JPH03145149A - エッチング深さ測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、真空チャンバ内に収納されている被エツチン
グ基板のエツチング深さを測定するエツチング深さ測定
装置に関する。

（従来の技術） 第１１図はエツチング深さ測定装置の全体構成図である
。同図において１は真空チャンバであって、この真空チ
ャンバ１の内部にはエツチング処理媒体が封入されると
ともに上部電極２及び下部電極３が対向配置されている
。このうち下部電極３には高周波電源４が接続され、か
つ被エツチング基板５が載置されている。又、真空チャ
ンバ１の上部にはのぞき窓６が設けられている。

一方、７はＨｅ−Ｃｄレーザ出力装置（以下、レーザ出
力装置と省略する）であって、このレーザ出力装置７か
ら出力されたレーザ光Ｑはのぞき窓６の上方に配置され
たミラー８で反射し、のぞき窓６を通して被エツチング
基板５にほぼ垂直に照射される。又、のぞき窓６の上方
には光検出器９が配置され、この光検出器９により被エ
ツチング基板５からの反射回折光Ｑ゛　（０次、±１次
。

・・・、±ｎ時）を受光してその光強度に応じた電気信
号を出力する。この電気信号は信号処理装置１０に送ら
れ、この信号処理装置１０において光強度の変化から被
エツチング基板５のエツチング深さが求められる。

ところが、エツチング処理を繰り返すと、エツチング処
理によって生成された反応生成物がのぞき窓６に付着し
たり、ラジカルなガスによって窓６の表面が荒されたり
する。これにより、のぞき窓６がくもり、反射回折光Ｑ
′の光強度が減衰する。このため、光検出器９での受光
強度は実際の反射回折光Ｑ゛の光強度に対してずれてし
まい、正確なエツチング深さの測定が困難となる。

（発明が解決しようとする課題） 以上のようにエツチング処理を繰り返すと、反応生成物
等によってのぞき窓６がくもり、正確なエツチング深さ
の測定が困難となる。

そこで本発明は、反応生成物の付着等を防止して正確に
エツチング深さを測定できるエツチング深さ測定装置を
提供することを目的とする。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は、真空チャンバ内に収納されたエツチング処理
中の被エツチング基板に対して真空チャンバに設けられ
た窓を通して外部からレーザ光を照射し、被エツチング
基板からの反射回折光の光強度の変化から被エツチング
基板のエツチング深さを測定するエツチング深さ測定装
置において、真空チャンバの窓にエツチング処理の生成
物の付着等を防ぐ手段を備えて上記目的を達成しようと
するエツチング深さ測定装置である。

（作　用） このような手段を備えたことにより、真空チャンバに設
けられた窓はくもり防止の手段によって窓の極近辺での
反応生成物の生成等が無くなる。

これにより、窓には反応生成物等が付着することがなく
なりくもらなくなる。

（実施例） 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。なお、第１１図と同一部分には同一符号を付してそ
の詳しい説明は省略する。

第１図はエツチング深さ測定装置の全体構成図である。

のぞき窓６における真空チャンバ１の外側には酸化イン
ジウム（ＩｎｚＯｉ）膜２０が蒸着されている。そして
、このＩｎ、Ｏ）膜２０には電源２１が接続されている
。

このような構成であれば、Ｉｎ２０ｇ膜２０には電源２
１から電力が供給される。この電力供給によりＩｎ２０
３Ｗ！４２０は温度が上昇し、これに伴ってのぞき窓６
の温度が上昇する。このようにのぞき窓６の温度が上昇
して所定温度に達すると、真空チャンバ１の内側ののぞ
き窓６の表面及び極近辺では反応生成物の生成等が行わ
れなくなる。

この結果、のぞき窓６への反応生成物の付着等は起こら
ない。

この状態にレーザ出力装置７から出力されたレーザ光Ｑ
はのぞき窓６の上方に配置されたミラー８で反射し、の
ぞき窓６を通して被エツチング基板らに照射される。光
検出器９は被エツチング基板５からの反射回折光Ｑ゛を
受光してその光強度に応じた電気信号を出力する。この
電気信号は信号処理装置１０に送られ、この信号処理装
置１０は光強度の変化から被エツチング基板５のエツチ
ング深さを求める。

このように上記一実施例においては、真空チャンバ１に
設けられたのぞき窓６に１ｎ２０３膜２０を蒸着して電
力を供給し、のぞき窓６を加熱するようにしたので、多
数回エツチング処理が繰り返されても反応生成物がのぞ
き窓６の内側に付着等することがない。従って、のぞき
窓６はくもらず、のぞき窓６を通して回折光によって正
確にエツチング深さを測定できる。

