JPH03136481A - Ccd driving circuit - Google Patents
Ccd driving circuitInfo
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 5
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 1
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明はテレビカメラの如き固体撮像装置に用いるCC
D固体撮像素子にクロックパルスを供給するCCD駆動
回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Industrial application field The present invention relates to a CC camera used in a solid-state imaging device such as a television camera.
D relates to a CCD drive circuit that supplies clock pulses to a solid-state image sensor.
(ロ)従来の技術
従来、CCD固体撮像素子を用いたテレビカメラの如き
撮像装置に於いては、CODの動作原理を活用して電子
的に露光制御を行うことが考えられている0例えば特開
昭63−24764号公報では、垂直走査期間毎の光電
変換期間の途中でそれまで撮像部に蓄積した光電荷を転
送排出し、残余の光電変換期間に得られる光電荷を蓄積
して映像情報を得ることが示されている。そこで、光電
荷の排出タイミングをCODから出力される信号レベル
に応じて設定することで、光電変換期間がCCDの露光
状態に応じて伸縮制御される。(B) Conventional technology Conventionally, in imaging devices such as television cameras using CCD solid-state imaging devices, it has been considered to electronically control exposure by utilizing the operating principle of COD. In JP-A No. 63-24764, the photocharges accumulated in the imaging section are transferred and discharged during the photoelectric conversion period of each vertical scanning period, and the photocharges obtained during the remaining photoelectric conversion period are accumulated to generate video information. It has been shown that it can be obtained. Therefore, by setting the photocharge discharge timing according to the signal level output from the COD, the photoelectric conversion period is controlled to expand or contract according to the exposure state of the CCD.
このような露光制御手段に於いては、不要な光電荷を効
率良く排出することがひとつの課題となり、光電荷を逆
方向に転送して排出する方法やオーバーブロードレイン
に高電圧を印加して排出する方法、その他に縦型オーバ
ーブロードレイン構造と呼ばれるCODに於いて基板に
高電圧を印加して排出する方法等が考えられている。In such exposure control means, one of the challenges is to efficiently discharge unnecessary photocharges. In addition, a method of draining by applying a high voltage to the substrate in a COD called a vertical overbroad drain structure has been considered.
第3図は、CCDの要部断面図であり、内部のポテンシ
ャルの状態を示しである。FIG. 3 is a sectional view of the main part of the CCD, showing the state of the internal potential.
P型のSi基板(1)上には、N型のチャネル領域(2
)がLOGO5に依るチャネル分離領域(3)で互いに
分離されて設けられる。このチャネル分離領域(3)内
には、Nゝ型のオーバーブロードしイン(4)が設けら
れ、チャネル領域(2)からあふれ出す光電荷を受ける
ように構成されている。また、チャネル領域(2)上に
は、絶縁膜(5)を介して転送電極(6)が形成され、
さらに絶縁膜(7)が転送電極(6)を覆って形成され
る。An N-type channel region (2) is formed on a P-type Si substrate (1).
) are provided separated from each other by a channel isolation region (3) by LOGO5. An N-type overbroad in (4) is provided in the channel separation region (3) and is configured to receive photocharges overflowing from the channel region (2). Further, a transfer electrode (6) is formed on the channel region (2) via an insulating film (5),
Furthermore, an insulating film (7) is formed covering the transfer electrode (6).
このようなCCDに於いては、光電荷を蓄積する際には
ゲート電極(6〉が高い電位、オーバーフロードレイン
(4)が低い電位に固定されて第3図の実線で示すよう
にチャネル領域(2)にポテンシャル井戸が形成され、
このポテンシャル井戸に光電荷が蓄積される。そして、
光電荷を転送駆動する場合には、ゲート電極(6)にク
ロックパルスを印加すると共に、オーバーブロードレイ
ン(4)には転送過程で光電荷がオーバーフロードレイ
ン(4)に漏れるのを防止するために、光電荷の蓄積の
際よりさらに低い電位が印加される。In such a CCD, when storing photocharges, the gate electrode (6) is fixed at a high potential and the overflow drain (4) is fixed at a low potential, and the channel region (6) is fixed at a low potential as shown by the solid line in FIG. 2) A potential well is formed,
Photocharges are accumulated in this potential well. and,
When transferring photocharges, a clock pulse is applied to the gate electrode (6), and an overflow drain (4) is provided to prevent photocharges from leaking to the overflow drain (4) during the transfer process. , a lower potential is applied than during photocharge accumulation.
