JPH0316148A - 半導体素子接続装置 - Google Patents
半導体素子接続装置Info
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- JPH0316148A JPH0316148A JP1298239A JP29823989A JPH0316148A JP H0316148 A JPH0316148 A JP H0316148A JP 1298239 A JP1298239 A JP 1298239A JP 29823989 A JP29823989 A JP 29823989A JP H0316148 A JPH0316148 A JP H0316148A
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- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明｛友 ゲートアレイやマイクロコンピュータ等の
多ビンで狭ピッチの電極を有するＬＳＩチップ（半導体
素子｝を配線基板に接続する装置に関するものである。
多ビンで狭ピッチの電極を有するＬＳＩチップ（半導体
素子｝を配線基板に接続する装置に関するものである。
従来の技術
従来の技術を第８図ａ，ｂ，ｃとともに説明すもＬＳＩ
チップの接続装置として現在用いられているものに ワ
イヤボンダー，フリップチップボンダー，フィルムキャ
リャボンダー等があも 第８図ａに ワイヤボンダーに
よる接続方式を示す。この方式１表 配線基板７４ニ
ダイボンドされたＬＳＩチップ７１のＡｔ電極８５と
配線基板７４の導体配線７５とを、加圧及び超音波振動
が付加であるボンディングキャビラリー７６を用〜ｚ
Ａｕ，Ａｌ等のボンディングワイヤ７０を１本１本接
続していくものであも 次に第８図ｂに示すのはフリッ
プチップボンダーによる接続方式であも この方式（よ
配線基板７４の導体配線７５に形成した半田ベデスタ
ル７９とＬＳＩチップ７１の半田バンプ７８を、加圧加
熱及びＬＳＩチップの真空吸着が可能なボンディングッ
ール７７にて接続し その後半田リフロ一を行うもので
あも 次に第８図Ｃに示す、フィルムキャリャボンダー
による接続方式を示す。この方式では、 フィルムキャ
リャ８１のインナーリード８２とＬＳＩチップ７ｌのＡ
ｕバンプ８３とをボンディングッール８０により、熱圧
着接続するものであも 次！．ＱＬＳＩチップをフェー
スダウンで光硬化性樹脂を用いて配線基板に固定す太
本出願人が開発したマイクロパンプボンディング方式に
ついて第８図とともに説明すも まず、第９図ａに示す
様に 金属製の配線基板設置ステージ９３に設置した配
線基板９２ニ光硬化性絶縁樹脂９０を塗布する。次に
第９図ｂに示す様＋；ＬＳＩチップ９６の突起電極９７
と配線基板９２の導体配線９１を位置合わせＬ ＬＳ
Ｉチップ９６を配線基板９２に設置した後、シリンダー
加圧により、加圧ツール９４をＬＳＩチップ９６に押し
当て、ＬＳＩチップ９６を加圧すも このＫ ＬＳＩ
チップ９６の突起電極９７と導体配線９１間の光硬化性
絶縁樹脂９０は周囲に押し広げられ 突起電極９７を導
体配線９１が接触すも この状態で、紫外線９５を照射
し 光硬化性絶縁樹脂９０を硬化すも 次に第９図Ｃに
示す様に加圧を解除する。この隊 光硬化性絶縁樹脂９
０の硬化収縮力が作用し 突起電極９７と導体配線９１
は常に圧接した状態が保持できるものであも 発明が解決しようとする課題 前述した従来の技術では次に示す欠点がある。
チップの接続装置として現在用いられているものに ワ
イヤボンダー，フリップチップボンダー，フィルムキャ
リャボンダー等があも 第８図ａに ワイヤボンダーに
よる接続方式を示す。この方式１表 配線基板７４ニ
ダイボンドされたＬＳＩチップ７１のＡｔ電極８５と
配線基板７４の導体配線７５とを、加圧及び超音波振動
が付加であるボンディングキャビラリー７６を用〜ｚ
Ａｕ，Ａｌ等のボンディングワイヤ７０を１本１本接
続していくものであも 次に第８図ｂに示すのはフリッ
プチップボンダーによる接続方式であも この方式（よ
配線基板７４の導体配線７５に形成した半田ベデスタ
ル７９とＬＳＩチップ７１の半田バンプ７８を、加圧加
熱及びＬＳＩチップの真空吸着が可能なボンディングッ
ール７７にて接続し その後半田リフロ一を行うもので
あも 次に第８図Ｃに示す、フィルムキャリャボンダー
による接続方式を示す。この方式では、 フィルムキャ
リャ８１のインナーリード８２とＬＳＩチップ７ｌのＡ
ｕバンプ８３とをボンディングッール８０により、熱圧
着接続するものであも 次！．ＱＬＳＩチップをフェー
スダウンで光硬化性樹脂を用いて配線基板に固定す太
本出願人が開発したマイクロパンプボンディング方式に
ついて第８図とともに説明すも まず、第９図ａに示す
様に 金属製の配線基板設置ステージ９３に設置した配
線基板９２ニ光硬化性絶縁樹脂９０を塗布する。次に
第９図ｂに示す様＋；ＬＳＩチップ９６の突起電極９７
と配線基板９２の導体配線９１を位置合わせＬ ＬＳ
Ｉチップ９６を配線基板９２に設置した後、シリンダー
加圧により、加圧ツール９４をＬＳＩチップ９６に押し
当て、ＬＳＩチップ９６を加圧すも このＫ ＬＳＩ
チップ９６の突起電極９７と導体配線９１間の光硬化性
絶縁樹脂９０は周囲に押し広げられ 突起電極９７を導
体配線９１が接触すも この状態で、紫外線９５を照射
し 光硬化性絶縁樹脂９０を硬化すも 次に第９図Ｃに
示す様に加圧を解除する。この隊 光硬化性絶縁樹脂９
０の硬化収縮力が作用し 突起電極９７と導体配線９１
は常に圧接した状態が保持できるものであも 発明が解決しようとする課題 前述した従来の技術では次に示す欠点がある。
（１）ワイヤボンダーによる接続方式で（よ ボンディ
ングワイヤを１本１本接続する為多ピンの場合は 非常
に長い時間を要し コストの高いものである。また ボ
ンディングキャピラリー５８は、ある程度の強度が必要
なＡ 寸帽を小さくできず接続ピッチは１５０μ程度と
、狭ピッチのＬＳＩには適さなｌ，％ （２）フリップチップボンダー及びフィルムキャリャボ
ンダーによる接続方式では、 ボンディングツール７７
． ８０を加熱する必要があるＡ ＬＳＩチップに熱
によるダメージをあたえも また 特にフィルムキャリ
