JPH03148055A - X-ray topography apparatus - Google Patents
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- 238000004854 X-ray topography Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 177
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 76
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 21
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 102100040853 PRKC apoptosis WT1 regulator protein Human genes 0.000 description 3
- 101710162991 PRKC apoptosis WT1 regulator protein Proteins 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000001028 reflection method Methods 0.000 description 2
- 241000255789 Bombyx mori Species 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、単結晶中の格子欠陥や格子歪を観察するため
のX線トポグラフィ装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an X-ray topography apparatus for observing lattice defects and lattice strains in a single crystal.
半導体素子の材料として用いられるシリコン、G a
A s等の単結晶ウェーハ中に含まれる格子欠陥、ある
いは半導体素子を形成する製造プロセス中に発生する格
子欠陥等は、素子の歩留まりを低下させる原因の1つで
あり、従って、格子欠陥を制御することは重要な問題に
なっている。Silicon, Ga, used as a material for semiconductor devices
Lattice defects contained in single-crystal wafers such as A s or lattice defects generated during the manufacturing process of semiconductor devices are one of the causes of lower device yields, and therefore it is necessary to control lattice defects. has become an important issue.
上記格子欠陥の観察法として、エツチング法、電子顕微
鏡法、そしてX線トポグラフィ等がある。Methods for observing the lattice defects include etching, electron microscopy, and X-ray topography.
これらのうちX線トポグラフィは、非破壊で試料を観察
できる利点があるため、特に半導体工業において、材料
の検査、プロセスの改善のため広く用いられている。Among these, X-ray topography has the advantage of being able to observe samples non-destructively, and is therefore widely used, particularly in the semiconductor industry, for inspecting materials and improving processes.
[従来の技術]
上記のX線トポグラフィは、単結晶材料の結晶内部の格
子欠陥等を直接観察するためのものである。このX線ト
ポグラフィを大別すると、ラング法、ベルクパレット法
等のように、X&&源から発生した一次X線を直接試料
結晶に入射させ、その試料で回折したX線で像を作る、
いわば1結晶法と、上記−次X線を第1結晶に入射させ
、その第1結晶によって回折したX線ビームを試料結晶
に対する入射X線とし、再び試料結晶によって回折され
たX線で像を形成する2結晶法とがある。[Prior Art] The above-mentioned X-ray topography is for directly observing lattice defects and the like inside the crystal of a single crystal material. Broadly speaking, this X-ray topography can be divided into methods such as the Lang method and the Bergpalette method, in which primary X-rays generated from an
In other words, the one-crystal method is such that the -order X-ray is incident on a first crystal, the X-ray beam diffracted by the first crystal is used as the incident X-ray to the sample crystal, and an image is formed using the X-rays diffracted by the sample crystal again. There is a two-crystal method for forming.
1結晶法では、部分的な結晶方位のずれによって回折条
件を満たす程度が変わることや、消衰効果、ボルマン効
果等の回折効果により、格子欠陥に対応した白黒のコン
トラストが生じる。これに対して、2結晶法では、第1
結晶および第2結晶(試料)でX線を2回回折させるこ
とにより、上記の1結晶法に比べて回折条件を満足する
角度域が数十分の−から数百分の−に減少する。このた
め、この2結晶法によれば、1結晶法では検出すること
のできない微小な格子欠陥、微小な歪を検出することが
可能となる。In the single-crystal method, black and white contrast corresponding to lattice defects occurs due to changes in the degree to which diffraction conditions are satisfied due to partial deviations in crystal orientation, and due to diffraction effects such as extinction effects and Bormann effects. In contrast, in the two-crystal method, the first
By diffracting X-rays twice with the crystal and the second crystal (sample), the angular range that satisfies the diffraction conditions is reduced from several tens of minutes to several hundredths, compared to the single crystal method described above. Therefore, according to the two-crystal method, it is possible to detect minute lattice defects and minute strains that cannot be detected using the single-crystal method.
しかしながら2結晶法は、より完全に近い試料結晶の観
察に適用されるものであって、結晶内の歪等に対して非
常に敏感であり、従ってこれを完全性の低い結晶に用い
るとすると、得られる像の面積が極めて限られた領域と
なり、観察に耐えられないものとなる。However, the two-crystal method is applied to the observation of sample crystals that are closer to perfection, and is extremely sensitive to distortions within the crystal. Therefore, if it is used for crystals with low perfection, The area of the obtained image is extremely limited, making it difficult to observe.
X線トポグラフィでは、欠陥の種類、蚕の大きさ等に関
しての結晶の完全性に応じて上記の1結晶法と2結晶法
とを使い分けている。さらに、上記の各方法は、試料の
表面からX線を入射させて裏面から回折X線を取り出す
という透過配置と、試料の表面からX線を入射させて同
じく表面から回折X線を取り出すという表面反射配置に
分けられる。In X-ray topography, the above-mentioned one-crystal method and two-crystal method are used depending on the type of defect, the size of the silkworm, etc., and the perfection of the crystal. Furthermore, each of the above methods uses a transmission arrangement in which X-rays are incident on the front surface of the sample and diffracted X-rays are extracted from the back surface, and a surface arrangement in which X-rays are incident on the front surface of the sample and diffracted X-rays are extracted from the same surface. Divided into reflective arrangements.
透過配置は、結晶内部の格子欠陥像を観察する場合に適
用され、これに対し表面反射配置は、結晶の表面層だけ
の格子欠陥を観察するのに用いられる。The transmission configuration is used to observe lattice defect images inside the crystal, whereas the surface reflection configuration is used to observe lattice defects only in the surface layer of the crystal.
従来のX線トポグラフィ装置は、ラング法に代表される
透過配置の1結晶法に基づくもの、ベルクバしット法に
代表される表面反射の1結晶法に基づくもの、表面反射
配置の2結晶法に基づくもの、そして透過配置の2結晶
法に基づくもの等といった4種類がそれぞれ専用機とし
て独自に存在していた。Conventional X-ray topography devices include those based on a single-crystal method with a transmission arrangement such as the Lang method, those based on a single-crystal method with a surface reflection method such as the Berg-Basitt method, and the two-crystal method with a surface-reflection arrangement. There were four types, each based on a two-crystal method with a transmission arrangement, each existing independently as a dedicated machine.
