JPH03148959A - Scanning circuit for photo diode array - Google Patents

Scanning circuit for photo diode array

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Publication number
JPH03148959A
JPH03148959A JP1286973A JP28697389A JPH03148959A JP H03148959 A JPH03148959 A JP H03148959A JP 1286973 A JP1286973 A JP 1286973A JP 28697389 A JP28697389 A JP 28697389A JP H03148959 A JPH03148959 A JP H03148959A
Authority
JP
Japan
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voltage
diode
connection point
diodes
threshold
Prior art date
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Pending
Application number
JP1286973A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masanori Akagi
赤木 政則
Hidetoshi Maeda
英俊 前田
Mitsuhiko Yoshikawa
吉川 光彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To reduce the influence of a voltage drop owing to blocking diodes and to cancel the saturation of an output signal at low illuminance by constituting the circuit in such a way that the cathode of a second diode which is connected in serial connects to a common line and a scanning voltage is outputted to respective photo diodes from the connection point of the second diode and a second resistance. CONSTITUTION:When a sawtooth voltage Vdr comes to a two-fold threshold 2VF, a first diode Dw2 is turned on and a connection point tp12 starts rising. At that time, the voltage Vtp11 of a connection point tp11 is not saturated yet and it continues rising. When the sawtooth voltage Vdr comes to a three-fold threshold 3VF, the voltage Vtp11 of the connection point tp11 comes to the two- fold threshold 2VF and it is saturated. Then, first diodes Dw4-Dw10 are sequentially switched and scanning voltages supplied to the photo diode array 2 are respectively saturated by the two-fold threshold 2VF. At that time, inverse biases (=Vtp1i-Vtp2i) added to photo diodes PD1-PD10 come to the same voltages as the threshold VF by the voltage drop (=VF) of the blocking diodes BD1-BD10.

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 この発明は、、例えばファクシミリ装置やイメージスキ
ャナなどの光学式画像読取装置に用いられる密着型イメ
ージセンナを構成するホトダイオードアレイを、入力さ
れる1つののこぎり*i圧にて走査するためのホトダイ
オードアレイ用走査回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (A) Industrial Application Field The present invention is directed to a photodiode array constituting a contact image sensor used in an optical image reading device such as a facsimile machine or an image scanner. The present invention relates to a scanning circuit for a photodiode array for scanning with one saw*i pressure.

(ロ)従来の技術 従来、この種のホトダイオードアレイ用走査回路は、第
3図に示すよう、同一の順方向特性を有するダイオード
D1〜DIGを直列接続し、それぞれのダイオードD、
〜D 10のカソードとグランドGND間に、抵抗R,
〜Rueと、抵抗R11−−R2GとダイオードD I
I”−Dtaとの直列回路とを接続して構成される。そ
して、それぞれのダイオードD 11〜010のアノー
ドから、ホトダイオードアレイのそれぞれのホトダイオ
ードD□〜D 31)に走査電圧が出力される。D31
〜D4.はクロストローク防止用のプロブキングダイオ
ードである。
(B) Prior Art Conventionally, as shown in FIG. 3, in this type of photodiode array scanning circuit, diodes D1 to DIG having the same forward characteristics are connected in series, and each diode D,
~ D Between the cathode of 10 and the ground GND, resistor R,
~Rue, resistor R11--R2G and diode DI
A scanning voltage is output from the anode of each diode D11-010 to each photodiode D□-D31) of the photodiode array. D31
~D4. is a probing diode for crossstroke prevention.