ャボンダーでは３００℃〜５００℃の高温である為 ボ
ンディングッール８０の寸法安定性を必要と改 ボンデ
ィングツール８０の高価な材料を用いる為 非常にコス
トの高いものとなも（３）接続のピッチは、 フリップ
チップボンダーによる接続方式で２５０μｍ，フィルム
キャリャ方式によ・る接続方式で１００μｍ程度が限界
であり、高密度接続には適さなｔ１ （４）また各方式に必要な設備として、ワイヤボンディ
ング方式では、 ダイボンダーとワイヤボンダー、フィ
ルムキャリャ方式では、 インナーリードボンダーとア
ウターリードボンダー．フリップチップ方式では、 フ
リップチップボンダーとりフロー炉というよう番ヘ
各々２台の設備を必要とし設備費が非常に高く、コスト
の高いものであも（５）また 本発明者らの検討による
と第９図に示したマイクロバンプボンディング方式にお
いては次に示す課題があることが判明し九（１）配線基
板設置ステージ９３が金属製である為平面度が非常に悪
く、ＬＳＩチップ９６を加圧した時ニＬＳＩチップ９６
と加圧ツール９４の平行度が悪＜ＬＳＩチップ突起電極
が均等に加圧されず接続不良が発生する。（２）ＬＳＩ
チップの加圧をシリンダーで行っているＡ 設定できる
荷重の範囲は最小値から最大値で、約５倍程度と小さい
Ａ ＬＳＩチップの電極数やチップサイズの変化に対
する対応性が悪〜１ ま？．ＬＳＩチップへの衝撃加重
をなくす方法としてカムを用いる力＜ ＬＳＩチップ
や配線基板の厚みが品種により変化した場合、カムを交
換する必要があり、生産性が低Ｌ１ 加圧ツール９４
は固定式である忍 配線基板や配線基板設置ステージの
平面度の影響で、ＬＳＩチップと加圧ツールの平行度が
ズレた場合ｉ；；ＬＳＩチップの突起電極は均等に加圧
され哄 接続不良が発生する。
ングワイヤを１本１本接続する為多ピンの場合は 非常
に長い時間を要し コストの高いものである。また ボ
ンディングキャピラリー５８は、ある程度の強度が必要
なＡ 寸帽を小さくできず接続ピッチは１５０μ程度と
、狭ピッチのＬＳＩには適さなｌ，％ （２）フリップチップボンダー及びフィルムキャリャボ
ンダーによる接続方式では、 ボンディングツール７７
． ８０を加熱する必要があるＡ ＬＳＩチップに熱
によるダメージをあたえも また 特にフィルムキャリ
ャボンダーでは３００℃〜５００℃の高温である為 ボ
ンディングッール８０の寸法安定性を必要と改 ボンデ
ィングツール８０の高価な材料を用いる為 非常にコス
トの高いものとなも（３）接続のピッチは、 フリップ
チップボンダーによる接続方式で２５０μｍ，フィルム
キャリャ方式によ・る接続方式で１００μｍ程度が限界
であり、高密度接続には適さなｔ１ （４）また各方式に必要な設備として、ワイヤボンディ
ング方式では、 ダイボンダーとワイヤボンダー、フィ
ルムキャリャ方式では、 インナーリードボンダーとア
ウターリードボンダー．フリップチップ方式では、 フ
リップチップボンダーとりフロー炉というよう番ヘ
各々２台の設備を必要とし設備費が非常に高く、コスト
の高いものであも（５）また 本発明者らの検討による
と第９図に示したマイクロバンプボンディング方式にお
いては次に示す課題があることが判明し九（１）配線基
板設置ステージ９３が金属製である為平面度が非常に悪
く、ＬＳＩチップ９６を加圧した時ニＬＳＩチップ９６
と加圧ツール９４の平行度が悪＜ＬＳＩチップ突起電極
が均等に加圧されず接続不良が発生する。（２）ＬＳＩ
チップの加圧をシリンダーで行っているＡ 設定できる
荷重の範囲は最小値から最大値で、約５倍程度と小さい
Ａ ＬＳＩチップの電極数やチップサイズの変化に対
する対応性が悪〜１ ま？．ＬＳＩチップへの衝撃加重
をなくす方法としてカムを用いる力＜ ＬＳＩチップ
や配線基板の厚みが品種により変化した場合、カムを交
換する必要があり、生産性が低Ｌ１ 加圧ツール９４
は固定式である忍 配線基板や配線基板設置ステージの
平面度の影響で、ＬＳＩチップと加圧ツールの平行度が
ズレた場合ｉ；；ＬＳＩチップの突起電極は均等に加圧
され哄 接続不良が発生する。
本発明（よ マイクロボンディング方式を用いるととも
に ゲートアレイやマイクロコンピュータ，ＬＥＤアレ
ー等の狭ピッチで多ビンのＬＳＩチップの低コストな実
装を容易かつ確実に可能とする接続装置を提供すること
を目的とするものであん課題を解決するための手段 本発明（戴 前記課題を解決する為に 電極にバンプを
有したＬＳＩチップをフェースダウンにより光硬化性絶
縁樹脂（ＵＶ樹脂）により配線基板に固着し 光硬化性
絶脂の収縮力により、ＬＳＩチップのバンブと配線基板
の導体配線を圧接により接続する前述したマイクロボン
ディングを用いた実装方式の接続装置であり、その構或
は次に示す通りであも 配線基板を設置する第１のステ
ージ．ＬＳＩチップを設置する第２のステージ，光硬化
性樹脂（ＵＶ樹脂）の収納容器．ＬＳＩチップを保持す
る為の真空コレット．ＬＳＩチップと回路基板の導体配
線を位置合わせする為のカメラとモニターテレビ．ＬＳ
Ｉチップを加圧する加圧ユニット．光照射機，これらを
制御する制御回路及び制御盤を有し 制御回路により、
第１，第２のステージの移動．カメラのＸ．Ｙ方向の移
動を制御し さらに真空コレットのＸ，Ｙ．Ｚ．θ方向
の移動，加圧ユニットの加重，光照射機の照射時間を制
御することにより、前述した実装方式を実現するもので
ある。
に ゲートアレイやマイクロコンピュータ，ＬＥＤアレ
ー等の狭ピッチで多ビンのＬＳＩチップの低コストな実
装を容易かつ確実に可能とする接続装置を提供すること
を目的とするものであん課題を解決するための手段 本発明（戴 前記課題を解決する為に 電極にバンプを
有したＬＳＩチップをフェースダウンにより光硬化性絶
縁樹脂（ＵＶ樹脂）により配線基板に固着し 光硬化性
絶脂の収縮力により、ＬＳＩチップのバンブと配線基板
の導体配線を圧接により接続する前述したマイクロボン
ディングを用いた実装方式の接続装置であり、その構或
は次に示す通りであも 配線基板を設置する第１のステ
ージ．ＬＳＩチップを設置する第２のステージ，光硬化
性樹脂（ＵＶ樹脂）の収納容器．ＬＳＩチップを保持す
る為の真空コレット．ＬＳＩチップと回路基板の導体配
線を位置合わせする為のカメラとモニターテレビ．ＬＳ
