JPH03142988A - 波長可変半導体レーザ光源装置 - Google Patents
波長可変半導体レーザ光源装置Info
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- JPH03142988A JPH03142988A JP28271789A JP28271789A JPH03142988A JP H03142988 A JPH03142988 A JP H03142988A JP 28271789 A JP28271789 A JP 28271789A JP 28271789 A JP28271789 A JP 28271789A JP H03142988 A JPH03142988 A JP H03142988A
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 33
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
- H01S3/1055—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length one of the reflectors being constituted by a diffraction grating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、波長可変半導体レーザ光源装置に係り、特に
、コヒーレント光通信や光素子測定用等に用いて好適な
、広い波長可変幅を有する波長可変半導体レーザ光源装
置に関するものである。
、コヒーレント光通信や光素子測定用等に用いて好適な
、広い波長可変幅を有する波長可変半導体レーザ光源装
置に関するものである。
波長可変半導体レーザ光源装置に関する研究は。
コヒーレント光通信や光素子測定評価用の光源としての
強いニーズのもとに、近年勢力的に行われている。特に
、広い波長可変幅を実現する波長可変光源として、外部
回折格子型の波長可変半導体レーザ光源が最も適してお
り、既に１．５−帯で９０ｎｍの波長可変幅を有するも
のが実現している。外部回折格子型の波長可変半導体レ
ーザ光源装置の代表的な構成図を第１図に示す、半導体
レーザ１の一方の端面２には無反射コート膜３が施され
ており、無反射コート膜３の端面から出た光はレンズ４
でコリメートされ、外方光軸上に配置された回折格子５
で反射され半導体レーザ１へ戻るようになっている０回
折格子５と、半導体レーザ１の無反射コートされていな
い端面６との間で共振器を構成してレーザ発振を行う、
その際１回折格子５の光軸に対する角度によって波長選
択が行われ。
強いニーズのもとに、近年勢力的に行われている。特に
、広い波長可変幅を実現する波長可変光源として、外部
回折格子型の波長可変半導体レーザ光源が最も適してお
り、既に１．５−帯で９０ｎｍの波長可変幅を有するも
のが実現している。外部回折格子型の波長可変半導体レ
ーザ光源装置の代表的な構成図を第１図に示す、半導体
レーザ１の一方の端面２には無反射コート膜３が施され
ており、無反射コート膜３の端面から出た光はレンズ４
でコリメートされ、外方光軸上に配置された回折格子５
で反射され半導体レーザ１へ戻るようになっている０回
折格子５と、半導体レーザ１の無反射コートされていな
い端面６との間で共振器を構成してレーザ発振を行う、
その際１回折格子５の光軸に対する角度によって波長選
択が行われ。
レーザ発振波長を制御することができる。この波長可変
レーザ光源では、波長の選択が回折格子の回転によって
行われるため、結晶の屈折率変化を利用して波長を選択
する多電極ＤＢＲ（分布ブララグ反射）レーザまたはＤ
ＦＢ （分布フィードバック形）レーザに比べて幅広い
波長可変幅が実現できる。
レーザ光源では、波長の選択が回折格子の回転によって
行われるため、結晶の屈折率変化を利用して波長を選択
する多電極ＤＢＲ（分布ブララグ反射）レーザまたはＤ
ＦＢ （分布フィードバック形）レーザに比べて幅広い
波長可変幅が実現できる。
なお、関連文献としては、 Ｎ、 Ａ、 ０１ｓｓｏｎ
。
。
ｅｔ ａｌ、、“Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｃｈａｒａ
ｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆｌ、５−、＋１１＋１ Ｅ
ｘｔｅｒｎａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ Ｌａ５ｅｒｓｆｏｒ Ｃｏｈｅｒｅｎｔ ０ｐ
ｔｉｃａｌ’ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ”、 ＩＥ
ＥＥ。
ｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆｌ、５−、＋１１＋１ Ｅ
ｘｔｅｒｎａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃ
ｔｏｒ Ｌａ５ｅｒｓｆｏｒ Ｃｏｈｅｒｅｎｔ ０ｐ
ｔｉｃａｌ’ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ”、 ＩＥ
ＥＥ。
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、 Ｖｏｌ、 ＬＴ−５゜ｐ、
５１０ （１９８７） （エヌ・エイ・オルソン他著
“コヒーレント光通信用１．５ｐ外部ギャビティ形半導
体レーザの動作特性”、アイ・イー・イー・イー光技報
９巻ＬＴ−５，５１０頁（１９８７） ）が挙げられる
。
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、 Ｖｏｌ、 ＬＴ−５゜ｐ、
５１０ （１９８７） （エヌ・エイ・オルソン他著
“コヒーレント光通信用１．５ｐ外部ギャビティ形半導
体レーザの動作特性”、アイ・イー・イー・イー光技報
９巻ＬＴ−５，５１０頁（１９８７） ）が挙げられる
。
外部回折格子型波長可変半導体レーザでは上記のように
、波長可変幅を比較的大きくすることができるが、実現
される波長可変幅は、半導体レーザ端面に施される無反
射コートの品質と２回折格子と半導体レーザとの光学的
な結合効率によって制限され、もともとの半導体レーザ
の持つゲイン幅よりも狭い範囲でしか、波長を選択する
ことができない。レーザ端面の無反射コートの品質が不
十分なために端面で反射が起こると２回折格子と半導体
レーザの結合効率が下がるとともに、半導体レーザ内部
のファプリーペローモード（以下では内部モードという
）での発振が起こりやすくなる。そのために２回折格子
で選択された波長での発振が阻害されてしまう。したが
って、端面の反射率を十分に小さく抑えないと、波長可
変幅が狭くなり、また同時に波長可変動作時においても
。
、波長可変幅を比較的大きくすることができるが、実現
される波長可変幅は、半導体レーザ端面に施される無反
射コートの品質と２回折格子と半導体レーザとの光学的
な結合効率によって制限され、もともとの半導体レーザ
の持つゲイン幅よりも狭い範囲でしか、波長を選択する
ことができない。レーザ端面の無反射コートの品質が不
十分なために端面で反射が起こると２回折格子と半導体
レーザの結合効率が下がるとともに、半導体レーザ内部
のファプリーペローモード（以下では内部モードという
）での発振が起こりやすくなる。そのために２回折格子
で選択された波長での発振が阻害されてしまう。したが
って、端面の反射率を十分に小さく抑えないと、波長可
変幅が狭くなり、また同時に波長可変動作時においても
。
半導体レーザの内部モードの影響で、出力が大きく変動
したり、モードジャンプや多モード発振が発生したりす
る問題が生じる。
したり、モードジャンプや多モード発振が発生したりす
る問題が生じる。
以上の問題点を解決するためには、無反射コートの品質
を向上することが有効であるが、無反射コートは必ずあ
る波長に対して最適化されることから、広帯域にわたっ
て反射率を十分下げることは困難である。
を向上することが有効であるが、無反射コートは必ずあ
る波長に対して最適化されることから、広帯域にわたっ
て反射率を十分下げることは困難である。
なお２以上に述べた問題点は、波長選択性のある反射板
を回折格子の代りに用いる外部鏡′形の波長可変半導体
レーザ光源装置においても生じる問題点である。
を回折格子の代りに用いる外部鏡′形の波長可変半導体
レーザ光源装置においても生じる問題点である。
本発明の目的は、外部鏡影の波長可変半導体レーザ光源
装置における上記した問題点を解決し。
装置における上記した問題点を解決し。
従来より広い波長可変幅を実現することのできる波長可
変半導体レーザ光源装置を提供することにある。
変半導体レーザ光源装置を提供することにある。
上記目的を達成するために９本発明においては。
半導体レーザの一方の端面に無反射コートを施し。
その外方光軸上に波長選択性のある反射板を配置した構
成の外部鏡形波長可変半導体レーザ光源装置において、
無反射コートの最適波長を、使用する半導体レーザ単体
の発振波長（ゲインビーク波長）よりも４０ｒｖ〜１０
０ｎ＋ａだけ短波長側に設定する構成とする。
成の外部鏡形波長可変半導体レーザ光源装置において、
無反射コートの最適波長を、使用する半導体レーザ単体
の発振波長（ゲインビーク波長）よりも４０ｒｖ〜１０
０ｎ＋ａだけ短波長側に設定する構成とする。
〔作用］
従来、無反射コートの最適波長は、使用する半導体レー
ザのゲインビーク波長に一致するようになされていた。
ザのゲインビーク波長に一致するようになされていた。
波長可変レーザ装置がもとの半導体レーザと同程度の注
入電流レベルで発振するならば、この方法は有効である
。しかし、実際の波長可変レーザでは、ゲインが低い波
長で強制的に発振させようとするために、必然的にしき
い値レベルが上がり、ゲインピークが短波長側にシフト
してしまう、したがって、ゲインの低いところでも発振
可能な広帯域波長可変レーザを実現するためには、無反