[発明が解決しようとする課題]
上記のように従来は、X線トポグラフィ装置として、透
過配置の1結晶法、表面反射の1結晶法、表面反射配置
の2結晶法および透過配置の2結晶法等の4種類のもの
がそれぞれ別個に用意されていたので、作業者が全ての
種類の方法に基づく測定を行なおうとすると、各方法に
基づくX線トポグラフィ装置を全て用意しておかなけれ
ばならず、極めて不経済であった。[Problems to be Solved by the Invention] As described above, conventional X-ray topography apparatuses have been implemented using one crystal method with a transmission arrangement, one crystal method with a surface reflection arrangement, a two crystal method with a surface reflection arrangement, and a two crystal method with a transmission arrangement. There were four types of X-ray topography equipment prepared separately, so if an operator wanted to perform measurements based on all types of methods, he would have to prepare all the X-ray topography equipment based on each method. However, it was extremely uneconomical.
本発明は、従来装置における上記の問題点に鑑みてなさ
れたものであって、簡単な操作をするだけで、透過配置
の1結晶法、表面反射の1結晶法、表面反射配置の2結
晶法および透過配置の2結晶法の全ての方法に基づくX
線トポグラフの撮影を行なうことのできるX線トポグラ
フィ装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems with conventional devices, and can be applied to a single-crystal method with a transmission arrangement, a single-crystal method with a surface reflection arrangement, and a two-crystal method with a surface-reflection arrangement with just a simple operation. and X based on all methods of two-crystal method in transmission configuration
An object of the present invention is to provide an X-ray topography device capable of photographing a line topography.
[課題を解決するための手段]
上記の目的を達成するため、請求項1のX線トポグラフ
ィ装置は、1つの軸線を中心として回転可能である0回
転板と、その0回転板上に配設される走査ステージと、
その走査ステージに固定して配置される第1結晶支持台
と、その走査ステージ上に配設されると共に第1結晶支
持台を中心として回転移動することのできる回転ベース
と、そめ回転ベース上に配置される第2結晶支持台とを
有している。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the X-ray topography apparatus of claim 1 includes a zero-rotation plate that is rotatable about one axis, and a device disposed on the zero-rotation plate. a scanning stage,
A first crystal support that is fixedly arranged on the scanning stage, a rotation base that is arranged on the scanning stage and can be rotated about the first crystal support, and a rotation base that is arranged on the scanning stage. and a second crystal support stand arranged thereon.
皇紀走査ステージは、0回転板に対して平行に移動する
。The Kouki scanning stage moves parallel to the zero rotation plate.
上記第1結晶支持台は、走査ステージ上に固定されてい
て、走査ステージと共に0回転板に対して平行に移動す
る。この場合、この第1結晶支持台は、上記の0回転板
の回転軸線を横切るように移動する。The first crystal support is fixed on the scanning stage and moves together with the scanning stage in parallel to the zero rotation plate. In this case, this first crystal support base moves so as to cross the rotation axis of the 0-rotation plate.
走査ステージ上には、第1結晶支持台以外に回転ベース
が設けられている。しかしながらこの回転ベースは、走
査ステージに固定されているのではなくて、第1結晶支
持台を中心として回転できるようになっている。A rotation base is provided on the scanning stage in addition to the first crystal support stand. However, this rotating base is not fixed to the scanning stage, but is rotatable about the first crystal support.
第2結晶支持台は、上記の回転ベース上に設けられてい
るので、結果的に、第1結晶支持台のまわりを回転移動
することになる。Since the second crystal support is provided on the above-mentioned rotating base, it will eventually rotate around the first crystal support.
測定対象となる試料は、上記第1結晶支持台または第2
結晶支持台のいづれかに装着される。すなわち1反射配
置および透過配置の2結晶法に基づく測定を行なう場合
には、第2結晶支持台に試料を装着し、一方、j11結
晶支持台に第1結晶を装着する。これに対して、1結晶
法に基づく測定を行なう場合には、第1結晶支持台に試
料を装着し、第2結晶支持台には特に何も装着しない。The sample to be measured is placed on the first crystal support stand or the second crystal support stand.
It is attached to one of the crystal support stands. That is, when performing measurements based on the two-crystal method with one reflection arrangement and one transmission arrangement, the sample is mounted on the second crystal support, while the first crystal is mounted on the j11 crystal support. On the other hand, when performing measurements based on the single crystal method, the sample is mounted on the first crystal support, and nothing in particular is mounted on the second crystal support.
請求項2の発明は、第1結晶と第2結晶との間にスリッ
ト(第1スリット)を配設したものである。このスリッ
トは、上記の0回転板の回転軸と同軸に回転する回転板
(スリット回転板)によって保持される。According to the second aspect of the invention, a slit (first slit) is provided between the first crystal and the second crystal. This slit is held by a rotary plate (slit rotary plate) that rotates coaxially with the rotation axis of the 0-rotation plate.
請求項3の発明は、上記0回転板と同軸に回転すること
のできる20回転板を設け、さらにその0回転板の上に
、0回転板の回転方向に対して接線方向に移動すること
のできる移動台を設け、その移動台によってX線検出器
を保持するものである。The invention of claim 3 provides a 20-rotation plate that can rotate coaxially with the 0-rotation plate, and further provides a 20-rotation plate that can be moved in a tangential direction with respect to the rotational direction of the 0-rotation plate on top of the 0-rotation plate. The X-ray detector is held by a movable stage that can be moved.
そのX線検出器としては、X線テレビカメラやX線イメ
ージインテンシファイヤ等によってX線像として検出し
て観察する手段を用いたり、その他シンチレーシ目ンカ
ウンタ等のX線強度検出手段を用いることができる。As the X-ray detector, a means for detecting and observing an X-ray image using an X-ray television camera, an X-ray image intensifier, etc., or other X-ray intensity detecting means such as a scintillation eye counter may be used. Can be done.
[作用]
請求項1の発明においては、走査ステージ(8)の移動
方向(A−A方向)は、0回転板(3)を回転させるこ
とによって、自由に変更することができる。第2結晶支
持台(12)は回転ベース(10)上に配置されており
、その回転ベース(10)を第1結晶支持台(11)を
中心として回転させることによって、第2結晶支持台(
12)の位置も自由に変更させることができる。[Operation] In the invention of claim 1, the moving direction (A-A direction) of the scanning stage (8) can be freely changed by rotating the zero rotation plate (3). The second crystal support stand (12) is placed on the rotation base (10), and by rotating the rotation base (10) about the first crystal support stand (11), the second crystal support stand (12) is placed on the rotation base (10).
