JPH03163889A - 半導体レーザ励起形固体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ励起形固体レーザ装置Info
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ．発明の目的
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザディスク、レーザ計測器及びレーザ加
工装置等の光源に用いられる、半導体レーザ励起形固体
レーザ装置に関する。
工装置等の光源に用いられる、半導体レーザ励起形固体
レーザ装置に関する。
半導体レーザ励起形固体レーザ装置に於て、Ｎｄ ：
ＹＡＧを用いた半導体レーザ素子の励起光の波長と、Ｎ
ｄ：ＹＡ（Ｅを用いた発光素子の吸収ピーク波長が良く
一致しているため、半導体レーザ素子（以下ＬＤ素子と
称す）と発光素子にＮｄ ： ＹＡＧ単結晶を用いると
、高効率で小型の半導体レーザ励起形固体レーザ装置（
以下ＬＤ固体レーザ装置と称す）が実現できる。
ＹＡＧを用いた半導体レーザ素子の励起光の波長と、Ｎ
ｄ：ＹＡ（Ｅを用いた発光素子の吸収ピーク波長が良く
一致しているため、半導体レーザ素子（以下ＬＤ素子と
称す）と発光素子にＮｄ ： ＹＡＧ単結晶を用いると
、高効率で小型の半導体レーザ励起形固体レーザ装置（
以下ＬＤ固体レーザ装置と称す）が実現できる。
そのため、近年、光ディスクの高・密度化用光源，小型
のレーザ計測器用光源、小型のレーザ加工装置用光源と
して、Ｎｄ：ＹＡＧを用いた半導体レーザ励起形固体レ
ーザ装置が注目されている。
のレーザ計測器用光源、小型のレーザ加工装置用光源と
して、Ｎｄ：ＹＡＧを用いた半導体レーザ励起形固体レ
ーザ装置が注目されている。
従来のＮｄ ： ＹＡＧを用いたＬＤ固体レーザ装置は
、第４図に示すように、励起光を発する半導体レーザ素
子（ＬＤ素子）１にＮｄ：ＹＡＧを用い、ＬＤ素子１か
らの波長８０８ｎｍの励起光９をコリメート用レンズ２
により平行光とし、平行光となった励起光９を反射ミラ
ー３と出射ミラー７の間におかれたＮｄ：ＹＡＧからな
る発光素子１４に反射ミラー３により収束して照射し、
発光素子１４より波長１０６４ｎｍのレーザ光１０を発
光せしめ、出射ミラー７と反対ミラー３とによりその間
の発光素子１４から発したレーザ光１０をさらに発光素
子１４に往復照射し、発光素子１４のエネルギーを高め
てレーザ光１０を一層増幅せしめ、出射ミラー７を経て
波長１０６４ｎｍのレーザ光１０を出射せしめる装置で
ある。ＬＤ素子１は温度制御用のペルチェ素子８が附加
され温度が安定化されている。
、第４図に示すように、励起光を発する半導体レーザ素
子（ＬＤ素子）１にＮｄ：ＹＡＧを用い、ＬＤ素子１か
らの波長８０８ｎｍの励起光９をコリメート用レンズ２
により平行光とし、平行光となった励起光９を反射ミラ
ー３と出射ミラー７の間におかれたＮｄ：ＹＡＧからな
る発光素子１４に反射ミラー３により収束して照射し、
発光素子１４より波長１０６４ｎｍのレーザ光１０を発
光せしめ、出射ミラー７と反対ミラー３とによりその間
の発光素子１４から発したレーザ光１０をさらに発光素
子１４に往復照射し、発光素子１４のエネルギーを高め
てレーザ光１０を一層増幅せしめ、出射ミラー７を経て
波長１０６４ｎｍのレーザ光１０を出射せしめる装置で
ある。ＬＤ素子１は温度制御用のペルチェ素子８が附加
され温度が安定化されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
