JPH03142982A - レーザ光の狭帯域化装置 - Google Patents
レーザ光の狭帯域化装置Info
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- JPH03142982A JPH03142982A JP28272389A JP28272389A JPH03142982A JP H03142982 A JPH03142982 A JP H03142982A JP 28272389 A JP28272389 A JP 28272389A JP 28272389 A JP28272389 A JP 28272389A JP H03142982 A JPH03142982 A JP H03142982A
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- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 51
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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-
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- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
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- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明法 特定の波長の光のみを通過させることで、入
力されたレーザ光の周波数を狭帯域化して出力するレー
ザ光の狭帯域化装置に関する。
力されたレーザ光の周波数を狭帯域化して出力するレー
ザ光の狭帯域化装置に関する。
レーザ光はそれ自体でコヒーレントな高い波長純度、高
出力などの特徴を持ち強い光照射の出来る光源として有
望とされてきム 最近このようなレーザ光を利用した光
源装置が開発されるようになってき九 その代表的なも
のにリングラフィ用光源として検討されている狭帯域化
エキシマレーザがある。
出力などの特徴を持ち強い光照射の出来る光源として有
望とされてきム 最近このようなレーザ光を利用した光
源装置が開発されるようになってき九 その代表的なも
のにリングラフィ用光源として検討されている狭帯域化
エキシマレーザがある。
狭帯域化レーザ光を得ること臥 レーザ共振器をグレー
ティング、プリズム、複屈折フィルタ、エタロンなどの
波長選択素子を使用して構成した狭帯域レーザ共振器を
採用することにより実現される。
ティング、プリズム、複屈折フィルタ、エタロンなどの
波長選択素子を使用して構成した狭帯域レーザ共振器を
採用することにより実現される。
そして、エキシマレーザや色素レーザのように広い帯域
にレーザ利得を持つようなレーザ媒質では、狭帯域化に
2枚のエタロンをレーザ共振器内に挿入する方法がとら
れている。
にレーザ利得を持つようなレーザ媒質では、狭帯域化に
2枚のエタロンをレーザ共振器内に挿入する方法がとら
れている。
エタロンは平行に保持された平面度の高い2枚の反射膜
間に起こる光の多重反射と干渉現象を応用した波長選択
素子である。第4図に油製的なエタロンの光透過の波長
依存性について示す。エタロンの特性は透過帯域の間隔
と透過帯域幅で示される。透過帯域の間隔はフリー・ス
ベクトラル・レンジ(以下FSRと称す)と呼ば札 反
射膜同士の間隔に依存する。透過帯域幅について眼 透
過帯域のピーク高さの1/2部分の幅で示される。
間に起こる光の多重反射と干渉現象を応用した波長選択
素子である。第4図に油製的なエタロンの光透過の波長
依存性について示す。エタロンの特性は透過帯域の間隔
と透過帯域幅で示される。透過帯域の間隔はフリー・ス
ベクトラル・レンジ(以下FSRと称す)と呼ば札 反
射膜同士の間隔に依存する。透過帯域幅について眼 透
過帯域のピーク高さの1/2部分の幅で示される。
そして、FSRと透過帯域幅の比がフィネスと呼ばれ(
フィネス=FSR/透過帯域輻)反射膜の反射膜 平行
度、平面度により決定される。レーザ光の狭帯域化膜
このFSRとフィネスを適切に選択した2枚のエタロン
を用いることにより実現されている。
フィネス=FSR/透過帯域輻)反射膜の反射膜 平行
度、平面度により決定される。レーザ光の狭帯域化膜
このFSRとフィネスを適切に選択した2枚のエタロン
を用いることにより実現されている。
リングラフィ用光源に要求されるような帯域幅を得るた
めにIL エタロンの透過帯域幅を狭める必要がある
。このため必然的にフィネスを大きく取る必要があり、
この粘気 高反射率の反射膜を使用することとなる。反
射膜は通常誘電体多層膜のコーティングにより得らへ
反射率を高めるためにはコーティング層の数を増やす必
要がある。
めにIL エタロンの透過帯域幅を狭める必要がある
。このため必然的にフィネスを大きく取る必要があり、
この粘気 高反射率の反射膜を使用することとなる。反
射膜は通常誘電体多層膜のコーティングにより得らへ
反射率を高めるためにはコーティング層の数を増やす必
要がある。
このためエタロン製作の工程が複雑化し信頼性や価格の
面で問題が生ずる。また、反射率の高いエタロンをレー
ザ共振器に挿入すると、反射による損失が増大し 発振
したレーザ光の出力が低下する。
面で問題が生ずる。また、反射率の高いエタロンをレー
ザ共振器に挿入すると、反射による損失が増大し 発振
したレーザ光の出力が低下する。
一方、同じ透過帯域幅であるならFSRが小さい方がフ
ィネスが小さくなって出力の低下を防げる。 しかし、
単にFSRのみを小さくすると、光透過の中心周波数に
隣接した透過帯域から光が漏れる(これをサイドバンド
という)ので都合が悪い。
ィネスが小さくなって出力の低下を防げる。 しかし、
単にFSRのみを小さくすると、光透過の中心周波数に
隣接した透過帯域から光が漏れる(これをサイドバンド
という)ので都合が悪い。
本発明の目的は、エタロンを適切に設計することにより
使用するエタロンのフィネスを高くすることなく狭帯域
化を実現することにある。
使用するエタロンのフィネスを高くすることなく狭帯域
化を実現することにある。
本発明ε丸 前記目的を達成するため、以下の手段をと
っら 光透過特性に透過−非透過の周期性をそれぞれ有する第
1の波長選択素子と第2の波長選択素子とを備え、両者
の光透過の周期性の関係力(、第1の波長選択素子の特
定の光透過帯域と、第2の波長選択素子の特定の光透過
帯域とを一致させたとき、第1の波長選択素子の前記特
定の光透過帯域の両側に隣接する周期の谷部に、第2の
波長選択素子の前記特定の光透過帯域の少なくとも両側
に隣接する光波長帯域が一致する関係にあるようにして
レーザ光の狭帯域化装置とした 前記したよう&l エタロンを適切に設計することによ
り使用するエタロンのフィネスを高くすることなく狭帯
域化を実現するためなされた力へ 光透過特性に透過−
非透過の周期性を有する波長選択素子であればエタロン
に限らず、他の素子であってもよい。そのような波長選
択素子としては複屈折フィルタなどを例示できる。
っら 光透過特性に透過−非透過の周期性をそれぞれ有する第
1の波長選択素子と第2の波長選択素子とを備え、両者
の光透過の周期性の関係力(、第1の波長選択素子の特
定の光透過帯域と、第2の波長選択素子の特定の光透過
帯域とを一致させたとき、第1の波長選択素子の前記特
定の光透過帯域の両側に隣接する周期の谷部に、第2の
波長選択素子の前記特定の光透過帯域の少なくとも両側
に隣接する光波長帯域が一致する関係にあるようにして
レーザ光の狭帯域化装置とした 前記したよう&l エタロンを適切に設計することによ
り使用するエタロンのフィネスを高くすることなく狭帯
域化を実現するためなされた力へ 光透過特性に透過−
非透過の周期性を有する波長選択素子であればエタロン
に限らず、他の素子であってもよい。そのような波長選
択素子としては複屈折フィルタなどを例示できる。
本発明は前記した波長選択素子の透過特性の波長周期性
を利用して、フィネスを従来のものほど高くすることな
しにレーザ光を狭帯域化する。
を利用して、フィネスを従来のものほど高くすることな
しにレーザ光を狭帯域化する。
すなわち、本発明において狭帯域化に使用される波長選
択素子の組合せは、前記第1の波長選択素子と第2の波
長選択素子両者の光透過の周期性の関係力Z 第1の波
長選択素子の特定の光透過帯域と、第2の波長選択素子
の特定の光透過帯域とを一致させたとき、第1の波長選
択素子の前記特定の光透過帯域の両側に隣接する周期の
谷部へ第2の波長選択素子の前記特定の光透過帯域の両
側に隣接する光波長帯域が一致する関係となるようにし
た組合せである。従って、両者で一致させた光透過帯域
以外で+3 光の透過が遮断される。
択素子の組合せは、前記第1の波長選択素子と第2の波
長選択素子両者の光透過の周期性の関係力Z 第1の波
長選択素子の特定の光透過帯域と、第2の波長選択素子
の特定の光透過帯域とを一致させたとき、第1の波長選
択素子の前記特定の光透過帯域の両側に隣接する周期の
谷部へ第2の波長選択素子の前記特定の光透過帯域の両
側に隣接する光波長帯域が一致する関係となるようにし
た組合せである。従って、両者で一致させた光透過帯域
以外で+3 光の透過が遮断される。
よって、従来のものよりFSRを小さくした波長選択素
子を使用できる。このような組合せを採用することによ
り、低フィネスでも狭帯域化が実現できる。また、サイ
ドバンドが出る心配もない。
子を使用できる。このような組合せを採用することによ
り、低フィネスでも狭帯域化が実現できる。また、サイ
ドバンドが出る心配もない。
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明し、比較例と比
較する。
較する。
〈実施例〉
第1図は本発明にかかる波長選択素子として、2つのエ
タロンを用いた狭帯域化レーザシステムの構成を示す。
タロンを用いた狭帯域化レーザシステムの構成を示す。
これ眠 出力ミラー1、レーザ媒質2、微調用エタロン
3、粗調用エタロン4、全反射ミラー5を順次−列に配
置したものである。
3、粗調用エタロン4、全反射ミラー5を順次−列に配
置したものである。
微調用エタロン3、粗調用エタロン4はそれぞれ第2図
に示すような透過特性を持つ。レーザ発振波長域の一部
が粗調用エタロン4により選択さ也 さら!へ 微調用
エタロン3により所望の帯域幅に絞り込まれる。
に示すような透過特性を持つ。レーザ発振波長域の一部
が粗調用エタロン4により選択さ也 さら!へ 微調用
エタロン3により所望の帯域幅に絞り込まれる。
そして、粗調用エタロン4の高透過となる帯域(山部)
の一つと、微調用エタロン3の高透過となる帯域(山部
)の一つとを合わせたとき、レーザの発振帯域内に現れ
る一方のエタロンの高透過の帯域(山部)がもう一つの
エタロンの低透過の帯域(谷部)と合うような関係に粗
調用エタロン4と微調用エタロン3を設計しである。こ
れにより従来のものよりFSRを小さくした粗調用エタ
ロン4が使用できる。このようなエタロンの組合せを採
用することにより、低フィネスでも狭帯域化が実現でき
る。
の一つと、微調用エタロン3の高透過となる帯域(山部
)の一つとを合わせたとき、レーザの発振帯域内に現れ
る一方のエタロンの高透過の帯域(山部)がもう一つの
エタロンの低透過の帯域(谷部)と合うような関係に粗
調用エタロン4と微調用エタロン3を設計しである。こ
れにより従来のものよりFSRを小さくした粗調用エタ
ロン4が使用できる。このようなエタロンの組合せを採
用することにより、低フィネスでも狭帯域化が実現でき
る。
そして、発生した光は出力ミラ1と全反射ミラ5との間
を往復反射して、その間レーザ媒質で増幅さん 一定波
長の定在波としてレーザ光が生じる。レーザ光は1つの
波長のものが発振するのではなく、いくつかの波長のも
のが同時発振することが多いが、本実施例では、狭帯域
化素子3.4の存在により特定の波長でのみレーザ光が
発振する。
を往復反射して、その間レーザ媒質で増幅さん 一定波
長の定在波としてレーザ光が生じる。レーザ光は1つの
波長のものが発振するのではなく、いくつかの波長のも
のが同時発振することが多いが、本実施例では、狭帯域
化素子3.4の存在により特定の波長でのみレーザ光が
発振する。
このような波長選択素子(エタロン)の組合せを用いた
狭帯域化システムは、エキシマレーザ、色素レーザ、ア
レキサンドライトレーザ、Ti−サファイアレーザなど
に使用できる。
狭帯域化システムは、エキシマレーザ、色素レーザ、ア
レキサンドライトレーザ、Ti−サファイアレーザなど
に使用できる。
なお、微調用エタロン3、粗調用エタロン4の配置は図
において逆であってもよい。
において逆であってもよい。
く比較例〉
第3図に従来のエタロンの透過特性を示す。従来のもの
も粗調用エタロンと微調用エタロンを備えている力(、
粗調用エタロンのFSRは狭帯域化されていないレーザ
の発振帯域幅の半分程度になる必要がある。
も粗調用エタロンと微調用エタロンを備えている力(、
粗調用エタロンのFSRは狭帯域化されていないレーザ
の発振帯域幅の半分程度になる必要がある。
〈実施例と比較例の比較〉
第2図と第3図を比較すると、同じ微調用エタロンを使
用しても、本発明による方法の第2図では粗調用エタロ
ン4のFSRを半分にできることがわかる。FSRが半
分になるということ1転 同じ透過帯域幅を得るのに
フィネスは半分でよいことになる。これはエタロンの反
射膜の反射率の低下を意味する。すなわち、エタロン製
作の工程の省略が可能となり、エタロンの信頼性が向上
する。
用しても、本発明による方法の第2図では粗調用エタロ
ン4のFSRを半分にできることがわかる。FSRが半
分になるということ1転 同じ透過帯域幅を得るのに
フィネスは半分でよいことになる。これはエタロンの反
射膜の反射率の低下を意味する。すなわち、エタロン製
作の工程の省略が可能となり、エタロンの信頼性が向上
する。
また、透過損失が小さくなり、レーザ発振出力の低下の
度合を小さく抑えることができる。
度合を小さく抑えることができる。
くその他〉
なお、本実施例で1転 第11 第2の波長選択素子
のみでレーザ光の狭帯域化を行っているカ\ 第11
第2の波長選択素子に加え、更に第3、あるいは更&
t 第4の波長選択素子を重ねて使用してレーザ光の狭
帯域化を図ってもよい。
のみでレーザ光の狭帯域化を行っているカ\ 第11
第2の波長選択素子に加え、更に第3、あるいは更&
t 第4の波長選択素子を重ねて使用してレーザ光の狭
帯域化を図ってもよい。
以上説明したように本発明によれ1戴2枚の波長選択素
子によるレーザ光の狭帯域化を高効率に行うことができ
る。
子によるレーザ光の狭帯域化を高効率に行うことができ
る。
第1図は本発明にかかる2枚のエタロンを用いたレーザ
光の狭帯域化レーザシステムの構成図である。第2図(
a)〜(d)は本発明にかかろ微調用・粗調用エタロン
を用いた場合のレーザ光の狭帯域化方法を図示したもの
で、 (a)は狭帯域化されていないレーザ光の発振ス
ペクトル、 (b)は粗徴用エタロンの光透過特性1.
(C)は微徴用エタロンの光透過特性、 (d)は狭
帯域化されたレーザ光の発振スペクトルである。第3図
(a)〜(C)は従来の2枚のエタロンを用いたレーザ
光の狭帯域化方法を図示したもので、 (a)は狭帯域
化されていないレーザ光の発振スペクトル、(b)はS
徴用エタロンの光透過特性、 (C)は微徴用エタロン
の光透過特性で、 (C)中耕線部分が狭帯域化された
レーザ光の発振スペクトルである。第4図はエタロンの
開型的な透過特性の波長依存性に関する説明図である。 l ・出力ミラー レーザ媒質、 微調用エタロン、 ・粗調用エタロン、 全反射ミラー
光の狭帯域化レーザシステムの構成図である。第2図(
a)〜(d)は本発明にかかろ微調用・粗調用エタロン
を用いた場合のレーザ光の狭帯域化方法を図示したもの
で、 (a)は狭帯域化されていないレーザ光の発振ス
ペクトル、 (b)は粗徴用エタロンの光透過特性1.
(C)は微徴用エタロンの光透過特性、 (d)は狭
帯域化されたレーザ光の発振スペクトルである。第3図
(a)〜(C)は従来の2枚のエタロンを用いたレーザ
光の狭帯域化方法を図示したもので、 (a)は狭帯域
化されていないレーザ光の発振スペクトル、(b)はS
徴用エタロンの光透過特性、 (C)は微徴用エタロン
の光透過特性で、 (C)中耕線部分が狭帯域化された
レーザ光の発振スペクトルである。第4図はエタロンの
開型的な透過特性の波長依存性に関する説明図である。 l ・出力ミラー レーザ媒質、 微調用エタロン、 ・粗調用エタロン、 全反射ミラー
Claims (2)
- (1)光透過特性に透過−非透過の周期性をそれぞれ有
する第1の波長選択素子と第2の波長選択素子とを備え
、両者の光透過の周期性の関係が、第1の波長選択素子
の特定の光透過帯域と、第2の波長選択素子の特定の光
透過帯域とを一致させたとき、第1の波長選択素子の前
記特定の光透過帯域の両側に隣接する周期の谷部に、第
2の波長選択素子の前記特定の光透過帯域の少なくとも
両側に隣接する光波長帯域が一致する関係にあることを
特徴とするレーザ光の狭帯域化装置。 - (2)前記第1の波長選択素子と第2の波長選択素子と
は、それぞれエタロンである請求項1記載のレーザ光の
狭帯域化装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28272389A JPH03142982A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | レーザ光の狭帯域化装置 |
CA002028803A CA2028803A1 (en) | 1989-10-30 | 1990-10-29 | Laser device |
US07/604,634 US5214659A (en) | 1989-10-30 | 1990-10-29 | Laser device |
EP19900120783 EP0426102A3 (en) | 1989-10-30 | 1990-10-30 | Laser device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28272389A JPH03142982A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | レーザ光の狭帯域化装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03142982A true JPH03142982A (ja) | 1991-06-18 |
Family
ID=17656206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28272389A Pending JPH03142982A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | レーザ光の狭帯域化装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03142982A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009531846A (ja) * | 2006-03-31 | 2009-09-03 | オッキウス | 二つのフィルターを含むダイオード励起連続レーザー装置 |
-
1989
- 1989-10-30 JP JP28272389A patent/JPH03142982A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009531846A (ja) * | 2006-03-31 | 2009-09-03 | オッキウス | 二つのフィルターを含むダイオード励起連続レーザー装置 |
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