一方、光電荷を排出する際には、オーバーブロードレイ
ン<4〉を極めて高い電位、例えば蓄積時にゲート電極
(6)に印加する電位の3倍の1位とすると共に、ゲー
ト電極(6)を低い1位として第3図の破線で示す如く
チャネル領域〈2)とオーバーブロードレイン(4)と
の間のポテンシャル障壁を消滅させ、チャネル領域(2
)の光電荷をオーバーフロードレイン(4)に排出する
。On the other hand, when discharging photocharges, the overbroad drain <4> is set to an extremely high potential, for example, 3 times the potential applied to the gate electrode (6) during accumulation, and the gate electrode (6) is The potential barrier between the channel region (2) and the overbroad drain (4) is eliminated as shown by the broken line in FIG.
) is discharged to the overflow drain (4).
このような光電荷の排出方法に依ると、撮像部の光電荷
を同時に且つ極めて短い時間で排出することができるた
め、逆方向転送に依り光電荷を排出する方法に比して、
CCDから出力される信号への影響が少ない。According to such a method of discharging photocharges, the photocharges of the imaging section can be discharged simultaneously and in an extremely short time, compared to a method of discharging photocharges using reverse direction transfer.
There is little influence on the signal output from the CCD.
上述のようにチャネル領域(2)の光電荷をオーバーフ
ロードレイン(4)へ十分に排出させるためには、オー
バーフロードレイン(4)に30V以上の極めて高い電
位を与える必要があり、この電位を有するクロックパル
スを発生する駆動回路が必要となる。ところで、これら
CCDの駆動回路は、一般的に16V程度の電源で駆動
されるため、例えば30V以上の電位を得ようとする場
合には第4図に示すようなりランプ回路が用いられる。As mentioned above, in order to sufficiently discharge the photocharges in the channel region (2) to the overflow drain (4), it is necessary to apply an extremely high potential of 30 V or more to the overflow drain (4). A drive circuit that generates pulses is required. Incidentally, these CCD drive circuits are generally driven by a power supply of about 16V, so when attempting to obtain a potential of 30V or more, for example, a lamp circuit as shown in FIG. 4 is used.
このクランプ回路は、電源から出力側に接続きれたダイ
オード(11)、このダイオード(11)と並列に接続
された抵抗(12)及びダイオード(11)の出力側に
接続されたコンデンサ(13)からなり、このコンデン
サ(13)の他端にスイッチング回路が接読される。ス
イッチング回路は、エミッタが接地されてコレクタが抵
抗(14)を介して電源に接続され、ベースに抵抗(1
5)を介してタイミングパルスTPが与えられるトラン
ジスタ(16)で構成きれる。このスイッチング回路は
、タイミングパルスTPに従ってトランジスタ〈16)
がオン・オフすることで、電源電位vDDと接地電位V
SSとの間で動作する。即ち、トランジスタ(16)が
オフしているときには、トランジスタ(16)のコレク
タ側の電位がVゎゎとなり、トランジスタ(16)がオ
ンしているときにはトランジスタ(16〉のコレクタ側
の電位がV ssまで引下げられ、第5図に示す如くタ
イミングパルスCPに従ってvDIlルベルとVSSレ
ベルとを繰り返すクロックパルスCKAをクランプ回路
とスイッチング回路との接続点Aに与える。This clamp circuit consists of a diode (11) connected from the power supply to the output side, a resistor (12) connected in parallel with this diode (11), and a capacitor (13) connected to the output side of the diode (11). A switching circuit is connected to the other end of this capacitor (13). The switching circuit has an emitter grounded, a collector connected to the power supply via a resistor (14), and a base connected to a resistor (14).
