JPH03167861A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
- Publication number
- JPH03167861A JPH03167861A JP1308610A JP30861089A JPH03167861A JP H03167861 A JPH03167861 A JP H03167861A JP 1308610 A JP1308610 A JP 1308610A JP 30861089 A JP30861089 A JP 30861089A JP H03167861 A JPH03167861 A JP H03167861A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- external lead
- glass member
- lead terminal
- glass
- lid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims abstract description 7
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 21
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 3
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical class [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〉
本発明は半導体素子を収容する半導体素子収納用パノケ
ージの改良に関するものである。
ージの改良に関するものである。
（従来の技術）゛
従来、半導体素子を収容するためのパッケージ、特にガ
ラスの溶着によって封止するガラス封止型半導体素子収
納用パッケージは、絶縁基体と蓋体とから威り、内部に
半導体素子を収容する空所を有する絶縁容器と、該容器
内に収容される半導体素子を外部電気回路に電気的に接
続するための外部リード端子とから構威されており、絶
縁基体及び蓋体の相対向する主面に予め封止用のガラス
部材を被着形成すると共に、絶縁基体主面に外部リード
端子を固定し、半導体素子の各電極と外部リード端子と
をワイヤボンド接続した後、絶縁基体及び蓋体のそれぞ
に被着させた封止用のガラス部材を溶融一体化させるこ
とによって内部に半導体素子を気密に封止している。
ラスの溶着によって封止するガラス封止型半導体素子収
納用パッケージは、絶縁基体と蓋体とから威り、内部に
半導体素子を収容する空所を有する絶縁容器と、該容器
内に収容される半導体素子を外部電気回路に電気的に接
続するための外部リード端子とから構威されており、絶
縁基体及び蓋体の相対向する主面に予め封止用のガラス
部材を被着形成すると共に、絶縁基体主面に外部リード
端子を固定し、半導体素子の各電極と外部リード端子と
をワイヤボンド接続した後、絶縁基体及び蓋体のそれぞ
に被着させた封止用のガラス部材を溶融一体化させるこ
とによって内部に半導体素子を気密に封止している。
（発明が解決しようとする課題）
しかし乍ら、この従来のガラス封止型半導体素子収納用
パッケージは通常、外部リード端子がコハール（２９
Ｗ（χＮｉ−１６ ＷｔＸ Ｃｏ−５５ ＷｔχＦｅ合
金）や４２ＡＩＩｏｙ（４２ ＷｔχＮｉ−５８ Ｗｔ
Ｘ Ｆｅ合金）の導電性材料から戊っており、該コバー
ルや４２ＡＩ１ｏｙ等は導電率が低いことから以下に述
べる欠点を有する。
パッケージは通常、外部リード端子がコハール（２９
Ｗ（χＮｉ−１６ ＷｔＸ Ｃｏ−５５ ＷｔχＦｅ合
金）や４２ＡＩＩｏｙ（４２ ＷｔχＮｉ−５８ Ｗｔ
Ｘ Ｆｅ合金）の導電性材料から戊っており、該コバー
ルや４２ＡＩ１ｏｙ等は導電率が低いことから以下に述
べる欠点を有する。
即ち、
■コバールや４２Ａｌｌｏｙはその導電率が３．０〜３
．５χ（ＩＡＣＳ）と低い。そのためこのコバールや４
２Ａｌｌｏｙ等から成る外部リード端子に信号を伝搬さ
せた場合、信号の伝搬速度が極めて遅いものとなり、高
速駆動を行う半導体素子はその収容が不可となってしま
う、 ■半導体素子収納用パッケージの内部に収容する半導体
素子の高密度化、高集積化の進展に伴い、半導体素子の
電極数が大幅に増大しており、半導体素子の各電極を外
部電気回路に接続する外部リード端子の線幅も極めて細
くなってきている。そのため外部リード端子は上記のに
記載のコバールや４２Ａ１１ｏｙの導電率が低いことと
相俊って電気抵抗が極めて大きなものになってきており
、外部リード端子に信号を伝搬させると、該外部リード
端子の電気抵抗に起因して信号が大きく減衰し、内部に
収容する半導体素子に信号を正確に入力することができ
ず、半導体素子に誤動作を生しさせてしまう、 等の欠点を有していた。
．５χ（ＩＡＣＳ）と低い。そのためこのコバールや４
２Ａｌｌｏｙ等から成る外部リード端子に信号を伝搬さ
せた場合、信号の伝搬速度が極めて遅いものとなり、高
速駆動を行う半導体素子はその収容が不可となってしま
う、 ■半導体素子収納用パッケージの内部に収容する半導体
素子の高密度化、高集積化の進展に伴い、半導体素子の
電極数が大幅に増大しており、半導体素子の各電極を外
部電気回路に接続する外部リード端子の線幅も極めて細
くなってきている。そのため外部リード端子は上記のに
記載のコバールや４２Ａ１１ｏｙの導電率が低いことと
相俊って電気抵抗が極めて大きなものになってきており
、外部リード端子に信号を伝搬させると、該外部リード