なお、本発明は上記一実施例に限定されるものでなくそ
の主旨を逸脱しない範囲で変形しても良い。例えば、上
記一実施例ではのぞき窓６１；Ｉｎ、０３膜２０を蒸着
させたが、のぞき窓は導線入りのガラスとして導線に電
流を流して加熱するようにしても良い。又、以下に説明
するような手段によりのぞき窓６のくもりを防止しても
良い。

第２図に示す技術は石英により形成されたのぞき窓６の
内部にＩｎ２Ｏ３膜３０を形威し、このＩｎ２Ｏ，膜３
０に電力を供給してのぞき窓６を加熱するものである。

又、第３図に示す技術はのぞき窓６における真空チャン
バ１の内部側に１ｎ２０ｉ膜３１を形成し、このＩｎ２
Ｏ，膜３１に電力を供給してのぞき窓６を加熱するもの
である。

第４図に示す技術はのぞき窓６の周囲に温水を通す配管
３２を配設したもので、この配管３２１；よりのぞき窓
６を加熱するものである。なお、第５図は矢印（イ）方
向から見た図である。

第６図に示す技術は赤外線レーザダイオード３３を備え
、この赤外線レーザダイオード３３から出力される赤外
線３４をのぞき窓６に照射してのぞき窓６を加熱するも
のである。

第７図に示す技術はのぞき窓６における真空チャンバ１
の内部側にシャッター３５を設け、このシャッター３５
をシャッター駆動機構３６により矢印（ロ）方向に駆動
するものである。この場合、サンプリング時間つまりエ
ツチング深さ測定の毎にシャッター３５が開放される。

次に第８図に示す技術は、のぞき窓６における真空チャ
ンバ１の内部側にワイパー３７を配置するとともにシャ
ッター３８を配置したものである。

そして、ワイパー３７をワイパー駆動機構３９により駆
動し、又シャッター３８をシャッター駆動機構４０によ
り駆動するようにしている。さらに、洗浄液供給装置４
１が備えられ、この洗浄液供給装置４１からの洗浄液が
バイブ４２を通ってのぞき窓６に送られるようになって
いる。洗浄により取り除かれたゴミは吸引装置４４によ
り吸引されるようになっている。第９図はワイパー３７
の構成図であって、このワイパー３７にはブラシ４５が
設けられるとともにバイブ４２と接続されて洗浄液の噴
出口４６が形成されている。そして、洗浄後の洗浄液を
外部へ排出するバイブ４５が設けられている。なお、第
１Ｏ図は矢印（ハ）方向から見た図である。このような
構成であれば、エツチングが終了するたびにシャッター
３８が閉じる。

そして、ワイパー３７から洗浄液が噴出されてワイパー
３７が動作し、のぞき窓６をブラッシングする。ブラッ
シングによって取り除かれたゴミは吸引装置４４によっ
て吸引される。又、洗浄波及びこの洗浄液に混ざってい
・るゴミはシャッター３８に落ち、排水バイブ４５を通
って外部へ排出される。のぞき窓６の洗浄が終了すると
、再びエツチングが開始される。

［発明の効果］ 以上詳記したように本発明によれば、反応生成物の付着
等を防止して正確にエツチング深さを測定できるエツチ
ング深さ測定装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係わるエツチング深さ測定装置の一実
施例を示す構成図、第２図乃至第１０図は窓のくもり防
止手段の他の例を示す図、第１１図は従来装置の構成図
である。 １・・・真空チャンバ、２・・・上部電極、３・・・下
部電極、４・・・高周波電源、５・・・被エツチング基
板、６・・・のぞき窓、７・・・レーザ出力装置、８・
・・ミラー　９・・・光検出器、１０・・・信号処理装
置、２０・・・Ｉｎ２Ｏ，膜、２１・・・電源。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　真空チャンバ内に収納されたエッチング処理中の被エ
   ッチング基板に対して前記真空チャンバに設けられた窓
   を通して外部からレーザ光を照射し、前記被エッチング
   基板からの反射回折光の光強度の変化から前記被エッチ
   ング基板のエッチング深さを測定するエッチング深さ測
   定装置において、前記真空チャンバの窓のくもりを防止
   する手段を備えたことを特徴とするエッチング深さ測定
   装置。