5) to which a timing pulse TP is applied via a transistor (16). This switching circuit switches the transistor <16> according to the timing pulse TP.
turns on and off, the power supply potential vDD and the ground potential V
Operates with SS. That is, when the transistor (16) is off, the potential on the collector side of the transistor (16) is V ss, and when the transistor (16) is on, the potential on the collector side of the transistor (16) is up to V ss. A clock pulse CKA which is lowered and repeats the vDIl level and VSS level according to the timing pulse CP as shown in FIG. 5 is applied to the connection point A between the clamp circuit and the switching circuit.
クランプ回路は、点Aに与えられる電位が、クランプ電
位のv0以下となると、その電位をVDDにクランプす
るもので、第5図のクロックパルスCK Aに対しては
VSSの電位をV DDにクランプする。そして、クロ
ックパルスCKAのvoの電位に対しては、vDDとV
SSとの電位差■4がクランプ電位に重畳され、第5図
に示すようなりロックパルスCKot+tを出力する。The clamp circuit clamps the potential applied to point A to VDD when it becomes less than the clamp potential v0, and clamps the potential of VSS to VDD for the clock pulse CKA in Fig. 5. do. For the potential of vo of clock pulse CKA, vDD and V
The potential difference (4) with SS is superimposed on the clamp potential, and a lock pulse CKot+t is output as shown in FIG.
例えば、VDDを16V、V、、をOvとして駆動させ
る場合には、16■を基準に32Vのクロックパルスを
得ることができる。このクロックパルスの電位は、vo
及び■5.の値の変更に依って可変設定できると共に、
クランプ回路のクランプ電位の変更、例えばダイオード
(11)と抵抗(12)との電源側に可変抵抗を設ける
ことに依っても可変設定できる。For example, when driving VDD with 16V, V, . . . as Ov, a 32V clock pulse can be obtained based on 16. The potential of this clock pulse is vo
and■5. It can be set variably by changing the value of
Variable setting can also be achieved by changing the clamp potential of the clamp circuit, for example by providing a variable resistor on the power supply side of the diode (11) and resistor (12).
(八)発明が解決しようとする課題
しかしながら、上述の如きクランプ回路を用いた場合、
30V以上の高電位を得ることはできるものの、複数の
波高値を有するクロックパルスを得ることはできない。(8) Problems to be solved by the invention However, when using the clamp circuit as described above,
Although it is possible to obtain a high potential of 30 V or more, it is not possible to obtain clock pulses having multiple peak values.
通常、CCDのオーバーフロードレイン(4)には、光
電荷の蓄積時及び排出時に加えて転送時に夫々異なる電
位が与えられるため、上述のようなりランプ回路及び電
源を複数設けること等で夫々の電位のクロックパルスを
得るように構成される。Normally, different potentials are applied to the overflow drain (4) of a CCD during the accumulation and discharge of photocharges as well as during transfer, so by providing multiple lamp circuits and power supplies as described above, the respective potentials can be adjusted. configured to obtain clock pulses.
また、クロックパルスの最高電位は、電源電位の2倍で
あり、例えばVDDが16Vの場合には32Vが最大値
となる。ところが、光電荷の排出時には蓄積時の2倍以
上の電位をオーバーブロードレイン〈4〉に印加するこ
とが望まれ、上述の如きクランプ回路の単純な組合せで
は十分な電位を得ることができない。Further, the highest potential of the clock pulse is twice the power supply potential, and for example, when VDD is 16V, the maximum value is 32V. However, when discharging photocharges, it is desired to apply a potential twice or more than that during accumulation to the overbroad drain <4>, and a sufficient potential cannot be obtained with the simple combination of clamp circuits as described above.
