JPH03151657A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH03151657A JPH03151657A JP1290216A JP29021689A JPH03151657A JP H03151657 A JPH03151657 A JP H03151657A JP 1290216 A JP1290216 A JP 1290216A JP 29021689 A JP29021689 A JP 29021689A JP H03151657 A JPH03151657 A JP H03151657A
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- semiconductor element
- dielectric constant
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Classifications
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子機器に用いられる半導体装置に関するもの
である。
である。
従来の技術
近年、通信情報網が広がり、ＣＡＴＶ、衛星放送、衛星
通信などのニューメディアが注目され、さらにコンピュ
ータの活用化が広く行われている。これらニューメディ
アは高周波化され、コンピュータは高速化されつつあり
、それに用いられる半導体素子の高周波化、高速化が望
まれる。
通信などのニューメディアが注目され、さらにコンピュ
ータの活用化が広く行われている。これらニューメディ
アは高周波化され、コンピュータは高速化されつつあり
、それに用いられる半導体素子の高周波化、高速化が望
まれる。
特に、これら衛星を使う通信は１０Ｇ〜３０ Ｇ Ｈｚ
といった高周波が用いられ、通常用いられる８１半導体
でなく、ＧａＡｓ化合物半導体が用いられている。パッ
ケージも高速化、高周波化にともない、低損失で、高速
化に対応できるものが用いられている。
といった高周波が用いられ、通常用いられる８１半導体
でなく、ＧａＡｓ化合物半導体が用いられている。パッ
ケージも高速化、高周波化にともない、低損失で、高速
化に対応できるものが用いられている。
第３図に従来のプラスチック・パッケージの断面図を示
す。プラスチック・パッケージは安価で、１〜２ＧＨｚ
までの周波数で広く使われている。リード・コム１上に
半導体素子２を接着し、ワイヤー３で配線される。これ
をプラスチック５でおおい、金型で整形される。リード
・コム１は銅などの上に銀メツキあるいは金メツキされ
使われる。半導体素子２はＳｉやＧａＡｓ等のＩｃＬＳ
Ｉ、 ディスクリート石が用いられる。ワイヤーは、
アルミや金線が用いられる。ところでこのパッケージは
、１〜２ＧＨｚまでの周波数までしか用いられない欠点
がある。これは、プラスチックが比誘電率５程度と大き
く、プラスチックが原因となる浮遊容量が１〜２ＧＨｚ
以上の高周波で無視できず、著しく特性を悪化させるか
らである。
す。プラスチック・パッケージは安価で、１〜２ＧＨｚ
までの周波数で広く使われている。リード・コム１上に
半導体素子２を接着し、ワイヤー３で配線される。これ
をプラスチック５でおおい、金型で整形される。リード
・コム１は銅などの上に銀メツキあるいは金メツキされ
使われる。半導体素子２はＳｉやＧａＡｓ等のＩｃＬＳ
Ｉ、 ディスクリート石が用いられる。ワイヤーは、
アルミや金線が用いられる。ところでこのパッケージは
、１〜２ＧＨｚまでの周波数までしか用いられない欠点
がある。これは、プラスチックが比誘電率５程度と大き
く、プラスチックが原因となる浮遊容量が１〜２ＧＨｚ
以上の高周波で無視できず、著しく特性を悪化させるか
らである。
例えば、１２ＧＨｚでは利得が３〜５ｄＢも落ちる欠点
がある。
がある。
第４図に従来のセラミック・パッケージの断面図を示す
。セラミック・ケース６にリード７がとりつけられ、半
導体素子２はこのケースに接着される。そして、ワイヤ
ー３で配線を行い、セラミック・ケース内に窒素、グリ
ーン・ガスあるいは空気を入れた状態でふた８をして封
止する。セラミックには通常、アルミナが用いられ、リ
ード７には銅に金メツキしたもの等が用いられる。ワイ
ヤー３は金線、もしくはアルミ線である。
。セラミック・ケース６にリード７がとりつけられ、半
導体素子２はこのケースに接着される。そして、ワイヤ
ー３で配線を行い、セラミック・ケース内に窒素、グリ
ーン・ガスあるいは空気を入れた状態でふた８をして封
止する。セラミックには通常、アルミナが用いられ、リ
ード７には銅に金メツキしたもの等が用いられる。ワイ
ヤー３は金線、もしくはアルミ線である。
ふた８は、セラミック又は金属が用いられる。
このセラミック・パッケージは半導体素子上がプラスチ
ックでおおわれずに気体であるため、浮遊容量が小さく
、高周波化、高速化に最適である。例えば、１０ＧＨｚ
以上の周波数で用いられるＧａＡｓ半導体素子等はほと
んどこのセラミンク・パッケージが用いられる。
ックでおおわれずに気体であるため、浮遊容量が小さく
、高周波化、高速化に最適である。例えば、１０ＧＨｚ
以上の周波数で用いられるＧａＡｓ半導体素子等はほと
んどこのセラミンク・パッケージが用いられる。
しかしながら、このセラミック・パッケージはプラスチ