このようなＬＤ固体レーザ装置では、ＬＤ素子１の励起
光の波長は半導体材料のバンドギャップ幅により決まる
が、ＬＤ素子１が励起されて発熱し温度が変化すること
によってこのエネルギーバンドギャップ幅が変わるため
に、ＬＤ素子１の励起光の波長が変化する。Ｎｄ：ＹＡ
Ｇ単結晶を用いたＬＤ素子１の励起光では波長が０．３
ｎｍ／℃程度変化する。即ち室温での当初の励起光の波
長が８０５ｎｍ程度から、ＬＤ素子１の発熱による定常
温度では波長が８０８ｎｍ程度に変化して定常化する。
光の波長は半導体材料のバンドギャップ幅により決まる
が、ＬＤ素子１が励起されて発熱し温度が変化すること
によってこのエネルギーバンドギャップ幅が変わるため
に、ＬＤ素子１の励起光の波長が変化する。Ｎｄ：ＹＡ
Ｇ単結晶を用いたＬＤ素子１の励起光では波長が０．３
ｎｍ／℃程度変化する。即ち室温での当初の励起光の波
長が８０５ｎｍ程度から、ＬＤ素子１の発熱による定常
温度では波長が８０８ｎｍ程度に変化して定常化する。
一方発光素子１４を形成するＬＤ素子１と同じ単結晶材
のＮｄ ： ＹＡＧの吸収スペクトルのピーク幅は、第
３図の波長に対する透過率特性図のＮｄ ： ＹＡＧの
透過率特性Ｃに示すように、８０５ｎｍから８０８ｎｍ
の数ｎｍＬかないため、ＬＤ素子１の励起光波長と発光
素子１４の吸収波長との間にこれ以上の差を生じた場合
、発光素子１４の励起光９の吸収が変動してＬＤ固体レ
ーザ装置のレーザ光出力が変動する。
のＮｄ ： ＹＡＧの吸収スペクトルのピーク幅は、第
３図の波長に対する透過率特性図のＮｄ ： ＹＡＧの
透過率特性Ｃに示すように、８０５ｎｍから８０８ｎｍ
の数ｎｍＬかないため、ＬＤ素子１の励起光波長と発光
素子１４の吸収波長との間にこれ以上の差を生じた場合
、発光素子１４の励起光９の吸収が変動してＬＤ固体レ
ーザ装置のレーザ光出力が変動する。
第５図は、波長８００ｎｍ近傍に於てのＬＤ素子からの
一定エネルギーの励起光波長に対する、Ｎｄ：ＹＡＧの
発光素子から発するＮｄ ： ＹＡＧのレーザ光出力特
性Ａの変化の状態と、Ｎｄ：ＹＶ０４の発光素子から発
するＮｄ ： ＹＶＯ４のレーザ光出力特性Ｂの変化の
状態を示すものである。光ディスクや計測器などに用い
られるレーザ装置には、レーザ光出力に０．１％以下の
安定度が求められるが、ペルチェ素子８を用いてＬＤ素
子を高精度で温度制御したとしても、Ｎｄ ： ＹＡＧ
の発光素子では最大０．２％程度の出力の安定度しか得
られない。これは第５図のＮｄ ： ＹＡＧのレーザ光
出力特性Ａが出力変動が大きいことからも明らかである
。発光素子１４に吸収スペクトル幅の広いＮｄ：ＹＶＯ
４を用いて、多少の励起光波長が変化してもＮｄ：ＹＶ
Ｏ４のレーザ光出力特性Ｂの如く、レーザ光出力の安定
度を良くする試みがなされているが、良質のＮｄ ：
ＹＶＯ４を得る技術が未だ充分でなく、このため何れに
於でも出力特性が安定しないという問題があった。
一定エネルギーの励起光波長に対する、Ｎｄ：ＹＡＧの
発光素子から発するＮｄ ： ＹＡＧのレーザ光出力特
性Ａの変化の状態と、Ｎｄ：ＹＶ０４の発光素子から発
するＮｄ ： ＹＶＯ４のレーザ光出力特性Ｂの変化の
状態を示すものである。光ディスクや計測器などに用い
られるレーザ装置には、レーザ光出力に０．１％以下の
安定度が求められるが、ペルチェ素子８を用いてＬＤ素
子を高精度で温度制御したとしても、Ｎｄ ： ＹＡＧ
の発光素子では最大０．２％程度の出力の安定度しか得
られない。これは第５図のＮｄ ： ＹＡＧのレーザ光
出力特性Ａが出力変動が大きいことからも明らかである
