JPH03146886A - Semiconductor integrated device - Google Patents
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- JPH03146886A JPH03146886A JP1282927A JP28292789A JPH03146886A JP H03146886 A JPH03146886 A JP H03146886A JP 1282927 A JP1282927 A JP 1282927A JP 28292789 A JP28292789 A JP 28292789A JP H03146886 A JPH03146886 A JP H03146886A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
マイクロコンピュータと周辺機能回路とをワンチップ上
に構成した半導体集積装置に関し、半導体集積装置の初
期不良を発見するための試験を効率的に実行することを
目的とし、 マイクロコンピュータ部と、該マイクロコ
ンピュータ部と接続されている複数個の制御レジスタを
有する(1)
周辺機能回路部と、テストモード発生回路、テストモー
ド時に前記制御レジスタを前記マイクロコンピュータの
制御から切り離しテストモード発生回路からの制御信号
により制御を行わせるテストモード制御回路とをチップ
内に有するように構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention relates to a semiconductor integrated device in which a microcomputer and a peripheral function circuit are configured on one chip, and the present invention aims to efficiently perform a test to discover initial failures of the semiconductor integrated device. (1) A peripheral function circuit section, a test mode generation circuit, and a control register that controls the microcomputer in the test mode. The chip is configured to include a test mode control circuit which is controlled by a control signal from the test mode generation circuit.
本発明はマイクロコンピュータと複数の周辺機能回路と
が1つのチップ上に形成された半導体集積装置に関する
ものである。The present invention relates to a semiconductor integrated device in which a microcomputer and a plurality of peripheral function circuits are formed on one chip.
近年一般にワンチップマイクロコンピュータと称される
マイクロコンピュータと複数の周辺機能回路とが1つの
チップ上に形成されている半導体集積回路は、その集積
度、集積規模がますます大きくなり、当該製品を出荷す
る時に行う出荷試験の前の段階で当該製品上の初期不良
を発見し不良製品を除去するための所謂バーインテスト
或は加(2)
速試験を行っているが、かかるテストを効率よく実行す
ることが要求されてきている。処でこのような半導体集
積装置において、該製品の回路の一部に接触不良とか、
短絡部分が存在していると、装置が動作しなかったり破
壊されてしまうおそれがあり、そのような不良個所をも
つ当該製品は出荷試験以前の初期の段階で取り除くこと
が必要であり、そのためのテストを行うものであるが、
従来においてはチップに設けられているマイクロコンピ
ュータ(以下 CPUと称する)を利用して周辺機能回
路部が作動するか否かのテストを行っていた。In recent years, semiconductor integrated circuits, generally referred to as one-chip microcomputers, in which a microcomputer and multiple peripheral function circuits are formed on a single chip, have become increasingly dense and integrated, making it difficult to ship these products. We conduct so-called burn-in tests or accelerated tests to detect initial defects on the product and eliminate defective products before the shipping test, which is carried out when the product is shipped. There is a growing demand for this. However, in such a semiconductor integrated device, there may be a contact failure or other problem in a part of the circuit of the product.
If there is a short-circuited part, there is a risk that the device will not work or will be destroyed, so it is necessary to remove the product with such a defective part at an early stage before shipment testing. Although it is a test,
Conventionally, a microcomputer (hereinafter referred to as CPU) provided on a chip has been used to test whether or not a peripheral function circuit section operates.
ここで第3図に従来における半導体集積装置つまりワン
チップマイクロコンピュータの一具体例が示されており
、チップ1内にCP[I 31、読出し書き込みメモリ
であるRAM 32、読出専用メモリであるRUM 3
3、及び複数個のリソースと呼ばれる周辺機能回路部3
4〜36とが設けられ、それぞれが内部バス37により
電気的に接続されている。FIG. 3 shows a specific example of a conventional semiconductor integrated device, that is, a one-chip microcomputer, in which a chip 1 includes a CP[I 31, a RAM 32 which is a read/write memory, and a RUM 3 which is a read-only memory.
3, and a plurality of peripheral function circuit units 3 called resources.
4 to 36 are provided, and each is electrically connected by an internal bus 37.
