JPH03148961A - Voltage impression method for self scanning-type image sensor device - Google Patents
Voltage impression method for self scanning-type image sensor deviceInfo
- Publication number
- JPH03148961A JPH03148961A JP1286975A JP28697589A JPH03148961A JP H03148961 A JPH03148961 A JP H03148961A JP 1286975 A JP1286975 A JP 1286975A JP 28697589 A JP28697589 A JP 28697589A JP H03148961 A JPH03148961 A JP H03148961A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- diode
- photodiode
- scanning
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract description 7
- 238000003491 array Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、例えばファクシミリ装置やイメージスキャ
ナなどの光学式画像読取装置に用いられる自己走査型イ
メージセンサ装置を構成するホトダイオードアレイを、
入力される１つののこぎり歯電圧にて走査するための自
己走査型イメージセンナ装置の電圧印加方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Industrial Application Field The present invention relates to a photodiode array constituting a self-scanning image sensor device used in an optical image reading device such as a facsimile machine or an image scanner.
The present invention relates to a voltage application method for a self-scanning image sensor device for scanning with one input sawtooth voltage.
（ロ）従来の技術
従来、この種の自己走査型イメージセンナ装置は、第３
図に示すように、同一の順方向特性を有するダイオード
Ｄ、〜Ｄｌｌ、を直列接続し、それぞれのダイオードＤ
、〜ＤｓｏのカソードとグランドＧＮＤ間に、抵抗Ｒ，
〜Ｒ，。と、抵抗Ｒ，〜Ｒ，。(b) Conventional technology Conventionally, this type of self-scanning image sensor device
As shown in the figure, diodes D, ~Dll, having the same forward characteristics are connected in series, and each diode D
, ~A resistor R, between the cathode of Dso and the ground GND,
~R,. and resistance R, ~R,.
とダイオードＤＩｌ〜Ｄ、ｌ、との直列回路とを接続し
て構成される走査回路ＳＣと、ホトダイオードＤｔ＋−
Ｄｓｅ及びブロッキングダイオードＤ３１〜Ｄ４゜にて
構成されるホトダイオードアレイＰＤＡとからなる。そ
して、それぞれのダイオードＤＩｌ〜Ｄｔａのアノード
から、ホトダイオードアレイＰＤＡのそれぞれのホトダ
イオードアレイＩ）ｓｏに走査電圧が出力される。Ｄ
３１〜Ｄ４゜はブロッキングダイオードである。and a series circuit of diodes DIl-D,l, and a photodiode Dt+-.
Dse and a photodiode array PDA composed of blocking diodes D31 to D4°. Then, a scanning voltage is output from the anodes of the respective diodes DIl to Dta to the respective photodiode arrays I)so of the photodiode array PDA. D
31 to D4 degrees are blocking diodes.
このような回路構成において、ダイオードＤＩのアノー
ドにのこぎり歯電圧Ｙｄｒを印加する。それぞれのダイ
オードＤ１〜Ｄ、。のしき−１値電圧をＶＰとすると、
先ずのこぎり歯電圧Ｖｄｒを出力する駆動電源の電圧が
しきい値電圧ＶＦを越えるとダイオードＤ、がＯＮｔ、
、ダイオードＤ１のカソード側に電圧が現れる。次に、
駆動電源の電圧が２倍のしきい値電圧２Ｖｒに達すると
、ダイオードＤ。In such a circuit configuration, a sawtooth voltage Ydr is applied to the anode of the diode DI. Respective diodes D1-D,. If the threshold-1 value voltage is VP, then
First, when the voltage of the drive power supply that outputs the sawtooth voltage Vdr exceeds the threshold voltage VF, the diode D turns ON.
, a voltage appears on the cathode side of diode D1. next,
When the voltage of the drive power supply reaches twice the threshold voltage 2Vr, the diode D.