The position of 12) can also be changed freely.
走査ステージ(8)の走査移動方向(A−A方向)と、
第2結晶支持台(12)の第1結晶支持台(11)に対
する位置との組合せを適宜に変更すれば、X線トポグラ
フィ装置の光学系の条件を。a scanning movement direction (A-A direction) of the scanning stage (8);
By appropriately changing the combination of the position of the second crystal support stand (12) with respect to the first crystal support stand (11), the conditions of the optical system of the X-ray topography apparatus can be changed.
透過配置の1結晶法、表面反射の1結晶法、表面反射配
置の2結晶法および透過配置の2結晶法の、少なくとも
4種類の測定方法の間で自由に変更することができる。It is possible to freely change between at least four types of measurement methods: a single crystal method with a transmission arrangement, a single crystal method with a surface reflection arrangement, a two crystal method with a surface reflection arrangement, and a two crystal method with a transmission arrangement.
請求項2の発明において、第1スリット(22)は、第
1結晶(16)で回折したX線だけを通過させ、それ以
外のX線を遮るようになっている。In the invention of claim 2, the first slit (22) allows only the X-rays diffracted by the first crystal (16) to pass through, and blocks other X-rays.
これにより、回折X線以外の余分なX線、例えば−次X
線が第2結晶(17)へ向かうことが防止される。この
第1スリットは、0回転板と同軸にQ−
10−
回転できるスリット回転板(25)によって保持されて
いるので、第1結晶支持台(11)に支持されている第
1結晶(16)に対する一体性が確保され、それ故、第
1結晶に対する位置調節が非常に簡単になる。As a result, extra X-rays other than the diffracted X-rays, such as -order X
The line is prevented from going towards the second crystal (17). This first slit is held by a slit rotating plate (25) that can rotate Q-10- coaxially with the zero rotating plate, so that the first crystal (16) supported on the first crystal support stand (11) The alignment with respect to the first crystal is therefore very simple.
請求項3の発明において、20回転板(20)は0回転
板(3)と同軸に回転できるようになっており、さらに
、移動台(27)がその20回転板の回転方向に対して
接線方向(D−D方向)に移動できるようになっている
。X線検出器(28)は、各結晶の角度位置や各スリッ
トの位置等を調整するときに用いられるものであるが、
このX線検出器は上記の移動台上に設けられているので
。In the invention of claim 3, the 20-turn plate (20) can rotate coaxially with the 0-turn plate (3), and further, the movable table (27) is tangential to the rotational direction of the 20-turn plate. It is possible to move in the direction (D-D direction). The X-ray detector (28) is used to adjust the angular position of each crystal, the position of each slit, etc.
This X-ray detector is installed on the above-mentioned movable table.
20回転と接線方向の移動を自由に組み合わせることが
でき、これにより、上記4種類のX線トポグラフ撮影法
において上記の調整を行なう際、X線検出器を回折X線
の方向に容易に一致させることができる。20 rotations and tangential movements can be freely combined, which makes it easy to align the X-ray detector with the direction of the diffracted X-rays when making the above adjustments in the four types of X-ray topography methods. be able to.
[実施例]
第1図は本発明に係るX線トポグラフィ装置の11−
1実施例を示している。同図において、ベースフレーム
1の上に本体ベース2が載置されている。[Embodiment] FIG. 1 shows an 11-1 embodiment of the X-ray topography apparatus according to the present invention. In the figure, a main body base 2 is placed on a base frame 1.
この本体ベース2には、第2図にも示しであるように、
その上部に0回転板3が設けられている。As shown in FIG. 2, this main body base 2 includes:
A zero rotation plate 3 is provided above it.
この0回転板3は、1つの軸線(実施例の場合は垂線)
ω1を中心として回転移動できるように本体ベース2の
上に設けられており、通常の測定時においては所定位置
にクランプされている。また、そのクランプをゆるめる
ことにより、手動によって適宜の角度、例えばO〜15
0°回転移動できるようになっている。This zero rotation plate 3 has one axis (perpendicular line in the case of the embodiment)
It is provided on the main body base 2 so as to be able to rotate around ω1, and is clamped at a predetermined position during normal measurement. In addition, by loosening the clamp, you can manually set the appropriate angle, e.g.
It can be rotated by 0°.
第3図に示すように、0回転板3の回転軸3aには、サ
インパー4が取り付けられており、さらにそのサインパ
ー4の左端にクランプつまみ31が設けられている。一
方、サインパー4の右端には、パルスモータ5、歯車3
2 a、 32 b、マイクロメータヘッド33およ
び押圧バネ34が配置されている。クランプつまみ31
を締めた状態でパルスモータ5を回転させるとその回転
が歯車32a、32bを介してマイクロメータヘッド3
3−12〜
に伝えられてそのマイクロメータヘッドが回転し、その
ときマイクロメータのスピンドルの端面がサインパー4
を押して0回転板3を回転させる。これにより、0回転
板3を微回転させることもできる。押圧バネ34は、サ
インパー4をマイクロメータヘッド33へ押し付ける働
きをする。As shown in FIG. 3, a signer 4 is attached to the rotating shaft 3a of the 0-rotation plate 3, and a clamp knob 31 is provided at the left end of the signer 4. On the other hand, on the right end of the signer 4, there is a pulse motor 5, a gear 3
2a, 32b, a micrometer head 33, and a pressure spring 34 are arranged. Clamp knob 31
When pulse motor 5 is rotated with
3-12 ~ The micrometer head rotates, and at that time, the end face of the micrometer spindle is aligned with the sign par 4.
Press to rotate the 0 rotation plate 3. Thereby, the 0-rotation plate 3 can also be slightly rotated. The pressing spring 34 functions to press the sign par 4 against the micrometer head 33.