尚チップには該ワンチップマイクロコンピユー(3)
夕を作動させるためのクロック入力部38、内部回路を
初期化する為のリセット信号入力部39が設けられてい
る。The chip is provided with a clock input section 38 for operating the one-chip microcomputer (3) and a reset signal input section 39 for initializing the internal circuit.
処で従来において、このような構造を有する半導体集積
装置に対し前述したようなテストを実行しようとする時
には、CPU 31を作動させるためのテスト用命令コ
ードをROMに記憶させておく必要がある。然しながら
CPUの命令コードは半導体装置毎に異ることもあり、
そのたびに命令コードを書き換えてROMに入力してお
く必要がある。Conventionally, when attempting to perform the above-described test on a semiconductor integrated device having such a structure, it is necessary to store a test instruction code for operating the CPU 31 in the ROM. However, the CPU instruction code may differ depending on the semiconductor device.
Each time, it is necessary to rewrite the instruction code and input it into the ROM.
これは繁雑な作業であり又時間的な損失も大きい。This is a complicated task and also involves a large loss of time.
又周辺機能回路部の回路構成や数も製品によって異るた
め、そのために命令コードの変更や、ROMの容量を変
更する必要が生じるので汎用性がなく、又テスト効率が
低い状態であった。Furthermore, since the circuit configuration and number of peripheral function circuits differ depending on the product, it is necessary to change the instruction code and the capacity of the ROM, resulting in lack of versatility and low test efficiency.
本発明の目的は上記した従来技術の欠点を改良し、汎用
性がありしかも大量の半導体集積装置を同時にかつ効率
的に動作テストを実行出来るテス(4〉
ト回路を内蔵した半導体集積装置を提供しようとするも
のである。The purpose of the present invention is to improve the above-mentioned drawbacks of the prior art, and to provide a semiconductor integrated device with a built-in test circuit that is versatile and capable of simultaneously and efficiently testing the operation of a large number of semiconductor integrated devices. This is what I am trying to do.
本発明に係る半導体集積装置は上記した目的を達成する
ため次のような技術的構成を採用するものである。即ち
、マイクロコンピュータ部11、該マイクロコンピュー
タ部と接続されている複数個の制御レジスタ13を有す
る周辺機能回路部12と、テストモード発生回路14、
テストモード時に前記制御レジスタ13を前記マイクロ
コンピュータの制御から切り離しテストモード発生回路
からの制御信号により制御を行わせるテストモード制御
回路15とをチップ内に有する半導体集積装置である。The semiconductor integrated device according to the present invention employs the following technical configuration in order to achieve the above-mentioned object. That is, a microcomputer section 11, a peripheral function circuit section 12 having a plurality of control registers 13 connected to the microcomputer section, a test mode generation circuit 14,
This semiconductor integrated device includes a test mode control circuit 15 in a chip, which separates the control register 13 from the control of the microcomputer in the test mode and controls it by a control signal from a test mode generation circuit.
本発明における半導体集積装置においては、周辺機能回
路の作動有無をテストする時にはコンピュータに内蔵さ
れているCP[Iからの制御を遮断し、(5〉
テストモード発生回路から直接各周辺機能回路部の有す
る制御レジスタにテスト用信号を送り込みテストを行う
ものであるから、従来のようにCPUが変更されるたび
に異るテスト用プログラムを作ってROM 17等に記
憶させておく必要がなく、又大量の半導体集積装置を汎
用的に同時にテストすることが出来る。In the semiconductor integrated device of the present invention, when testing whether a peripheral function circuit is operating or not, control from the CP[I built in the computer is cut off, and (5) each peripheral function circuit section is directly controlled from the test mode generation circuit. Since the test is performed by sending a test signal to the control register that has the CPU, there is no need to create a different test program and store it in the ROM 17 etc. each time the CPU is changed, and there is also a large amount of It is possible to simultaneously test multiple semiconductor integrated devices in a general-purpose manner.
以下、本発明の具体例を図面を参照しながら詳細に説明
する。Hereinafter, specific examples of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第1図は本発明の原理説明図であり、チップ1上にCP
[I 11、周辺機能回路部12、ROM 17、RA
M 18、テストモード発生回路14、テストモード制
御回路15とが設けられている、又周辺機能回路部12
には制御レジスタ部13と内部回路22が設けられてい
る。FIG. 1 is an explanatory diagram of the principle of the present invention.