端子の電気抵抗に起因して信号が大きく減衰し、内部に
収容する半導体素子に信号を正確に入力することができ
ず、半導体素子に誤動作を生しさせてしまう、 等の欠点を有していた。
（発明の目的）
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は
外部リード端子における信号の減衰を極小となし、内部
に収容する半導体素子への信号の入出力を確実に行うこ
とを可能として半導体素子を長期間にわたり正常、且つ
安定に作動させることができる半導体素子収納用バンケ
ージを提供することにある。
外部リード端子における信号の減衰を極小となし、内部
に収容する半導体素子への信号の入出力を確実に行うこ
とを可能として半導体素子を長期間にわたり正常、且つ
安定に作動させることができる半導体素子収納用バンケ
ージを提供することにある。
また本発明の他の目的は高速駆動を行う半導体素子を収
容することができる半導体素子収納用パッケージを提供
することにある。
容することができる半導体素子収納用パッケージを提供
することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は内部に半導体素子を収容するための空所を有す
る絶縁容器に外部リード端子をガラス部材を介して取着
して成る半導体素子収納用パッケージにおいて、前記絶
縁容器をフォルステライト質焼結体もしくはジルコニア
質焼結体で、外部リード端子を熱膨張係数９５乃至１１
０ ｘｌＯ−’／ ”ｃ、導電率１２Ｘ（ＩＡＣＳ）以
上の金属で、ガラス部材をシリ，’Ｊ６０．Ｏ乃至７０
．０Ｗｔχ、ナトリウム、カリウムの酸化物の少なくと
も１種１０．０乃至２０．０Ｗｔ！、酸化バリウム（Ｂ
ａｄ） ５．０乃至１５．０ＷｔＸがら成るガラスで形
成したことを特徴とするものである。
る絶縁容器に外部リード端子をガラス部材を介して取着
して成る半導体素子収納用パッケージにおいて、前記絶
縁容器をフォルステライト質焼結体もしくはジルコニア
質焼結体で、外部リード端子を熱膨張係数９５乃至１１
０ ｘｌＯ−’／ ”ｃ、導電率１２Ｘ（ＩＡＣＳ）以
上の金属で、ガラス部材をシリ，’Ｊ６０．Ｏ乃至７０
．０Ｗｔχ、ナトリウム、カリウムの酸化物の少なくと
も１種１０．０乃至２０．０Ｗｔ！、酸化バリウム（Ｂ
ａｄ） ５．０乃至１５．０ＷｔＸがら成るガラスで形
成したことを特徴とするものである。
（実施例）
次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
第１図及び第２図は本発明の半導体素子収納用バソケー
ジの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体である。
ジの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体である。
この絶縁基体ｌと蓋体２とにより絶縁容器３が構成され
る。
る。
前記絶縁基体１及び蓋体２はそれぞれの中央部に半導体
素子を収容する空所を形成するための凹部が設けてあり
、絶縁基体１の凹部底面には半導体素子４が樹脂、ガラ
ス、ロウ剤等の接着剤を介し取着固定される。
素子を収容する空所を形成するための凹部が設けてあり
、絶縁基体１の凹部底面には半導体素子４が樹脂、ガラ
ス、ロウ剤等の接着剤を介し取着固定される。
前記絶縁基体１及び蓋体２はフォルステライト質焼結体
もしくはジルコニア質焼結体から戒り、第１図に示すよ
うな絶縁基体１及び蓋体２に対応した形状を有するプレ
ス型内に、フォルステライト質焼結体の場合はマグネシ
ア（ ＭｇＯ ） 、シリヵ（ＳｉＯｚ）等の原料粉末
を、ジルコニア質焼結体の場合は酸化ジルコニウム（Ｚ
ｒＯｚ）、イットリア（ＹｚＯｉ）等の原料粉末を充填
させるとともに一定圧力を印加して成形し、しかる後、
成形品を約１２００〜１５００℃の温度で焼威すること
によって製作される。
もしくはジルコニア質焼結体から戒り、第１図に示すよ
うな絶縁基体１及び蓋体２に対応した形状を有するプレ
ス型内に、フォルステライト質焼結体の場合はマグネシ
ア（ ＭｇＯ ） 、シリヵ（ＳｉＯｚ）等の原料粉末
を、ジルコニア質焼結体の場合は酸化ジルコニウム（Ｚ
ｒＯｚ）、イットリア（ＹｚＯｉ）等の原料粉末を充填
させるとともに一定圧力を印加して成形し、しかる後、
成形品を約１２００〜１５００℃の温度で焼威すること
によって製作される。
尚、前記絶縁基体ｌ及び蓋体２を形成するフォルステラ
イト質焼結体もしくはジルコニア質焼結体はその熱膨張
係数が１００乃至１１０ ×１０−’／ ”Ｃであり、
後述する封止用ガラス部材の熱膨張係数との関係におい
て絶縁基体１及び蓋体２と封止用ガラス部材間に大きな
熱膨張の差が生しることはない。
イト質焼結体もしくはジルコニア質焼結体はその熱膨張
係数が１００乃至１１０ ×１０−’／ ”Ｃであり、
後述する封止用ガラス部材の熱膨張係数との関係におい
て絶縁基体１及び蓋体２と封止用ガラス部材間に大きな
熱膨張の差が生しることはない。
また前記絶８＆基体１及び蓋体２にはその相対向する゛
主面に封止用のガラス部材６が予め被着形成されており
、該絶縁基体１及び蓋体２の各々に被着されている封止
用ガラス部材６を加熱溶融させ一体化させることにより
絶縁容器３内の半導体素子４を気密に封止する。
主面に封止用のガラス部材６が予め被着形成されており
、該絶縁基体１及び蓋体２の各々に被着されている封止
用ガラス部材６を加熱溶融させ一体化させることにより
絶縁容器３内の半導体素子４を気密に封止する。