。発光素子１４に吸収スペクトル幅の広いＮｄ：ＹＶＯ
４を用いて、多少の励起光波長が変化してもＮｄ：ＹＶ
Ｏ４のレーザ光出力特性Ｂの如く、レーザ光出力の安定
度を良くする試みがなされているが、良質のＮｄ ：
ＹＶＯ４を得る技術が未だ充分でなく、このため何れに
於でも出力特性が安定しないという問題があった。
本発明の課題は、レーザ光出力の安定したＬＤ励起形固
体レーザを提供することにある。
体レーザを提供することにある。
ロ．発明の構或
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、半導体レーザ素子からの励起光を、反射ミラ
ーと出射ミラーとの間に位置する発光素子に照射してレ
ーザ光を発光し、前記反射ミラー＝５ と出射ミラーにより、前記発光素子に前記レーザ光を往
復照射して前記レーザ光を増幅し、且つ前記出射ミラー
より前記レーザ光を出射する半導体レーザ励起形固体レ
ーザ装置に於て、前記半導体レーザ素子が、励起光の波
長８０８ｎｍを有するネオジウムイットリウムアルミニ
ウムガーネット（Ｎｄ ： ＹＡＧ）より或り、且つ前
記発光素子が、波長８０８ｎｍと８０５ｎｍに吸収ピー
クを有するネオジウムイットリウムアルミニウムガーネ
ット（Ｎｄ：ＹＡＧ）と、波長８０７ｎｍと８０２ｎｍ
に吸収ピークを有するネオジウムイットリウムアルミネ
ート（Ｎｄ：ＹＡｌ０３）との絹合せからなることを特
徴とする半導体レーザ励起形固体レーザ装置である。
ーと出射ミラーとの間に位置する発光素子に照射してレ
ーザ光を発光し、前記反射ミラー＝５ と出射ミラーにより、前記発光素子に前記レーザ光を往
復照射して前記レーザ光を増幅し、且つ前記出射ミラー
より前記レーザ光を出射する半導体レーザ励起形固体レ
ーザ装置に於て、前記半導体レーザ素子が、励起光の波
長８０８ｎｍを有するネオジウムイットリウムアルミニ
ウムガーネット（Ｎｄ ： ＹＡＧ）より或り、且つ前
記発光素子が、波長８０８ｎｍと８０５ｎｍに吸収ピー
クを有するネオジウムイットリウムアルミニウムガーネ
ット（Ｎｄ：ＹＡＧ）と、波長８０７ｎｍと８０２ｎｍ
に吸収ピークを有するネオジウムイットリウムアルミネ
ート（Ｎｄ：ＹＡｌ０３）との絹合せからなることを特
徴とする半導体レーザ励起形固体レーザ装置である。
第３図にＮｄ ： ＹＡＧ及びＮｄ：ＹＡｌＯ：＋それ
ぞれの光の波長に対する光の透過率を示す。即ち波長８
００ｎｍ近傍に於ではＮｄ：ＹＡＧの吸収ピークはＮｄ
： ＹＡＧの透過率特性Ｃに示す如く波長８０８ｎｍ
と８０５ｎｍにあり、Ｎｄ：ＹＡ１０３の吸収ピークは
Ｎｄ：ＹＡｌ０３の透過率特性Ｄの如く波長８０７ｎｍ
と８０２ｎｍにある。これらを２枚組６ み合せて発光素子を構成すれば、合成した透過率は波長
８０２ｎｍから８０８ｎｍまで幅の広い吸収ピークを有
する発光素子が得られ、ペルチェ素子等を用いてＬＤ素
子の温度上昇を抑えることにより、励起光の波長に多少
の偏差が生じても安定したレ下ザ出力を発するＬＤ励起
形固体レーザが実現できる。
ぞれの光の波長に対する光の透過率を示す。即ち波長８
００ｎｍ近傍に於ではＮｄ：ＹＡＧの吸収ピークはＮｄ
： ＹＡＧの透過率特性Ｃに示す如く波長８０８ｎｍ
と８０５ｎｍにあり、Ｎｄ：ＹＡ１０３の吸収ピークは
Ｎｄ：ＹＡｌ０３の透過率特性Ｄの如く波長８０７ｎｍ
と８０２ｎｍにある。これらを２枚組６ み合せて発光素子を構成すれば、合成した透過率は波長
８０２ｎｍから８０８ｎｍまで幅の広い吸収ピークを有
する発光素子が得られ、ペルチェ素子等を用いてＬＤ素