[I 11, peripheral function circuit section 12, ROM 17, RA
M18, a test mode generation circuit 14, a test mode control circuit 15 are provided, and a peripheral function circuit section 12
A control register section 13 and an internal circuit 22 are provided.
−当該テストモード制御回路及び制御レジスタ部は、例
えば第2図に示されるような回路構成を有するものであ
る。又テストモード発生回路部14はテストモード信号
発生部20と、テストモード時の(6)
制御レジスタ制御信号発生部21とを有している。- The test mode control circuit and control register section have a circuit configuration as shown in FIG. 2, for example. Further, the test mode generation circuit section 14 has a test mode signal generation section 20 and a (6) control register control signal generation section 21 in the test mode.
通常の動作時(即ち非テストモード時〉には、テストモ
ード制御回路15が非動作状態とされCPt1からのW
R信信号部有効とされ周辺機能回路部12内の制御レジ
スタ13にWR信信号部入力され内部回路22をイネー
ブルとしCP[Iのデータ信号■が周辺機能回路部12
内の内部回路を動作させる。一方テストモード時にはテ
ストモード発生部からのテストモード信号、例えば“0
”、によりCP[I 11と制御レジスタ13との接続
を遮断するとともにテストモード制御回路15を作動さ
せてテストモード発生部から出力される制御レジスタ制
御信号を当該制御レジスタ13に人力させ周辺機能回路
部12を作動させるようにするものである。During normal operation (that is, non-test mode), the test mode control circuit 15 is in a non-operating state and the W from CPt1 is
The R signal section is enabled, the WR signal section is input to the control register 13 in the peripheral function circuit section 12, the internal circuit 22 is enabled, and the data signal ■ of CP[I is input to the control register 13 in the peripheral function circuit section 12.
operate the internal circuits within. On the other hand, in the test mode, the test mode signal from the test mode generator, for example “0
”, the connection between the CP[I 11 and the control register 13 is cut off, and the test mode control circuit 15 is activated so that the control register control signal outputted from the test mode generator is inputted to the control register 13 to control the peripheral function circuit. This is to operate the section 12.
第2図には本発明において使用されるテストモード制御
回路15と制御レジスタ13の内部回路構成の例を示し
たものである。即ちテストモード制御回路15はNAN
D回路16と切換制御回路19よりなり、NAND回路
16の一方の入力にはCPU 11のWR信信号部入力
され他方の入力にはテストモード発生回路(7)
14のテストモード信号発生部20から出力されるテス
ト信号■が入力される。一方切換制御回路19は一方の
入力にテスト信号■がインバータ23を介して入力され
、他方の入力に、テストモード発生回路14の制御レジ
スタ制御信号発生部21からの制御レジスタ制御信号■
が入力されるNANDゲート24と、一方の入力に上記
テスト信号■が入力され他方の入力に前記制御信号■が
入力されるNORゲート25とから構成されているもの
である。−力制御レジスタ13は前記NANDゲート回
路16により制御される第1の制御回路部13−1と、
前記切換制御回路19の出力により制御される第2の制
御回路部132と、帰還回路をもつインバータ回路13
−3とから構成されており、第1の制御回路部は高電位
電源V、。と低電位電源VSSとの間に2個のP形MO
3FE!T(TllT2)と2個のN形MO3FEIT
(T3. T、)がこの順に直列に接続されており、
該トランジスタT+のゲートにはNANDゲート回路1
6の出力が入力され、又該トランジスタT4のゲートに
は同出力がインバータを介して入力されている。−力試
トラン(8〉
ジスタT2とT、のゲートにはCPUのデータ■が共通
に入力されている。FIG. 2 shows an example of the internal circuit configuration of the test mode control circuit 15 and control register 13 used in the present invention. That is, the test mode control circuit 15
Consisting of a D circuit 16 and a switching control circuit 19, one input of the NAND circuit 16 receives input from the WR signal section of the CPU 11, and the other input receives a signal from the test mode signal generation section 20 of the test mode generation circuit (7) 14. The output test signal ■ is input. On the other hand, the switching control circuit 19 receives the test signal ■ via the inverter 23 at one input, and receives the control register control signal ■ from the control register control signal generator 21 of the test mode generation circuit 14 at the other input.