このような回路構成において、ダイオードD1のアノー
ドにのこぎり歯電圧Vdrを印加する。それぞれのダイ
オードD = ”−D t oのしきい値電圧をVFと
すると、まずのこぎりtII711圧Vdrを出力する
駆動電源の電圧がしきい値電圧vFを越えるとダイオー
ドD sh(o N j、、ダイオードD、のカソード
側に電圧が現れる。次に、駆動電源Vdrの電圧が2倍
のしきい値電圧2Vtに達すると、ダイオードD2がO
Nする。以後ダイオードD1゜まで順次ダイオードD3
〜DIoがON l、ていく。また、ダイオードD11
−−Dt。のしきい値電圧もVFとすると、ダイオード
D、のカソード側に現れた電圧vP。
In such a circuit configuration, a sawtooth voltage Vdr is applied to the anode of the diode D1. Assuming that the threshold voltage of each diode D = "-D t o is VF, when the voltage of the drive power supply that outputs the saw tII711 pressure Vdr exceeds the threshold voltage vF, the diode D sh (o N j,, A voltage appears on the cathode side of diode D.Next, when the voltage of drive power supply Vdr reaches twice the threshold voltage 2Vt, diode D2 becomes O
Do N. From then on, diode D3 is applied sequentially up to diode D1°.
~DIo is ON l, go. In addition, the diode D11
--Dt. If the threshold voltage of is also VF, then the voltage vP appearing on the cathode side of diode D.

は、ダイオードD、のアノード側接続点P、では徐々に
上昇していきダイオードD I+のしきい値電圧VFで
飽和する。次段のダイオードI)ttのアノード側接続
点P、でも電圧V□はしきい値電圧Vtで飽和し、さら
にそれぞれのダイオードD13〜D*oのアノード側接
続点P、〜P1.に現れる電圧波形は順次ON してい
き、その電圧V□はしきい値電圧vFで飽和することに
なる。このダイオードD、〜D、。のアノード側接続点
P1〜P、。の電圧波形を第4図に示す。この時ののこ
ぎり歯電圧Vdrのランプレートを一定であるとすれば
、接続点P、の電圧vPIが飽和する時刻と接続点P、
に電圧vPtが現れる時刻は同じであり、各接続点Pt
〜proのスイツチングはその前段の接続点の電圧がし
きい値電圧VFに達してから、次段の接続点の電圧が立
ち上がるので分離の良好な特性となる。
gradually increases at the anode side connection point P of the diode D and saturates at the threshold voltage VF of the diode D I+. At the anode side connection point P of the next stage diode I)tt, the voltage V□ is saturated at the threshold voltage Vt, and furthermore, the anode side connection point P, ~P1. The voltage waveform appearing on the voltage waveform turns ON sequentially, and the voltage V□ becomes saturated at the threshold voltage vF. This diode D, ~D,. Anode side connection points P1 to P,. The voltage waveform of is shown in FIG. Assuming that the ramp rate of the sawtooth voltage Vdr at this time is constant, the time when the voltage vPI at the connection point P is saturated and the time at which the voltage vPI at the connection point P,
The time when the voltage vPt appears at is the same, and each connection point Pt
~pro switching has good isolation characteristics because the voltage at the connection point in the next stage rises after the voltage at the connection point in the previous stage reaches the threshold voltage VF.

このしきい値電圧V、をホトダイオードへの逆バイアス
電圧として使用することで、各ホトダイオードD t 
= ”= D s。を順次駆動させて原稿の読み取りを
行う。
By using this threshold voltage V as a reverse bias voltage to the photodiode, each photodiode D t
= ”= D s. is sequentially driven to read the original.

(ハ)発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記の従来例では、ホトダイオードD□
〜D3゜とホトダイオードD t+〜D3゜とアノード
を共通として直列接続されているプロブキングダイオー
ド031”−D40との間に、ホトダイオードに対して
逆バイアスとなる方向に加える電圧V、□(ただしi−
l、2・・−・−・10)は、ダイオードDIN〜D、
。のしきい値電圧V、となっている。
(c) Problems to be solved by the invention However, in the above conventional example, the photodiode D□
A voltage V, □ (however, i −
l, 2...--10) are diodes DIN~D,
. The threshold voltage is V.