がＯＮする。以後ダイオードＤ、。まで順次ダイオード
Ｄ３〜ＤＩ。ｈ ＯＮ していく。又、ダイオードＤ
Ｉ＋ ”＝ Ｄ ｔ。のしきい値電圧もＶｒとすると、
ダイオードＤ、のカソード側に現れた電圧ＶＰＩは、ダ
イオードＤ １１のアノード側接続点Ｐ、では徐々に上
昇していきダイオードＤ１．のしきい値電圧ＶＦで飽和
する。次段のダイオードＤＩ！のアノード側接続点Ｐ１
でも電圧Ｖｐｔはしきい値電圧ｖ２で飽和し、さらにそ
れぞれのダイオードＤ Ｉ３〜Ｄ、。のアノード側接続
点Ｐ３〜ＰＩ０に現れる電圧波形は順次ＯＮＬ、ていき
、その電圧Ｖｐｔはしきい値電圧ＶＦで飽和することに
なる。このダイオードＤ。turns on. Hereafter, diode D. diodes D3 to DI sequentially. h I'm going to turn it on. Also, diode D
If the threshold voltage of I+ ”=D t. is also Vr, then
The voltage VPI appearing on the cathode side of the diode D gradually rises at the anode side connection point P of the diode D11, and the voltage VPI appears on the cathode side of the diode D1. It is saturated at the threshold voltage VF of . Next stage diode DI! Anode side connection point P1 of
Even the voltage Vpt is saturated at the threshold voltage v2, and further the respective diodes DI3-D,. The voltage waveform appearing at the anode side connection points P3 to PI0 is successively ONL, and the voltage Vpt is saturated at the threshold voltage VF. This diode D.
〜Ｄ、。のアノード側接続点Ｐ、−Ｐ、、の電圧波形を
第４図に示す。この時ののこぎり歯電圧Ｖｄｒのランプ
レートを一定であるとすれば、接続点Ｐ。~D. FIG. 4 shows the voltage waveforms at the anode side connection points P, -P, . If the ramp rate of the sawtooth voltage Vdr at this time is constant, the connection point P.
の電圧ＶＰｓが飽和する時刻と接続点Ｐ、に電圧ＶＰｔ
が現れる時刻は同じであ−リ、各接続点Ｐ、〜Ｐ、。の
スイッチングはその前段の接続点の電圧がしきい値電圧
Ｖｒに達してから、次段の接続点の電圧が立ち上がるの
で分離の良好な特性となる。At the time when the voltage VPs of is saturated and the voltage VPt at the connection point P
appear at the same time at each connection point P, ~P,. In this switching, the voltage at the connection point in the next stage rises after the voltage at the connection point in the previous stage reaches the threshold voltage Vr, resulting in good isolation characteristics.
このしきい値電圧ｖＦをホトダイオードへの逆バイアス
電圧として使用することで、￥ホトダイオードアレイＤ
３４１を順次駆動させて原稿の読み取りを行う。By using this threshold voltage vF as a reverse bias voltage to the photodiode, the photodiode array D
341 are sequentially driven to read the original.
（ハ）発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記の従来例では、ホトダイオードアレ
イＤ３゜とホトダイオードアレイＤ３゜にカソードを共
通として直列接続されているプロブキングダイオードＤ
、〜Ｄ４゜との間にホトダイオードに対して逆バイアス
となる方向に加える電圧Ｖ□（ただしｉ＝１．２・・・
・・・１０）は、ダイオードＤ、〜Ｄ□のしきい値電圧
Ｖｒとなっている。(c) Problems to be Solved by the Invention However, in the above conventional example, the photodiode array D3° and the probing diode D connected in series with the photodiode array D3° having a common cathode.
, ~D4°, a voltage V□ (where i=1.2...
...10) is the threshold voltage Vr of the diodes D, ~D□.