子の温度上昇を抑えることにより、励起光の波長に多少
の偏差が生じても安定したレ下ザ出力を発するＬＤ励起
形固体レーザが実現できる。
以下に本発明の実施例について図を参照して詳しく説明
する。
する。
実施例−１
第１図は本発明の実施例−１を示すＬＤ固体レーザ装置
の概略説明図である。
の概略説明図である。
第１図を参照して、試作した実施例−１のＬＤ固体レー
ザ装置は、温度安定化のためペルチェ素子８を附加した
Ｎｄ ： ＹＡ（Ｅを用いたＬＤ素子１からの波長８０
８ｎｍの励起光９を、焦点距離４ｍｍのコリメート用レ
ンズ２を２個用いて平行光とし、さらに焦点距離５０ｍ
ｍを有し、且つ波長１０６４ｎｍのレーザ光１０に対し
１００％反射し、波長８０８ｎｍの励起光９を９５％透
過するミラーコートを施した反射ミラー３により、波長
８０８ｎｍの励起光９を透過収束し、さらに励起光９が
収束して最小に絞られた位置に発光素子４を設置し、発
光素子４が励起光９を受けてエネルギーを高め、波長１
０６４ｎｍのレーザ光１０を発し、このレーザ光１０を
９５％反射するコーティングを施した出射ミラー７と１
００％反射する反射ミラー３により、レーザ光１０を反
射ミラー３と出射ミラー７の間に往復せしめ、この往復
するレーザ光１０が発光素子４を照射して発光素子４の
エネルギーを一層高め、波長１０６４ｎｍのレーザ光１
０を一層増幅せしめて強力となし、しかして出射ミラー
７からレーザ光１０を出射せしめるものである。
ザ装置は、温度安定化のためペルチェ素子８を附加した
Ｎｄ ： ＹＡ（Ｅを用いたＬＤ素子１からの波長８０
８ｎｍの励起光９を、焦点距離４ｍｍのコリメート用レ
ンズ２を２個用いて平行光とし、さらに焦点距離５０ｍ
ｍを有し、且つ波長１０６４ｎｍのレーザ光１０に対し
１００％反射し、波長８０８ｎｍの励起光９を９５％透
過するミラーコートを施した反射ミラー３により、波長
８０８ｎｍの励起光９を透過収束し、さらに励起光９が
収束して最小に絞られた位置に発光素子４を設置し、発
光素子４が励起光９を受けてエネルギーを高め、波長１
０６４ｎｍのレーザ光１０を発し、このレーザ光１０を
９５％反射するコーティングを施した出射ミラー７と１
００％反射する反射ミラー３により、レーザ光１０を反
射ミラー３と出射ミラー７の間に往復せしめ、この往復
するレーザ光１０が発光素子４を照射して発光素子４の
エネルギーを一層高め、波長１０６４ｎｍのレーザ光１
０を一層増幅せしめて強力となし、しかして出射ミラー
７からレーザ光１０を出射せしめるものである。
ここで発光素子４は、Ｎｄ濃度が１．１ａｔ％のＮｄ
： ＹＡＧ単結晶を３φＸ２ｍｍのロッド寸法に機械加
工した後、両端面を鏡面加工し、さらに両端面に無反射
コートとしてＭｇＦ２をλ／４ｎ（波長λ＝ １０６４
ｎｍ，屈折率ｎ＝１．３８）の厚さに蒸着したＮｄ：Ｙ
ＡＧＯ ツド５と、同じＮｄ濃度で同じロッド寸法のＮ
ｄ：ＹＡ１０３単結晶に、Ｎｄ ： ＹＡＧロッド５と
同一の無反射コート（材質＝ＭｇＦ２）を施したＮｄ：
ＹＡｌＯ３ロッド６の端面とを密着して組合せたもので
ある。
： ＹＡＧ単結晶を３φＸ２ｍｍのロッド寸法に機械加
工した後、両端面を鏡面加工し、さらに両端面に無反射
コートとしてＭｇＦ２をλ／４ｎ（波長λ＝ １０６４
ｎｍ，屈折率ｎ＝１．３８）の厚さに蒸着したＮｄ：Ｙ
ＡＧＯ ツド５と、同じＮｄ濃度で同じロッド寸法のＮ
ｄ：ＹＡ１０３単結晶に、Ｎｄ ： ＹＡＧロッド５と
同一の無反射コート（材質＝ＭｇＦ２）を施したＮｄ：
ＹＡｌＯ３ロッド６の端面とを密着して組合せたもので
ある。
このような発光素子棄では、第３図にＮｄ ： ＹＡＧ
