JPH03148592A - イメージ加熱装置 - Google Patents
イメージ加熱装置Info
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- JPH03148592A JPH03148592A JP28845689A JP28845689A JPH03148592A JP H03148592 A JPH03148592 A JP H03148592A JP 28845689 A JP28845689 A JP 28845689A JP 28845689 A JP28845689 A JP 28845689A JP H03148592 A JPH03148592 A JP H03148592A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/22—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
- C30B13/24—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge using electromagnetic waves
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えば半導体材料などの結晶成長に使用さ
れるイメージ炉のイメージ加熱装置の改良に関するもの
である。
れるイメージ炉のイメージ加熱装置の改良に関するもの
である。
１１４図は例えば個体物理ＶＯＬ１４．ＮＯ，１０゜１
９７９．６３３頁から６４０頁に示された従来のイメー
ジ加熱装置を示す断面図である。図において、（１１は
回転楕円体の反射面を内側に有する回転楕円鏡、ａＩ＋
は回転楕円鏡（１）の第１の焦点位置に設置され光（曽
を発光するハロゲンやキセノンランプ等の光源、鰺はこ
の光源αＤに電力を供給するためワイヤ１１３経由接続
された電源、（８）は回転楕円鏡（１１の算２焦点に置
かれた試料である。
９７９．６３３頁から６４０頁に示された従来のイメー
ジ加熱装置を示す断面図である。図において、（１１は
回転楕円体の反射面を内側に有する回転楕円鏡、ａＩ＋
は回転楕円鏡（１）の第１の焦点位置に設置され光（曽
を発光するハロゲンやキセノンランプ等の光源、鰺はこ
の光源αＤに電力を供給するためワイヤ１１３経由接続
された電源、（８）は回転楕円鏡（１１の算２焦点に置
かれた試料である。
従来のイメージ加熱装置は以上のように構成されてｂた
ので、光源から発光した光は回転楕円鏡（１）で反射し
て試料（８＋の表面に集光する。従って試料（８）の温
度を上昇させ溶融して結晶の製作を行なうことが出来る
。
ので、光源から発光した光は回転楕円鏡（１）で反射し
て試料（８＋の表面に集光する。従って試料（８）の温
度を上昇させ溶融して結晶の製作を行なうことが出来る
。
ところが、光源にハロゲンやキセノンランプを使うため
光源の発光領埴が５鱈程度と小さいので試料（８）の表
面で小さな像を結ぶ。このため温度勾配がきつくなって
試料（８）にクラックが入るという問題があった。この
ため従来のイメージ加熱装置は焦点をぼかす機構を取り
付けたり、アフターヒータを取り付けてこの問題に対応
していた。しかし、これらの機構を取ル付けることは非
常に炉の操作性を悪くシ、大きな問題となっていた。
光源の発光領埴が５鱈程度と小さいので試料（８）の表
面で小さな像を結ぶ。このため温度勾配がきつくなって
試料（８）にクラックが入るという問題があった。この
ため従来のイメージ加熱装置は焦点をぼかす機構を取り
付けたり、アフターヒータを取り付けてこの問題に対応
していた。しかし、これらの機構を取ル付けることは非
常に炉の操作性を悪くシ、大きな問題となっていた。
この発明は上記のような課題を解決するためになされた
ものであ〕、光源を球状のマイクロ波放電プラズマラン
プとして試料（８）の表面の温度勾配を小さくするもの
である。
ものであ〕、光源を球状のマイクロ波放電プラズマラン
プとして試料（８）の表面の温度勾配を小さくするもの
である。
この発明に係わるマイクロ波放電プラズマランプイメー
ジ加熱装置は光源にマイクロ波放電プラズマランプを用
いるものである。
ジ加熱装置は光源にマイクロ波放電プラズマランプを用
いるものである。
この発明におけるマイクロ波放電プラズマランプは光源
の形状が球状であるためｍ２焦点における光の分布を均
一なものに出来るから、温度勾配を緩くしてクラックの
発生を防止する。
の形状が球状であるためｍ２焦点における光の分布を均
一なものに出来るから、温度勾配を緩くしてクラックの
発生を防止する。
以下、この発明の一実施例による単楕円マイクロ波放電
イメージ加熱装置を図について説明する。
イメージ加熱装置を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による単楕円マイクロ波放
電イメージ加熱装置の構成を示す断面図で（１）は回転
楕円Ｗ＃、。（２）はガラスや透光性セラミックで出来
た中空の玉の内部にカリュウム等の元素を封じ込みマイ
クロ波加熱でプラズマ発光を行い光（９１を放出するマ
イクロ波放電プラズマランプ。