Ｉチップを加圧する加圧ユニット．光照射機，これらを
制御する制御回路及び制御盤を有し 制御回路により、
第１，第２のステージの移動．カメラのＸ．Ｙ方向の移
動を制御し さらに真空コレットのＸ，Ｙ．Ｚ．θ方向
の移動，加圧ユニットの加重，光照射機の照射時間を制
御することにより、前述した実装方式を実現するもので
ある。
また 本発明において、たとえば第１のステージは、
金属プレートの第１の主面に第１の凹部を有し 前記第
１の凹部の底部に溝及び前記第１の凹部より小さい面積
の貫通孔を有し 第２の主面には前記第１の凹部を含み
前記第１の凹部と同等以上の面積を有した第２の凹部を
有し 前記第１の凹部に前記溝と一致する位置に孔を有
した石英ガラス等の透明板を有したことを特徴とすも
まなたとえば加圧ユニットは、 ステッピングモー夕，
ボールねじ，第１，第２，第３のリニアガイド及びそれ
ぞれのしゅう動板，加圧ヘッド，加圧ばね，加圧ヘッド
つり上げ用ばねを（ａＬ 前記ステッピングモータ及
び前記第１，第３のリニアガイドが本体に固定され 前
記第１のリニアガイドのしゅう動板に前記第２のリニア
ガイドが固定され 前記第２のリニアガイドのしゅう動
板の上部に第１のシャフト及びこの第１のシャフトには
め込まれた前記加圧ばねを有し 前記第３のリニアガイ
ドのしゅう動板の突出部に形成したガイド孔に前記加圧
ヘッドの上部に形成した先端部にばねどめを有した第２
のシャフトが挿入され 前記突出部と第２のシャフトの
ばねどめとの間に前記加圧ヘッドつり上げ用ばねを有し
前記ステッピングモータが駆動することにより、前記
ボールねじが回転下降し 前記第１のリニアガイドのし
ゅう動板，第２のリニアガイドのしゅう動板，第３のリ
ニアガイドのしゅう動板が第１から第３の順序で下降し
前記加圧ヘッドの下部が加圧物に接触し その後、前
記第１のリニアガイドのしゅう動板のみが下降し 前記
加圧ばねを縮めることにより、前記加圧物に加重を負荷
することを特徴とする。まな たとえば加圧ツールは、
半球状で平面部を加圧面としかつこの球面部に平面に
対し垂直方向にシャフトを有した加圧チップと、前記加
圧チップの半球部の半径より大きいほぼ半球の凹部を有
し この凹部の最底部に前記加圧チップのシャフトの径
より大きい貫通孔を有した加圧チップ受けを備え 前記
加圧チップのシャフトが前記加圧チップ受けの貫通孔に
挿入され 前記シャフトの前記貫通孔からの突出部にコ
イルばねがはめ込まれ 前記シャフトの先端部に 前記
コイルばねの径より大きい止め具を設置することにより
、前記加圧チップが前記加圧チップ受けに固定されたこ
とを特徴とすも さらにまた 加圧ツールは、 たとえ
ば半円柱状で十字状の平面部を加圧面としかつ丸みを有
した面に前記加圧面に対し垂直方向にシャフトを有した
加圧チップと、底部に貫通孔を有したＶ溝を有した加圧
チップ受けを備え 前記加圧チップのシャフトが前記加
圧チップ受けの貫通孔に挿入され 前記シャフトの前記
貫通孔からの突出部にコイルばねがはめ込まれ 前記シ
ャフトの先端部に 前記コイルばねの径より大きい止め
具を設置することにより、前記加圧チップが前記加圧チ
ップ受けに固定されたことを特徴とする。
金属プレートの第１の主面に第１の凹部を有し 前記第
１の凹部の底部に溝及び前記第１の凹部より小さい面積
の貫通孔を有し 第２の主面には前記第１の凹部を含み
前記第１の凹部と同等以上の面積を有した第２の凹部を
有し 前記第１の凹部に前記溝と一致する位置に孔を有
した石英ガラス等の透明板を有したことを特徴とすも
まなたとえば加圧ユニットは、 ステッピングモー夕，
ボールねじ，第１，第２，第３のリニアガイド及びそれ
ぞれのしゅう動板，加圧ヘッド，加圧ばね，加圧ヘッド
つり上げ用ばねを（ａＬ 前記ステッピングモータ及
び前記第１，第３のリニアガイドが本体に固定され 前
記第１のリニアガイドのしゅう動板に前記第２のリニア
ガイドが固定され 前記第２のリニアガイドのしゅう動
板の上部に第１のシャフト及びこの第１のシャフトには
め込まれた前記加圧ばねを有し 前記第３のリニアガイ
ドのしゅう動板の突出部に形成したガイド孔に前記加圧
ヘッドの上部に形成した先端部にばねどめを有した第２
のシャフトが挿入され 前記突出部と第２のシャフトの
ばねどめとの間に前記加圧ヘッドつり上げ用ばねを有し
前記ステッピングモータが駆動することにより、前記
ボールねじが回転下降し 前記第１のリニアガイドのし
ゅう動板，第２のリニアガイドのしゅう動板，第３のリ
ニアガイドのしゅう動板が第１から第３の順序で下降し
前記加圧ヘッドの下部が加圧物に接触し その後、前
記第１のリニアガイドのしゅう動板のみが下降し 前記
加圧ばねを縮めることにより、前記加圧物に加重を負荷
することを特徴とする。まな たとえば加圧ツールは、
半球状で平面部を加圧面としかつこの球面部に平面に
対し垂直方向にシャフトを有した加圧チップと、前記加
圧チップの半球部の半径より大きいほぼ半球の凹部を有
し この凹部の最底部に前記加圧チップのシャフトの径
より大きい貫通孔を有した加圧チップ受けを備え 前記
加圧チップのシャフトが前記加圧チップ受けの貫通孔に
挿入され 前記シャフトの前記貫通孔からの突出部にコ
イルばねがはめ込まれ 前記シャフトの先端部に 前記
コイルばねの径より大きい止め具を設置することにより
、前記加圧チップが前記加圧チップ受けに固定されたこ
とを特徴とすも さらにまた 加圧ツールは、 たとえ
ば半円柱状で十字状の平面部を加圧面としかつ丸みを有
した面に前記加圧面に対し垂直方向にシャフトを有した
加圧チップと、底部に貫通孔を有したＶ溝を有した加圧
チップ受けを備え 前記加圧チップのシャフトが前記加
圧チップ受けの貫通孔に挿入され 前記シャフトの前記
貫通孔からの突出部にコイルばねがはめ込まれ 前記シ
ャフトの先端部に 前記コイルばねの径より大きい止め
具を設置することにより、前記加圧チップが前記加圧チ
ップ受けに固定されたことを特徴とする。
作用
本発明の半導体素子接続装置によれＣ；＆ＬＳＩチップ
へのＵＶ樹脂の塗布，ＬＳＩチップと回路基板の位置合
わせ．ＬＳＩチップへの加圧．ＵＶ樹脂の硬化までα
ＬＳＩチップの配線基板への一連の実装プロセスを１台
の装置でチップの変化に対して対応性がよく、接続不良
少なく実施でき、また 従来の様に加熱や超音波の機構