直列ダイオードによる走査回路部とセンサ一部を同一基
板上に同時に形成するとすれば、各ダイオードＤ、〜Ｄ
、。、ＤＩＳ〜Ｄ、、ホトダイオードアレイＤ３゜及び
ブロッキングダイオードＤ３１〜Ｄ ４６のしきい値Ｖ
１−は同じになる。この時それぞれの接続点Ｐ、〜ＰＩ
６での電圧Ｖ、、Ｖ、、。はプロヅキングダイオードＤ
、１．−Ｄ、。の電圧降下ＶＦにより、接続点Ｐｔ１〜
Ｐ、。においては、微小な電圧Ｖ ｐ ＠ ｅ １゜値
となってしまう。これにより、ホトダイオードＤ ｔ
ｒ〜Ｉ）、Ｉ＋の容量に蓄積される電荷量が、光電流に
より放電される電荷量よりも少なくなり、低い照度で信
号出力が飽和し、十分な信号の明暗比がとれなくなる。If the scanning circuit section and the sensor part using series diodes are formed simultaneously on the same substrate, each diode D, ~D
,. , DIS~D, , threshold value V of photodiode array D3° and blocking diodes D31~D46
1- will be the same. At this time, each connection point P, ~PI
6, the voltage V,,V,,. is a produking diode D
, 1. -D. Due to the voltage drop VF, the connection point Pt1~
P. In this case, the voltage V p @ e becomes a small value of 1°. This causes the photodiode D t
r to I), the amount of charge accumulated in the capacitance of I+ becomes smaller than the amount of charge discharged by the photocurrent, the signal output is saturated at low illuminance, and a sufficient contrast ratio of the signal cannot be obtained.
この発明は上記の事情を考慮してなされたもので、ホト
ダイオードに供給する走査電圧を増大させることができ
る自己走査型イメージセンサ装置の電圧印加方法を提供
しようとするものである。The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and is intended to provide a voltage application method for a self-scanning image sensor device that can increase the scanning voltage supplied to the photodiode.
（ニ）課題を解決するための手段
この発明は、ｎｌｌｌ（ただしｎは正の整数）のホトダ
イオードとそれぞれのホトダイオードに直列接続される
プロブキングダイオードからなり、それぞれのホトダイ
オードの出力信号を体の出力共通路に出力するよう構成
されろホトダイオードアレイと、少なくともｎ個の第１
のダイオードを直列接続し、それぞれの第１のダイオー
ドのカソードと共通路との間に、抵抗を接続し、かつ第
２のダイオードとその第２のダイオードのアノードに接
続される抵抗との直列回路を第２のダイオードのカソー
ドを共通路と接続してそれぞれのホトグイオードにそれ
ぞれの第２のダイオードのアノード側より走査電圧を出
力するよう構成される走査口路とからなる自己走査型イ
メージセンサ装置に対し、ホトダイオードアレイの出力
共通路に負の電圧を印加し、かつ走査回路の第１のダイ
オードの第１ビット目にのこぎり歯電圧を印加し、それ
によってそれぞれのホトダイオードを順次走査する自己
走査型イメージセンサ装置の電圧印加方法である。(d) Means for Solving the Problems This invention consists of nllll (where n is a positive integer) photodiodes and probing diodes connected in series to each photodiode, and outputs the output signal of each photodiode to the output of the body. at least n first photodiode arrays configured to output to a common path;
diodes are connected in series, a resistor is connected between the cathode of each first diode and a common path, and a second diode and a resistor connected to the anode of the second diode are connected in series. and a scanning port path configured to connect the cathode of the second diode to a common path and output a scanning voltage to each photodiode from the anode side of the respective second diode. In contrast, a self-scanning image in which a negative voltage is applied to the output common path of the photodiode array and a sawtooth voltage is applied to the first bit of the first diode of the scanning circuit, thereby sequentially scanning each photodiode. This is a voltage application method for a sensor device.
（ホ）作用
出力共通路に負の電圧を印加することが、それぞれのホ
トダイオードに供給されろ走査電圧の有効電圧値をその
負の電圧分高くするよう作用する。(e) Applying a negative voltage to the operational output common path acts to increase the effective voltage value of the scanning voltage supplied to each photodiode by the negative voltage.
従って、それぞれのホトダイオードｔｉ加わる逆バイア
ス電圧が大きくなり、ホトダイオードの出力信号の明暗
比が十分な値となる。Therefore, the reverse bias voltage applied to each photodiode ti becomes large, and the contrast ratio of the output signal of the photodiode becomes a sufficient value.
（へ）実施例
以下この発明の実施例を図面にて詳述するが、この発明
は以下の実施例に限定されるものではない。(F) EXAMPLES Hereinafter, examples of the present invention will be described in detail with reference to the drawings, but the present invention is not limited to the following examples.