及びＮｄ：ＹＡ１０３の光の波長に対する光の透過率を
示すように、波長８００ｎｍ近傍では， Ｎｄ：ＹＡＧ
の吸収ピークは、Ｎｄ ： ＹＡＧの透過率特性Ｃに示
すように波長８０８ｎｍと８０５ｎｍにあり、Ｎｄ：Ｙ
Ａｌ０３の吸収ピークは、Ｎｄ：ＹＡｌＯ：＋の透過率
特性Ｄに示すように波長８０７ｍｍと８０２ｍｍにある
。従ってこれらを２個組み合せることで合成した透過率
は、波長８０２ｎｍから８０８ｎｍまで幅の広い吸収ピ
ークを有する発光素子４が得られる。
及びＮｄ：ＹＡ１０３の光の波長に対する光の透過率を
示すように、波長８００ｎｍ近傍では， Ｎｄ：ＹＡＧ
の吸収ピークは、Ｎｄ ： ＹＡＧの透過率特性Ｃに示
すように波長８０８ｎｍと８０５ｎｍにあり、Ｎｄ：Ｙ
Ａｌ０３の吸収ピークは、Ｎｄ：ＹＡｌＯ：＋の透過率
特性Ｄに示すように波長８０７ｍｍと８０２ｍｍにある
。従ってこれらを２個組み合せることで合成した透過率
は、波長８０２ｎｍから８０８ｎｍまで幅の広い吸収ピ
ークを有する発光素子４が得られる。
しかもＬＤ素子１の温度が変化して励起光波長が８０８
ｎｍからずれを生じたとしても、ペルチェ素子８による
温度上昇を抑え、励起光波長を８０８ｎｍ以下に抑える
ことにより、発光素子士は波長８０８ｎｍの励起点と同
程度に励起光９を透過吸収して同程度にエネルギーを高
め、安定した波長１０６４ｎｍのレーザ光１０を発生す
る。
ｎｍからずれを生じたとしても、ペルチェ素子８による
温度上昇を抑え、励起光波長を８０８ｎｍ以下に抑える
ことにより、発光素子士は波長８０８ｎｍの励起点と同
程度に励起光９を透過吸収して同程度にエネルギーを高
め、安定した波長１０６４ｎｍのレーザ光１０を発生す
る。
実際に試作した第１図に示す実施例−１のＬＤ固体レー
ザ装置によれば、ＬＤ素子１の励起エネルギ２００ｍｗ
に於て、出射ミラー７から出射したレーザ光９ １０は５ｍＷの高効率なシングルモードＹＡＧレーザ光
出力が得られ、このときのレーザ光出力の安定度は０．
１％以内と極めて安定したものであった。
ザ装置によれば、ＬＤ素子１の励起エネルギ２００ｍｗ
に於て、出射ミラー７から出射したレーザ光９ １０は５ｍＷの高効率なシングルモードＹＡＧレーザ光
出力が得られ、このときのレーザ光出力の安定度は０．
１％以内と極めて安定したものであった。
実施例−２
第２図は本発明の実施例−２を示すＬＤ固体レーザ装置
の概略説明図である。実施例−２に於ける発光素子録の
試作形成は次の如くである。即ちＮｄ濃度が１． ｌａ
ｔ％のＮｄ：ＹＡＧ単結晶を３ ｘ ３ ｘ２０ｍｍの
寸法に機械加工した後、３Ｘ２０ｍｍの面と３ Ｘ ３
ｍｍの面を鏡面加工し、さらに３Ｘ３ｍｍの片面は２
０°の傾斜をつけ，３Ｘ２０ｍｍの面の片面である傾斜
をつけた面には波長１０６４ｎｍのレーザ光３０を１０
０％反射し、波長８０８ｎｍの励起光２９を９５％透過
する反射コーティング面２８を形成し、もう一面には波
長１０６４ｎｍのレーザ光３０を１００％透過するコー
ティングを施したＮｄ：ＹＡＧスラブ２５を形成し、こ
のＹＡＧスラブ２５と、さらにＮｄ：ＹＡｌ０３単結晶
をＮｄ ： ＹＡＧスラブ２５と同様に加工したＮｄ：
ＹＡｌ０３スラブ２６とを用い、反射コーティング面２
８を互いに外側にし、波長１０６４ｎｍのレーザ光を１
００％透過する面同士を密着して発光素子坐をｌ０ 形成した。
の概略説明図である。実施例−２に於ける発光素子録の
試作形成は次の如くである。即ちＮｄ濃度が１． ｌａ
ｔ％のＮｄ：ＹＡＧ単結晶を３ ｘ ３ ｘ２０ｍｍの
寸法に機械加工した後、３Ｘ２０ｍｍの面と３ Ｘ ３