そこで本発明は、単一の電源に対して複数の波高値を得
ると共に電源電位の2倍以上の電位のクロックパルスを
得ることのできるCCp駆動回路の提供を目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a CCp drive circuit that can obtain a plurality of peak values for a single power supply and also obtain a clock pulse having a potential twice or more of the power supply potential.
(ニ)課題を解決するための手段
本発明は、上述の課題を解決するためになきれたもので
、第1のタイミングパルスに従って電源電位と接地電位
との間で開閉動作をする第1のスイッチング回路、この
第1のスイッチング回路の出力を接地電位から電源電位
の間の第1の電位にクランプする第1のクランプ回路、
この第1のクランプ回路の出力を受けるエミッタホロワ
回路、このエミッタホロワ回路のベース側の入力電位を
第2のタイミングパルスに従って接地電位まで下げる第
2のスイッチング回路、上記ベース側の入力電位を第3
のタイミングパルスに従って接地電位から上記第1の電
位の間の第2の電位に下げる第3のスイッチング回路、
上記エミッタホロワ回路の出力を接地電位から電源電位
の間の第3の電位にクランプする第2のクランプ回路、
を備え、上記第1及び第2の電位に基づいた第1及び第
2の波高値と上記第3の電位に応じた基準値とを有する
クロックパルスを発生することを特徴とするものである
。(d) Means for Solving the Problems The present invention was made to solve the above-mentioned problems. a switching circuit; a first clamp circuit that clamps the output of the first switching circuit to a first potential between a ground potential and a power supply potential;
an emitter follower circuit that receives the output of the first clamp circuit; a second switching circuit that lowers the input potential on the base side of the emitter follower circuit to the ground potential according to a second timing pulse;
a third switching circuit that lowers the potential from the ground potential to a second potential between the first potential according to a timing pulse of
a second clamp circuit that clamps the output of the emitter follower circuit to a third potential between the ground potential and the power supply potential;
The clock pulse is characterized in that it generates a clock pulse having first and second peak values based on the first and second potentials and a reference value depending on the third potential.
(*)作用
本発明に依れば、第1のスイッチング回路から与えられ
るクロックパルスが第1のクランプ回路で第1の電位に
クランプされ、クランプ後のクロックパルスがエミッタ
ホロワ回路を介して第2のクランプ回路に与えられると
共に、第2及び第3のスイッチング回路に依ってクロッ
クパルスの電位が特定のタイミングで接地電位及び所定
の電位まで引き下げられる。従って、第1のクランプ回
路で第1の波高値、第3のスイッチング回路で第2の波
高値が設定されて第2のスイッチング回路で基準値が設
定され、2種類の波高値を有するクロックパルスが第2
のクランプ回路から得られる。(*) Effect According to the present invention, the clock pulse given from the first switching circuit is clamped to the first potential by the first clamp circuit, and the clock pulse after clamping is passed through the emitter follower circuit to the second potential. The potential of the clock pulse is applied to the clamp circuit, and the potential of the clock pulse is lowered to the ground potential and a predetermined potential at specific timing by the second and third switching circuits. Therefore, the first clamp circuit sets the first peak value, the third switching circuit sets the second peak value, the second switching circuit sets the reference value, and the clock pulse has two types of peak values. is the second
obtained from the clamp circuit.
(へ)実施例 本発明の実施例を図面に従って説明する。(f) Example Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明CCD駆動回路の構成を示す回路図であ
る。このCOD駆動は、第1乃至第3のスイッチング回
路(20)(30)(40)、第1及び第2のクランプ
回路(50)(60)及び分圧回路(7o)がらなり、
第1乃至第3のタイミングパルスTP、、’rP、、T
Pjに従って動作し、クロックパルスCK。LITを発
生する。FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of a CCD driving circuit according to the present invention. This COD drive consists of first to third switching circuits (20) (30) (40), first and second clamp circuits (50) (60), and a voltage dividing circuit (7o),
First to third timing pulses TP,,'rP,,T
Pj and clock pulse CK. Generate LIT.