前記絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主面に被着され
る封止用ガラス部材６は、シリカ６０．０乃至７０．０
Ｗｔ！ ，ナトリウム、カリウムの酸化物の少なくとも
１種１０．０乃至２０．０Ｗｔ％、酸化バリウム５．０
乃至ｉｓ．ｏｗｔχより形威されるガラスから或り、上
記各威分を所定の値となるように秤量混合すると共に、
該混合粉末を１３００〜１４００℃の温度で加熱溶融さ
せることによって製作される。このガラス部材６の熱膨
張係数は９０乃至１００ ×１０−’／ ’Ｃである。
る封止用ガラス部材６は、シリカ６０．０乃至７０．０
Ｗｔ！ ，ナトリウム、カリウムの酸化物の少なくとも
１種１０．０乃至２０．０Ｗｔ％、酸化バリウム５．０
乃至ｉｓ．ｏｗｔχより形威されるガラスから或り、上
記各威分を所定の値となるように秤量混合すると共に、
該混合粉末を１３００〜１４００℃の温度で加熱溶融さ
せることによって製作される。このガラス部材６の熱膨
張係数は９０乃至１００ ×１０−’／ ’Ｃである。
前記封止用ガラス部材６は、その熱膨張係数が９０乃至
１００ ×１０−’／ ’Ｃであり、絶縁基体１及び蓋
体２の各々の熱膨張係数と近似することから絶縁基体１
及び蓋体２の各々に被着されている封止用ガラス部材６
を加熱溶融させ一体化させることにより絶縁容器３内の
半導体素子４を気密に封止する際、絶縁基体ｌ及び蓋体
２と封止用ガラス部材６との間には両者の熱膨張係数の
相違に起因する熱応力が発生することは殆どなく、絶縁
基体１と蓋体２とを封止用ガラス部材６を介し強固に接
合することが可能となる。
１００ ×１０−’／ ’Ｃであり、絶縁基体１及び蓋
体２の各々の熱膨張係数と近似することから絶縁基体１
及び蓋体２の各々に被着されている封止用ガラス部材６
を加熱溶融させ一体化させることにより絶縁容器３内の
半導体素子４を気密に封止する際、絶縁基体ｌ及び蓋体
２と封止用ガラス部材６との間には両者の熱膨張係数の
相違に起因する熱応力が発生することは殆どなく、絶縁
基体１と蓋体２とを封止用ガラス部材６を介し強固に接
合することが可能となる。
？、翁記封止用ガラス部材６はシリヵ（ＳｉＯｚ）が６
０．ＯＷｔ！未満であるとガラスの結晶化が進んで絶縁
容器３の気密封止が困難となり、また？０．０Ｗｔ％を
越えるとガラスの熱膨張が小さくなって絶縁基体ｌと蓋
体２の熱膨張と合わなくなることからシリカ（ＳｉＯ■
）は６０．０乃至７０．０ＷｔＸの範囲に限定される。
０．ＯＷｔ！未満であるとガラスの結晶化が進んで絶縁
容器３の気密封止が困難となり、また？０．０Ｗｔ％を
越えるとガラスの熱膨張が小さくなって絶縁基体ｌと蓋
体２の熱膨張と合わなくなることからシリカ（ＳｉＯ■
）は６０．０乃至７０．０ＷｔＸの範囲に限定される。
またナトリウム、カリウムの酸化物が１０．ＯＷｔ＄未
満であるとガラスを製作する際のガラスの溶融温度が大
幅に上がって作業性が著しく悪くなり、また２０．ＯＷ
ｔＸを越えるとガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器３
の気密封止の信頼性が大きく低下するためナトリウム、
カリウムの酸化物は１０．０乃至２０．０ＷｔＸの範囲
に限定される。
満であるとガラスを製作する際のガラスの溶融温度が大
幅に上がって作業性が著しく悪くなり、また２０．ＯＷ
ｔＸを越えるとガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器３
の気密封止の信頼性が大きく低下するためナトリウム、
カリウムの酸化物は１０．０乃至２０．０ＷｔＸの範囲
に限定される。
また酸化バリウム（Ｂａｄ）が５．Ｏ Ｗｔχ未満であ
るとガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器３の気密封止
の信頼性が大きく低下し、また１５．０ＷｔＸを越える
とガラスの結晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困難
となることから酸化バリウム（Ｂａｄ）は５．０乃至１
５．ＯＷｔＸの範囲に限定される。
るとガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器３の気密封止
の信頼性が大きく低下し、また１５．０ＷｔＸを越える
とガラスの結晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困難
となることから酸化バリウム（Ｂａｄ）は５．０乃至１
５．ＯＷｔＸの範囲に限定される。
前記封止用ガラス部材６は前述した成分から成るガラス
に適当な有機溶剤、溶媒を添加して得たガラスペースト
を従来周知の厚膜手法を採用することによって絶縁基体
１及び蓋体２の相対向する主面に被着形或される。
に適当な有機溶剤、溶媒を添加して得たガラスペースト
を従来周知の厚膜手法を採用することによって絶縁基体
１及び蓋体２の相対向する主面に被着形或される。
前記絶縁基体１と蓋体２との間には導電性材料から成る
外部リード端子５が配されており、該外部リード端子５
は半導体素子４の各電極がワイヤ７を介し電気的に接続
され、外部リード端子５を外部電気回路に接続すること
によって半導体素子４が外部電気回路に接続されること
となる。
外部リード端子５が配されており、該外部リード端子５
は半導体素子４の各電極がワイヤ７を介し電気的に接続
され、外部リード端子５を外部電気回路に接続すること
によって半導体素子４が外部電気回路に接続されること
となる。
前記外部リード端子５は絶縁基体ｌと蓋体２の相対向す