第1図に戻って、0回転板3の上にステージブロック6
が設けられている。このステージブロック6は、0回転
板3の上に固定されている基台7と、その基台7の上に
配置された走査ステージ8とを有している。走査ステー
ジ8は、基台7に固定されているモータ9によって駆動
されて基台7の上を滑りながら移動する。これにより、
82図に矢印A−Aで示すように、走査ステージ8が0
回転板3に対して平行に移動することができる。Returning to FIG. 1, the stage block 6 is placed on the 0-rotation plate 3.
is provided. This stage block 6 has a base 7 fixed on the zero-rotation plate 3 and a scanning stage 8 placed on the base 7. The scanning stage 8 is driven by a motor 9 fixed to the base 7 and moves while sliding on the base 7. This results in
As shown by the arrow A-A in Fig. 82, the scanning stage 8 is
It can move parallel to the rotating plate 3.
走査ステージ8の上には、回転ベース10および第1結
晶支持台11が設けられている。この場合、第1結晶支
持台11は走査ステージ8に固定されており、一方、回
転ベース10は第1結晶支持台11を中心として回転移
動できるようになっている。第1結晶支持台11の中心
は、ω回転板3の回転中心である軸線ωlと一致するよ
うになっており、走査ステージ8が矢印A−Aの方向へ
移動するときには、第1結晶支持台11が軸線ω1を横
切るように移動する。A rotation base 10 and a first crystal support stand 11 are provided on the scanning stage 8 . In this case, the first crystal support stand 11 is fixed to the scanning stage 8, while the rotation base 10 can rotate around the first crystal support stand 11. The center of the first crystal support stand 11 coincides with the axis ωl which is the rotation center of the ω rotary plate 3, and when the scanning stage 8 moves in the direction of arrow A-A, the first crystal support stand 11 moves across the axis ω1.
回転ベース10は、第1結晶支持台11を中心として手
動によって適宜の範囲、例えば±30゜の範囲で回転移
動できるようになっている。また、後述する適宜の位置
でクランプ、すなわち固定保持できるようになっている
。The rotating base 10 can be rotated manually around the first crystal support stand 11 within an appropriate range, for example, within a range of ±30°. Further, it can be clamped, that is, fixedly held at an appropriate position, which will be described later.
回転ベース10は、第4図に示すように、概ね三角形状
をしていてその左端に上記の第1結晶支持台11が配設
さ九ている。また、この回転ベース10の右端には、第
2結晶支持台12が設けられており、一方、その上端に
はモータ13が設けられている。As shown in FIG. 4, the rotating base 10 has a generally triangular shape, and the above-mentioned first crystal support stand 11 is disposed at the left end thereof. Further, a second crystal support stand 12 is provided at the right end of the rotating base 10, and a motor 13 is provided at the upper end thereof.
第2結晶支持台12は、回転ベース10に対して軸線ω
2(第2図参照)を中心として回転できるようになって
いる。この場合、この第2結晶支持台12は、いわゆる
2段同軸構造となっていて。The second crystal support stand 12 has an axis ω relative to the rotation base 10.
2 (see Figure 2). In this case, the second crystal support stand 12 has a so-called two-stage coaxial structure.
13−
14−
1段目の部分にはサインパー14が接続され、他の1段
目の部分には、ウオームとウオームホイールを介してパ
ルスモータ15が接続されている。13-14- A signer 14 is connected to the first stage part, and a pulse motor 15 is connected to the other first stage part via a worm and a worm wheel.
サインパー14は、ウオームとウオームホイールを介し
て上記のモータ13によって動かされるようになってい
る。、以上の構成により、パルスモータ15によって第
2結晶支持台12を軸線ω2を中心として粗回転させる
ことができる。また、モータ13によって駆動されるサ
インパー14によって第2結晶支持台12を微回転させ
ることができる。The sign par 14 is moved by the motor 13 mentioned above via a worm and a worm wheel. With the above configuration, the second crystal support stand 12 can be roughly rotated about the axis ω2 by the pulse motor 15. Further, the second crystal support stand 12 can be slightly rotated by the signer 14 driven by the motor 13.
本実施例に係る装置では、後述するように、1つの装置
で透過配置の1結晶法、表面反射の1結晶法1表面反射
配置の2結晶法および透過配置の2結晶法の少なくとも
4種類の撮影ができるようになっている。2結晶法の撮
影を行なう場合には、第1結晶支持台11に第1結晶1
6がセットされ、一方、第2結晶支持台12に試料17
がセットされる。これに対して、1結晶法のより定を行
なう場合には、第1結晶支持台11に試料17をセット
15−
し、第2結晶支持台12には何もセットしない。In the apparatus according to this embodiment, as will be described later, one apparatus can perform at least four types of one-crystal method with transmission arrangement, one-crystal method with surface reflection, two-crystal method with one surface-reflection arrangement, and two-crystal method with transmission arrangement. It is now possible to take pictures. When performing imaging using the two-crystal method, the first crystal 1 is placed on the first crystal support stand 11.
6 is set, while the sample 17 is set on the second crystal support stand 12.
is set. On the other hand, when performing determination using the one-crystal method, the sample 17 is set 15- on the first crystal support 11, and nothing is set on the second crystal support 12.
第4図において、第1結晶支持台11および第2結晶支
持台12の両支持台の右側にフィルムホルダ18が取り
付けられており、これらのフィルムホルダのいずれか一
方に、選択的に、像記録体としての写真乾板、すなわち
フィルム19がセットされる。これらのフィルムホルダ
18は、それぞれ、第1結晶支持台11および第2結晶
支持台12に対する角度位置を自由に変更できるように
なっている。In FIG. 4, a film holder 18 is attached to the right side of both the first crystal support stand 11 and the second crystal support stand 12, and image recording is selectively performed on either one of these film holders. A photographic plate, that is, a film 19, is set. The angular position of each of these film holders 18 with respect to the first crystal support stand 11 and the second crystal support stand 12 can be changed freely.
第1図に戻って、0回転板3の下方には、その0回転板
と同軸に回転することができる回転板であるスリット回
転板25が設けられている。第5図に示すように、その
スリット回転板25には、ブラケット29が形成されて
いて、そのブラケット上に、支柱23および梁21が配
設されている。Returning to FIG. 1, below the 0-rotation plate 3, a slit rotary plate 25 is provided which is a rotary plate that can rotate coaxially with the 0-rotation plate. As shown in FIG. 5, a bracket 29 is formed on the slit rotating plate 25, and a support 23 and a beam 21 are arranged on the bracket.