電イメージ加熱装置の構成を示す断面図で（１）は回転
楕円Ｗ＃、。（２）はガラスや透光性セラミックで出来
た中空の玉の内部にカリュウム等の元素を封じ込みマイ
クロ波加熱でプラズマ発光を行い光（９１を放出するマ
イクロ波放電プラズマランプ。
（３）は熱伝導性の高いセラミックを棒状に加工して作
った支持具、（１は円盤状の周Ｍを回転楕円鏡（１）の
内側に接して取シ付けられた電波遮蔽板、（５）は回転
楕円鏡（１）の端部と電波遮蔽板（４）で形成された空
洞共振器、（６）は回転楕円鏡（１）の端部に開けられ
た穴に取り付けられる導波管、（７）は導波管（６）の
他端Ｋｌｌｌ）付けられる高周波発信器、（８）は回転
楕円鏡（１）の第２焦点に置かれる棒状の試料である。
った支持具、（１は円盤状の周Ｍを回転楕円鏡（１）の
内側に接して取シ付けられた電波遮蔽板、（５）は回転
楕円鏡（１）の端部と電波遮蔽板（４）で形成された空
洞共振器、（６）は回転楕円鏡（１）の端部に開けられ
た穴に取り付けられる導波管、（７）は導波管（６）の
他端Ｋｌｌｌ）付けられる高周波発信器、（８）は回転
楕円鏡（１）の第２焦点に置かれる棒状の試料である。
図において、空洞共振器（５）に高周波発信器（７）か
ら２ （））Ｉｚ等の高周波数で数ＫＷのマイクロ波電
力が導波管（６）経由印可される。空洞共振器（５）に
収納すしたマイクロ波放電プラズマランプ（２）はプラ
ズマ発光を生じて強大な光を発する。この光は回転楕円
ｉ１（ｔ）の内面で反射し第２焦点の試料（８）へ集光
される。ここで試料（８）が高熱となって溶融される。
ら２ （））Ｉｚ等の高周波数で数ＫＷのマイクロ波電
力が導波管（６）経由印可される。空洞共振器（５）に
収納すしたマイクロ波放電プラズマランプ（２）はプラ
ズマ発光を生じて強大な光を発する。この光は回転楕円
ｉ１（ｔ）の内面で反射し第２焦点の試料（８）へ集光
される。ここで試料（８）が高熱となって溶融される。
試料（８）を回転しながらゆっくり引き上げて行くと結
晶が成長する。
晶が成長する。
マイクロ波放電プラズマランプ（２）の発光スペクトラ
ムは試料（８１の吸光率の最も高論波長である近赤外領
域に集中しているのでキセノンランプ等に比較して非常
に高い加熱効率を得ることが出来る。
ムは試料（８１の吸光率の最も高論波長である近赤外領
域に集中しているのでキセノンランプ等に比較して非常
に高い加熱効率を得ることが出来る。
次に、この発明の他の実施例を第３図に示す。
図において６６は回転楕円鏡（１）の第１焦点側にコツ
プ状の電波遮蔽板の開放側周縁部を接触させて空洞共振
器（５）を形成する。
プ状の電波遮蔽板の開放側周縁部を接触させて空洞共振
器（５）を形成する。
この他め実施例は、コツプ状の空洞共振器（５）の内部
にマイクロ波放電ランプ（２）を置き、発光させる。
にマイクロ波放電ランプ（２）を置き、発光させる。
以上のように、この発明によればマイクロ波放電プラズ
マランプの発光が球状であるため試料（８）の温度勾配
を緩め、クラッタの発生を防止し、発光スペクトラムが
近赤外領域に集中しているので加熱効率を高くできる。
マランプの発光が球状であるため試料（８）の温度勾配
を緩め、クラッタの発生を防止し、発光スペクトラムが
近赤外領域に集中しているので加熱効率を高くできる。
また。この発明の別の実施例においては、空洞共振器を
コツプ状にしているため回転楕円鏡の形状や大きさに影
響されず、同一のマイクロ波放電ランプを様々な回転楕
円鏡に対応させる事が出来る。また。試料に合わせてマ
イクロ波放電ランプの形状や発光スペクトラムを変える
ため交換を容易に行なうことができ材料の処理に非常に
有効な手段と々る。
コツプ状にしているため回転楕円鏡の形状や大きさに影
響されず、同一のマイクロ波放電ランプを様々な回転楕
円鏡に対応させる事が出来る。また。試料に合わせてマ
イクロ波放電ランプの形状や発光スペクトラムを変える
ため交換を容易に行なうことができ材料の処理に非常に
有効な手段と々る。
例えば、従来不可能となっていたガラスのイメージ加熱
が可能となる。
が可能となる。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図社マ
イクａ波放電ランプの構成を説明する図。 第３図はこの発明の別の実施例を示す断面図、ＷＥ４図
はこの発明の別の実施例におけるマイクロ波放電ランプ
の構成を説明する図、ａＩ５図は従来のイメージ加熱装
置を示す断面図である。図において、（１）は回転楕円
鏡、 （２）Ｆｉマイクロ波放電プラズマランプ、（３
）は支持具、（４は電波遮蔽板、Ｃ５）は空洞共振器、
（６）Ｉｉ導波管、（７］け高周波発信器、（８）は試
料、Ｃ９）は光、α・はコツプ状電波遮蔽板である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
イクａ波放電ランプの構成を説明する図。 第３図はこの発明の別の実施例を示す断面図、ＷＥ４図
はこの発明の別の実施例におけるマイクロ波放電ランプ
の構成を説明する図、ａＩ５図は従来のイメージ加熱装
置を示す断面図である。図において、（１）は回転楕円
鏡、 （２）Ｆｉマイクロ波放電プラズマランプ、（３
）は支持具、（４は電波遮蔽板、Ｃ５）は空洞共振器、