射コートの最適波長を、使用する半導体レーザのゲイン
ビーク波長よりも短波長側に設定することが有効である
。シフト量は使用する半導体レーザのシフト量によって
決まるが９通常の半導体レーザでは４０ｎｍ＝ｌＯＯｎ
ｍの範囲内でのシフト量だけシフトさせることが有効で
ある。この無反射コートの最適波長のシフトにより外部
鐘形波長可変半導体レーザ光源の波長可変幅を拡大する
ことができる。
入電流レベルで発振するならば、この方法は有効である
。しかし、実際の波長可変レーザでは、ゲインが低い波
長で強制的に発振させようとするために、必然的にしき
い値レベルが上がり、ゲインピークが短波長側にシフト
してしまう、したがって、ゲインの低いところでも発振
可能な広帯域波長可変レーザを実現するためには、無反
射コートの最適波長を、使用する半導体レーザのゲイン
ビーク波長よりも短波長側に設定することが有効である
。シフト量は使用する半導体レーザのシフト量によって
決まるが９通常の半導体レーザでは４０ｎｍ＝ｌＯＯｎ
ｍの範囲内でのシフト量だけシフトさせることが有効で
ある。この無反射コートの最適波長のシフトにより外部
鐘形波長可変半導体レーザ光源の波長可変幅を拡大する
ことができる。
図面を用いて、さらに具体的に説明する。−殻内な半導
体レーザ単体のゲインの波長依存性を第２図に示す０図
に示されているように、注入電流密度が増加するに従っ
てゲインビークは短波長側にシフトする。また、端面に
施す無反射コートの波長依存性は模式的に第３図のよう
に現される。
体レーザ単体のゲインの波長依存性を第２図に示す０図
に示されているように、注入電流密度が増加するに従っ
てゲインビークは短波長側にシフトする。また、端面に
施す無反射コートの波長依存性は模式的に第３図のよう
に現される。
λ＾Ｒは、無反射コートの最適波長を示す、第１図に示
した外部回折格子型波長可変半導体レーザ光源において
２回折格子によって選択された波長λＧにおけるゲイン
が小さいと、共振器によるフィードバックも考慮にいれ
たゲインは第４図のようになり９発振は外部回折格子で
選択された波長λＧではなく、半導体レーザのゲインビ
ーク波長λＰ（半導体レーザ単体のゲインビーク波長：
矢印◇で示された波長）で生じてしまう、波長可変レー
ザ装置としての波長可変域は、この時ゲインがどこまで
小さくなっても選択した波長で発振できるかで決定され
る。
した外部回折格子型波長可変半導体レーザ光源において
２回折格子によって選択された波長λＧにおけるゲイン
が小さいと、共振器によるフィードバックも考慮にいれ
たゲインは第４図のようになり９発振は外部回折格子で
選択された波長λＧではなく、半導体レーザのゲインビ
ーク波長λＰ（半導体レーザ単体のゲインビーク波長：
矢印◇で示された波長）で生じてしまう、波長可変レー
ザ装置としての波長可変域は、この時ゲインがどこまで
小さくなっても選択した波長で発振できるかで決定され
る。
レーザ発振は、電流を注入していった時にゲインとロス
が初めてつり合うところで起こる６回折格子で選択した
波長λＧで発振が起こるか、半導体レーザ単体のゲイン
ビーク波長λＰで発振が起こるかは、ゲインとロスがど
の波長で初めてつり合うかで決まる。つまり、ゲインと
ロスの波長依存性が発振波長を決める。
が初めてつり合うところで起こる６回折格子で選択した
波長λＧで発振が起こるか、半導体レーザ単体のゲイン
ビーク波長λＰで発振が起こるかは、ゲインとロスがど
の波長で初めてつり合うかで決まる。つまり、ゲインと
ロスの波長依存性が発振波長を決める。
第５図に、従来の外部回折格子型波長可変半導体レーザ
光源装置で行われていたように、無反射コートの最適波
長λ＾Ｒを半導体レーザ単体のゲインピークの波長λＰ
に一致させた場合のレーザ発振の様子を示す（λＰ＝λ
＾Ｒ）、上の線はロスを表し、これは２回折格子の反射
率と無反射コートを施した端面の反射率で決まる。下の
線はゲインを表す、この図で、ゲインの曲線とロスの曲
線が交わったところが発振波長となる。まず９回折格子
の選択波長λＧをゲインが十分に大きい波長領域にした
場合〔第５図（ａ）〕には、半導体レーザ単体のゲイン
が十分にあるため注入電流密度は半導体レーザ単体の時
に比べてそれほど大きくならずにすみゲインピークはλ
Ｐからシフトしない。
光源装置で行われていたように、無反射コートの最適波
長λ＾Ｒを半導体レーザ単体のゲインピークの波長λＰ
に一致させた場合のレーザ発振の様子を示す（λＰ＝λ
＾Ｒ）、上の線はロスを表し、これは２回折格子の反射
率と無反射コートを施した端面の反射率で決まる。下の
線はゲインを表す、この図で、ゲインの曲線とロスの曲
線が交わったところが発振波長となる。まず９回折格子
の選択波長λＧをゲインが十分に大きい波長領域にした
場合〔第５図（ａ）〕には、半導体レーザ単体のゲイン
が十分にあるため注入電流密度は半導体レーザ単体の時
に比べてそれほど大きくならずにすみゲインピークはλ
Ｐからシフトしない。
したがって、この時の発振は９回折格子が選択した波長
λＧで起こる。しかし、ゲインピークから離れた波長を