梁21の先端には、第1スリット22が回転可能に支持
されて、下方に吊り下げられている。支柱23は、ブラ
ケット29上に設置すられているガイド突起30に沿っ
て矢印C−cの方向へ移動する16−
ことができ、一方梁21は、支柱23に対して矢印B−
Hの方向へ移動することができるようになっている。A first slit 22 is rotatably supported at the tip of the beam 21 and suspended downward. The column 23 can be moved in the direction of the arrow C-c along a guide projection 30 installed on the bracket 29, while the beam 21 can be moved in the direction of the arrow B-c with respect to the column 23.
It is now possible to move in the H direction.
以上の構成により、第1スリット22を希望する任意の
位置ヘセットすることができる。この第1スリット22
は、通常は、第1図に示すように、第1結晶支持台11
に支持される第1結晶16(場合によって試料17)の
右側、すなわちフィルムホルダ18がある側に配置され
る。With the above configuration, the first slit 22 can be set to any desired position. This first slit 22
Usually, as shown in FIG.
It is placed on the right side of the first crystal 16 (or sample 17 as the case may be) supported by the film holder 18, that is, on the side where the film holder 18 is located.
第1図において、スリット回転板25の下方に、0回転
板3と同軸に回転することのできる他の回転板である2
0回転板20が設けられている。この20回転板20に
は、第6図に示すように、20回転板20の回転方向に
対して接線方向(D−D方向)に直線的に移動する移動
台27が設けられている。この移動台には、X線検出器
28が固定され、さらに、その上端に梁26が取り付け
られている。この梁26は、移動台27に対して矢印E
−E方向、すなわち0回転板3の中心へ向かったり、あ
るいはそこから離れたりする方向へ移動することができ
るようになっている。梁26の先端には、第2スリット
24が回転可能に吊り下げられている。In FIG. 1, below the slit rotary plate 25, there is another rotary plate 2 that can rotate coaxially with the zero rotation plate 3.
A zero rotation plate 20 is provided. As shown in FIG. 6, the 20-turn plate 20 is provided with a moving table 27 that moves linearly in a tangential direction (D-D direction) with respect to the rotational direction of the 20-turn plate 20. An X-ray detector 28 is fixed to this movable table, and a beam 26 is further attached to the upper end thereof. This beam 26 is connected to the moving table 27 by arrow E.
It is possible to move in the -E direction, that is, in the direction toward or away from the center of the 0-rotation plate 3. A second slit 24 is rotatably suspended from the tip of the beam 26.
この第2スリット24は、通常は第1図に示すように、
第2結晶(試料)17がセットされる位置の右側に配置
される。また、後述するようにこの第2スリット24は
、透過配置の2結晶法のときのみ必要であって他の3種
類の撮影では不要となるので、梁26に対して着脱する
ことができるようになっている。This second slit 24 is usually as shown in FIG.
It is placed to the right of the position where the second crystal (sample) 17 is set. Furthermore, as will be described later, this second slit 24 is necessary only for the two-crystal method with a transmission arrangement, and is unnecessary for the other three types of imaging, so it is designed so that it can be attached to and detached from the beam 26. It has become.
第1図において、X線発生源(図示せず)より発生した
X線は、X線導入筒35を通って発生部スリット36へ
導かれる。X線は、このスリット36によってその11
および高さをfIg限され、ω1軸上の第1結晶16あ
るいは試料17へ照射されて、ここで回折する。In FIG. 1, X-rays generated from an X-ray generation source (not shown) are guided to a generation section slit 36 through an X-ray introduction tube 35. The X-rays are transmitted through the slit 36 through the 11
And the height is limited to fIg, and the first crystal 16 or sample 17 on the ω1 axis is irradiated, where it is diffracted.
第1結晶16等で回折したX線は、次いで、第1スリッ
ト22を通過する。このとき、回折X線以外の一次X線
等が遮蔽される。第1スリット22は、既述の通り、0
回転板3と同軸に回転でき17−
18−
るスリット回転板25によって支持されると共に、第5
図のごとく、互いに直交する2方向(B−B方向および
C−C方向)へ移動することができるので、それを容易
に目的の位置へ配置することができる。The X-rays diffracted by the first crystal 16 and the like then pass through the first slit 22 . At this time, primary X-rays other than diffracted X-rays are blocked. As mentioned above, the first slit 22 is 0
It is supported by a slit rotary plate 25 which can rotate coaxially with the rotary plate 3, and a fifth
As shown in the figure, since it can be moved in two directions (B-B direction and C-C direction) that are orthogonal to each other, it can be easily placed at a desired position.
詳しくは後述するが、第1結晶16等で回折したX線は
、その後、1結晶法の場合は第1結晶支持台11に付設
されたフィルム19に入射し、方、2結晶法の場合は第
2結晶(試料)17へ導かれる。この場合X線は、第2
結晶(試料)17で再び回折し、その後、第2結晶支持
台12に付設されたフィルム19に入射する。このとき
、第2結晶(試料)17とフィルム19との間に配置さ
れた第2スリット24が、第2結晶(試料)17で回折
したX線だけをフィルム19へ向けて通過させる。As will be described in detail later, the X-rays diffracted by the first crystal 16 etc. are then incident on the film 19 attached to the first crystal support stand 11 in the case of the single crystal method, and in the case of the two crystal method. It is guided to the second crystal (sample) 17. In this case, the X-rays
The light is diffracted again by the crystal (sample) 17, and then enters the film 19 attached to the second crystal support 12. At this time, the second slit 24 arranged between the second crystal (sample) 17 and the film 19 allows only the X-rays diffracted by the second crystal (sample) 17 to pass toward the film 19.
第2スリット24は、第6図に関連して既に説明したよ
うに、0回転板3と同軸に回転できる20回転板20に
支持されていると共に、互いに直交する2方向(D−D
方向およびE−E方向)へ=19−
移動できるようになっているので、それを容易に上記の
目的の位置へ配置させることができる。As already explained in connection with FIG.
direction and E-E direction), it can be easily placed at the above-mentioned desired position.
移動台27に載置されているX線検出器28は、各結晶
の角度位置等を調整する段階において、回折X線の方向
と一致するように位置調節されるのであるが、26回転
板2oの回転および接線方向(D−D方向)への移動に
よって、容易にその位置調節を行なうことができる。The X-ray detector 28 placed on the movable table 27 is adjusted to match the direction of the diffracted X-rays at the stage of adjusting the angular position of each crystal. Its position can be easily adjusted by rotating and moving in the tangential direction (D-D direction).