第１図において、ＰＤ、〜ＰＤ、。ホトダイオードであ
り、それぞれのアノードにはブロッキングダイオードＢ
Ｄ Ｉ”＝ Ｂ Ｄ ｒ ｏのアノードが接続されて
いる。ブロブキングダイオードＢＤ、〜ＢＤ、。In FIG. 1, PD, ~PD,. photodiode, and each anode has a blocking diode B
The anodes of D I”=B Dro are connected to blobing diodes BD, ~BD,.
のカソードは、出力共通路１に接続されている。The cathode of is connected to the output common path 1.
ホトダイオードＰＤ、〜ＰＤ、。及びプロブキングダイ
オードＢＤ、〜ＢＤＩゆでホトダイオードアレイ２が構
成されろ。Photodiode PD, ~PD,. and probing diodes BD, ~BDI boiled photodiode array 2 is constructed.
３は走査回路で、直列接続される第１のダイオードＤ□
〜Ｄｗ１．と抵抗Ｒｖｔ−Ｒｗｔｏ＋ Ｒｔｔ〜Ｒｒ
Ｉｏと第２のダイオードＤ ｔ １− Ｄ ｔ １゜
とで構成されろ。抵抗Ｒ，□は第！のダイオードＤｖｕ
のカソードと共通路４との間に接続される。また、第２
のダイオードＤＴ□のアノードには抵抗Ｒ０が直列に＃
１！続され、そのカソードは共通路４に接続され、さら
に抵抗Ｒｒ ｔは第１のダイオードＤｖｔのカソードに
接麺される。そして第２のダイオードＤＴ□のアノード
と抵１７ｉｒｔｔ、との接続点Ｔ□１にはホトダイオー
ドＰＤ、のカソードが接続される。3 is a scanning circuit, and the first diode D□ is connected in series.
~Dw1. and resistance Rvt-Rwto+ Rtt~Rr
Io and a second diode Dt1-Dt1°. Resistance R, □ is the first! diode Dvu
and the common path 4. Also, the second
A resistor R0 is connected in series to the anode of the diode DT□.
1! and its cathode is connected to the common path 4, and a resistor Rrt is connected to the cathode of the first diode Dvt. The cathode of the photodiode PD is connected to the connection point T□1 between the anode of the second diode DT□ and the resistor 17irtt.
以上の構成において、ホトダイオードアレイ２を走査す
る場合、共通路４はグランド電位に固定され、かつ出力
共通路ｌには抵抗ＲＬを介して負の電圧−Ｖ、を印加し
、第１のダイオードＤ％、ｌのアノードにのこぎり歯電
圧Ｖｄｒを印加する。ホトダイオードＰ Ｄ ｌ−Ｐ
Ｄ ｔからの出力信号は、抵抗ＲＬの両端の電圧降下に
より、電流、電圧変換され検出される。In the above configuration, when scanning the photodiode array 2, the common path 4 is fixed to the ground potential, and a negative voltage -V is applied to the output common path 1 via the resistor RL, and the first diode D A sawtooth voltage Vdr is applied to the anode of %, l. Photodiode P D l-P
The output signal from Dt is converted into a current and a voltage by the voltage drop across the resistor RL, and then detected.