を有さない久安い設備費で多ピン，狭ピッチＬＳＩの一
括ボンディングが実現出来るものである。
へのＵＶ樹脂の塗布，ＬＳＩチップと回路基板の位置合
わせ．ＬＳＩチップへの加圧．ＵＶ樹脂の硬化までα
ＬＳＩチップの配線基板への一連の実装プロセスを１台
の装置でチップの変化に対して対応性がよく、接続不良
少なく実施でき、また 従来の様に加熱や超音波の機構
を有さない久安い設備費で多ピン，狭ピッチＬＳＩの一
括ボンディングが実現出来るものである。
実施例
本発明の実施例を第１図〜第７図を用いて説明する。ま
ず第１図に示す接続装置全体図及び第２図に示す半導体
装置の工程別断面図を用いて説明する。まず、第２図ａ
のごとく、チップ供給ステージ１５上のチップトレー２
に設置された半導体素子すなわちＬＳＩチップ２６を、
投入コレット３にて吸着し 投入コレット３を移動させ
、アライメントロボット４の上面に移し変える。この時
、アライメントロボット４は、 規制ツール１７の位置
まで移動し 第３図に示す様に ＬＳＩチップ２６の外
形を利用し一次アライメントを行う。この時、通常ＬＳ
Ｉチップ２６の外形は±１０μ程度である忍一次アライ
メントの精度は±ｌ５μ程度となる。次に第２図ｂ，ｃ
，ｄに示す様に アライメントロボット４が上下方向に
反転し その後下降Ｌ． ＵＶ樹脂供給ユニット１２
に設置されたＵＶ樹脂２８にＬＳＩチップ２６の表面を
接触させ、その眞 アライメントロボット４は上昇する
。このＫ ＬＳＩチップ２６の表面にはＵＶ樹脂２８
が適量付着す＆ＵＶ樹脂２８のＬＳＩチップ２６表面へ
の付着量ｇ１ ＵＶ樹脂供給ユニッ｝１２に設置した
ＵＶ樹脂２８の量をコントロールすることにより、精度
よくコントロールすることができ、通！，ＵＶ樹脂量は
、 ＵＶ樹脂供給ユニット１２底面からの厚みで１０
〜５０μ程度である。次に 石英ガラスよりなる配線基
板２９が設置されたガラスステージ９がチップアライメ
ント用カメラ１１が位置する部分まで移動すも同時に
アライメントロボット４ｋ 配線基板２９のＬＳＩチッ
プ２６搭載位置まで移動し その後下降する。このＩＩ
Ｉ， ＬＳＩチップ２６と配線基板２９のギャップは
５０〜２００μ程度である。この状態を第２図ｅに示す
。
ず第１図に示す接続装置全体図及び第２図に示す半導体
装置の工程別断面図を用いて説明する。まず、第２図ａ
のごとく、チップ供給ステージ１５上のチップトレー２
に設置された半導体素子すなわちＬＳＩチップ２６を、
投入コレット３にて吸着し 投入コレット３を移動させ
、アライメントロボット４の上面に移し変える。この時
、アライメントロボット４は、 規制ツール１７の位置
まで移動し 第３図に示す様に ＬＳＩチップ２６の外
形を利用し一次アライメントを行う。この時、通常ＬＳ
Ｉチップ２６の外形は±１０μ程度である忍一次アライ
メントの精度は±ｌ５μ程度となる。次に第２図ｂ，ｃ
，ｄに示す様に アライメントロボット４が上下方向に
反転し その後下降Ｌ． ＵＶ樹脂供給ユニット１２
に設置されたＵＶ樹脂２８にＬＳＩチップ２６の表面を
接触させ、その眞 アライメントロボット４は上昇する
。このＫ ＬＳＩチップ２６の表面にはＵＶ樹脂２８
が適量付着す＆ＵＶ樹脂２８のＬＳＩチップ２６表面へ
の付着量ｇ１ ＵＶ樹脂供給ユニッ｝１２に設置した
ＵＶ樹脂２８の量をコントロールすることにより、精度
よくコントロールすることができ、通！，ＵＶ樹脂量は
、 ＵＶ樹脂供給ユニット１２底面からの厚みで１０
〜５０μ程度である。次に 石英ガラスよりなる配線基
板２９が設置されたガラスステージ９がチップアライメ
ント用カメラ１１が位置する部分まで移動すも同時に
アライメントロボット４ｋ 配線基板２９のＬＳＩチッ
プ２６搭載位置まで移動し その後下降する。このＩＩ
Ｉ， ＬＳＩチップ２６と配線基板２９のギャップは
５０〜２００μ程度である。この状態を第２図ｅに示す
。
またＵＶ樹脂２８（ヨ 第７図ａ，ｂに示すように配
線基板２９のチップ設置部上にディスベンサーノズル１
００より滴下して塗布してもよ賎 この場合アライメン
トロポットは上下方向に反転したの坂チップにＵＶ樹脂
２８を付着させることなく配線基板２９のチップ搭載位
置まで移動する。
線基板２９のチップ設置部上にディスベンサーノズル１
００より滴下して塗布してもよ賎 この場合アライメン
トロポットは上下方向に反転したの坂チップにＵＶ樹脂
２８を付着させることなく配線基板２９のチップ搭載位
置まで移動する。
ガラスステージ９ζよ ガラスステージ９が設置された
領域に 穴を有した金属製の配線基板設置ステージｌｇ
上に設置されており、ＸＹテーブルｌ９により移動すも
次にチップアライメント用カメラｌｌにより、ガラス
ステージ９の下から配線基板２９の導体配線３０とＬＳ
Ｉチップ２６のバンブ２７を、モニター１に映し出す。
領域に 穴を有した金属製の配線基板設置ステージｌｇ
上に設置されており、ＸＹテーブルｌ９により移動すも
次にチップアライメント用カメラｌｌにより、ガラス
ステージ９の下から配線基板２９の導体配線３０とＬＳ
Ｉチップ２６のバンブ２７を、モニター１に映し出す。
次に 操作パネル１４に設けたマニュブレーク２０を操
作し アライメントロボット４をｘ，ｙ，θ方向に移動
させ、ＬＳＩチップ２６のバンブ２７と、配線基板２９
の導体配線３ｏの位置合わせを行う。位置合わせが完了
した時点でＬＳＩチップ２６のバンプ２７力曳 導体配
線３ｏに接触するまでアライメントロボット４が下降し
その後ＬＳＩチップ２６の保持の為の真空を解除し
アライメントロボット４は上昇し 元の位置までもども
この隊 第２図ｆに示す様に ＬＳＩチップ２６の表
面又は基板２９上に塗布していたＵＶＩｌ１脂２８１ｉ
ＬｓＩチップ２６の周囲にまで広がるとともにＬＳＩチ
ップ２６はＵＶ樹脂２８の粘性により、配線基板２９に
仮固定される。次に 配線基板設置ステージ１８（；ｔ
， ＸＹテーブル１９の制御により移動し配線基板２
９上にあるＬＳＩチップ２６（ヨ 加圧ツール２４の
真下まで移動する。この時、ＬＳＩチップ２６と加圧ツ
ール２４の位置精度ζ友 ＸＹテーブル１９の精度及び
ＬＳＩチップ２６と配線基板２９の位置合わせ精度が加
算されたものとなり、約士数μｍ程度であも 次にステ
ッピングモータ２１を駆動させ、加圧ツール２４の底面
がＬＳＩチップ２６の裏面に接触するまで下降させる。