X線検出器28としては、X線テレビカメラやX線イメ
ージインテンシファイヤ等のように、回折X線をX線像
として検出できるものとか、シンチレーションカウンタ
等のようなX線強度検出手段を用いることができる。As the X-ray detector 28, one that can detect diffracted X-rays as an X-ray image, such as an X-ray television camera or an X-ray image intensifier, or an X-ray intensity detection means such as a scintillation counter, is used. be able to.
本実施例に係るX線トポグラフィ装置は1以上の通りの
構成となっているので、以下に説明するように簡単な操
作をするだけで、希望に応じて反射配置の2結晶法、透
過配置の2結晶法および透過、表面反射の1結晶法の少
なくとも4種類の測定を行なうことができる。The X-ray topography apparatus according to this embodiment has one or more configurations, so you can use the two-crystal method with a reflection arrangement or the two-crystal method with a transmission arrangement as desired by simply performing the operations described below. At least four types of measurements can be performed: the two-crystal method and the one-crystal method of transmission and surface reflection.
+令
20−
この方法は、ラング法と呼ばれる方法であって、光学系
は、第7図に示すように配置される。+Order 20- This method is called the Lang method, and the optical system is arranged as shown in FIG.
まず、試料17が第1結晶支持台11上に、走査ステー
ジ8の走査方向(A−A方向)に対して平行に取り付け
られる。0回転板3は、所定の角度に粗設定して、固定
(クランプ)しておく。X線検出器28は、注目した格
子面に対応する回折角(2θ)に設定する。これは、2
0回転板20をその回折角に設定し、接線方向(D−D
方向)の移動は行なわないことにより実現される。First, the sample 17 is mounted on the first crystal support stand 11 in parallel to the scanning direction (A-A direction) of the scanning stage 8. The zero rotation plate 3 is roughly set at a predetermined angle and fixed (clamped). The X-ray detector 28 is set at a diffraction angle (2θ) corresponding to the lattice plane of interest. This is 2
The zero rotation plate 20 is set at that diffraction angle, and the tangential direction (D-D
This is achieved by not performing any movement in the direction).
次に、X線検出器28を作動状態にして、X線を発生さ
せる。そして、サインパー4(第3図)によって、試料
17をω1軸のまわりに微回転させて、X線検出器28
が最高強度を示す位置にω角を設定する。実際には、ω
角の調整の他に、結晶の面内回転およびあまり回転によ
る方位調整も必要となる。Next, the X-ray detector 28 is activated to generate X-rays. Then, the sample 17 is slightly rotated around the ω1 axis by the sign par 4 (Fig. 3), and the X-ray detector 28
Set the ω angle at the position where the maximum intensity is shown. Actually, ω
In addition to angle adjustment, orientation adjustment is also required by in-plane rotation and off-plane rotation of the crystal.
次に、第1スリット22の位置調整を行なう。Next, the position of the first slit 22 is adjusted.
すなわち、X線検出器28でX線強度をモニターしなが
ら、回折X線だけを通過させ、直射X線等の不要なX線
を遮蔽する。That is, while monitoring the X-ray intensity with the X-ray detector 28, only diffracted X-rays are allowed to pass, and unnecessary X-rays such as direct X-rays are blocked.
そして、X線検出用のフィルム19を第1結晶支持台1
1に取り付けて、そこにX線を露出する。Then, the film 19 for X-ray detection is placed on the first crystal support stand 1.
1 and expose the X-ray there.
この露出中、走査ステージ8を一定速度でA−A方向へ
往復移動させることにより、広い面積のX線トポグラフ
を得ることができる。During this exposure, by reciprocating the scanning stage 8 in the AA direction at a constant speed, an X-ray topography over a wide area can be obtained.
この方法において光学系は、第8図に示す位置に配置さ
れる。In this method, the optical system is placed in the position shown in FIG.
第7図の透過配置の場合と大きくことなるのは。The major difference from the transparent arrangement shown in Fig. 7 is this.
試料17に対するX線の入射角が小さくなっていること
である。これは1表面反射の場合は試料表面に対して適
宜に傾いた格子面でX線を回折させることが多いためで
ある。このような小さなX線入射角を達成するため、0
回転板3の回転角が第7図の場合に比べて、大きく変え
られている。また、それに応、じて、X線検出器28の
位置、従って20回転板20の回転角度も変えられてい
る。The angle of incidence of the X-rays on the sample 17 is small. This is because in the case of single-surface reflection, X-rays are often diffracted by a lattice plane that is appropriately inclined with respect to the sample surface. To achieve such a small X-ray incidence angle, 0
The rotation angle of the rotating plate 3 has been changed significantly compared to the case shown in FIG. In addition, the position of the X-ray detector 28 and therefore the rotation angle of the 20-turn plate 20 are also changed accordingly.
この方法において、試料17を第1結晶支持台11上に
走査ステージ8の走査方向(A−A方向)−21
22−
と平行に取り付けること、X線検出器28によって試料
17のω角の微調整、第1スリット22の位置調整等を
行なうこと、そして走査ステージ8のA−A方向の走査
移動によって広い面積のX線トポグラフが得られること
等は、第7図の透過配置の場合と同じである。In this method, the sample 17 is mounted on the first crystal support 11 parallel to the scanning direction (A-A direction) -21 22- of the scanning stage 8, and the The adjustment, position adjustment of the first slit 22, etc., and the ability to obtain a wide area X-ray topography by scanning the scanning stage 8 in the A-A direction are the same as in the case of the transmission arrangement shown in FIG. It is.
以上に説明した2つの1結晶法の場合は、第2結晶支持
台12上には特別な結晶は配置されないので、第7図お
よび第8図では、その部分についての図示は省略しであ
る。In the case of the two one-crystal methods described above, no special crystal is placed on the second crystal support 12, so that part is not shown in FIGS. 7 and 8.
−
この方法における光学系の配置は、第9図に示しである
。- The arrangement of the optical system in this method is shown in FIG.
まず、第1結晶16が、透過配置の1結晶法(第7図)
の場合と同じ手順で第1結晶支持台11上に取り付けら
れる。次に、回転ベース10を第1結晶16による回折
X線の方向へ回転させ、そして第2結晶支持台12上に
第2結晶(試料)17を取り付ける。次に、20回転板
20を角度位置0’ (基準位置)の所に戻し、X線
検出器2823
を接線方向(D−D方向)へ移動させてそれを回折X線
の方向と一致させる。First, the first crystal 16 is a one-crystal method in which the first crystal 16 is in a transmission arrangement (Fig. 7).