The NOR gate 25 is comprised of a NAND gate 24 to which is input the test signal 2, and a NOR gate 25 to which the test signal 2 is input to one input and the control signal 2 is input to the other input. - the force control register 13 includes a first control circuit section 13-1 controlled by the NAND gate circuit 16;
a second control circuit section 132 controlled by the output of the switching control circuit 19; and an inverter circuit 13 having a feedback circuit.
-3, and the first control circuit section includes a high potential power source V,. Two P-type MOs are connected between
3FE! T (TllT2) and two N-type MO3FEITs
(T3.T,) are connected in series in this order,
A NAND gate circuit 1 is connected to the gate of the transistor T+.
6 is input, and the same output is input to the gate of the transistor T4 via an inverter. -Power test run (8>) CPU data (■) is commonly input to the gates of registers T2 and T.
一方第2の制御回路部13−2は高電位電源V。Cと低
電位電源VSSとの間にP形及びN形MO3FET(T
s、Ta)が直列に配されておりかつ両トランジスタの
接続部に前記第1の制御回路部13−1の出力が入力さ
れている。又該トランジスタT5のゲートは前記NAN
Oゲート24の出力と接続され又該トランジスタT6の
ゲートは前記NORゲート25の出力と接続されている
。On the other hand, the second control circuit section 13-2 is connected to a high potential power source V. P-type and N-type MO3FETs (T
s, Ta) are arranged in series, and the output of the first control circuit section 13-1 is input to the connection section between both transistors. Further, the gate of the transistor T5 is connected to the NAN
The gate of the transistor T6 is connected to the output of the NOR gate 25, and the gate of the transistor T6 is connected to the output of the NOR gate 25.
尚第3の制御回路部13−3は前記第1及び第2の制御
回路がフロート状態となった場合でも一定のレベルの電
圧を保つように挿入されたものである。The third control circuit section 13-3 is inserted so as to maintain the voltage at a constant level even when the first and second control circuits are in a floating state.
又、本発明においてテストモード発生回路部14におけ
る制御レジスタ制御信号発生部21から出力される信号
は、特に限定されるものではないが、周辺機能回路部が
動作しているか否かが少くとも判別しえるようなもので
あれば良く、例えばクロック信号を適宜分周したもので
あっても良い。Further, in the present invention, the signal output from the control register control signal generating section 21 in the test mode generating circuit section 14 is not particularly limited, but is used to at least determine whether or not the peripheral function circuit section is operating. For example, it may be a clock signal obtained by dividing the clock signal as appropriate.
(9) 次に上記回路の動作について説明する。(9) Next, the operation of the above circuit will be explained.
本具体例においてはテスト信号発生部20からの出力信
号■が“1”の場合つまり“H”の場合に通常動作モー
ドであり“0”の場合つまり“L”の場合にテストモー
ドであると決めておく。In this specific example, when the output signal ■ from the test signal generator 20 is "1", that is, "H", it is the normal operation mode, and when it is "0", that is, "L", it is the test mode. I'll decide.
そこで該信号出力■が外部信号により通常動作モードと
するため“H”となっているとすると切換制御回路19
のNANOゲート回路24はその一方の入力にインバー
タ23を介して“L”の信号が入力されるので、他方の
入力のレベル如何にかかわらず“H”レベルの出力が出
る。従って制御レジスタ13の第2の制御回路13−2
のトランジスタT5はOFFとなる。一方向回路19の
NORゲート回路25はその一方の入力に“H”レベル
の信号が入力されるので他方の入力のレベル如何にかか
わらず“L”レベルの出力が出る。従って第2制御回路
13−2のトランジスタT6はOFFとなる。Therefore, if the signal output (■) is set to "H" to set the normal operation mode by an external signal, the switching control circuit 19
Since the NANO gate circuit 24 receives an "L" signal at one input via the inverter 23, it outputs an "H" level regardless of the level of the other input. Therefore, the second control circuit 13-2 of the control register 13
The transistor T5 is turned off. Since the NOR gate circuit 25 of the one-way circuit 19 receives an "H" level signal at one input, it outputs an "L" level regardless of the level of the other input. Therefore, the transistor T6 of the second control circuit 13-2 is turned off.