直列ダイオードによる走査回路部とセンサ一部を同一基
板上に同時に形成するとすれば、各ダイオードD、〜D
 z6. Dll〜D2゜、ホトダイオードD t =
 ” D s。及びブロッキングダイオードD31〜D
4゜のしきい値電圧vFは同じになる。この時それぞれ
の接続点P、〜PIGでの電圧VPL−V□。はブロッ
キングダイオードD31〜D4゜の電圧降下VFにより
、接続点P l l−P f(lにおいては、微小な電
圧VPL−IOとなってしまう。これにより、ホトダイ
オードD□〜D、の容量に蓄積される電荷量が、光電流
により放電される電荷量よりも少なくなり、低い照度で
信号出力が飽和し、十分な信号の明暗比がとれなくなる
If the scanning circuit section and the sensor part using series diodes are formed simultaneously on the same substrate, each diode D, ~D
z6. Dll~D2°, photodiode Dt=
” D s. and blocking diodes D31 to D
The threshold voltage vF at 4° is the same. At this time, the voltage VPL-V□ at each connection point P, ~PIG. Due to the voltage drop VF of the blocking diodes D31 to D4°, the voltage at the connection point P l l - P f (l becomes a very small voltage VPL-IO. As a result, the voltage is accumulated in the capacitance of the photodiodes D□ to D. The amount of charge generated is smaller than the amount of charge discharged by the photocurrent, the signal output is saturated at low illuminance, and a sufficient contrast ratio of the signal cannot be obtained.

この発明は上記の事情を考慮してなされたもので、ホト
ダイオードに供給する走査電圧を増大させることができ
るホトダイオードアレイ用走査回路を提供しようとする
ものである。
The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a scanning circuit for a photodiode array that can increase the scanning voltage supplied to the photodiodes.

(ニ)課題を解決するための手段 この発明は、複数個のホトダイオードで構成されるホト
ダイオードアレイを順次走査するホトダイオードアレイ
用走査回路であって、すくなくともホトダイオードと同
数の第1のダイオードのカソードと共通路との間に第1
の抵抗を接続し、直列接続される複数個の第2のダイオ
ードを第2の抵抗を介して第1のダイオードのカソード
に接続し、さらに直列接続された第2のダイオードのカ
ソードを共通路に接続し、それぞれのホトダイオードに
それぞれの第2のダイオードと第2の抵抗との接続点か
ら走査電圧を出力するよう構成されるホトダイオードア
レイ用走査回路である。
(D) Means for Solving the Problems The present invention provides a scanning circuit for a photodiode array that sequentially scans a photodiode array composed of a plurality of photodiodes, the cathode being common to at least the same number of first diodes as the number of photodiodes. 1st between road and road
a plurality of second diodes connected in series are connected to the cathode of the first diode through the second resistor, and the cathodes of the second diodes connected in series are connected to a common path. A scanning circuit for a photodiode array is configured to output a scanning voltage to each photodiode from a connection point between a second diode and a second resistor.

(ホ)作用 第2のダイオードが複数個直列接続されているので、ホ
トダイオードへの走査電圧がその直列個数に対応して増
加し、低い照度におiるホトダイオードの出力信号の飽
和を解消するよう作用する。
(E) Effect Since a plurality of second diodes are connected in series, the scanning voltage to the photodiodes increases in proportion to the number of second diodes connected in series, so that the saturation of the photodiode output signal at low illuminance is eliminated. act.

(へ)実施例 以下どの発明の実施例を図面にて詳述するが、この発明
は以下の実施例に限定されるものではない。
(F) EXAMPLES Below, examples of the invention will be described in detail with reference to the drawings, but the invention is not limited to the following examples.

第1図において、PD、−PD、、ホトダイオードであ
り、それぞれのアノードにはブロッキングダイオードB
D、〜BD、。のアノードが接続されている。プロブキ
ングダイオードBD、−BD、。
In Fig. 1, photodiodes PD, -PD, and blocking diode B are connected to the anodes of each photodiode.
D,~BD,. the anode is connected. Probking diode BD, -BD,.

のカソードは、出力共通路1に接続されている。The cathode of is connected to the output common path 1.

ホトダイオードPD、−PD、、及びブロッキングダイ
オードBD、−BD、6でホトダイオードアレイ2が構
成される。
A photodiode array 2 is constituted by photodiodes PD, -PD, and blocking diodes BD, -BD, 6.