る主面に被着させた封止用ガラス部材６を溶融一体化さ
せ、絶縁容器３を気密封止する際に同時に絶縁基体ｌと
蓋体２との間に取着される。
る主面に被着させた封止用ガラス部材６を溶融一体化さ
せ、絶縁容器３を気密封止する際に同時に絶縁基体ｌと
蓋体２との間に取着される。
前記外部リード端子５は非磁性体金属である銅（Ｃｕ）
から成る芯体の外表面にニッケルー鉄合金（Ｎｉ−Ｆｅ
合金）を接合させたもの等から成り、その導電率は１２
Ｘ（ Ｉ＾ＣＳ）以上、熱膨張係数は９５乃至１１０
×１０−’／ ℃の導電性材料から成る。
から成る芯体の外表面にニッケルー鉄合金（Ｎｉ−Ｆｅ
合金）を接合させたもの等から成り、その導電率は１２
Ｘ（ Ｉ＾ＣＳ）以上、熱膨張係数は９５乃至１１０
×１０−’／ ℃の導電性材料から成る。
前記外部リード端子５はその導電率が１２２（ＩＡＣＳ
）以上であり、電気を流し易いことから外部リード端子
５の信号伝搬速度を極めて速いものとなすことができ、
絶縁容器３内に収容した半導体素子４を高速駆動させた
としても半導体素子４と外部電気回路との間における信
号の出し入れは常に安定、且つ確実となすことができる
。
）以上であり、電気を流し易いことから外部リード端子
５の信号伝搬速度を極めて速いものとなすことができ、
絶縁容器３内に収容した半導体素子４を高速駆動させた
としても半導体素子４と外部電気回路との間における信
号の出し入れは常に安定、且つ確実となすことができる
。
また外部リード端子５の導電率が高いことから外部リー
ド端子５の線幅が細くなったとしても外部リード端子５
の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果、外部リ
ード端子５における信号の減衰を極小として内部に収容
する半導体素子４に外部電気回路から供給される電気信
号を正確に人力することができる。
ド端子５の線幅が細くなったとしても外部リード端子５
の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果、外部リ
ード端子５における信号の減衰を極小として内部に収容
する半導体素子４に外部電気回路から供給される電気信
号を正確に人力することができる。
更に前記外部リード端子５はその熱膨張係数が９５乃至
１１０ ×１０−’／ ’Ｃであり、封止用ガラス部材
６の熱膨張係数と近似することから外部リード端子５を
絶縁基体ｌと蓋体２の間に封止用ガラス部材６を用いて
固定する際、外部リード端子５と封止用ガラス部材６と
の間には両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発
生することはなく、外部リード端子５を封止用ガラス部
材６で強固に固定することも可能となる。
１１０ ×１０−’／ ’Ｃであり、封止用ガラス部材
６の熱膨張係数と近似することから外部リード端子５を
絶縁基体ｌと蓋体２の間に封止用ガラス部材６を用いて
固定する際、外部リード端子５と封止用ガラス部材６と
の間には両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発
生することはなく、外部リード端子５を封止用ガラス部
材６で強固に固定することも可能となる。
かくして、この半導体素子収納用パッケージによれば絶
縁基体１の凹部底面に半導体素子４を取着固定するとと
もに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ７に
より外部リード端子５に接続させ、しかる後、絶縁基体
１と蓋体２とを該絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主
面に予め被着させておいた封止用ガラス部材６を溶融一
体化させることによって接合させ、これによって最終製
品としての半導体装置が完戒する。
縁基体１の凹部底面に半導体素子４を取着固定するとと
もに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ７に
より外部リード端子５に接続させ、しかる後、絶縁基体
１と蓋体２とを該絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主
面に予め被着させておいた封止用ガラス部材６を溶融一
体化させることによって接合させ、これによって最終製
品としての半導体装置が完戒する。
（発明の効果）
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、半導体
素子を収容するための絶縁容器をフオルステライト質焼
結体もしくはジルコニア質焼結体で、外部リード端子を
導電率が１２（ＩＡＣＳ）以上、熱膨張係数９５乃至１
１０ ×１０−７／ ”Ｃの金属で、ガラス部材をシリ
カ６０．０乃至７０．Ｏｌ４ｔχ、ナトリウム、カリウ
ムの酸化物の少なくとも１種ＩＯ．０乃至２０．０Ｗｔ
χ、酸化バリウム（［ｌａＯ）５．０乃至１５．０Ｗｔ
χから成るガラスで形戒したことから外部リード端子の
信号伝殿速度を極めて速いものとなすことができ、絶縁
容器内に収容した半導体素子を高速駆動させたとしても
半導体素子と外部電気回路との間における信号の出し入
れを安定、且つ確実となすことが可能となる。
素子を収容するための絶縁容器をフオルステライト質焼
結体もしくはジルコニア質焼結体で、外部リード端子を
導電率が１２（ＩＡＣＳ）以上、熱膨張係数９５乃至１
１０ ×１０−７／ ”Ｃの金属で、ガラス部材をシリ
カ６０．０乃至７０．Ｏｌ４ｔχ、ナトリウム、カリウ
ムの酸化物の少なくとも１種ＩＯ．０乃至２０．０Ｗｔ