作し アライメントロボット４をｘ，ｙ，θ方向に移動
させ、ＬＳＩチップ２６のバンブ２７と、配線基板２９
の導体配線３ｏの位置合わせを行う。位置合わせが完了
した時点でＬＳＩチップ２６のバンプ２７力曳 導体配
線３ｏに接触するまでアライメントロボット４が下降し
その後ＬＳＩチップ２６の保持の為の真空を解除し
アライメントロボット４は上昇し 元の位置までもども
この隊 第２図ｆに示す様に ＬＳＩチップ２６の表
面又は基板２９上に塗布していたＵＶＩｌ１脂２８１ｉ
ＬｓＩチップ２６の周囲にまで広がるとともにＬＳＩチ
ップ２６はＵＶ樹脂２８の粘性により、配線基板２９に
仮固定される。次に 配線基板設置ステージ１８（；ｔ
， ＸＹテーブル１９の制御により移動し配線基板２
９上にあるＬＳＩチップ２６（ヨ 加圧ツール２４の
真下まで移動する。この時、ＬＳＩチップ２６と加圧ツ
ール２４の位置精度ζ友 ＸＹテーブル１９の精度及び
ＬＳＩチップ２６と配線基板２９の位置合わせ精度が加
算されたものとなり、約士数μｍ程度であも 次にステ
ッピングモータ２１を駆動させ、加圧ツール２４の底面
がＬＳＩチップ２６の裏面に接触するまで下降させる。
接触した後は 所定の加重がＬＳＩチップ２６に加わる
楓 更にステッピングモータを駆動させ加圧ばね２２を
所定量縮めもこの時、第２図ｈに示す様？，，ＬＳＩチ
ップ２６のバンブ２７と導体配線３０の間からＵＶ樹脂
２８は完全に排出されも 次に第２図ｈに示す様にＬＳ
Ｉチップを加圧ツール２４で加圧した状態ｎ ＵＶ樹
脂２８にＵＶ線３１を照射しＵＶ樹脂２８を硬化させる
。
楓 更にステッピングモータを駆動させ加圧ばね２２を
所定量縮めもこの時、第２図ｈに示す様？，，ＬＳＩチ
ップ２６のバンブ２７と導体配線３０の間からＵＶ樹脂
２８は完全に排出されも 次に第２図ｈに示す様にＬＳ
Ｉチップを加圧ツール２４で加圧した状態ｎ ＵＶ樹
脂２８にＵＶ線３１を照射しＵＶ樹脂２８を硬化させる
。
このＫ ＵＶ樹脂２８には硬化収縮力が作用ｕ 後に
加圧を取り去ってＬ ＬＳＩチップ２６のバンプ２７
と導体配線３０は常に接触した状態を保持すんＵＶ線３
１の照射＆上 第１図に示すＵＶ光源７で得たＵＶ線を
光ファイバー２３にてガラスステージ９の下側まで伝送
して行う。次に 第２図ｉに示す様Ｋ，ＵＶ線３１の照
射が終了したと同時に 加圧ッール２４が上昇Ｌ Ｌ
ＳＩチップ２６への加圧が解除さｔｌ，ＬＳＩチップ２
６と配線基板２９との接続が完了すも 以上の動作を、
自動で実施できる微制御回路により制御するものであり
、生産タクトを向上させる為に 投入コレット３（ｉＬ
ｓＩチップ２６をアライメントロボット４に 移し変え
た後はすぐに次に搭載するＬＳＩチップを吸著Ｌアライ
メントロボット４にＬＳＩチップを移し変える位置まで
移動すも また アライメントロボット４は、 配線基
板２９にＬＳＩチップ２６を搭載した後はもとの位置ま
でもどり、投入コレット３が運んできたＬＳＩチップ２
６を受けとり、後は、 同様の動作を行うものである。
加圧を取り去ってＬ ＬＳＩチップ２６のバンプ２７
と導体配線３０は常に接触した状態を保持すんＵＶ線３
１の照射＆上 第１図に示すＵＶ光源７で得たＵＶ線を
光ファイバー２３にてガラスステージ９の下側まで伝送
して行う。次に 第２図ｉに示す様Ｋ，ＵＶ線３１の照
射が終了したと同時に 加圧ッール２４が上昇Ｌ Ｌ
ＳＩチップ２６への加圧が解除さｔｌ，ＬＳＩチップ２
６と配線基板２９との接続が完了すも 以上の動作を、
自動で実施できる微制御回路により制御するものであり
、生産タクトを向上させる為に 投入コレット３（ｉＬ
ｓＩチップ２６をアライメントロボット４に 移し変え
た後はすぐに次に搭載するＬＳＩチップを吸著Ｌアライ
メントロボット４にＬＳＩチップを移し変える位置まで
移動すも また アライメントロボット４は、 配線基
板２９にＬＳＩチップ２６を搭載した後はもとの位置ま
でもどり、投入コレット３が運んできたＬＳＩチップ２
６を受けとり、後は、 同様の動作を行うものである。
また 本実施例でζよＬＳＩチップｌチップ毎に加圧を
行う方法について述べた力丈 複数のＬＳＩチップ２６
を配線基板２９にＵＶ樹脂の粘性により仮固定した後、
複数のＬＳＩチップ２６を同時に加圧改 ＵＶ照射する
ことも可能であも ま？ＱＬＳＩチップ２６と配線基板
２９の位置合わせは、 自動認識装置を付加することに
より、自動で行うことができる。また 配線基板２９の
ガラスステージへの設置及び取り出しｋ白動搬送装置を
付加することにより、容易に自動化ができも そして、
更に 配線基板２９がセラミック等の不透明な場合Ｃヨ
光ファイバー２３を加圧ツール２４の付近に設置ｔ
，，ＬＳＩチップ２６の側面から光照射することにより
、容易にＵＶ樹脂の硬化を行うことができも 次に 本
発明の接続装置の配線基板設置ステージ１８，加圧ユニ
ット６，加圧ツール２４の例について、第４図〜第６図
とともに説明する。まず、ガラスステージについて第４
図とともに説明すも 第４図は 第１図の接続装置全体
図で示したガラスステージ９及び配線基板設置ステージ
ｌ８のａ−ａ’断面図であも ステンレス等よりなる配
線基板設置ステージｌ８に光透過率が良好な石英よりな
るガラスステージ９を設置スる。
行う方法について述べた力丈 複数のＬＳＩチップ２６
を配線基板２９にＵＶ樹脂の粘性により仮固定した後、
複数のＬＳＩチップ２６を同時に加圧改 ＵＶ照射する
ことも可能であも ま？ＱＬＳＩチップ２６と配線基板
２９の位置合わせは、 自動認識装置を付加することに
より、自動で行うことができる。また 配線基板２９の
ガラスステージへの設置及び取り出しｋ白動搬送装置を
付加することにより、容易に自動化ができも そして、
更に 配線基板２９がセラミック等の不透明な場合Ｃヨ
光ファイバー２３を加圧ツール２４の付近に設置ｔ
，，ＬＳＩチップ２６の側面から光照射することにより
、容易にＵＶ樹脂の硬化を行うことができも 次に 本
発明の接続装置の配線基板設置ステージ１８，加圧ユニ
ット６，加圧ツール２４の例について、第４図〜第６図
とともに説明する。まず、ガラスステージについて第４
図とともに説明すも 第４図は 第１図の接続装置全体
図で示したガラスステージ９及び配線基板設置ステージ
ｌ８のａ−ａ’断面図であも ステンレス等よりなる配