のこぎり歯電圧Ｖｄｒが上昇すると、第１のダイオード
Ｄ ｗ＋のしきい値電圧ｖＦによって順次接続点をｐｌ
ｉの電圧Ｖｔｅ＋ｔは立ち上がっていき、第２のダイオ
ードＤ０のしきい値電圧ｖＦにより飽和する。（第２図
参照）この時ホトダイオードＰ Ｄ ｔに加わる逆バイ
アスは、抵抗ＲＬの一端に印加される負の電圧−ｖ５か
ら第２のダイオードＤＴ、のしきい値電圧ＶＦまでのバ
イアスが加わることになる。これにより、ホトダイオー
ドＰＤ、の容量に充電される電荷量は、増加した逆バイ
アス電圧Ｖ、分増加する。但しこの負の電圧〜Ｖｓの絶
対値を第２のダイオードＤすのしきい値電圧Ｖｖより大
きくすると、のこぎり歯電圧Ｖｄｒ、６（ＯＦＦした時
らホトダイオードＰ Ｄ ｔは逆バイアス状態となり、
ホトダイオードＰＤ、の容量に光電流により蓄積される
電荷量が、逆バイアス時の充電電流により打ち消される
。したがって、負の電圧−ＶＳの絶対値はしきい値電圧
Ｖｒのそれより小さく設定する。As the sawtooth voltage Vdr rises, the threshold voltage vF of the first diode Dw+ sequentially increases the connection point pl
The voltage Vte+t of i gradually rises and is saturated by the threshold voltage vF of the second diode D0. (See Figure 2) At this time, the reverse bias applied to the photodiode P D t is a bias from the negative voltage -v5 applied to one end of the resistor RL to the threshold voltage VF of the second diode DT. become. As a result, the amount of charge charged in the capacitance of the photodiode PD increases by the increased reverse bias voltage V. However, if the absolute value of this negative voltage ~Vs is made larger than the threshold voltage Vv of the second diode D, the sawtooth voltage Vdr, 6 (when turned off, the photodiode P D t will be in a reverse bias state,
The amount of charge accumulated in the capacitance of the photodiode PD due to the photocurrent is canceled by the charging current during reverse bias. Therefore, the absolute value of the negative voltage -VS is set smaller than that of the threshold voltage Vr.
なお、上記実施例ではホトダイオードがＩｏ個のホトダ
イオードアレイを有する自己走査型イメージセンナ装置
において説明したが、例えばホトダイオードが１７２８
個のものでは、ホトダイオードアレイを１０個を１ブロ
ックとみなし、そのそれぞれに走査回路を接続する構成
をとればよい。そして、それぞれの走査回路の１ビット
目の第１のダイオードには時分割で順次のこぎり歯電圧
を印加すればよい。In the above embodiment, the self-scanning image sensor device has a photodiode array with Io photodiodes.
In the case of individual photodiode arrays, ten photodiode arrays may be regarded as one block, and a scanning circuit may be connected to each of the ten photodiode arrays. Then, sawtooth voltages may be sequentially applied to the first diode of the first bit of each scanning circuit in a time-division manner.
（ト）発明の効果
この胤明によれば、ホトダイオードへ加わる逆バイアス
電圧が増加することでホトダイオードの容量に充電され
る電荷量が増加するので、出力の飽和値が増加すること
になる。これにより低い照度での出力の飽和を解消する
ことができる。(g) Effects of the Invention According to this invention, as the reverse bias voltage applied to the photodiode increases, the amount of charge charged to the capacitance of the photodiode increases, so the saturation value of the output increases. This makes it possible to eliminate output saturation at low illuminance.
第１図はこの発明の一実施例を説明するための電気回路
図、第２図は第１図中の各部の出力電圧波形及びホトダ
イオードに加わる逆バイアス電圧を示す波形図、第３図
は従来例を説明するための電気回路図、第４図は従来例
の第２図相当図である。
！−・−・・出力共通路、
２・・・・・・ホトダイオードアレイ、３−・・・・・
走査回路、
ＰＤ、−ＰＩＯ，，・・・−・￥ホトダイオード。
ＢＤ、〜Ｂ Ｄ Ｉｏ・・・・・・プロブキングダンオ
ード、０ ｖ ｌ＝ Ｄ ｗ １゜・・・・・・第１の
ダイオード、Ｄゎ〜Ｄ ｒ ｔ。・−・・・第２のダイ
オード、Ｒ□−ＬＲ□。、Ｒイ〜Ｒ□。・・・・・・抵
抗。Fig. 1 is an electric circuit diagram for explaining one embodiment of the present invention, Fig. 2 is a waveform diagram showing the output voltage waveforms of each part in Fig. 1 and the reverse bias voltage applied to the photodiode, and Fig. 3 is a conventional An electric circuit diagram for explaining an example, FIG. 4 is a diagram corresponding to FIG. 2 of a conventional example. ! -... Output common path, 2... Photodiode array, 3-...
Scanning circuit, PD, -PIO,...-\photodiode. BD, ~B D Io... Prob King danode, 0 v l = D w 1°... First diode, D ~ Dr t. ...Second diode, R□-LR□. , R-I~R□. ······resistance.