従って該第2の制御回路13−2はフロートの状態とな
る。−力出力信号■の“H”レベル出力はNANOゲー
ト回路16の一方の入力端に入力されてい(10〉
る。そこでCPU 11がWR信信号上して“H”レベ
ルの信号を出力するとNANDゲート回路16の出力は
“L”レベルとなり、それによって制御レジスタ13の
第1の制御回路13−1におけるトランジスタT+ を
ONとなし又トランジスタT、にはインバータにより“
H″レベル信号が入力されるのでONとなる。そのため
トランジスタT2とT3とはインバータの機能を有する
ことになりCPUからのデータ■の信号を反転した信号
が第1の制御回路13−1から出力される。これが第2
の制御回路13−2を通過し、第3の制御回路13−3
で反転されるので、第3の制御回路13−3の出力はC
PU 11のデータと同じ出力信号が得られ、その信号
により周辺機能回路部12の内部回路が作動する。Therefore, the second control circuit 13-2 is in a floating state. - The "H" level output of the power output signal ■ is input to one input terminal of the NANO gate circuit 16 (10).Therefore, when the CPU 11 outputs a "H" level signal on the WR signal, the NAND The output of the gate circuit 16 becomes "L" level, thereby turning on the transistor T+ in the first control circuit 13-1 of the control register 13, and turning on the transistor T by the inverter.
Since the H'' level signal is input, the transistors T2 and T3 turn on. Therefore, the transistors T2 and T3 have an inverter function, and a signal obtained by inverting the data ■ signal from the CPU is output from the first control circuit 13-1. This is the second
through the third control circuit 13-2, and the third control circuit 13-3.
Therefore, the output of the third control circuit 13-3 is C
An output signal identical to the data of the PU 11 is obtained, and the internal circuit of the peripheral function circuit section 12 is activated by this signal.
次にこの半導体集積装置のテストを行う場合には、適宜
の外部手段によりテストモード発生回路14のテストモ
ード発生部の出力信号を“L”レベルとする。NAND
ゲート回路16の一方の入力端に“L”レベルの信号が
入力されるのでWR信号のレベル如何にかかわらずNA
NDゲートの出力は“H″(11)
となるので第1の制御回路13−1におけるトランジス
タT+ とT4はOFFとなり従ってCP[I 11の
データは人力されても該第1の制御回路を通過しえない
。つまり制御レジスタとcpuとの接続が遮断されるこ
とになる。Next, when testing this semiconductor integrated device, the output signal of the test mode generating section of the test mode generating circuit 14 is set to the "L" level by appropriate external means. NAND
Since an "L" level signal is input to one input terminal of the gate circuit 16, the NA is input regardless of the level of the WR signal.
Since the output of the ND gate becomes "H" (11), transistors T+ and T4 in the first control circuit 13-1 are turned off, so that the data of CP[I11 passes through the first control circuit even if it is input manually. I can't do it. In other words, the connection between the control register and the CPU is cut off.
一方切り換制御回路19においてはNAN[]ゲート2
4の一方の入力には“H”レベルの信号が入力され又N
ORゲート25の一方の入力には“L”レベルの信号が
入力されていることから制御レジスタ制御信号発生部2
1からの制御レジスタ制御信号■が“H”であればNA
NDゲート24から”L”の信号が出力され第2の制御
回路13−2のトランジスタT5はONとなり、一方N
ORゲート25からも“L”の信号が出力されるので同
制御回路13−2のトランジスタT6はOFFとなるの
で結果第2の制御回路13−2の出力は“H”となる。On the other hand, in the switching control circuit 19, the NAN[] gate 2
An “H” level signal is input to one input of N4.