第1のスイッチング回路(2o)は、電源と接地点との
間に1対のトランジスタ(21)(22)が直列に接続
され、これらトランジスタ(21)(22)のベースに
コンデンサ(23)(24)が夫々接続きれる。またト
ランジスタ(21)(22)のベース・エミッ間には、
トランジスタの極性に対して順方向にダイオード(25
)(26)が接続される。そして、コンデンサ(23)
(24)他端には抵抗(27)を介して第1のタイミン
グパルスTP、が共通に与えられる。従って、第2図に
示す第1のタイミングパルスTPlの立下りに対して接
地電位VSSから電KM位V。Dに立上り、逆に第1の
タイミングパルスTP、の立上りに対してvDDからV
SSに立下るクロックパルスを発生する。The first switching circuit (2o) has a pair of transistors (21) and (22) connected in series between a power supply and a ground point, and a capacitor (23) ( 24) can be connected to each other. Also, between the base and emitter of the transistors (21) and (22),
A diode (25
)(26) are connected. And the capacitor (23)
(24) A first timing pulse TP is commonly applied to the other end via a resistor (27). Therefore, with respect to the falling edge of the first timing pulse TPl shown in FIG. D rises and conversely, from vDD to V with respect to the rise of the first timing pulse TP.
Generates a falling clock pulse to SS.
第1のクランプ回路(50)は、第4図に示すクランプ
回路と同一構成で、ダイオードク51)、抵抗(52)
及びコンデンサ(53〉よりなる。このクランプ回路(
50)は、第1のスイッチング回路(20)から与えら
れるクロックパルスを後述する分圧回路(70)からの
第1のクランプ電位V、にクランプする。The first clamp circuit (50) has the same configuration as the clamp circuit shown in FIG. 4, including a diode 51) and a resistor (52).
and a capacitor (53). This clamp circuit (
50) clamps the clock pulse given from the first switching circuit (20) to a first clamp potential V from a voltage dividing circuit (70), which will be described later.
従って、VIISの電位がvlにクランプされ、第2図
に示すようにタイミングパルスTP、の立上りのタイミ
ングテV 17!J”) V I+ Vo(V、I=
VDD V3.)に立上るクロックパルスCK^を第
1図に示す点Aに供給する。Therefore, the potential of VIIS is clamped to vl, and as shown in FIG. 2, the timing of the rise of timing pulse TP is V17! J”) V I+ Vo(V, I=
VDD V3. ) is applied to point A shown in FIG.
第2のスイッチング回路(30〉は、トランジスタ(3
1)のエミッタが接地され、ベースに抵抗(32)を介
して第2のタイミングパルスTP、が印加される。また
トランジスタ(31)のコレクタは、抵抗(33)を介
して第1のクランプ回路(50)の出力(点A)に接続
され、第2のタイミングパルスTP。The second switching circuit (30) includes a transistor (30).
The emitter of 1) is grounded, and a second timing pulse TP is applied to the base via a resistor (32). Further, the collector of the transistor (31) is connected to the output (point A) of the first clamp circuit (50) via a resistor (33), and receives the second timing pulse TP.
に従って点Aを回路的に接地させる。この第2のタイミ
ングパルスTP、は、第1のタイミングパルスTP、に
同期しており、クロックパルスCKAの立上りから立下
りの間を除いてトランジスタ(31)がオンせしめられ
、トランジスタ(31)のコレクタ側(点B)の電位が
VSSに引下げられる。Accordingly, point A is grounded in terms of the circuit. This second timing pulse TP is synchronized with the first timing pulse TP, and the transistor (31) is turned on except between the rising edge and the falling edge of the clock pulse CKA. The potential on the collector side (point B) is lowered to VSS.