3はホトダイオードアレイ用走査回路で、直列接続され
る第1のダイオードD リ+””DV+Oと第1の抵抗
Rv 1〜Rv t oと、第2の抵抗Rr I= R
t t oと第2のダイオードDt t t + D 
t□・−・・−DTIO,、D丁tI、D?□・・・・
−・DTI。2とで構成される。第1の抵抗Rv□は第
1のダイオードD6のカソードと共通路4との間に接続
される。第2のダイオードD T l +の第2のダイ
オードD7□とは、それぞれのカソードとアノードとを
共通にして直列接続され、第2のダイオードD1□のア
ノードは抵抗RT tを介して第1のダイオードD v
tのカソードに接続され、また第2のダイオードD−r
ttのカソードは共通路4に接続される。さらに第2の
抵抗R0と第2のダイオードDT□のアノードとの接続
点T、、。
3 is a scanning circuit for a photodiode array, which includes a first diode DV+O, a first resistor Rv1 to Rvto, and a second resistor RrI=R connected in series.
t t o and the second diode Dt t t + D
t□・-・・-DTIO,、D tI、D? □・・・・・・
-・DTI. It consists of 2. A first resistor Rv□ is connected between the cathode of the first diode D6 and the common path 4. The second diode D T l + and the second diode D7□ are connected in series with their respective cathodes and anodes in common, and the anode of the second diode D1□ is connected to the first diode D7□ through a resistor RT t. Diode Dv
connected to the cathode of t, and also a second diode D-r
The cathode of tt is connected to the common path 4. Further, a connection point T between the second resistor R0 and the anode of the second diode DT□.

には、ホトダイオードPD、のカソードが接続される。The cathode of the photodiode PD is connected to the photodiode PD.

上記においてiは1〜10の整数である。In the above, i is an integer from 1 to 10.

以上の構成において、まずのこぎり*i圧Vdrを入力
端子5に加える。のこぎり歯電圧Vdrが第1のダイオ
ードDwHのしきい値VFを越えると第1のダイオード
Dv+はONL、、接続点11+□の電圧V、、1は立
ち上がる。のこぎり歯電圧Vdrが2倍のしきい値2V
Fになった時、第1のダイオードI)vtはONt、、
接続点を、、が立ち上がり始めるが、この時にまだ接続
点を□、の電圧V tp 11は飽和せず上昇を続ける
。のこぎりt11電圧Vdrが3倍のしきい値3VFに
なった時、第1のダイオードD wffih(ON シ
、接続点し、3の電圧v ;、、3が立ち上がり始める
。この時接続点を□、の電圧V tpHは2倍のしきい
値2VFとなり飽和する。以下薯次第1のダイオードD
w4〜D w 16がスイフチングしていき、ホトダイ
オードアレイ2へ供給する走査電圧はそれぞれ2倍のし
きい値2VFで飽和する。この時ホトダイオードPD、
〜PD、。に加わる逆バイアス(=V、□□−V 、、
、、)は、ブロッキングダイオードBD、−BD、0の
電圧降下(=VF)により、しきい値VFと同じ電圧と
なる。また、接続点を□、での電圧V、、、、の分離は
、第2のダイオードが1個の場合に比べて十分ではない
が、接続点L ttlでは、ブロッキングダイオードB
D。
In the above configuration, first, the saw*i pressure Vdr is applied to the input terminal 5. When the sawtooth voltage Vdr exceeds the threshold value VF of the first diode DwH, the voltage V, 1 at the connection point 11+□ rises at the first diode Dv+ ONL. Sawtooth voltage Vdr is twice the threshold value 2V
When F, the first diode I)vt becomes ONt, .
The connection point , begins to rise, but at this time, the voltage V tp 11 at the connection point □ is not saturated and continues to rise. When the sawtooth t11 voltage Vdr reaches three times the threshold value 3VF, the first diode Dwffih (ON) is connected to the connection point, and the voltage of 3 begins to rise.At this time, the connection point is The voltage V tpH becomes twice the threshold value 2VF and becomes saturated.Hereafter, the diode D
As w4 to Dw16 shift, the scanning voltages supplied to the photodiode array 2 are each saturated at twice the threshold value 2VF. At this time, the photodiode PD,
~PD,. Reverse bias applied to (=V, □□−V ,,
, , ) becomes the same voltage as the threshold value VF due to the voltage drop (=VF) of the blocking diodes BD, -BD, and 0. Also, the separation of the voltages V, , , at the connection point □ is not sufficient compared to the case where there is only one second diode, but at the connection point L ttl, the blocking diode B
D.