Since the "L" level signal is input to one input of the OR gate 25, the control register control signal generator 2
If the control register control signal ■ from 1 is “H”, NA
An "L" signal is output from the ND gate 24, and the transistor T5 of the second control circuit 13-2 is turned on, while the N
Since the OR gate 25 also outputs an "L" signal, the transistor T6 of the control circuit 13-2 is turned off, and as a result, the output of the second control circuit 13-2 becomes "H".
−右同制御信号■が”L”である時は上記と全く逆の関
係が成立し第2の制御回路13−2の出力は“L”とな
る。従って第2の制御回路13−2の出力は制御レジス
タ制御信号■と同じ信号となりこれが第(12〉
3の制御回路13−3で反転されて周辺機能回路部を動
作させることになる。- When the right control signal (2) is "L", the completely opposite relationship to the above is established, and the output of the second control circuit 13-2 becomes "L". Therefore, the output of the second control circuit 13-2 becomes the same signal as the control register control signal (1), which is inverted by the (12>3rd control circuit 13-3) to operate the peripheral function circuit section.
即ち、テストモードでは周辺機能回路部はCPU11か
ら切り離され、CPUとは別に設けたテストモード発生
部14より出力されるテストモード信号とテストモード
時に周辺機能回路部にある制御レジスタを制御する制御
レジスタ制御信号とにより周辺機能回路部を作動させる
ものである。本具体例においては第1図において1つの
ワンチップに1つの周辺機能回路部12シか設けていな
い例について説明したが、本発明においては周辺機能回
路部は複数個設けているのが通例であり、又各周辺機能
回路部は制御レジスタを内蔵していることが好ましい。That is, in the test mode, the peripheral function circuit section is separated from the CPU 11, and the test mode signal output from the test mode generation section 14 provided separately from the CPU and the control register that controls the control registers in the peripheral function circuit section during the test mode are used. The peripheral function circuit section is operated by the control signal. In this specific example, an example in which only one peripheral function circuit section 12 is provided on one chip in FIG. It is also preferable that each peripheral function circuit section has a built-in control register.
本発明におけるテストモード発生回路部14は1つのチ
ップに1つ設けてあればよく、適宜のアドレス手段によ
って各周辺機能回路部と順次接続しろるようにしてもよ
い。又切り換制御回路部19もテストモード発生回路部
14と同様に1つのチップに1つ設はアドレス手段によ
り各周辺機能回路部と接続するようにしても良い。本発
明にお(13)
けるこの段階でのテストは周辺機能回路部の各出力端部
が指定されたプログラム通りに作動するか否かをテスト
するよりもむしろ単に当該周辺機能回路部が動作するか
否かのみのテストで十分とされているので、制御レジス
タ制御信号は簡単なプログラムでよい。One test mode generation circuit section 14 in the present invention may be provided on one chip, and may be connected to each peripheral function circuit section in sequence by appropriate addressing means. Similarly to the test mode generation circuit section 14, the switching control circuit section 19 may also be provided on one chip and connected to each peripheral function circuit section through address means. The test at this stage in (13) of the present invention does not test whether each output terminal of the peripheral function circuit operates according to a specified program, but rather simply tests whether the peripheral function circuit operates. Since it is sufficient to test only whether or not the control register control signal is set, a simple program is sufficient.
又このプログラムを用いて各周辺機能回路部の各々が動
作しているか否かをチエツクするには、例えば該周辺機
能回路部の特定の出力端部に検知器を当てその電圧を測
定する方法を用いることが出来る。尚本発明における上
記テストモード発生回路部とその動作プログラムをCP
[I 11に実行させるようにしてもよい。Also, in order to check whether each peripheral function circuit is operating using this program, for example, there is a method of placing a detector on a specific output terminal of the peripheral function circuit and measuring its voltage. It can be used. The test mode generation circuit section and its operation program in the present invention are described in CP.
[I 11 may be executed.
