表面の部
分は予め決定されることができるから、端子パッド8,
7.8と同じ形式の端子パッドがこの部分の付近に形成
され導電性バンプ2,3.4と同じ形式の熱伝導性バン
プを介して導電層1Bの部分に接続される。この導電層
1Bの部分は熱放散素子として動作するのに充分な大き
さに選択される。Another application of this method is the formation of heat dissipation elements for chips l. Since the part of the surface of the chip l with the highest power consumption can be predetermined, the terminal pads 8,
A terminal pad of the same type as 7.8 is formed in the vicinity of this part and is connected to the part of the conductive layer 1B via a thermally conductive bump of the same type as the conductive bumps 2, 3.4. This portion of conductive layer 1B is selected to be large enough to act as a heat dissipation element.
以上、この発明は特定の装置に関連して説明されたが、
この説明は単なる例示のためのものであり、添付された
特許請求の範囲に記載された発明の技術的範囲を限定す
るものではないことを認識すべきである。Although this invention has been described above in relation to a specific device,
It should be recognized that this description is for illustrative purposes only and is not intended to limit the scope of the invention as set forth in the appended claims.
第1図乃至第5図は、この発明の方法を使用して電子部
品上に導電性バンプ2,3.4を形成するためのこの発
明による方法の連続した工程を示し、
第6図乃至第9図は、この発明による方法のそれに続く
工程を示している。
1・・・チップ、2 3 4・・・導電性バンプ、5・
・・カード、9・・・パッシベイション層、10・・・
端子層、11・・・フォトリングラフマスク、16・・
・導電層。1 to 5 show successive steps of the method according to the invention for forming conductive bumps 2, 3.4 on electronic components using the method of the invention, and FIGS. FIG. 9 shows the subsequent steps of the method according to the invention. 1... Chip, 2 3 4... Conductive bump, 5.
...Card, 9...Passivation layer, 10...
Terminal layer, 11... Photophosphorographic mask, 16...
・Conductive layer.
Claims (12)
備えている電子部品をカードの穴中に取付け、前記導電
性バンプと前記カードの導電部分とを相互接続する工程
を含む電子部品をカードに取付ける方法において、 前記電子部品を前記カードの穴中に取付けるのに先立っ
て穴の一方の端部および前記カードの少なくとも穴の周
囲の部分を導電材料の層で覆い、その後で取付け工程に
おいて前記導電性バンプを導電材料層と接触させること
を特徴とする電子部品をカードに取付ける方法を。(1) mounting an electronic component comprising at least one conductive bump constituting a terminal into a hole in a card, and interconnecting the conductive bump and a conductive portion of the card; In the mounting method, prior to mounting the electronic component into the hole of the card, one end of the hole and at least a portion of the card around the hole are covered with a layer of conductive material, and then the conductive material is coated in the mounting step. A method for attaching an electronic component to a card, characterized in that a conductive bump is brought into contact with a layer of conductive material.
らその一部分が除去されることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の方法。2. The method of claim 1, wherein a portion of the layer of conductive material is removed in the step of interconnecting.
って除去されることを特徴とする特許請求の範囲第2項
記載の方法。3. The method of claim 2, wherein a portion of the layer of conductive material is removed by etching.
る工程において前記導導電材料層を加熱することによっ
て前記導電性バンプが導電材料層にハンダ付けされるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。(4) The conductive bumps are soldered to the conductive material layer by heating the conductive material layer in the interconnecting step after contacting with the conductive material layer. The method described in Scope 1.
る工程において前記電子部品を加熱することによって前
記導電性バンプが導電材料層にハンダ付けされることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。(5) The conductive bumps are soldered to the conductive material layer by heating the electronic component in the interconnecting step after contacting with the conductive material layer. The method described in Section 1.
作期間中において互いに押付けられることを特徴とする
特許請求の範囲第4項または5項記載の方法。6. A method according to claim 4 or 5, characterized in that the electronic component and the layer of conductive material are pressed together during the soldering operation.
記導電性バンプと前記導電材料層との間に設けられるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第4項または5項記載の
方法。7. A method as claimed in claim 4 or claim 5, characterized in that an intermediate metal is provided between the conductive bump and the layer of conductive material to facilitate the soldering operation.
が除去されることを特徴とする特許請求の範囲第2項、
第4項または5項のいずれか1項記載の方法。(8) A portion of the conductive material layer is removed after the soldering operation,
The method according to any one of paragraphs 4 and 5.
導性であり、かつ導電性であることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の方法。9. The method of claim 1, wherein the conductive bump and the conductive material layer are both thermally conductive and electrically conductive.
とする特許請求の範囲第1項記載の方法。(10) The method according to claim 1, wherein the conductive material layer is a metal sheet.
路電子部品の端子パッド上に導電性バンプを形成する方
法において、 前記パッシベイション層を導電性保護層によって被覆し
、 前記端子パッドに対応する位置に穴を有するマスクで前
記導電性保護層を被覆し、 前記穴中に金属を付着し、 前記マスクを除去し、 前記導電性保護層の前記パッシベイション層を覆ってい
る部分を除去するように前記導電性保護層をエッチング
する工程を具備することを特徴とする導電性バンプを形
成する方法。(11) A method of forming a conductive bump on a terminal pad of an integrated circuit electronic component covered with a passivation layer, comprising: covering the passivation layer with a conductive protective layer, and positioning the bump corresponding to the terminal pad. covering the conductive protective layer with a mask having holes in the holes, depositing metal in the holes, removing the mask, and removing a portion of the conductive protective layer covering the passivation layer. A method for forming a conductive bump, comprising the step of: etching the conductive protective layer.
載の方法により前記電子部品上に形成されることを特徴
とする特許請求の範囲第1項乃至題10項のいずれか記
載の方法。(12) The method according to any one of claims 1 to 10, wherein the conductive bump is formed on the electronic component by the method described in claim 11.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1304951A JPH082704B2 (en) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | How to attach electronic components to a card |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1304951A JPH082704B2 (en) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | How to attach electronic components to a card |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03169692A true JPH03169692A (en) | 1991-07-23 |
JPH082704B2 JPH082704B2 (en) | 1996-01-17 |
Family
ID=17939278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1304951A Expired - Lifetime JPH082704B2 (en) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | How to attach electronic components to a card |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH082704B2 (en) |
-
1989
- 1989-11-27 JP JP1304951A patent/JPH082704B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH082704B2 (en) | 1996-01-17 |
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