選択した場合〔第５図（ｂ）〕には。
λＧで起こる。しかし、ゲインピークから離れた波長を
選択した場合〔第５図（ｂ）〕には。
ゲインが小さいため注入電流密度が増加し、ゲインピー
クが元の発振モードλＰよりも短波長側にシフトする。
クが元の発振モードλＰよりも短波長側にシフトする。
この場合、無反射コートの最適化は元の発振モードの位
置になされているため、無反射コートは有効に機能せず
半導体レーザ単体のゲインピークの波長での発振を抑え
きれない０図では１選択波長λＧで発振が起こる前に、
シフトしたゲインピークの付近でゲインとロスがつり合
って発振してしまっている。
置になされているため、無反射コートは有効に機能せず
半導体レーザ単体のゲインピークの波長での発振を抑え
きれない０図では１選択波長λＧで発振が起こる前に、
シフトしたゲインピークの付近でゲインとロスがつり合
って発振してしまっている。
第６図に２本発明の構成による場合、即ち、無反射コー
トの最適波長λ＾Ｒを半導体レーザ単体のゲインビーク
波長λＰよりも４０ｒ＋＋ｓから１１００ｎ程度だけ短
波長側にシフトさせた場合、のレーザ発振の様子を示す
（λＡＲ＜λｐ ＝ ４０ｎｍ）、回折格子の選択波長
λＧを半導体レーザのゲインが十分に大きい領域にした
場合〔第６図（ａ〉〕には９選択した波長におけるゲイ
ンが十分に大きいために注入電流密度は大きくならず、
第５図（ａ）の場合と同じように２選択した波長で発振
が起こる。さらに。
トの最適波長λ＾Ｒを半導体レーザ単体のゲインビーク
波長λＰよりも４０ｒ＋＋ｓから１１００ｎ程度だけ短
波長側にシフトさせた場合、のレーザ発振の様子を示す
（λＡＲ＜λｐ ＝ ４０ｎｍ）、回折格子の選択波長
λＧを半導体レーザのゲインが十分に大きい領域にした
場合〔第６図（ａ〉〕には９選択した波長におけるゲイ
ンが十分に大きいために注入電流密度は大きくならず、
第５図（ａ）の場合と同じように２選択した波長で発振
が起こる。さらに。
ゲインが小さい領域の波長を選択した場合〔第６図（ｂ
）〕には、第５図（ｂ）と同じように注入電流密度が増
大するために、ゲインピークが短波長側にシフトする。
）〕には、第５図（ｂ）と同じように注入電流密度が増
大するために、ゲインピークが短波長側にシフトする。
しかし、この場合、無反射コートの最適波長がもともと
ゲインピークよりも短波長側に設定されているために、
シフトしたゲインピークの位置での発振が抑えられ２選
択した波長λＧで発振が起こる。
ゲインピークよりも短波長側に設定されているために、
シフトしたゲインピークの位置での発振が抑えられ２選
択した波長λＧで発振が起こる。
無反射コートの品質が最も波長可変域に影響を及ぼすの
は９選択した波長におけるゲインが小さく２選択した波
長とゲインビーク波長との競合で発振が決まるような状
況のときである。ゲインが小さな領域の波長を選択した
場合、必然的に注入電流密度が増大しゲインは半導体レ
ーザ単体のゲインピークからシフトする０本発明はこの
点に着目し、無反射コートが最も有効に波長可変幅拡大
に寄与するような構成としたものである。
は９選択した波長におけるゲインが小さく２選択した波
長とゲインビーク波長との競合で発振が決まるような状
況のときである。ゲインが小さな領域の波長を選択した
場合、必然的に注入電流密度が増大しゲインは半導体レ
ーザ単体のゲインピークからシフトする０本発明はこの
点に着目し、無反射コートが最も有効に波長可変幅拡大
に寄与するような構成としたものである。
以上説明したように２本発明によれば、半導体レーザ単
体の端面に施す無反射コートの最適波長を、使用する半
導体レーザ単体の発振波長よりも短波長側に設定するこ
とによって、従来よりも広い波長可変幅の半導体レーザ
光源を実現できる効果がある。
体の端面に施す無反射コートの最適波長を、使用する半
導体レーザ単体の発振波長よりも短波長側に設定するこ
とによって、従来よりも広い波長可変幅の半導体レーザ
光源を実現できる効果がある。
第１図は外部回折格子型波長可変半導体レーザ装置の一
般的な構成図、第２図は半導体レーザのゲインの波長依
存性を示す図、第３図は無反射コートを施した端面の反
射率の波長依存性を示した図、第４図は外部回折格子型
波長可変半導体レーザにおける共振のフィードバックも
考慮に入れた場合のゲインの波長の依存性を示す図、第
５図は従来の無反射コートを施した場合の波長可変動作
を説明する図で（ａ）は選択波長λＧをゲインが大きい
波長領域とした場合、（ｂ）はλＧをゲインが小さい領
域とした場合、第６図は本発明による無反射コートを施
した場合の波長可変動作を説明する図で（、）はλＧを
ゲインが大きい波長領域とした場合、（ｂ）はλＧをゲ
インが小さい領域とした場合である。 く符号の説明〉 ｌ・・・半導体レーザ ２，６・・・端面３・・・
無反射コート膜 ４・・・レンズ５・・・回折格子 λＰ・・・半導体レーザ単体のゲインピーク波長λ＾Ｒ
・・・無反射コートの最適波長 λＧ・・・回折格子の選択波長
般的な構成図、第２図は半導体レーザのゲインの波長依
存性を示す図、第３図は無反射コートを施した端面の反
射率の波長依存性を示した図、第４図は外部回折格子型
波長可変半導体レーザにおける共振のフィードバックも
考慮に入れた場合のゲインの波長の依存性を示す図、第
５図は従来の無反射コートを施した場合の波長可変動作
を説明する図で（ａ）は選択波長λＧをゲインが大きい
波長領域とした場合、（ｂ）はλＧをゲインが小さい領
域とした場合、第６図は本発明による無反射コートを施
した場合の波長可変動作を説明する図で（、）はλＧを
ゲインが大きい波長領域とした場合、（ｂ）はλＧをゲ
インが小さい領域とした場合である。 く符号の説明〉 ｌ・・・半導体レーザ ２，６・・・端面３・・・
無反射コート膜 ４・・・レンズ５・・・回折格子 λＰ・・・半導体レーザ単体のゲインピーク波長λ＾Ｒ
・・・無反射コートの最適波長 λＧ・・・回折格子の選択波長
Claims (1)
- １、半導体レーザの一方の端面に無反射コートを施し、
その外方光軸上に波長選択性のある反射板を配置した構
成の外部鏡形波長可変半導体レーザ光源装置において、
上記無反射コートの最適波長を、半導体レーザ単体のゲ
インピーク波長よりも４０ｎｍから１００ｎｍ短波長側
に設定することを特徴とする波長可変半導体レーザ光源
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28271789A JPH0834332B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 波長可変半導体レーザ光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28271789A JPH0834332B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 波長可変半導体レーザ光源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03142988A true JPH03142988A (ja) | 1991-06-18 |
| JPH0834332B2 JPH0834332B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=17656125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28271789A Expired - Lifetime JPH0834332B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 波長可変半導体レーザ光源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834332B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002021651A1 (en) * | 2000-09-05 | 2002-03-14 | Esko-Graphics A/S | Laser system with external optical feedback and use of such system in the graphical industry |
| US7813407B2 (en) | 2004-06-16 | 2010-10-12 | Danmarks Tekniske Universitet | Segmented diode laser system |
-
1989
- 1989-10-30 JP JP28271789A patent/JPH0834332B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002021651A1 (en) * | 2000-09-05 | 2002-03-14 | Esko-Graphics A/S | Laser system with external optical feedback and use of such system in the graphical industry |
| US7088745B2 (en) | 2000-09-05 | 2006-08-08 | Esko-Graphics A/S | Laser system with external optical feedback and use of such system in the graphical industry |
| US7813407B2 (en) | 2004-06-16 | 2010-10-12 | Danmarks Tekniske Universitet | Segmented diode laser system |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0834332B2 (ja) | 1996-03-29 |
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