ｍｍの面を鏡面加工し、さらに３Ｘ３ｍｍの片面は２
０°の傾斜をつけ，３Ｘ２０ｍｍの面の片面である傾斜
をつけた面には波長１０６４ｎｍのレーザ光３０を１０
０％反射し、波長８０８ｎｍの励起光２９を９５％透過
する反射コーティング面２８を形成し、もう一面には波
長１０６４ｎｍのレーザ光３０を１００％透過するコー
ティングを施したＮｄ：ＹＡＧスラブ２５を形成し、こ
のＹＡＧスラブ２５と、さらにＮｄ：ＹＡｌ０３単結晶
をＮｄ ： ＹＡＧスラブ２５と同様に加工したＮｄ：
ＹＡｌ０３スラブ２６とを用い、反射コーティング面２
８を互いに外側にし、波長１０６４ｎｍのレーザ光を１
００％透過する面同士を密着して発光素子坐をｌ０ 形成した。
さらにレーザ光３０が発光素子河の２０″傾斜した面に
垂直に人出射し、発光素子２４内をジグザグパス光路３
１に沿ってパスした後、もう一方の傾斜した面から垂直
出射するように、レーザ光３０を１００％反射する反射
ミラー２３と、９５％反射する出射ミラー２７を設置し
た。さらにペルチェ素子を付加しＮｄ：ＹＡＧを用いた
ＬＤ素子２１からの波長８０８ｎｍの励起光２９をコリ
メート用レンズ２２により平行光にし、この励起光２９
を発光素子共内のジグザグパス光路３１と一致するよう
に、発光素子河の周囲両面にＬＤ素子２１を４個配置し
、ＬＤ素子２１からの励起光２９をコリメート用レンズ
を介して発光素子針に照射し、波長１０６４ｎｍのレー
ザ光３０を発光素子河に発光せしめ、レーザ光３０を反
射ミラー２３と出射ミラー２７の間でジグザグパス光路
３１に沿って往復させて発光素子２４を往復照射し、レ
ーザ光３０の増幅を行い、出射ミラー２７から波長１０
６４ｎｍのレーザ光３０を発光するＬＤ固体レーザ装置
を構成した。
垂直に人出射し、発光素子２４内をジグザグパス光路３
１に沿ってパスした後、もう一方の傾斜した面から垂直
出射するように、レーザ光３０を１００％反射する反射
ミラー２３と、９５％反射する出射ミラー２７を設置し
た。さらにペルチェ素子を付加しＮｄ：ＹＡＧを用いた
ＬＤ素子２１からの波長８０８ｎｍの励起光２９をコリ
メート用レンズ２２により平行光にし、この励起光２９
を発光素子共内のジグザグパス光路３１と一致するよう
に、発光素子河の周囲両面にＬＤ素子２１を４個配置し
、ＬＤ素子２１からの励起光２９をコリメート用レンズ
を介して発光素子針に照射し、波長１０６４ｎｍのレー
ザ光３０を発光素子河に発光せしめ、レーザ光３０を反
射ミラー２３と出射ミラー２７の間でジグザグパス光路
３１に沿って往復させて発光素子２４を往復照射し、レ
ーザ光３０の増幅を行い、出射ミラー２７から波長１０
６４ｎｍのレーザ光３０を発光するＬＤ固体レーザ装置
を構成した。
このようなスラブタイプのＬＤ固体レーザ装置でも、第
１図に示した実施例−１のＬＤ固体レーザ装置の場合と
同じように、発光素子河に於てＮｄ ： ＹＡＧとＮｄ
：ＹＡ１０３の組合せによる波長幅の広い吸収ピークを
有する発光素子別が得られる。
１図に示した実施例−１のＬＤ固体レーザ装置の場合と
同じように、発光素子河に於てＮｄ ： ＹＡＧとＮｄ
：ＹＡ１０３の組合せによる波長幅の広い吸収ピークを
有する発光素子別が得られる。
試作した実施例−２のＬＤ固体レーザ装置によれば、Ｌ
Ｄ素子２１に対する４ｗの励起エネルギーで、出射ミラ
ー２７からのレーザ光３０は８００ｍｗの高効率なシン
グルモードＹＡＧレーザ光出力が得られ、このときのレ
ーザ光出力の安定度は０．１％以下であった。
Ｄ素子２１に対する４ｗの励起エネルギーで、出射ミラ