の電圧降下により電圧Vtttlが飽和する時点が、次
段の電圧VtpHelの立ち上がりの直前であるので、
検出されるホトダイオードPD、の出力信号のピーク値
は、隣接画素のそれと重なることはなく、分離も良好と
なる。
The point in time when the voltage Vtttl is saturated due to the voltage drop is immediately before the rise of the next stage voltage VtpHel.
The peak value of the output signal of the photodiode PD to be detected does not overlap with that of an adjacent pixel, and separation becomes good.

(ト)発明の効果 この発明によれば、第2のダイオードを複数個直列に接
続することで、ホトダイオードの逆バイアスを大きくと
り、ブロッキングダイオードによる電圧降下の影響を軽
減し、低い照度での出力信号の飽和を解消することがで
きる。
(G) Effects of the Invention According to this invention, by connecting a plurality of second diodes in series, the reverse bias of the photodiode is increased to reduce the effect of voltage drop caused by the blocking diode, and the output at low illuminance is improved. Signal saturation can be eliminated.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の一実施例の構成を示す電気回路図、
第2図は実施例における各接続点の電圧波形を示す波形
図、第3図は従来列の構成を示す電気回路図、第4図は
従来例の第2図相当図であ2・・・・・・ホトダイオー
ドアレイ、3・・・・・・ホトダイオード用走査回路、
4−・・・・・共通路、 0 w I−D w r o・・・・・・第1のダイオ
ード、DTII〜DrIo+* Dr□〜D r +。 。 ・・・・−第2のダイオード、 R%#1−RMjO”・−”第1の抵抗、Rr −−R
□。・−・・・・第2の抵抗。 + 力を JE VTP1izVTP2i−リG9− 出力をh  Vp;  、Vpi++。 ギ
FIG. 1 is an electric circuit diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention;
Fig. 2 is a waveform diagram showing voltage waveforms at each connection point in the embodiment, Fig. 3 is an electric circuit diagram showing the configuration of a conventional column, and Fig. 4 is a diagram corresponding to Fig. 2 of the conventional example. ...Photodiode array, 3...Photodiode scanning circuit,
4-... Common path, 0 w I-D w r o... First diode, DTII~DrIo+* Dr□~D r +. .・・・・-Second diode, R%#1-RMjO"・-"First resistor, Rr --R
□. ...Second resistance. + Power JE VTP1izVTP2i-ReG9- Output h Vp; , Vpi++. Gi

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、複数個のホトダイオードで構成されるホトダイオー
ドアレイを順次走査するホトダイオードアレイ用走査回
路であって、すくなくともホトダイオードと同数の第1
のダイオードのカソードと共通路との間に第1の抵抗を
接続し、直列接続される複数個の第2のダイオードを第
2の抵抗を介して第1のダイオードのカソードに接続し
、さらに直列接続された第2のダイオードのカソードを
共通路に接続し、それぞれのホトダイオードにそれぞれ
の第2のダイオードと第2の抵抗との接続点から走査電
圧を出力するよう構成されるホトダイオードアレイ用走
査回路。
1. A scanning circuit for a photodiode array that sequentially scans a photodiode array composed of a plurality of photodiodes, the scanning circuit having at least the same number of first photodiodes as the number of photodiodes.
A first resistor is connected between the cathodes of the diodes and the common path, and a plurality of second diodes connected in series are connected to the cathodes of the first diodes through the second resistors, and further connected in series. A scanning circuit for a photodiode array configured to connect the cathodes of the connected second diodes to a common path and output a scanning voltage to each photodiode from a connection point between the respective second diode and a second resistor. .
JP1286973A 1989-11-02 1989-11-02 Scanning circuit for photo diode array Pending JPH03148959A (en)

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