It is mounted on the first crystal support stand 11 using the same procedure as in the case of . Next, the rotating base 10 is rotated in the direction of the diffracted X-rays by the first crystal 16, and the second crystal (sample) 17 is mounted on the second crystal support 12. Next, the 20-turn plate 20 is returned to the angular position 0' (reference position), and the X-ray detector 2823 is moved in the tangential direction (DD direction) to match the direction of the diffracted X-rays.
次に、第2結晶(試料)17をω2軸のまわりに粗回転
および微回転させて第2結晶(試料)17のω角の調整
を行なう。また、方位調整も併せて行ない、第2結晶(
試料)17を回折X線に対して最適な位置に設定する。Next, the second crystal (sample) 17 is coarsely and finely rotated around the ω2 axis to adjust the ω angle of the second crystal (sample) 17. In addition, orientation adjustment is also performed, and the second crystal (
Sample) 17 is set at the optimal position relative to the diffraction X-rays.
その後、第2スリット24を所定の位置に配置し、さら
にフィルム19を第2結晶支持台12に取り付け、そし
てそのフィルム19へX線を露出する。この場合も、走
査ステージ8の走査移動によって、広い面積のX線トポ
グラフが得られる。Thereafter, the second slit 24 is placed at a predetermined position, the film 19 is attached to the second crystal support 12, and the film 19 is exposed to X-rays. Also in this case, by scanning the scanning stage 8, an X-ray topography over a wide area can be obtained.
この方法における光学系の配置は、第10図に示しであ
る。The arrangement of the optical system in this method is shown in FIG.
この方法において、第1結晶16は、表面反射の1結晶
法(第8図)の場合と同じ手順で第1結晶支持台11上
に取り付けられる。また、回転ベース10の回転、X線
検出器28の接線方向(D−D方向)移動、そして第2
結晶(試料)17の24−
ω角調整等が行われて、それらが図示の位置に置かれる
6 配置位置は異なるものの、回転ベース10等の操作
手順それ自体は、第9図の透過配置の2結晶法の場合と
同じである。In this method, the first crystal 16 is mounted on the first crystal support 11 in the same procedure as in the one-crystal method of surface reflection (FIG. 8). Further, the rotation of the rotating base 10, the movement of the X-ray detector 28 in the tangential direction (D-D direction), and the second
The 24-ω angle adjustment etc. of the crystal (sample) 17 are performed and they are placed in the position shown in the figure.6 Although the placement position is different, the operation procedure itself for the rotating base 10 etc. is the same as that of the transmission arrangement shown in FIG. This is the same as in the case of the two-crystal method.
なお、表面反射の2結晶法の場合は、図示の通り、第2
スリット24は用いられない。In addition, in the case of the two-crystal method of surface reflection, as shown in the figure, the second
Slit 24 is not used.
以上のように、本実施例によれば、1つの装置で少なく
とも4種類の異なった方法に基づく測定を実行すること
ができ、それぞれの方法のための専用装置を用意してお
く必要がなくなる。As described above, according to this embodiment, one device can perform measurements based on at least four different methods, and there is no need to prepare dedicated devices for each method.
以上、1つの実施例をあげて本発明を説明したが1本発
明はその実施例に限定されることなく、種々に改変する
ことができる。Although the present invention has been described above with reference to one embodiment, the present invention is not limited to that embodiment and can be modified in various ways.
例えば、第7図から第10図に示した走査ステージ8、
回転ベース10等の配置位置は、単なる一例であって、
必要に応じてその他の適当な配置位置とすることもでき
る。For example, the scanning stage 8 shown in FIGS. 7 to 10,
The arrangement position of the rotation base 10 etc. is just an example,
Other suitable placement positions may be used as required.
走査ステージ81回転ベース10等の形状および構造も
、実施例のもの以外の任意のものとすることができる。The shape and structure of the scanning stage 81, rotating base 10, etc. may also be arbitrary other than those in the embodiment.
試料17で回折したX線を像として記録するための像記
録体としては、実施例におけるフィルム19以外に、い
わゆる輝尽性蛍光体を用いることもできる。この場合に
は1回折X線に対応するエネルギー潜像がその輝尽性蛍
光体の内部に形成される。As an image recording medium for recording the X-rays diffracted by the sample 17 as an image, a so-called stimulable phosphor can also be used in addition to the film 19 in the embodiment. In this case, an energy latent image corresponding to one diffracted X-ray is formed inside the stimulable phosphor.
上記実施例では、0回転板3の粗回転を手動で行なうも
のとして説明したが、これに代えて、モータ等の駆動手
段を用いて自動で行なうようにすることも可能である。In the above embodiment, the coarse rotation of the 0-rotation plate 3 has been described as being performed manually, but instead of this, it is also possible to perform the rough rotation automatically using a driving means such as a motor.
[発明の効果]
請求項1の発明によれば、走査ステージ(8)の上に直
接、第1結晶支持台(11)および第2結晶支持台(1
2)を取り付けるのではなくて。[Effects of the Invention] According to the invention of claim 1, the first crystal support stand (11) and the second crystal support stand (11) are placed directly on the scanning stage (8).
Rather than installing 2).
走査ステージ(8)の上に回転ベース(10)を介在さ
せ、その回転ベース(10)の上に第1結晶支持台(1
1)および第2結晶支持台(12)を配置するようにし
たので、第1結晶(16)と第2結晶(試料: 17)
との相対位置を自由に選ぶことができるようになり、そ
の結果、従来は個5−
−に−
々の専用機によって行なわなければならなかった、透過
配置の1結晶法1表面反射の1結晶法、表面反射配置の
2結晶法、そして透過配置の2結晶法の少なくとも4種
類の方法によるトポグラフの撮影を1つの装置でできる
ようになった。A rotating base (10) is interposed on the scanning stage (8), and a first crystal support stand (1) is placed on the rotating base (10).
1) and the second crystal support stand (12), the first crystal (16) and the second crystal (sample: 17)
As a result, one crystal method with a transmission arrangement and one crystal with a surface reflection method, which previously had to be carried out using separate dedicated machines, are now possible. It is now possible to take topographic images using at least four different methods: the two-crystal method with a surface reflection arrangement, and the two-crystal method with a transmission arrangement.