ー２７からのレーザ光３０は８００ｍｗの高効率なシン
グルモードＹＡＧレーザ光出力が得られ、このときのレ
ーザ光出力の安定度は０．１％以下であった。
ハ．発明の効果
〔発明の効果〕
以上に述べたように、本発明によれば、Ｎｄ ： ＹＡ
ＧとＮｄ：ＹＡｌＯ３を組み合せた発光素子を用いるこ
とによって、高効率で極めて安定なレーザ光出力が得ら
れる半導体レーザ励起形固体レーザ装置を提供すること
が可能となる。
ＧとＮｄ：ＹＡｌＯ３を組み合せた発光素子を用いるこ
とによって、高効率で極めて安定なレーザ光出力が得ら
れる半導体レーザ励起形固体レーザ装置を提供すること
が可能となる。
第１図は本発明の実施例−１を示す半導体レーザ励起形
固体レーザ装置の概略説明図。 第２図は本発明の実施例−２を示す半導体レーザ励起形
固体レーザ装置の概略説明図。 第３図はＮｄ：ＹＡＧ及びＮｄ：ＹＡｌ０３の、光の波
長に対す光の透過率を示す透過率特性図。 第４図は従来の半導体レーザ励起形固体レーザ装置の概
略説明図。 第５図は一定エネルギーの励起光波長に対するＮｄ：Ｙ
ＡＧ及びＮｄ：ＹＡｌＯ３のレーザ光出力を示すレーザ
光出力特性図である。 １．２１・・・半導体レーザ素子（ＬＤ素子）、２．２
２・・・コリメート用レンズ、３，２３・・・反射ミラ
ー、１，２ｉ・・・ｃ本発明の）発光素子、５・・・Ｎ
ｄ ： ＹＡＧロッド、６・・・Ｎｄ：ＹＡｌ０３ロッ
ド、７．２７・・・出射ミラー、８・・・ペルチェ素子
、９，２９・・・励起光、１０．３０・・・レーザ光、
１４・・・（従来の）発光素子、２５・・・Ｎｄ ：
ＹＡＧスラブ、２６・・・Ｎｄ：ＹＡｌ０３スラブ、２
８・・・反射コーティング面、３１・・・ジグザグパス
光路、Ａ・・・Ｎｄ：ＹＡＧのレーザ光出力特性、Ｂ・
・・Ｎｄ ： ＹＶＯ４のレーザ光出力特性、Ｃ・・・
Ｎｄ：ＹＡＧの透過率特性、Ｄ・・・Ｎｄ：ＹＡｌＯ：
＋の透過率特性。 １３ 第１ 図 ４ 第２図 ｚ７ 第３図 特開平３ １６３８８９ （５） 第４ 図 第５図
固体レーザ装置の概略説明図。 第２図は本発明の実施例−２を示す半導体レーザ励起形
固体レーザ装置の概略説明図。 第３図はＮｄ：ＹＡＧ及びＮｄ：ＹＡｌ０３の、光の波
長に対す光の透過率を示す透過率特性図。 第４図は従来の半導体レーザ励起形固体レーザ装置の概
略説明図。 第５図は一定エネルギーの励起光波長に対するＮｄ：Ｙ
ＡＧ及びＮｄ：ＹＡｌＯ３のレーザ光出力を示すレーザ
光出力特性図である。 １．２１・・・半導体レーザ素子（ＬＤ素子）、２．２
２・・・コリメート用レンズ、３，２３・・・反射ミラ
ー、１，２ｉ・・・ｃ本発明の）発光素子、５・・・Ｎ
ｄ ： ＹＡＧロッド、６・・・Ｎｄ：ＹＡｌ０３ロッ
ド、７．２７・・・出射ミラー、８・・・ペルチェ素子
、９，２９・・・励起光、１０．３０・・・レーザ光、
１４・・・（従来の）発光素子、２５・・・Ｎｄ ：
ＹＡＧスラブ、２６・・・Ｎｄ：ＹＡｌ０３スラブ、２
８・・・反射コーティング面、３１・・・ジグザグパス
光路、Ａ・・・Ｎｄ：ＹＡＧのレーザ光出力特性、Ｂ・
・・Ｎｄ ： ＹＶＯ４のレーザ光出力特性、Ｃ・・・
Ｎｄ：ＹＡＧの透過率特性、Ｄ・・・Ｎｄ：ＹＡｌＯ：
＋の透過率特性。 １３ 第１ 図 ４ 第２図 ｚ７ 第３図 特開平３ １６３８８９ （５） 第４ 図 第５図
Claims (1)
- １、半導体レーザ素子からの励起光を、反射ミラーと出
射ミラーとの間に位置する発光素子に照射してレーザ光
を発光し、前記反射ミラーと出射ミラーにより、前記発
光素子に前記レーザ光を往復照射して前記レーザ光を増