方、第3のスイッチング回路(40)は、トランジスタ
(41)のエミッタが可変抵抗(42)を介して接地さ
れ、ベースに抵抗(43)を介して第3のタイミングパ
ルスTP、が印加されると共に、コレクタが点Bに接続
される。第3のタイミングパルスTP。On the other hand, in the third switching circuit (40), the emitter of the transistor (41) is grounded via a variable resistor (42), and the third timing pulse TP is applied to the base via a resistor (43). At the same time, the collector is connected to point B. Third timing pulse TP.
は、第2のタイミングパルスTP、と逆の位相を有して
おり、第2のタイミングパルスT P zの立下りから
立上りまでの期間にトランジスタ(41)をオンさせる
。トランジスタ(41)がオンすると、点Bの電位が可
変抵抗(42)の抵抗値に応じて引下げられる。第2の
スイッチング回路(30)に於いては、トランジスタ(
31)のエミッタが直接接地されているため、トランジ
スタ(31)がオンすると点Bの電位がV ssにまで
引下げられるのに対して、トランジスタ(41)がオン
すると可変抵抗(42)の抵抗値に依る電圧降下分だけ
V ssより高い電位V、に引下げられる。従って、第
2図に示す如く第3のタイミングパルスTP、の立上り
から立下りまでの間にv3となり、クロックパルスCK
Aの立上りから立下りまでの間にV、+V、となるクロ
ックパルスCK、を点Bから得られる。has a phase opposite to that of the second timing pulse TP, and turns on the transistor (41) during the period from the fall to the rise of the second timing pulse TPz. When the transistor (41) is turned on, the potential at point B is lowered according to the resistance value of the variable resistor (42). In the second switching circuit (30), a transistor (
Since the emitter of 31) is directly grounded, when the transistor (31) is turned on, the potential at point B is lowered to Vss, whereas when the transistor (41) is turned on, the resistance value of the variable resistor (42) is lowered. V is lowered to a potential higher than Vss by the voltage drop caused by Vss. Therefore, as shown in FIG. 2, from the rise to the fall of the third timing pulse TP, it becomes v3, and the clock pulse CK
A clock pulse CK that becomes V, +V from the rise to the fall of A is obtained from point B.
この点Bは、エミッタホロワ接続きれたトランジスタ(
80)のベースに接続され、このトランジスタ(80)
のエミッタが第2のクランプ回路(60)に接続される
。This point B is a transistor with an emitter-follower connection (
connected to the base of this transistor (80)
The emitter of is connected to the second clamp circuit (60).
第2のクランプ回路(60)は、第1のクランプ回路(
50)と同一構成で、ダイオード(61)、抵抗(62
)及びコンデンサ(63)からなり、分圧回路(70)
からダイオード(61)、抵抗(62)に第2のクラン
プ電位V!が与えられる。従って、クランプ回路(60
)は、クロックパルスCK、のVSSレベルをV、にク
ランプしてクロックパルスCKOUアを出力する。The second clamp circuit (60) is connected to the first clamp circuit (
Same configuration as 50), diode (61), resistor (62)
) and a capacitor (63), and a voltage dividing circuit (70)
to the diode (61) and the resistor (62) to the second clamp potential V! is given. Therefore, the clamp circuit (60
) clamps the VSS level of clock pulse CK, to V, and outputs clock pulse CKOUa.
分圧回路(70)は、可変抵抗(71)(72)及びコ
ンデンサ<73>(74)で構成されており、vDDを
夫々分圧して第1及び第2のクランプ電位V、、V、を
発生して第1及び第2のクランプ回路(50)(60)
に与える。即ち、クロックパルスCKoutの基準レベ
ルや波高値は第1及び第2のクランプレベルVV、で決
定されるため、可変抵抗(71)(72)の抵抗値に加
えて第3のスイッチング回路(40)の可変抵抗(42
)の抵抗値を変化させることに依ってクロックパルスC
Koutの各レベルが可変設定される。The voltage dividing circuit (70) is composed of variable resistors (71) (72) and capacitors <73> (74), and divides vDD into first and second clamp potentials V, , V, respectively. generating first and second clamp circuits (50) (60)
give to That is, since the reference level and peak value of the clock pulse CKout are determined by the first and second clamp levels VV, in addition to the resistance values of the variable resistors (71) and (72), the third switching circuit (40) variable resistance (42
) by changing the resistance value of clock pulse C
Each level of Kout is variably set.