線基板設置ステージｌ８に光透過率が良好な石英よりな
るガラスステージ９を設置スる。
ガラスステージ９は止め具６０により配線基板設置ステ
ージ１８に固定する。配線基板２９は、 ガラスステ
ージ２９に形成した真空孔３３と配線基板設置ステージ
ｌ８に形成した真空溝３４を用いて真空により固定され
も 配線基板設置ステージ１８；ヨ ガラスステージ
９を設置した部分と反対の部分１８′でＸＹステージに
固定される。ＵＶ線の照射は配線基板設置ステージ１８
に形成した照射孔３５かふ ガラスステージ９を通して
配線基板２９まで到達させる。次に 加圧ユニット（第
１図で示す６の部分）について第５図とともに説明する
。まずステッピングモータ２ｌが駆動されることにより
、ボールねじ３７が回転レ ボールねじ３７に固定され
た駆動ヘッド３８が下降すも それに伴１，Ｘ．駆動ヘ
ッド３８に連結された第１のしゅう動板４３が本体３６
に固定された第１のリニアガイド４５に支持されながら
下降する。
ージ１８に固定する。配線基板２９は、 ガラスステ
ージ２９に形成した真空孔３３と配線基板設置ステージ
ｌ８に形成した真空溝３４を用いて真空により固定され
も 配線基板設置ステージ１８；ヨ ガラスステージ
９を設置した部分と反対の部分１８′でＸＹステージに
固定される。ＵＶ線の照射は配線基板設置ステージ１８
に形成した照射孔３５かふ ガラスステージ９を通して
配線基板２９まで到達させる。次に 加圧ユニット（第
１図で示す６の部分）について第５図とともに説明する
。まずステッピングモータ２ｌが駆動されることにより
、ボールねじ３７が回転レ ボールねじ３７に固定され
た駆動ヘッド３８が下降すも それに伴１，Ｘ．駆動ヘ
ッド３８に連結された第１のしゅう動板４３が本体３６
に固定された第１のリニアガイド４５に支持されながら
下降する。
次に 第１のしゅう動板４３が下降することにより、加
圧爪３９が受部４０に接触し 第３のしゆう動板となる
加圧ヘッド５（よ 第３のリニアガイド４ｌに支持され
ながら下降し 加圧ツール２４の下面Ｉｔ． ＬＳＩ
チップ２６の裏面に接触す凡 その眞 ステ、，ピング
モータ２１が更に駆動されることにより、加圧ばね２２
が圧縮され 加圧ばね２２の反発力がＬＳＩチップ２６
に負荷され 所定の加重を加えも ステッピングモータ
２１の回転数を制御することにより、ＬＳＩチップ２６
に対する加重を任意にコントロールすることができ加重
範囲１；Ｌ０．１〜６０Ｋｇ程度である。まな ステッ
ピングモータ２１の回転スピードをコントロールし 加
圧ツール２４がＬＳＩチップ２６に接触する直前までは
、 速いスピードで下降させ、その後ζよ 下降スピー
ドをゆるめることにより、ＬＳＩチップ２６への衝撃加
重をなくすことができも 次番ヘ 加圧ツールを第６
図ａ，ｂとともに説明する。まｆ，ＬＳＩチップ２６が
長方形の場合（よ 第５図ａの加圧ツールを用Ｌ＼ Ｌ
ＳＩチップ２６が正方形の場合は第５図ｂの加圧ツール
を用いる。ま哄 第５図ａに示したものは超鋼等よりな
る加圧ステップ５２のアールをもった面のほぼ中央にシ
ャフト４８が固定され シャフト４８は加圧チップ受け
５０の孔５１に挿入され つり上げばね４７とはねどめ
４６により、加圧チップ５２が加圧チップ受け５０に支
持されているもので、加圧チップ受け５０の上面部４９
が加圧ヘッド（第１図に示す５）に取付けられるもので
あも 加圧チップ５２の下面部５２’ｌｉ ＬＳＩチ
ップ２６と接触する部分でその反対面はアール状になっ
ており、アール状の部分は加圧チップ受け５０と線で接
触してい４ＬＳＩチップ２６の長辺方向の平行度が加圧
チップ５２とずれている場合（よ 加圧チップ５２がＬ
ＳＩチップ２６に接続した瞬間に加圧チップ５２のアー
ル状の部分がローリングし 加圧チップ５２の下面部５
２゜＋ｉＬＳＩチップ２６の裏面に均等に接触Ｌ Ｌ
ＳＩチツプ２６のバンプ２７は均等に加圧される。また
第５図ｂに示した加圧ツール（戴 半球状の加圧チッ
プ５８の球面部分の中央にシャフト５６が取り付けら札
加圧チップ受け５３の孔５７にシャフト５６が挿入さ
れつり上げばね５５とばねどめ５４により、加圧チップ
５８が加圧チップ受け５７に支持されたもので、第５図
３で示した加圧ヘッドと同様に加圧チップ５８の球面部
分がローリングＬ，ＬＳＩチップ２６のバンプ２７を均
等に加圧するものである。この様に 本発明にょム 接
続装置を用いることにより、一台の装置で回路基板のＬ
ＳＩチップの実装ができ、設備費が非常に安く、低コス
トな実装を提供することができも 発明の効果 本発明による接続装置は次に示す効果があも（１）ＬＳ
Ｉチップを光硬化性の絶縁性樹脂（ＵＶ樹脂）のみで、
回路基板に接続する忍 接続ピッチを非常に小さくする
ことができ、か１ 従来のように 加熱や超音波の機構
を必要としないＡ 構戊部品の劣化が少なく、また 設
備の価格を非常に安くした状態で高密度な実装ができも
（２）１台の設備玄 ＬＳＩチップの回路基板への実装
が可能であるＡ 実装に要する設備費が安く、低コスト
な実装が実現できも （３）本発明の接続装置で（よ 回路基板を設置するス
テージにガラスを用いることにより、平面度が非常に良
好となり、ＬＳＩチ、，ブの加圧の際＋；ＬＳＩチップ
と加圧ツールの平行度が非常に良好となるＡ バンプは
均等に加圧され 歩留りが向上する。
圧爪３９が受部４０に接触し 第３のしゆう動板となる
加圧ヘッド５（よ 第３のリニアガイド４ｌに支持され
ながら下降し 加圧ツール２４の下面Ｉｔ． ＬＳＩ
チップ２６の裏面に接触す凡 その眞 ステ、，ピング
モータ２１が更に駆動されることにより、加圧ばね２２
が圧縮され 加圧ばね２２の反発力がＬＳＩチップ２６
に負荷され 所定の加重を加えも ステッピングモータ
２１の回転数を制御することにより、ＬＳＩチップ２６
に対する加重を任意にコントロールすることができ加重
範囲１；Ｌ０．１〜６０Ｋｇ程度である。まな ステッ
ピングモータ２１の回転スピードをコントロールし 加
圧ツール２４がＬＳＩチップ２６に接触する直前までは
、 速いスピードで下降させ、その後ζよ 下降スピー
ドをゆるめることにより、ＬＳＩチップ２６への衝撃加
重をなくすことができも 次番ヘ 加圧ツールを第６
図ａ，ｂとともに説明する。まｆ，ＬＳＩチップ２６が