Claims (1)
れぞれのホトダイオードに直列接続されるブロッキング
ダイオードからなり、それぞれのホトダイオードの出力
信号を１本の出力共通路に出力するよう構成されるホト
ダイオードアレイと、少なくともｎ個の第１のダイオー
ドを直列接続し、それぞれの第１のダイオードのカソー
ドと共通路との間に、抵抗を接続し、かつ第２のダイオ
ードとその第２のダイオードのアノードに接続される抵
抗との直列回路を第２のダイオードのカソードを共通路
と接続してそれぞれのホトダイオードにそれぞれの第２
のダイオードのアノード側より走査電圧を出力するよう
構成される走査回路とからなる自己走査型イメージセン
サ装置に対し、ホトダイオードアレイの出力共通路に負
の電圧を印加し、かつ走査回路の第１のダイオードの第
１ビット目にのこぎり歯電圧を印加し、それによってそ
れぞれのホトダイオードを順次走査する自己走査型イメ
ージセンサ装置の電圧印加方法。1. A photodiode array consisting of n photodiodes (where n is a positive integer) and a blocking diode connected in series to each photodiode, and configured to output the output signal of each photodiode to one output common path. and at least n first diodes connected in series, a resistor being connected between the cathode of each first diode and the common path, and a second diode and an anode of the second diode. A series circuit with a connected resistor is connected to the cathode of the second diode with a common path to each photodiode.
For a self-scanning image sensor device consisting of a scanning circuit configured to output a scanning voltage from the anode side of the photodiode array, a negative voltage is applied to the output common path of the photodiode array, and A voltage application method for a self-scanning image sensor device in which a sawtooth voltage is applied to the first bit of a diode, thereby sequentially scanning each photodiode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1286975A JPH03148961A (en) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | Voltage impression method for self scanning-type image sensor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1286975A JPH03148961A (en) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | Voltage impression method for self scanning-type image sensor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03148961A true JPH03148961A (en) | 1991-06-25 |
Family
ID=17711385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1286975A Pending JPH03148961A (en) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | Voltage impression method for self scanning-type image sensor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03148961A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5966290A (en) * | 1997-09-03 | 1999-10-12 | Internatioinal Business Machines Corporation | Electronic packages and a method to improve thermal performance of electronic packages |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP1286975A patent/JPH03148961A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5966290A (en) * | 1997-09-03 | 1999-10-12 | Internatioinal Business Machines Corporation | Electronic packages and a method to improve thermal performance of electronic packages |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5376782A (en) | Image pickup device providing decreased image lag | |
| WO1994001855A2 (en) | Symmetric drive for an electroluminescent display panel | |
| JP2743426B2 (en) | Photosensitive matrix with three diodes per dot without optical reset operation | |
| JPS58172057A (en) | Optical reader | |
| US4906855A (en) | Photosensitive matrix with two diodes per dot without specific resetting conductor | |
| JPS62234472A (en) | Method of reading photosensor with photodiode and capacitor | |
| JPH03148961A (en) | Voltage impression method for self scanning-type image sensor device | |
| US20200171841A1 (en) | Shift circuit operating by using a capacitor, a printing head and printing device thereof | |
| KR100982962B1 (en) | Image display device with capacitive energy recovery | |
| JPH0691603B2 (en) | Image sensor | |
| JP3026288B2 (en) | Image sensor | |
| US4788595A (en) | Image sensor driving circuit | |
| JP2822762B2 (en) | Image sensor and image sensor array | |
| JPH03148960A (en) | Voltage impression method for scanning circuit for photo diode array | |
| JPH03158063A (en) | Self-scanning type image sensor | |
| JP2001148768A (en) | Photosensitive device | |
| JP2517152B2 (en) | Voltage application method for scanning circuit for photo diode array | |
| JPS5967770A (en) | Optical reader | |
| US5006702A (en) | Scanning circuit device with sawtooth voltage source | |
| JPS5883477A (en) | Output signal processing circuit for solid-state image pickup element | |
| JP2789853B2 (en) | Image sensor reading circuit | |
| JPH03123281A (en) | Sensor circuit device | |
| JPH03148959A (en) | Scanning circuit for photo diode array | |
| JPH03148958A (en) | Scanning circuit for photo diode array | |
| KR960008134B1 (en) | Image pick-up device providing decreased image lag |