例えば、第1のタイミングパルスTP、に従って得られ
るクロックパルスCKOUTの波高値は、vl+v、+
v14テあり、基準値がv、となるため、vDDを16
V、 VssをOvとした場合、■、及びV、を0〜
16Vの間で変化させることで、基準値は0〜16V1
波高値は16〜48Vの間で連続的に可変設定できる。For example, the peak value of the clock pulse CKOUT obtained according to the first timing pulse TP is vl+v, +
Since there is v14te and the reference value is v, vDD is set to 16
When V and Vss are Ov, ■ and V are 0 to
By changing between 16V, the reference value is 0 to 16V1
The peak value can be continuously varied between 16 and 48V.
また、第3のタイミングパルスCP3に従って得られる
クロックパルスCKOUTは波高値がV、+V、となる
ため、可変抵抗(42)の値を0〜ooまで変化させる
ことで、■、〜V、+V、+V、Iまでの間で連続的に
可変設定できる。Further, since the clock pulse CKOUT obtained according to the third timing pulse CP3 has a peak value of V, +V, by changing the value of the variable resistor (42) from 0 to oo, ■, ~V, +V, It can be set continuously between +V and +I.
ところで、第2図には、第1及び第3のタイミングパル
スTP、、TP、が交互に動作するように示されている
が、実際にはCCDの撮像部の光電荷を排出する際には
第3のタイミングパルスTPsを低レベルに固定して第
1及び第2のタイミングパルスTP、、TP1の変化の
みを与え、光電荷を転送するときには第1のタイミング
パルスTP、を高レベルに固定して第2及び第3のタイ
ミングパルスTP*、TP、のみを与えることで、夫々
波高値の揃ったクロックパルスCK out ヲCCD
に供給するように動作が制御される。By the way, in FIG. 2, the first and third timing pulses TP, , TP are shown to operate alternately, but in reality, when discharging photocharges from the imaging section of the CCD, The third timing pulse TPs is fixed at a low level and only the first and second timing pulses TP, , TP1 are changed, and when transferring photocharges, the first timing pulse TP is fixed at a high level. By providing only the second and third timing pulses TP* and TP, clock pulses CK out and CCD having the same peak value can be obtained.
The operation is controlled so as to supply the
(ト)発明の効果
本発明に依れば、最大で電源電位の3倍の波高値を有す
ると共に、2つの波高値のクロックパルスを得ることが
できる。このようなCCD駆動回路は、オーバーフロー
ドレインに印加するクロックパルスや縦型オーバーフロ
ードレイン方式のCODの基板に印加するクロックパル
スを単一の電源から発生させることができるため、電源
部分の回路を簡略化して駆動回路の回路規模を縮小でき
、撮像装置の小型軽量化が図れると共に低コスト化が望
める。(g) Effects of the Invention According to the present invention, it is possible to obtain a clock pulse having a maximum peak value three times the power supply potential and having two peak values. This type of CCD drive circuit can generate clock pulses applied to the overflow drain and the clock pulses applied to the vertical overflow drain type COD substrate from a single power supply, so the power supply circuit can be simplified. As a result, the circuit scale of the drive circuit can be reduced, and it is possible to reduce the size and weight of the imaging device as well as to reduce the cost.