長方形の場合（よ 第５図ａの加圧ツールを用Ｌ＼ Ｌ
ＳＩチップ２６が正方形の場合は第５図ｂの加圧ツール
を用いる。ま哄 第５図ａに示したものは超鋼等よりな
る加圧ステップ５２のアールをもった面のほぼ中央にシ
ャフト４８が固定され シャフト４８は加圧チップ受け
５０の孔５１に挿入され つり上げばね４７とはねどめ
４６により、加圧チップ５２が加圧チップ受け５０に支
持されているもので、加圧チップ受け５０の上面部４９
が加圧ヘッド（第１図に示す５）に取付けられるもので
あも 加圧チップ５２の下面部５２’ｌｉ ＬＳＩチ
ップ２６と接触する部分でその反対面はアール状になっ
ており、アール状の部分は加圧チップ受け５０と線で接
触してい４ＬＳＩチップ２６の長辺方向の平行度が加圧
チップ５２とずれている場合（よ 加圧チップ５２がＬ
ＳＩチップ２６に接続した瞬間に加圧チップ５２のアー
ル状の部分がローリングし 加圧チップ５２の下面部５
２゜＋ｉＬＳＩチップ２６の裏面に均等に接触Ｌ Ｌ
ＳＩチツプ２６のバンプ２７は均等に加圧される。また
第５図ｂに示した加圧ツール（戴 半球状の加圧チッ
プ５８の球面部分の中央にシャフト５６が取り付けら札
加圧チップ受け５３の孔５７にシャフト５６が挿入さ
れつり上げばね５５とばねどめ５４により、加圧チップ
５８が加圧チップ受け５７に支持されたもので、第５図
３で示した加圧ヘッドと同様に加圧チップ５８の球面部
分がローリングＬ，ＬＳＩチップ２６のバンプ２７を均
等に加圧するものである。この様に 本発明にょム 接
続装置を用いることにより、一台の装置で回路基板のＬ
ＳＩチップの実装ができ、設備費が非常に安く、低コス
トな実装を提供することができも 発明の効果 本発明による接続装置は次に示す効果があも（１）ＬＳ
Ｉチップを光硬化性の絶縁性樹脂（ＵＶ樹脂）のみで、
回路基板に接続する忍 接続ピッチを非常に小さくする
ことができ、か１ 従来のように 加熱や超音波の機構
を必要としないＡ 構戊部品の劣化が少なく、また 設
備の価格を非常に安くした状態で高密度な実装ができも
（２）１台の設備玄 ＬＳＩチップの回路基板への実装
が可能であるＡ 実装に要する設備費が安く、低コスト
な実装が実現できも （３）本発明の接続装置で（よ 回路基板を設置するス
テージにガラスを用いることにより、平面度が非常に良
好となり、ＬＳＩチ、，ブの加圧の際＋；ＬＳＩチップ
と加圧ツールの平行度が非常に良好となるＡ バンプは
均等に加圧され 歩留りが向上する。
（４）本発明の接続装置の加圧ユニット（よ ステッピ
ングモー夕と加圧ばねにより、ＬＳＩチップへの加圧を
行っている為 加圧ヘッドの下降スピードのコントロー
ル１よ ステッピングモータの回転数を制御盤の操作で
変えることにより容易に行うことができ、機種きりかえ
にともなうＬＳＩチップや配線基板の厚みの変化に対し
て即座に対応でき、生産性が向上すも また 加重設定
の範囲を、最小値から最大値で約６００倍と非常に大き
くとれるａ 電極数の異なるＬＳＩへの機種きりかえが
非常に容易になり生産性が大きく向上する。
ングモー夕と加圧ばねにより、ＬＳＩチップへの加圧を
行っている為 加圧ヘッドの下降スピードのコントロー
ル１よ ステッピングモータの回転数を制御盤の操作で
変えることにより容易に行うことができ、機種きりかえ
にともなうＬＳＩチップや配線基板の厚みの変化に対し
て即座に対応でき、生産性が向上すも また 加重設定
の範囲を、最小値から最大値で約６００倍と非常に大き
くとれるａ 電極数の異なるＬＳＩへの機種きりかえが
非常に容易になり生産性が大きく向上する。
（５）加圧ツールに ローリング機構を用いることがで
き、ＬＳＩチップへのバンプへの加重が常に均等に負荷
され非常に品質が安定する。以上のように本発明により
、高品質で高密度かつ低コストのＬＳＩ実装を実現でき
、ＬＳＩ実装の工業的価値増大に寄与する。
き、ＬＳＩチップへのバンプへの加重が常に均等に負荷
され非常に品質が安定する。以上のように本発明により
、高品質で高密度かつ低コストのＬＳＩ実装を実現でき
、ＬＳＩ実装の工業的価値増大に寄与する。
第１図は半導体素子接続装置の一実施例の全体概略は
第２図は本発明に基づく工程別断面は第３図は規制ツー
ル部の拡大斜視は 第４図は配線基板設置ステージ部の
詳細断面は 第５図は加圧ユニット部の詳細斜視は 第
６図は加圧ツール部の斜視図，断面は 第７図は本発明
において基板側に樹脂を塗布する場合の断面は 第８図
は従来のボンディング技術の断面は 第９図はマイクロ
バンプボンディング方式の工程断面図である。
第２図は本発明に基づく工程別断面は第３図は規制ツー
ル部の拡大斜視は 第４図は配線基板設置ステージ部の
詳細断面は 第５図は加圧ユニット部の詳細斜視は 第
６図は加圧ツール部の斜視図，断面は 第７図は本発明
において基板側に樹脂を塗布する場合の断面は 第８図
は従来のボンディング技術の断面は 第９図はマイクロ
バンプボンディング方式の工程断面図である。
Claims (6)
- （１）回路基板を設置する第１のステージ、半導体素子
を設置する第２のステージ、前記半導体素子の固着に用
いる光硬化性の絶縁性樹脂の収納容器、前記半導体素子
を真空吸着する為の真空コレット、前記半導体素子の電
極と前記回路基板の導体配線を位置合わせする為のカメ
ラとモニターテレビ、前記半導体素子を加圧する加圧ユ
ニット、前記絶縁性樹脂を硬化する光照射機構、これら
を制御する制御部を有し、前記制御部により前記第１の
ステージ、前記第２のステージ、前記カメラ、前記真空
コレットの移動、前記加圧ユニットの加重、前記光照射
機構の照射時間を制御することにより、前記半導体素子
を前記回路基板に前記絶縁性樹脂により固着し、前記半
導体素子の電極と前記回路基板の導体配線を電気的に接
続することを特徴とする半導体素子接続装置。 - （２）第１のステージは、金属プレートの第１の主面に
第１の凹部を有し、前記第１の凹部の底部に溝及び前記
第１の凹部より小さい面積の貫通孔を有し、第２の主面
には前記第１の凹部を含み前記第１の凹部と同等以上の
面積を有した第２の凹部を有し、前記第１の凹部に前記
溝と一致する位置に孔を有した透明板を有したことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体素子接続装