ック・パッケージの数百倍ものコストがかかる大きな欠
点を有していた。
ック・パッケージの数百倍ものコストがかかる大きな欠
点を有していた。
発明が解決しようとする課題
上記のように、従来のプラスチック・パッケージでは浮
遊容量が大きく、高周波では特性悪化のため、用いるこ
とのできない欠点を有していた。
遊容量が大きく、高周波では特性悪化のため、用いるこ
とのできない欠点を有していた。
また、高周波で用いられるセラミック・パッケージは、
プラスチック・パッケージの数百倍もコストがかかる欠
点を有していた。
プラスチック・パッケージの数百倍もコストがかかる欠
点を有していた。
本発明は、上記欠点に鑑み、非常に浮遊容量が小さく、
きわめてコストの低い半導体装置を提供するものである
。
きわめてコストの低い半導体装置を提供するものである
。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置は、金
属コムにとりつけられた半導体素子上のプラスチックと
半導体素子間に、プラスチックより比誘電率が低く、空
気より高い比誘電率の絶縁物質をはさんで構成されてい
る。
属コムにとりつけられた半導体素子上のプラスチックと
半導体素子間に、プラスチックより比誘電率が低く、空
気より高い比誘電率の絶縁物質をはさんで構成されてい
る。
作用
この構成により、浮遊容量を減少し、高周波時性を悪化
させず、しかもセラミック・ノぐ・ソケージに比べて数
百骨の−のコストにできる。
させず、しかもセラミック・ノぐ・ソケージに比べて数
百骨の−のコストにできる。
実施例
以下に本発明の一実施例について図を参照しながら説明
する。
する。
第１図は、本発明の一実施例における半導体装置の断面
図である。第２図は本発明の半導体装置を上からみた構
造図である。リード・コム１上に半導体素子２を銀ペー
ストやＡ ｕ −、Ｓ ｎ ／％ ７ダ等でとりつけ、
ワイヤー３で配線する。さらに、本発明の特徴である絶
縁物質４で、半導体素子２をおおい、プラスチック５で
半導体全体を封止する。リード・コム１は銅なとの金属
に銀や金メ・ツキしたものが用いられた。半導体素子２
はＳｉやＧａＡｓ等のＩＣ，ＬＳＩ、ディスクリート石
が用いられる。ワイヤー３には、ＡＩやＡｕのワイヤー
が用いられる。本発明の絶縁物質４としては、比誘電率
が１〜３程度で、高周波でもｔａｎδの低い有機材料が
適切である。プラスチック５は、通常、比誘電率が５程
度であり、高周波でのｔａｎδも大きく、損失が大きい
が、これより比誘電率が低く、理想的な空気より高い絶
縁材料で半導体素子をおおうことで、半導体素子に寄生
する浮遊容量を減らし、帰還効果を減少させることによ
って、プラスチック・パッケージ入り半導体素子の電気
的特性を向上させるものである。特に、高周波や高速動
作で効果があり、封止剤のプラスチックで半導体全体を
おおう従来の半導体装置に対し、本発明の半導体装置で
は、１２ＧＩｋ帯では、利得が２〜４ｄＢも改善され、
非常に大きな効果がある。例えば、雑音指数についても
１２ＧＨｚ帯で、０．１〜０．２ ｄ Ｂの差が特性を
左右するＨＥＭＴ素子に対して、０．２〜０．３ ｄ
Ｂも改善できる。又、このように特性の悪化があったた
め、１〜２ＧＨｚまでしか用いられなかったプラスチッ
ク・パッケージを１０ＧＨｚ以上の高周波でも用いるこ
とが可能になる。
図である。第２図は本発明の半導体装置を上からみた構
造図である。リード・コム１上に半導体素子２を銀ペー
ストやＡ ｕ −、Ｓ ｎ ／％ ７ダ等でとりつけ、
ワイヤー３で配線する。さらに、本発明の特徴である絶
縁物質４で、半導体素子２をおおい、プラスチック５で
半導体全体を封止する。リード・コム１は銅なとの金属
に銀や金メ・ツキしたものが用いられた。半導体素子２
はＳｉやＧａＡｓ等のＩＣ，ＬＳＩ、ディスクリート石
が用いられる。ワイヤー３には、ＡＩやＡｕのワイヤー
が用いられる。本発明の絶縁物質４としては、比誘電率
が１〜３程度で、高周波でもｔａｎδの低い有機材料が
適切である。プラスチック５は、通常、比誘電率が５程
度であり、高周波でのｔａｎδも大きく、損失が大きい
が、これより比誘電率が低く、理想的な空気より高い絶
縁材料で半導体素子をおおうことで、半導体素子に寄生
する浮遊容量を減らし、帰還効果を減少させることによ
って、プラスチック・パッケージ入り半導体素子の電気
的特性を向上させるものである。特に、高周波や高速動
作で効果があり、封止剤のプラスチックで半導体全体を
おおう従来の半導体装置に対し、本発明の半導体装置で
は、１２ＧＩｋ帯では、利得が２〜４ｄＢも改善され、
非常に大きな効果がある。例えば、雑音指数についても
１２ＧＨｚ帯で、０．１〜０．２ ｄ Ｂの差が特性を
左右するＨＥＭＴ素子に対して、０．２〜０．３ ｄ
Ｂも改善できる。又、このように特性の悪化があったた
め、１〜２ＧＨｚまでしか用いられなかったプラスチッ
ク・パッケージを１０ＧＨｚ以上の高周波でも用いるこ
とが可能になる。
発明の効果
以上のように、金属コムにとりつけられた半導体素子上
のプラスチックと半導体素子間に、プラスチソクより比
誘電率が低く空気より高い絶縁物質を存在させることに
より、高周波での利得と雑音指数の大幅な向上か可能に
なる上、従来、１〜２ＧＨｚまでしか用いられなかった
プラスチック・パッケージの周波数上限を１０倍以上改
善し、１０ＧＨｚ以上でも使用可能になる。特に１２Ｇ