請求項2の発明によれば、上記の各方法間で走査ステー
ジ(8)1回転ベース(10)等の配設位置を変えた場
合でも、第1結晶(16)に対する第1スリット(22
)の位置を極めて容易に設定することが可能となる。According to the invention of claim 2, even when the positions of the scanning stage (8), single rotation base (10), etc. are changed between the above-mentioned methods, the first slit (22) relative to the first crystal (16)
) can be set extremely easily.
請求項3の発明によれば、上記の各方法間で走査ステー
ジ(8)1回転ベース(10)等の配設位置を変えた場
合でも、X線検出器(28)を極めて容易に回折X線の
方向に一致させることができ、さらに、第2スリット(
24)のX線検出器(28)に対する位置も容易に設定
することができる。According to the third aspect of the invention, even when the positions of the scanning stage (8), one-rotation base (10), etc. are changed between the above-mentioned methods, the X-ray detector (28) can be very easily converted to the diffraction The direction of the line can be matched, and the second slit (
24) relative to the X-ray detector (28) can also be easily set.
第1図は本発明に係るX線トポグラフィ装置の一実施例
の側面図、第2図は第1図の要部を示す27−
斜視図、第3図は第2図の■−■線に従った平面図、第
4図は回転ベースの一実施例を示す平面図、第5図は第
1図の他の要部を示す斜視図、第6図は第1図のさらに
他の要部を示す斜視図、第7図〜第10図は異なるX線
撮影法における光学系の配置例を示す平面図である。
17・・・試料、
ω1・・・軸線、
8・・・走査ステージ、
11・・・第1結晶支持台、
17・・・第2結晶(試料)。
25・・・スリット回転板。
20・・・20回転板、
28・・・X線検出器、
19・・・フィルム、
3・・・0回転板、
16・・・第1結晶、
10・・・回転ベース。
12・・・第2結晶支持台
22・・・第1スリット。
27・・・移動台。
24・・・第2スリット
28−
第1図
綜
く
快
■
昧FIG. 1 is a side view of an embodiment of the X-ray topography apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a 27- perspective view showing the main parts of FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is a plan view showing one embodiment of the rotating base, FIG. 5 is a perspective view showing other main parts of FIG. 1, and FIG. 6 is a further main part of FIG. 1. FIGS. 7 to 10 are plan views showing examples of the arrangement of optical systems in different X-ray imaging methods. 17... Sample, ω1... Axis line, 8... Scanning stage, 11... First crystal support stand, 17... Second crystal (sample). 25...Slit rotating plate. 20...20 rotating plate, 28...X-ray detector, 19...film, 3...0 rotating plate, 16...first crystal, 10... rotating base. 12...Second crystal support stand 22...First slit. 27...Moving table. 24...Second slit 28- Figure 1
Claims (3)
X線像を像記録体に記録してX線トポグラフを作成する
X線トポグラフイ装置であって、 1つの軸線を中心として回転可能であるω 回転板と、 そのω回転板上に配設されていて、そのω 回転板に対して平行に移動する走査ステージと、 その走査ステージに固定して配置されてい て、上記走査ステージが移動するときに上記の軸線を横
切るようになつており、そして第1結晶が載せられる第
1結晶支持台と、 上記走査ステージ上に配設されていて、第 1結晶支持台を中心として回転することのできる回転ベ
ースと、 その回転ベース上に上記第1結晶支持台と 間隔をおいて配設されていて、第2結晶が載せられる第
2結晶支持台と を有しており、 上記第1結晶支持台または第2結晶支持台 に試料を載せて、その試料のX線トポグラフ撮影を行な
うことを特徴とするX線トポグラフイ装置。(1) An X-ray topography device that creates an X-ray topography by irradiating a single crystal sample with X-rays and recording the X-ray image diffracted by the sample on an image recording medium, which rotates around one axis. a scanning stage disposed on the ω rotating plate and movable parallel to the ω rotating plate; and a scanning stage fixedly disposed on the scanning stage; a first crystal support on which the first crystal is placed so as to cross the axis when the crystal is moved; and a first crystal support, which is arranged on the scanning stage and rotates about the first crystal support. and a second crystal support stand disposed on the rotation base at a distance from the first crystal support stand and on which the second crystal is placed; An X-ray topography apparatus characterized in that a sample is placed on a first crystal support stand or a second crystal support stand, and X-ray topography is taken of the sample.
ット回転板と、 そのスリット回転板に保持され、上記第1 結晶と上記第2結晶との間に配置されて、その第1結晶
によって回折されたX線ビームを通過させ、その他のX
線を遮る第1スリットと を有することを特徴とする請求項1記載のX線トポグラ
フィ装置。(2) a slit rotary plate that can rotate coaxially with the rotational axis of the ω rotary plate; The diffracted X-ray beam is passed through, and the other
The X-ray topography apparatus according to claim 1, further comprising a first slit that blocks the radiation.
したX線ビームを通過させその他のX線を遮る第2スリ
ットと を有することを特徴とする請求項1または2記載のX線
トポグラフィ装置。(3) A 2θ rotary plate that can rotate coaxially with the ω rotary plate; a movable table disposed on the 2θ rotary plate and movable in the tangential direction to the rotation of the 2θ rotary pole; and a movable table disposed on the movable table. an X-ray detector disposed on its movable stage and between the second crystal and the image recording body, which transmits the X-ray beam diffracted by the second crystal and transmits other X-rays. The X-ray topography apparatus according to claim 1 or 2, further comprising a second slit that blocks the radiation.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1288287A JP2732311B2 (en) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | X-ray topography equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP1288287A JP2732311B2 (en) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | X-ray topography equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH03148055A true JPH03148055A (en) | 1991-06-24 |
JP2732311B2 JP2732311B2 (en) | 1998-03-30 |
Family
ID=17728207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP1288287A Expired - Lifetime JP2732311B2 (en) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | X-ray topography equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2732311B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5232373B2 (en) * | 2006-09-28 | 2013-07-10 | 株式会社リガク | Two-crystal X-ray topography system |
-
1989
- 1989-11-06 JP JP1288287A patent/JP2732311B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP2732311B2 (en) | 1998-03-30 |
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