（６）Ｉｉ導波管、（７］け高周波発信器、（８）は試
料、Ｃ９）は光、α・はコツプ状電波遮蔽板である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）回転楕円体の反射面を内側に有する楕円鏡と、こ
の回転楕円鏡の第１焦点に置かれたマイクロ波放電プラ
ズマランプと、このマイクロ波放電プラズマランプを支
持する支持具と、回転楕円鏡の第１焦点側端部において
、その内面に円周状の縁が接するように取り付けられた
円盤状の電波遮蔽板と、この電波遮蔽板と回転楕円鏡と
で形成された空洞共振器にマイクロ波放電プラズマラン
プを収納し、ここにマイクロ波電力を注入する高周波発
信器を備えたことを特徴とする単楕円マイクロ波放電イ
メージ加熱装置。 - （２）回転楕円体の反射面を内側に有する回転楕円鏡と
、この回転楕円鏡の第１焦点に置かれたマイクロ波放電
プラズマランプと、このマイクロ波放電プラズマランプ
を支持する支持具と、回転楕円鏡の第１焦点側端部にお
いて、その内面に円周状の縁が接するように取り付けら
れた断面コの字状のカップ型に形成された電波遮蔽板と
、この電波遮蔽板と回転楕円鏡とで形成された空洞共振
器の中にマイクロ波放電プラズマランプを収納すること
を特徴とする単楕円マイクロ波放電イメージ加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28845689A JPH0694990B2 (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | イメージ加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28845689A JPH0694990B2 (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | イメージ加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03148592A true JPH03148592A (ja) | 1991-06-25 |
| JPH0694990B2 JPH0694990B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=17730446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28845689A Expired - Lifetime JPH0694990B2 (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | イメージ加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0694990B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998034435A1 (fr) * | 1997-01-31 | 1998-08-06 | Commissariat A L'energie Atomique | Applicateur de micro-ondes, et son application a la scarification superficielle du beton contamine |
-
1989
- 1989-11-06 JP JP28845689A patent/JPH0694990B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998034435A1 (fr) * | 1997-01-31 | 1998-08-06 | Commissariat A L'energie Atomique | Applicateur de micro-ondes, et son application a la scarification superficielle du beton contamine |
| FR2759239A1 (fr) * | 1997-01-31 | 1998-08-07 | Commissariat Energie Atomique | Applicateur de micro-ondes, et son application a la scarification superficielle du beton contamine |
| US6157013A (en) * | 1997-01-31 | 2000-12-05 | Commissariat A L'energie Atomique | Microwave applicator and method for the surface scarification of contaminated concrete |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0694990B2 (ja) | 1994-11-24 |
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