Ｈｚ帯では従来のプラスチック・パッケージ半導体装置
が３〜５ｄＢも利得が落ちていたものを２〜４ｄＢも改
善し、１ｄＢ程度の利得の損失にまで低減できる。
のプラスチックと半導体素子間に、プラスチソクより比
誘電率が低く空気より高い絶縁物質を存在させることに
より、高周波での利得と雑音指数の大幅な向上か可能に
なる上、従来、１〜２ＧＨｚまでしか用いられなかった
プラスチック・パッケージの周波数上限を１０倍以上改
善し、１０ＧＨｚ以上でも使用可能になる。特に１２Ｇ
Ｈｚ帯では従来のプラスチック・パッケージ半導体装置
が３〜５ｄＢも利得が落ちていたものを２〜４ｄＢも改
善し、１ｄＢ程度の利得の損失にまで低減できる。
また、１〜２ＧＨｚ以上で従来用いられていたセラミッ
ク・バソケーン半導体装置の数百分の−のコストに下げ
ることが可能な効果かあり、その実用的効果は絶大なも
のがある。
ク・バソケーン半導体装置の数百分の−のコストに下げ
ることが可能な効果かあり、その実用的効果は絶大なも
のがある。
第１図は本発明の実施例における半導体装置の断面図、
第２図は本発明の実施例における半導体装置の上から見
た構造図、第３図は従来のプラスチック・パッケージ半
導体装置の断面図、第４図は従来のセラミック・バソケ
ーン半導体装置の断面図である。 １・・・・・リード・コム、２・・・・・・半導体素子
、３・ワイヤー、４・・・・・・絶縁物質、５・・・・
・・プラスチック、６・・・・・・セラミック・ケース
、７・・・・・・リ−１・、８・・・・・・ふた。
第２図は本発明の実施例における半導体装置の上から見
た構造図、第３図は従来のプラスチック・パッケージ半
導体装置の断面図、第４図は従来のセラミック・バソケ
ーン半導体装置の断面図である。 １・・・・・リード・コム、２・・・・・・半導体素子
、３・ワイヤー、４・・・・・・絶縁物質、５・・・・
・・プラスチック、６・・・・・・セラミック・ケース
、７・・・・・・リ−１・、８・・・・・・ふた。
Claims (1)
- 金属コムにとりつけられた半導体素子上の封止用プラ
スチックと前記半導体素子間に、前記プラスチックより
、比誘電率が低く、空気より比誘電率の高い絶縁物質の
存在することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1290216A JPH03151657A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1290216A JPH03151657A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03151657A true JPH03151657A (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=17753258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1290216A Pending JPH03151657A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03151657A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5382829A (en) * | 1992-07-21 | 1995-01-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Packaged microwave semiconductor device |
| EP0637075A1 (en) * | 1993-07-27 | 1995-02-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device sealed with molded resin |
-
1989
- 1989-11-08 JP JP1290216A patent/JPH03151657A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5382829A (en) * | 1992-07-21 | 1995-01-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Packaged microwave semiconductor device |
| US5534727A (en) * | 1992-07-21 | 1996-07-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| EP0637075A1 (en) * | 1993-07-27 | 1995-02-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device sealed with molded resin |
| US5717232A (en) * | 1993-07-27 | 1998-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device sealed with molded resin |
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