幅し、且つ前記出射ミラーより前記レーザ光を出射する
半導体レーザ励起形固体レーザ装置に於て、前記半導体
レーザ素子が、励起光の波長８０８ｎｍを有するネオジ
ウムイットリウムアルミニウムガーネット（Ｎｄ：ＹＡ
Ｇ）より成り、且つ前記発光素子が、波長８０８ｎｍと
８０５ｎｍに吸収ピークを有するネオジウムイットリウ
ムアルミニウムガーネット（Ｎｄ：ＹＡＧ）と、波長８
０７ｎｍと８０２ｎｍに吸収ピークを有するネオジウム
イットリウムアルミネート（Ｎｄ：ＹＡｌＯ＿３）との
組合せからなることを特徴とする半導体レーザ励起形固
体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30438989A JPH03163889A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 半導体レーザ励起形固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30438989A JPH03163889A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 半導体レーザ励起形固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03163889A true JPH03163889A (ja) | 1991-07-15 |
Family
ID=17932431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30438989A Pending JPH03163889A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 半導体レーザ励起形固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03163889A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0730172A (ja) * | 1992-07-23 | 1995-01-31 | Nippon Columbia Co Ltd | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
| JPH0730171A (ja) * | 1992-07-29 | 1995-01-31 | Nippon Columbia Co Ltd | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
-
1989
- 1989-11-21 JP JP30438989A patent/JPH03163889A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0730172A (ja) * | 1992-07-23 | 1995-01-31 | Nippon Columbia Co Ltd | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
| JPH0730171A (ja) * | 1992-07-29 | 1995-01-31 | Nippon Columbia Co Ltd | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
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