本発明においては、上記のような構成をとることによっ
て、ワンチップマイクロコンピュータ等における周辺機
能回路をテストモード時にはCPUとは別個に作動させ
ることが出来るのでテストに供される各チップのCP[
Iが異って、その命令体系(14〉
が異った場合でもテスト用のプログラムを書きかえる必
要がなく、特定の信号のみで周辺機能回路部をテスト用
に動作させることが出来る。又周辺機能回路部の数が異
ってもROMの命令コードをかえる必要がないので、テ
スト作業が簡素化され低コストが高能率にテストを実行
しろる。In the present invention, by adopting the above configuration, the peripheral function circuits in a one-chip microcomputer etc. can be operated separately from the CPU in the test mode, so that the CP[
Even if the I and the instruction system (14) are different, there is no need to rewrite the test program, and the peripheral function circuit can be operated for testing with only specific signals. Since there is no need to change the instruction code of the ROM even if the number of functional circuit units differs, the test work is simplified and the test can be executed at low cost and with high efficiency.
第1図は本発明に係る半導体集積装置の構造と原理を説
明する図である。
第2図は本発明にかかる半導体集積装置における制御レ
ジスタと切り換え制御回路の回路構成の例を示す図であ
る。
第3図は従来の半導体集積装置の例を示す図である。
1・・・半導体集積装置、
11 、31・・・マイクロコンピュータ、CPU12
、34 、35 、36・・・周辺機能回路部、13
・・・制御レジスタ、
14・・・テストモード発生回路部、
15・・・テストモード制御回路、
(15)
16・・・NANOゲート回路、 17 、33・・・
ROM。
18 、32・・・RAM、 19・・・切り換
制御部、20・・・テストモード信号発生部、
21・・・制御レジスタ制御信号発生部、22・・・周
辺機能回路部の内部回路、23・・・インバータ、
24・・・NANDゲート回路、25・・・NOR
ゲート回路、
13−1・・・第1の制御回路、
13−2・・・第2の制御回路、
13−3・・・第3の制御回路、
37・・・内部バス、38・・・クロック入力端、39
・・・外部信号入力端。
(16)FIG. 1 is a diagram illustrating the structure and principle of a semiconductor integrated device according to the present invention. FIG. 2 is a diagram showing an example of a circuit configuration of a control register and a switching control circuit in a semiconductor integrated device according to the present invention. FIG. 3 is a diagram showing an example of a conventional semiconductor integrated device. 1... Semiconductor integrated device, 11, 31... Microcomputer, CPU12
, 34 , 35 , 36 ... peripheral function circuit section, 13
... Control register, 14... Test mode generation circuit section, 15... Test mode control circuit, (15) 16... NANO gate circuit, 17, 33...
ROM. 18, 32... RAM, 19... Switching control section, 20... Test mode signal generation section, 21... Control register control signal generation section, 22... Internal circuit of peripheral function circuit section, 23...Inverter,
24...NAND gate circuit, 25...NOR
Gate circuit, 13-1... First control circuit, 13-2... Second control circuit, 13-3... Third control circuit, 37... Internal bus, 38... Clock input terminal, 39
...External signal input terminal. (16)
Claims (1)
部と接続されている複数個の制御レジスタを有する周辺
機能回路部と、テストモード発生回路、テストモード時
に前記制御レジスタを前記マイクロコンピュータの制御
から切り離しテストモード発生回路からの制御信号によ
り制御を行わせるテストモード制御回路とをチップ内に
有することを特徴とする半導体集積装置。A microcomputer section, a peripheral function circuit section connected to the microcomputer section and having a plurality of control registers, a test mode generation circuit, and a test mode generation circuit for separating the control registers from the control of the microcomputer during the test mode. 1. A semiconductor integrated device comprising, within a chip, a test mode control circuit that performs control based on control signals from a semiconductor integrated device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1282927A JPH03146886A (en) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | Semiconductor integrated device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1282927A JPH03146886A (en) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | Semiconductor integrated device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03146886A true JPH03146886A (en) | 1991-06-21 |
Family
ID=17658917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1282927A Pending JPH03146886A (en) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | Semiconductor integrated device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03146886A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007047178A (en) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Samsung Electronics Co Ltd | Semiconductor integrated circuit enabling package burn-in test, and burn-in test method |
-
1989
- 1989-11-01 JP JP1282927A patent/JPH03146886A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007047178A (en) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Samsung Electronics Co Ltd | Semiconductor integrated circuit enabling package burn-in test, and burn-in test method |
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