χ、酸化バリウム（［ｌａＯ）５．０乃至１５．０Ｗｔ
χから成るガラスで形戒したことから外部リード端子の
信号伝殿速度を極めて速いものとなすことができ、絶縁
容器内に収容した半導体素子を高速駆動させたとしても
半導体素子と外部電気回路との間における信号の出し入
れを安定、且つ確実となすことが可能となる。
また外部リード端子の線幅が細くなったとしても外部リ
ード端子の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果
、外部リード端子における信号の減衰を極小として内部
に収容する半導体素子に外部電気回路から供給される電
気信号を正確に入力することができる。
ード端子の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果
、外部リード端子における信号の減衰を極小として内部
に収容する半導体素子に外部電気回路から供給される電
気信号を正確に入力することができる。
更に前記外部リード端子はその熱膨張係数が絶縁基体、
蓋体及び封止用ガラス部材の各々の熱膨張係数と近似し
、絶縁基体と蓋体との間に外部リード端子を挟み、各々
を封止用ガラス部材で取着接合したとしても絶縁基体及
び蓋体と封止用ガラス部材との間、外部リード端子と封
止用ガラス部材との間のいずれにも熱膨張係数の相違に
起因する熱応力は発生せず、すべてを強固に取着接合す
ることも可能となる。
蓋体及び封止用ガラス部材の各々の熱膨張係数と近似し
、絶縁基体と蓋体との間に外部リード端子を挟み、各々
を封止用ガラス部材で取着接合したとしても絶縁基体及
び蓋体と封止用ガラス部材との間、外部リード端子と封
止用ガラス部材との間のいずれにも熱膨張係数の相違に
起因する熱応力は発生せず、すべてを強固に取着接合す
ることも可能となる。
第１図は本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図、第２図は第１図に示すパッケージの絶
縁基体上面より見た平面図である。 ｌ ・・絶縁基体 ２ ・・蓋体 ３ ・・絶縁容器 ５ ・・外部リード端子 ６ ・・封止用ガラス部材
例を示す断面図、第２図は第１図に示すパッケージの絶
縁基体上面より見た平面図である。 ｌ ・・絶縁基体 ２ ・・蓋体 ３ ・・絶縁容器 ５ ・・外部リード端子 ６ ・・封止用ガラス部材
Claims (1)
- 内部に半導体素子を収容するための空所を有する絶縁
容器に外部リード端子をガラス部材を介して取着して成
る半導体素子収納用パッケージにおいて、前記絶縁容器
をフォルステライト質焼結体もしくはジルコニア質焼結
体で、外部リード端子を熱膨張係数９５乃至１１０×１
０＾−＾７／℃、導電率１２％（ＩＡＣＳ）以上の金属
で、ガラス部材をシリカ６０．０乃至７０．０Ｗｔ％、
ナトリウム、カリウムの酸化物の少なくとも１種１０．
０乃至２０．０Ｗｔ％、酸化バリウム５．０乃至１５．
０Ｗｔ％から成るガラスで形成したことを特徴とする半
導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308610A JP2742613B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
| US07/574,472 US5168126A (en) | 1989-08-25 | 1990-08-27 | Container package for semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308610A JP2742613B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03167861A true JPH03167861A (ja) | 1991-07-19 |
| JP2742613B2 JP2742613B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=17983116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1308610A Expired - Lifetime JP2742613B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-11-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2742613B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50146899A (ja) * | 1974-05-16 | 1975-11-25 | ||
| JPS53123080A (en) * | 1977-04-02 | 1978-10-27 | Ngk Insulators Ltd | Circuit substrate and ceramic package assembly and method of producing same |
| JPS6265954A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-25 | Nippon Electric Glass Co Ltd | アルミナ封着用硼珪酸ガラス |
| JPS63185318U (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-29 | ||
| JPS645041A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-10 | Shinko Electric Ind Co | Manufacture of ceramic body having superconducting circuit pattern |
-
1989
- 1989-11-27 JP JP1308610A patent/JP2742613B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50146899A (ja) * | 1974-05-16 | 1975-11-25 | ||
| JPS53123080A (en) * | 1977-04-02 | 1978-10-27 | Ngk Insulators Ltd | Circuit substrate and ceramic package assembly and method of producing same |
| JPS6265954A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-25 | Nippon Electric Glass Co Ltd | アルミナ封着用硼珪酸ガラス |
| JPS63185318U (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-29 | ||
| JPS645041A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-10 | Shinko Electric Ind Co | Manufacture of ceramic body having superconducting circuit pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2742613B2 (ja) | 1998-04-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03167861A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03167858A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2742617B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03167865A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03173160A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03167842A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03167864A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2747613B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03167845A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03173161A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03167862A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2691306B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03173164A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2736451B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03167849A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2691304B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03218660A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2736459B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03167860A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2691307B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03167856A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03167846A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03167859A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03167853A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03173155A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ |