JPH03141586A - Electroluminescent element - Google Patents
Electroluminescent elementInfo
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、エレクトロルミネッセンス素子に関するも
のである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an electroluminescent device.
従来から用いられているエレクトロルミネッセンス素子
（以下ｒＥＬ素子」という、）の基本的な構成は第２図
に示されている。ガラス基板１の表面にＩＴＯ（酸化イ
ンジウム錫）膜などの透明導電膜２が形成され、この透
明導電膜２上に第１絶縁層３が形成されている。そして
、この第１絶縁Ｎ３上に硫化亜鉛（ＺｎＳ ： Ｍｎ）
などで構成した発光層４と、第２絶縁層５とが順に積層
され、第１、第２絶縁層３．５により発光層４が挟まれ
た状態となっている。第２絶縁層３上にはアルミニウム
などで構成した背面電極６が形成され、この背面電極６
と透明導電ＩＡ２との間に高周波型ａ７が接続されてい
る。前記第１絶縁層３はたとえば酸化ケイ素（Ｓｉ Ｏ
ｇ）膜と窒化ケイ素（ＳｉｉＮ、）膜とを積層した積層
構造の膜などで構成されており、第２絶縁層５はたとえ
ば窒化ケイ素膜と酸化アルミニウム（Ａｌｔｏｓ）膜と
の積層構造膜などで構成されている。The basic structure of a conventionally used electroluminescent element (hereinafter referred to as "rEL element") is shown in FIG. A transparent conductive film 2 such as an ITO (indium tin oxide) film is formed on the surface of a glass substrate 1, and a first insulating layer 3 is formed on this transparent conductive film 2. Then, zinc sulfide (ZnS: Mn) is deposited on this first insulation N3.
A light emitting layer 4 composed of the above and the like and a second insulating layer 5 are laminated in order, and the light emitting layer 4 is sandwiched between the first and second insulating layers 3.5. A back electrode 6 made of aluminum or the like is formed on the second insulating layer 3.
A high frequency type a7 is connected between the transparent conductive IA2 and the transparent conductive IA2. The first insulating layer 3 is made of silicon oxide (SiO2), for example.
g) The second insulating layer 5 is made of a film with a laminated structure of a silicon nitride film and an aluminum oxide (Altos) film. It is configured.
高周波電源７からの高周波電圧を透明導電膜２と背面電
極６との間に印加すると、発光層４と絶縁層３．５との
界面などにトラップされていたキャリアなどが発光Ｊｉ
ｉ１４の発光中心に衝突して、この発光中心を励起する
。そして、この励起された発光中心が基底状態に遷移す
る際に光が放射される。この光がガラス基板１を透過し
て観察され、このようにして表示が行われる。When a high frequency voltage from a high frequency power source 7 is applied between the transparent conductive film 2 and the back electrode 6, carriers trapped at the interface between the light emitting layer 4 and the insulating layer 3.5 emit light.
It collides with the luminescent center of i14 and excites this luminescent center. Light is then emitted when this excited luminescent center transitions to the ground state. This light is transmitted through the glass substrate 1 and observed, and a display is performed in this manner.
上述のようなＥＬ素子では、発光に寄与するキャリアは
、発光層４と絶！ｉ！１３．５との間にトラップされた
キャリアなどであり、極めて微量のキャリアによって発
光中心の励起が行われているに過ぎず、したがって発光
効率が悪く、また輝度が低いという問題があった。In the EL device as described above, carriers contributing to light emission are completely separated from the light emitting layer 4! i! 13.5, and only a very small amount of carriers excites the luminescent center, resulting in a problem of poor luminous efficiency and low brightness.
この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、発光効
率が高く、また高輝度の発光が可能なエレクトロルミネ
ッセンス素子を提供することである。An object of the present invention is to solve the above-mentioned technical problems and provide an electroluminescent element that has high luminous efficiency and is capable of emitting high-intensity light.
請求項（１）のエレクトロルミネッセンス素子は、第１
絶縁層と発光層との間および第２絶縁層と発光層との間
の少なくともいずれか一方にキャリア供給層を介在させ
たことを特徴とする請求項（２）のエレクトロルミネッ
センス素子は、前記キャリア供給層が、導体または半導
体であることを特徴とする。The electroluminescent device according to claim (1) comprises a first
The electroluminescent device according to claim 2, characterized in that a carrier supply layer is interposed between the insulating layer and the light emitting layer and at least one of the second insulating layer and the light emitting layer. The supply layer is characterized by being a conductor or a semiconductor.
この発明の構成によれば、キャリア供給層に蓄積された
キャリアが発光層に供給されて、このキャリアが発光中
心を衝突・励起するので、発光に寄与するキャリアの数
が増大し、この結果発光効率が向上され、また発光輝度
が向上する。According to the configuration of the present invention, carriers accumulated in the carrier supply layer are supplied to the light emitting layer, and these carriers collide and excite the light emission center, so the number of carriers contributing to light emission increases, and as a result, light emission Efficiency is improved and luminance is also improved.
前記キャリア供給層としては、キャリアを蓄積し、また
蓄積したキャリアを供給することができる導体または半
導体などを適用することができる。As the carrier supply layer, a conductor, a semiconductor, or the like that can accumulate carriers and supply the accumulated carriers can be used.
第１図はこの発明の一実施例のエレクトロルミネッセン
ス素子（以下ｒＥＬ素子」という、）の基本的な構成を
示す断面図である。この第１図において、前述の第２図
に示された各部に対応する部分には同一の参照符号を付
して示す。FIG. 1 is a sectional view showing the basic structure of an electroluminescent device (hereinafter referred to as "rEL device") according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, parts corresponding to those shown in FIG. 2 described above are designated by the same reference numerals.
この実施例のＥＬ素子では、第１絶縁層３と発光層４と
の間、および発光Ｎ４と第２絶縁Ｎ５との間にそれぞれ
キャリア供給層１０．１１が設けられている。キャリア
供給１１０．１１は、たとえばアルミニウムなどの金属
、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）などの透明導電膜、硫黄
をドープした窒化ホウ素などの半導体などによって構成
されており、このキャリア供給ＪＷＩＯ，１１における
キャリアは、電圧が印加されない状態では、発光層４と
第１．第２絶縁層３．５との間に形成される井戸型ポテ
ンシャルにより捕獲されて、各キャリア供給層１０．１
１内に蓄積されている。In the EL element of this example, carrier supply layers 10 and 11 are provided between the first insulating layer 3 and the light emitting layer 4, and between the light emitting layer N4 and the second insulating layer N5. The carrier supply 110.11 is made of a metal such as aluminum, a transparent conductive film such as ITO (indium tin oxide), a semiconductor such as sulfur-doped boron nitride, etc., and the carriers in this carrier supply JWIO, 11 are , when no voltage is applied, the light emitting layer 4 and the first . Each carrier supply layer 10.1 is captured by a well type potential formed between the second insulating layer 3.5 and the second insulating layer 3.5.
It is stored in 1.
高周波ｔａ！Ｘ７からの高周波電圧が印加されると、キ
ャリア供給層１０．１１中のキャリアが発光層４に供給
され、この供給されたキャリアは発光層４内の発光中心
を衝突・励起する。発光中心を励起するキャリアは従来
の構成に比較して格段に多く、したがってキャリアと発
光中心との衝突回数が増大し、これにより発光効率が向
上され、さらに発光輝度が格段に向上される。High frequency ta! When the high frequency voltage from X7 is applied, the carriers in the carrier supply layer 10.11 are supplied to the light emitting layer 4, and the supplied carriers collide and excite the luminescent center in the light emitting layer 4. The number of carriers that excite the luminescent center is much larger than in the conventional configuration, and therefore the number of collisions between carriers and the luminescent center increases, thereby improving the luminous efficiency and further improving the luminous brightness.
キャリア供給ＪＷＩ０．１１の形成は、たとえばアルミ
ニウム金属を薄着などするようにして行われ、このよう
にして形成されキャリア供給層１０゜１１には成る程度
のキャリアが閉じ込められることになるが、キャリア供
給［１０，１１の形成の際に電子線を照射するなどして
キャリアの注入を行えば、さらに多くのキャリアを閉じ
込めることができ、そのようにして得られたＥＬ素子で
は、さらに高効率および高輝度での発光が可能である。The carrier supply JWI0.11 is formed by, for example, thinly depositing aluminum metal, and carriers formed in this way are confined in the carrier supply layer 10°11. [If carriers are injected by electron beam irradiation during the formation of [10, 11], even more carriers can be confined, and the EL device obtained in this way has even higher efficiency and higher It is possible to emit light at high brightness.
また、背面電極６側のキャリア供給層１１は、Ａｆｆｉ
リッチ黒色ＡＩＮなどの反射率の低い材料で構成される
ことが好ましく、このような材料を適用すれば、ガラス
基板１側からの入射光の反射が防がれるので、ドツトマ
トリクス表示を行う表示装置などにおいて、非発光部か
ら反射光が洩れることを防いで発光部を際立たせること
ができ、したがってコントラストの高い表示が可能にな
る。Further, the carrier supply layer 11 on the side of the back electrode 6 has Affi
It is preferable to use a material with low reflectance such as rich black AIN, and if such a material is used, reflection of incident light from the glass substrate 1 side can be prevented, so that a display device that performs dot matrix display can be used. In such applications, it is possible to prevent reflected light from leaking from non-light-emitting parts and make the light-emitting parts stand out, thus enabling display with high contrast.
さらにこの場合には、発光部からの光が非発光部で反射
されることも防がれるので、コントラストの向上に一層
有利である。Furthermore, in this case, the light from the light-emitting part is also prevented from being reflected by the non-light-emitting part, which is more advantageous in improving the contrast.
前述の実施例では、第１絶縁層３と発光層４との間にキ
ャリア供給７５１０を介在させ、発光層４と第２絶縁層
５との間にキャリア供給層１１を介在させるようにした
が、キャリア供給層１０．１１の少なくとも何れか一方
が設けられれば、前述のような作用を達成して発光効率
および発光輝度の向上に寄与することができる。In the above embodiment, the carrier supply layer 7510 was interposed between the first insulating layer 3 and the light emitting layer 4, and the carrier supply layer 11 was interposed between the light emitting layer 4 and the second insulating layer 5. , carrier supply layer 10.11 is provided, it is possible to achieve the above-mentioned effect and contribute to improvement of luminous efficiency and luminance.
〔発明の効果］
以上のようにこの発明のエレクトロルミネッセンス素子
によれば、発光に寄与するキャリアの数が増大し、発光
中心とキャリアとの衝突回数が増大するので、発光効率
が向上されるとともに、高耀度での発光を行わせること
ができるようになる。[Effects of the Invention] As described above, according to the electroluminescent device of the present invention, the number of carriers contributing to light emission increases and the number of collisions between the light emission center and the carriers increases, so that the light emission efficiency is improved and , it becomes possible to emit light with high brightness.
第１図はこの発明の一実施例のエレクトロルミネッセン
ス素子の基本的な構成を示す断面図、第２図は従来技術
を示す断面図である。
３・・・第１絶縁層、４・・・発光層、５・・・第２絶
縁層、１０．１１・・・キャリア供給層FIG. 1 is a sectional view showing the basic structure of an electroluminescent device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view showing a conventional technique. 3... First insulating layer, 4... Light emitting layer, 5... Second insulating layer, 10.11... Carrier supply layer
Claims (2)
させたエレクトロルミネツセンス素子において、前記第
１絶緑層と前記発光層との間および前記第２絶緑層と前
記発光層との間の少なくともいずれか一方にキヤリア供
給層を介在させたことを特徴とするエレクトロルミネツ
センス素子。(1) In an electroluminescent element in which a light-emitting layer is sandwiched between a first insulating layer and a second constant-green layer, the second constant-green layer An electroluminescent device characterized in that a carrier supply layer is interposed between at least one of the light emitting layer and the light emitting layer.
ることを特徴とする請求項（１）記載のエレクトロルミ
ネツセンス素子。(2) The electroluminescent device according to claim (1), wherein the carrier supply layer is a conductor or a semiconductor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1280071A JPH03141586A (en) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | Electroluminescent element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1280071A JPH03141586A (en) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | Electroluminescent element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03141586A true JPH03141586A (en) | 1991-06-17 |
Family
ID=17619896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1280071A Pending JPH03141586A (en) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | Electroluminescent element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03141586A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003081958A1 (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Tdk Corporation | El phosphor multilayer thin film and el device |
-
1989
- 1989-10-27 JP JP1280071A patent/JPH03141586A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003081958A1 (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Tdk Corporation | El phosphor multilayer thin film and el device |
| US6876146B2 (en) | 2002-03-26 | 2005-04-05 | Tdk Corporation | Electroluminescence phosphor multilayer thin film and electroluminescence element |
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