第1図は本発明CCD駆動回路を示す回路図、第2図は
第1図の動作を説明する波形図、第3図は固体撮像装置
の構成を示すブロック図、第4図はCCDの断面及びポ
テンシャルの状態を示す図、第5図は従来のCCD駆動
回路に用いるクランプ回路の回路図である。
(20)<30)(40)・・・スイッチング回路、
(21)(22)(31)(41)・・・トランジスタ
、 (42)・・・可変抵抗、(50)(60)・・・
クランプ回路、 (51)(61)・・・ダイオード、
(53)(63)・・・コンデンサ、 (70)・・
・分圧回路、
(71)(72)・・・可変抵抗。Fig. 1 is a circuit diagram showing the CCD drive circuit of the present invention, Fig. 2 is a waveform diagram explaining the operation of Fig. 1, Fig. 3 is a block diagram showing the configuration of the solid-state imaging device, and Fig. 4 is a cross section of the CCD. FIG. 5 is a circuit diagram of a clamp circuit used in a conventional CCD drive circuit. (20)<30)(40)...switching circuit,
(21)(22)(31)(41)...Transistor, (42)...Variable resistor, (50)(60)...
Clamp circuit, (51) (61)...diode,
(53) (63)... Capacitor, (70)...
・Voltage divider circuit, (71) (72)...variable resistance.
Claims (2)
電位との間で開閉動作をする第1のスイッチング回路、 このスイッチング回路の出力を接地電位から電源電位の
間の第1の電位にクランプする第1のクランプ回路、 このクランプ回路の出力を受けるエミッタホロワ回路、 このエミッタホロワ回路のベース側の入力電位を第2の
タイミングパルスに従って接地電位に下げる第2のスイ
ッチング回路、 上記ベース側の入力電位を第3のタイミングパルスに従
って接地電位から上記第1の電位の間の第2の電位に下
げる第3のスイッチング回路、上記エミッタホロワ回路
の出力を接地電位から電源電位の間の第3の電位にクラ
ンプする第2のクランプ回路、 を備え、上記第1及び第2の電位に基づいた第1及び第
2の波高値と上記第3の電位に応じた基準値とを有する
クロックパルスを発生することを特徴とするCCD駆動
回路。(1) A first switching circuit that opens and closes between a power supply potential and a ground potential according to a first timing pulse; A first switching circuit that clamps the output of this switching circuit to a first potential between the ground potential and the power supply potential. an emitter follower circuit that receives the output of this clamp circuit; a second switching circuit that lowers the input potential on the base side of this emitter follower circuit to the ground potential according to a second timing pulse; a third switching circuit that clamps the output of the emitter follower circuit to a third potential between the ground potential and the power supply potential according to a timing pulse of the ground potential to a second potential between the ground potential and the first potential; A clamp circuit, characterized in that it generates a clock pulse having first and second peak values based on the first and second potentials and a reference value depending on the third potential. CCD drive circuit.
の間で夫々設定して上記第1及び第2のクランプ回路に
与える電力供給手段を備えたことを特徴とする請求項第
1項記載のCCD駆動回路。(2) Claim 1 further comprising power supply means for setting the first and third potentials between a ground potential and a power supply potential, respectively, and supplying the first and second clamp circuits with the power. CCD drive circuit described in Section 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1274268A JP2645898B2 (en) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | CCD drive circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1274268A JP2645898B2 (en) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | CCD drive circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03136481A true JPH03136481A (en) | 1991-06-11 |
JP2645898B2 JP2645898B2 (en) | 1997-08-25 |
Family
ID=17539296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP1274268A Expired - Lifetime JP2645898B2 (en) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | CCD drive circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2645898B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002084461A (en) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Advantest Corp | Image pickup element drive circuit, image pickup element test unit |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP1274268A patent/JP2645898B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002084461A (en) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Advantest Corp | Image pickup element drive circuit, image pickup element test unit |
JP4673477B2 (en) * | 2000-09-07 | 2011-04-20 | 株式会社アドバンテスト | Image sensor drive circuit, image sensor test apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2645898B2 (en) | 1997-08-25 |
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