置 - （３）透明板が石英ガラスであることを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載の半導体素子接続装置 - （４）加圧ユニットは、ステッピングモータ、ボールね
じ、第１、第２、第３のリニアガイド及びそれぞれのし
ゅう動板、加圧ヘッド、加圧ばね、加圧ヘッドつり上げ
用ばねを備え、前記ステッピングモータ及び前記第１、
第３のリニアガイドが本体に固定され 前記第１のリニ
アガイドのしゅう動板に前記第２のリニアガイドが固定
され 前記第２のリニアガイドのしゅう動板の上部に第
１のシャフト及びこの第１のシャフトにはめ込まれた前
記加圧ばねを有し、前記第３のリニアガイドのしゅう動
板の突出部に形成したガイド孔に前記加圧ヘッドの上部
に形成した先端部にばねどめを有した第２のシャフトが
挿入され 前記突出部と第２のシャフトのばねどめとの
間に前記加圧ヘッドつり上げ用ばねを有し、前記ステッ
ピングモータが駆動することにより、前記ボールねじが
回転下降し、前記第１のリニアガイドのしゅう動板、第
２のリニアガイドのしゅう動板、第３のリニアガイドの
しゅう動板が第１から第３の順序で下降し、前記加圧ヘ
ッドの下部が加圧物に接触し、その後、前記第１のリニ
アガイドのしゅう動板のみが下降し、前記加圧ばねを縮
めることにより、前記加圧物に加重を負荷することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体素子接続装
置。 - （５）加圧ツールは、半球状で平面部を加圧面としかつ
この球面部に平面に対し垂直方向にシャフトを有した加
圧チップと、前記加圧チップの半球部の半径より大きい
ほぼ半球の凹部を有し、この凹部の最底部に前記加圧チ
ップのシャフトの径より大きい貫通孔を有した加圧チッ
プ受けを備え前記加圧チップのシャフトが前記加圧チッ
プ受けの貫通孔に挿入され 前記シャフトの前記貫通孔
からの突出部にコイルばねがはめ込まれ 前記シャフト
の先端部に、前記コイルばねの径より大きい止め具を設
置することにより、前記加圧チップが前記加圧チップ受
けに固定されたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体素子接続装置。 - （６）加圧ツールは、半円柱状で十字状の平面部を加圧
面としかつ丸みを有した面に、前記加圧面に対し垂直方
向にシャフトを有した加圧チップと、底部に貫通孔を有
したＶ溝を有した加圧チップ受けを備え、前記加圧チッ
プのシャフトが前記加圧チップ受けの貫通孔に挿入され
、前記シャフトの前記貫通孔からの突出部にコイルばね
がはめ込まれ、前記シャフトの先端部に、前記コイルば
ねの径より大きい止め具を設置することにより、前記加
圧チップが前記加圧チップ受けに固定されたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体素子接続装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1298239A JPH0680704B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-11-16 | 半導体素子接続装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7756689 | 1989-03-28 | ||
| JP1-77566 | 1989-03-28 | ||
| JP1298239A JPH0680704B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-11-16 | 半導体素子接続装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0316148A true JPH0316148A (ja) | 1991-01-24 |
| JPH0680704B2 JPH0680704B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=26418644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1298239A Expired - Fee Related JPH0680704B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-11-16 | 半導体素子接続装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680704B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0642157A1 (fr) * | 1993-09-06 | 1995-03-08 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé d'assemblage de composants par collage |
-
1989
- 1989-11-16 JP JP1298239A patent/JPH0680704B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0642157A1 (fr) * | 1993-09-06 | 1995-03-08 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé d'assemblage de composants par collage |
| FR2709871A1 (fr) * | 1993-09-06 | 1995-03-17 | Commissariat Energie Atomique | Procédé d'assemblage de composants par hybridation et collage. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0680704B2 (ja) | 1994-10-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |